JPS6037642B2 - 相補型ｍｏｓトランジスタ回路 - Google Patents
相補型ｍｏｓトランジスタ回路Info
- Publication number
- JPS6037642B2 JPS6037642B2 JP52057195A JP5719577A JPS6037642B2 JP S6037642 B2 JPS6037642 B2 JP S6037642B2 JP 52057195 A JP52057195 A JP 52057195A JP 5719577 A JP5719577 A JP 5719577A JP S6037642 B2 JPS6037642 B2 JP S6037642B2
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- JP
- Japan
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- mos transistor
- amplifier
- current
- complementary mos
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Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は相補型ＭＯＳトランジスタ（以下ＣＭＯＳと
いう）を用いた回路に関する。
いう）を用いた回路に関する。
ＣＭＯＳ増幅器と水晶振動子を紙合せた発振器が腕時計
用等に実用されている。
用等に実用されている。
その構成は通常第１図に示すように、ＰチャネルＭＯＳ
トランジスタＴ，とｎチャネルＭＯＳトランジスタＴ２
を直列接続し、入出力端間に直流バイアス点を決める抵
抗Ｒ．を接続し、水晶振動子Ｑ、抵抗Ｒ２，Ｒ３、コン
デンサＣ，，Ｃ２からなる帰還回路を備えている。トラ
ンジスタＴ，，Ｔ２の大きさは通常等しく、例えばチャ
ネル長が８〆ｍ、チャネル幅が１００仏ｍ程度に設計さ
れ、電源としてＶＤＤ＝＋１．５Ｖ，Ｖｓｓ＝ＯＶが印
加される。このような水晶発振器は、例えば３２ＫＨＺ
で発振させた場合、電源から供給されている電流が１仏
Ａ以下であり、小形の電池で２年以上もつので腕時計用
として実用されている。
トランジスタＴ，とｎチャネルＭＯＳトランジスタＴ２
を直列接続し、入出力端間に直流バイアス点を決める抵
抗Ｒ．を接続し、水晶振動子Ｑ、抵抗Ｒ２，Ｒ３、コン
デンサＣ，，Ｃ２からなる帰還回路を備えている。トラ
ンジスタＴ，，Ｔ２の大きさは通常等しく、例えばチャ
ネル長が８〆ｍ、チャネル幅が１００仏ｍ程度に設計さ
れ、電源としてＶＤＤ＝＋１．５Ｖ，Ｖｓｓ＝ＯＶが印
加される。このような水晶発振器は、例えば３２ＫＨＺ
で発振させた場合、電源から供給されている電流が１仏
Ａ以下であり、小形の電池で２年以上もつので腕時計用
として実用されている。
しかし、水晶振動子を選んで４ＭＨＺ発振器とした場合
、電流が２０仏Ａ程度必要となるため、４・形の電池で
は１ヶ月程度しかもたず、腕時計用としては未だ実用に
供し得ない。この種の発振器を時計に利用する場合、発
振周波数の安定度が非常に重要である。
、電流が２０仏Ａ程度必要となるため、４・形の電池で
は１ヶ月程度しかもたず、腕時計用としては未だ実用に
供し得ない。この種の発振器を時計に利用する場合、発
振周波数の安定度が非常に重要である。
３２ＫＨＺ用の水晶振動子と４ＭＨ２用の水晶振動子の
温度特性を比較すると、第２図に示すように４ＭＨＺ用
の方が１桁程度安定度が高い。
温度特性を比較すると、第２図に示すように４ＭＨＺ用
の方が１桁程度安定度が高い。
しかも、４ＭＨ２用水晶振動子の方が、３松ＨＺ用に比
べて小さく、価格も安い。これらの点から、時計用とし
ては４ＭＨＺ水晶発振器を用いた方がよいのであるが、
前述したように消費電流が大きいことが腕時計に用いる
場合の障害になっていた。この発明は上託した点に鑑み
、複数個のＣＭＯＳ増幅器の縦続接続を利用する回路に
ついて、集積度を低下させることなく、簡単な構成で消
費電流の低減化を図ることを目的とする。
べて小さく、価格も安い。これらの点から、時計用とし
ては４ＭＨＺ水晶発振器を用いた方がよいのであるが、
前述したように消費電流が大きいことが腕時計に用いる
場合の障害になっていた。この発明は上託した点に鑑み
、複数個のＣＭＯＳ増幅器の縦続接続を利用する回路に
ついて、集積度を低下させることなく、簡単な構成で消
費電流の低減化を図ることを目的とする。
この発明は、第１に、ＣＭＯＳ増幅器を複数段縦続接続
して構成されるＣＭＯＳ回路において、最終段増幅器の
負荷側、ドライバ側のしきし、値電圧をそれぞれＶＭ，
ＶＴａ２とし、最終段以外の少くとも１つの増幅器の負
荷側、ドライバ側のしきし、値電圧をそれぞれＶＴｂ，
，ＶＴｂ２としたとき、ＩＶＴｂ，ｌ＜ＩＶＴａ，ｌま
たはＩＶ７ｂ２ ｌ＜ＩＶＴａ２ ｌの少くとも一方を
満たすことにより、低消費電力化を図ったことを特徴と
している。
して構成されるＣＭＯＳ回路において、最終段増幅器の
負荷側、ドライバ側のしきし、値電圧をそれぞれＶＭ，
ＶＴａ２とし、最終段以外の少くとも１つの増幅器の負
荷側、ドライバ側のしきし、値電圧をそれぞれＶＴｂ，
，ＶＴｂ２としたとき、ＩＶＴｂ，ｌ＜ＩＶＴａ，ｌま
たはＩＶ７ｂ２ ｌ＜ＩＶＴａ２ ｌの少くとも一方を
満たすことにより、低消費電力化を図ったことを特徴と
している。
この発明は、第２に、ＣＭＯＳ増幅器を少くとも３段縦
続接続し、水晶振動子を含む帰還回路を設けて構成され
るＣＭＯＳ回路において、最終段増幅器の負荷側、ドラ
イバ側のしきい値電圧をそれぞれＶＴａ．，ＶＴａ２と
し、最終段以外の少くとも１っの増幅器の負荷側、ドラ
イバ側のしきし「値電圧をそれぞれＶＴｂ，，ＶＴｂ２
としたとき、ＩＶＴｂ，ｌ＜ＩＶＴａ，！またはＩＶＴ
地 ｌ＜ＩＶＴａ２ ｌの少くとも一方を満たすことに
より、低消費電力化を図ったことを特徴としている。
続接続し、水晶振動子を含む帰還回路を設けて構成され
るＣＭＯＳ回路において、最終段増幅器の負荷側、ドラ
イバ側のしきい値電圧をそれぞれＶＴａ．，ＶＴａ２と
し、最終段以外の少くとも１っの増幅器の負荷側、ドラ
イバ側のしきし「値電圧をそれぞれＶＴｂ，，ＶＴｂ２
としたとき、ＩＶＴｂ，ｌ＜ＩＶＴａ，！またはＩＶＴ
地 ｌ＜ＩＶＴａ２ ｌの少くとも一方を満たすことに
より、低消費電力化を図ったことを特徴としている。
第３図は３個のＣＭＯＳ増幅器Ａ，〜Ａ３を縦続接続し
て構成した増幅回路およびこれを用いた水晶発振器の実
施例である。
て構成した増幅回路およびこれを用いた水晶発振器の実
施例である。
初段の増幅器Ａ，はｐチャネルＭＯＳトランジスタＴ，
．を負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＴ，２をドラ
イバとして直列接続し、その接続点を出力端とし、ゲー
トを共通接続して入力機として、入出力端間に直流バイ
アス安定用の抵抗Ｒ．，を援続して構成されている。２
段目の増幅器んも同様に、ｐチャネルＭＯＳトランジス
タＬ，を負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＬ２をド
ライバとし、直流バイアス安定用の抵抗Ｒ，３を設けて
構成されている。
．を負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＴ，２をドラ
イバとして直列接続し、その接続点を出力端とし、ゲー
トを共通接続して入力機として、入出力端間に直流バイ
アス安定用の抵抗Ｒ．，を援続して構成されている。２
段目の増幅器んも同様に、ｐチャネルＭＯＳトランジス
タＬ，を負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＬ２をド
ライバとし、直流バイアス安定用の抵抗Ｒ，３を設けて
構成されている。
最終段の増幅器Ａ３はやはりｐチャネルＭＯＳトランジ
スタＴのを負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタｔ２を
ドライバとして構成されるが、直流バイアス安定用の抵
抗は設けていない。抵抗を入れてもよいことは勿論であ
る。なお、初段および２段目の増幅器Ａ，，んの抵抗Ｒ
，．，Ｒ，３を省くことはできない。帰還回路は抵抗虫
．２， Ｒ，４、水晶振動子Ｑ，、コンデンサＣ，．，
Ｃ，２からなる。３段の増幅器Ａ，〜Ａ３はほぼ１８０
度の位相反転を得るために必要であり、帰還回路でほぼ
１８０度の位相反転を得ることで発振動作を行うもので
ある。
スタＴのを負荷、ｎチャネルＭＯＳトランジスタｔ２を
ドライバとして構成されるが、直流バイアス安定用の抵
抗は設けていない。抵抗を入れてもよいことは勿論であ
る。なお、初段および２段目の増幅器Ａ，，んの抵抗Ｒ
，．，Ｒ，３を省くことはできない。帰還回路は抵抗虫
．２， Ｒ，４、水晶振動子Ｑ，、コンデンサＣ，．，
Ｃ，２からなる。３段の増幅器Ａ，〜Ａ３はほぼ１８０
度の位相反転を得るために必要であり、帰還回路でほぼ
１８０度の位相反転を得ることで発振動作を行うもので
ある。
電源には、例えばＶ。。＝十１．５Ｖ，Ｖｓｓ＝ＯＶが
印加される。発振出力は２段目の増幅器んから取出すこ
とが望ましい。このように構成された発振器では、発振
時、ノードＮ，は最終段増幅器Ａ３によってドライブさ
れる。コンデンサＣ，２は一般に外付けされるもので約
２０ｐＦと容量が大きく、増幅器Ａ３には大きなドライ
ブ能力を持つことが要求される。しかしながら、第３図
の構成では前段に増幅器Ａ，，Ａ２があり、最終段の増
幅器Ａ３の入力ノードＮ２が電源電圧だけフルに励振さ
れるので、増幅器んの貫通電流、即ち直流電流は小さく
てもよい。また、前段に増幅器Ａ，，んがあるので、ノ
ードＮ，を大きく励振する必要がなく、最終段増幅器ん
のドライブ能力も第１図の構成に比べて小さくてよい。
従って、ドライブによって失われる充放電電流も少なく
てよい。増幅器Ａ３の貫通電流を４・ごくすることは、
トランジスタＬ，，Ｔ概のしきし、値を大きくすること
により実現できる。
印加される。発振出力は２段目の増幅器んから取出すこ
とが望ましい。このように構成された発振器では、発振
時、ノードＮ，は最終段増幅器Ａ３によってドライブさ
れる。コンデンサＣ，２は一般に外付けされるもので約
２０ｐＦと容量が大きく、増幅器Ａ３には大きなドライ
ブ能力を持つことが要求される。しかしながら、第３図
の構成では前段に増幅器Ａ，，Ａ２があり、最終段の増
幅器Ａ３の入力ノードＮ２が電源電圧だけフルに励振さ
れるので、増幅器んの貫通電流、即ち直流電流は小さく
てもよい。また、前段に増幅器Ａ，，んがあるので、ノ
ードＮ，を大きく励振する必要がなく、最終段増幅器ん
のドライブ能力も第１図の構成に比べて小さくてよい。
従って、ドライブによって失われる充放電電流も少なく
てよい。増幅器Ａ３の貫通電流を４・ごくすることは、
トランジスタＬ，，Ｔ概のしきし、値を大きくすること
により実現できる。
例えば、ｔ，，Ｔ蛇のしきい値をそれぞれ−０．２Ｖ，
２Ｖとすると、入出力特性と貫通電流は第４図の実線の
ようになる。これに対し、Ｔ３，，Ｌ２のしきし、値を
それぞれ−０．６Ｖ，６Ｖとすると、入出力特性と貫通
電流は第４図の破線のようになり、これにより貫通電流
を小さくすることができることになる。また、最終段増
幅器Ａ３をドライブするために必要な２段目の増幅器Ａ
２は、ノードＮ２のキャパシタンスがゲート容量のみで
せいぜいｌｐＦ以下 ，であるから、ドライブ能力が４
・さくてもよく、消費電流が少なくて済む。
２Ｖとすると、入出力特性と貫通電流は第４図の実線の
ようになる。これに対し、Ｔ３，，Ｌ２のしきし、値を
それぞれ−０．６Ｖ，６Ｖとすると、入出力特性と貫通
電流は第４図の破線のようになり、これにより貫通電流
を小さくすることができることになる。また、最終段増
幅器Ａ３をドライブするために必要な２段目の増幅器Ａ
２は、ノードＮ２のキャパシタンスがゲート容量のみで
せいぜいｌｐＦ以下 ，であるから、ドライブ能力が４
・さくてもよく、消費電流が少なくて済む。
初段の増幅器Ａ，も同様である。更に、従来の第１図の
構成では、帰還回路の出力が増幅器の入力段を十分ドラ
イブしなければならなかったが、第３図のように３段の
増幅器Ａ，〜Ａ３を縦綾することで、帰還回路の出力も
４・ご〈て済む。
構成では、帰還回路の出力が増幅器の入力段を十分ドラ
イブしなければならなかったが、第３図のように３段の
増幅器Ａ，〜Ａ３を縦綾することで、帰還回路の出力も
４・ご〈て済む。
第１図の従来の発振器では、ＣＭＯＳ増幅器が１個であ
るから、直流バイアス電圧点で電源ＶＤＤからＶｓｓに
直流電流が流れていることが必要で、このため発振時で
も直流電流、即ち貫通電流が大きく流れ、これが全消費
電流の１／沙〆上を占めていた。
るから、直流バイアス電圧点で電源ＶＤＤからＶｓｓに
直流電流が流れていることが必要で、このため発振時で
も直流電流、即ち貫通電流が大きく流れ、これが全消費
電流の１／沙〆上を占めていた。
そして前述のように、トランジスタＴ，，Ｔ２共にチャ
ネル長８仏ｍ、チャネル幅１００ｒｍ程度として４ＭＨ
２で発振させたとき、消費電流約２０ＡＡを必要とした
。これに対し、第３図の構成では、増幅器Ａ，，〜は増
幅器Ａ３をドライブする前層増幅器として働かせるため
に安定な直流バイアス電圧点で直流電流が流れているこ
とが必要であるが、これらは負荷、ドライバ共に十分小
さいトランジスタ、例えばチャネル長６ｙｍ、チャネル
幅４ｒｍ程度でよく、第１図に比べて直流電流を約１′
２５まで減らすことができる。
ネル長８仏ｍ、チャネル幅１００ｒｍ程度として４ＭＨ
２で発振させたとき、消費電流約２０ＡＡを必要とした
。これに対し、第３図の構成では、増幅器Ａ，，〜は増
幅器Ａ３をドライブする前層増幅器として働かせるため
に安定な直流バイアス電圧点で直流電流が流れているこ
とが必要であるが、これらは負荷、ドライバ共に十分小
さいトランジスタ、例えばチャネル長６ｙｍ、チャネル
幅４ｒｍ程度でよく、第１図に比べて直流電流を約１′
２５まで減らすことができる。
また増幅器Ａ３は入力ノードが十分に励振されるために
負荷、ドライバ共にしきし、値を十分大きくして貫通電
流が流れないようにすることができる。こうして、この
第３図の構成では、４ＭＨＺで発振させるに必要な消費
電流を数一Ａとすることができる。第３図の構成で、消
費電流の低減化を図るためには前述のように最終段増幅
器Ａ３の貫通電流を小さくすることが必要であるが、具
体的には次のような条件を満たすことが有効である。
負荷、ドライバ共にしきし、値を十分大きくして貫通電
流が流れないようにすることができる。こうして、この
第３図の構成では、４ＭＨＺで発振させるに必要な消費
電流を数一Ａとすることができる。第３図の構成で、消
費電流の低減化を図るためには前述のように最終段増幅
器Ａ３の貫通電流を小さくすることが必要であるが、具
体的には次のような条件を満たすことが有効である。
まず最終段増幅器Ａ３のドライバトランジスタＴ３２の
しきい値電圧をＶｔ斑、初段増幅器Ａ，のドライバトラ
ンジスタＴ．２のしきし・値電圧をＶｔ，２としたとき
、Ｖｔ，２＜Ｖｔ３２＜Ｖ。Ｄ−Ｖｓｓ
…・・・‘１｝を満足させると、ＶＴ，２コＶＴ概と
した場合に比べて最終段増幅器Ａ３の貫通電流を小さく
することができる。又は、Ｖｔ３２＞Ｖｔ滋を満足させ
ても同様な効果が得られる。ただし、ＶＴ・２，ＶＴ２
２’ＶＴ３２は正とする。同様に、最終段増幅器Ａ３の
負荷トランジスタＴ乳のしきい値電圧をＶら，、初段増
幅器Ａ，の負荷トランジスタＴ，．のしきい値電圧をＶ
ｔ，．としたとき、ＩＶｔ，．ｌ＜ＩＶｔ３，ｌ＜Ｖｏ
ｏ−Ｖｓｓ …■を満足させると、やはりＶＴ，
．＝ＶＴ３，とした場合に比べて最終段増幅器Ａ３の貫
通電流を小さくすることができる。
しきい値電圧をＶｔ斑、初段増幅器Ａ，のドライバトラ
ンジスタＴ．２のしきし・値電圧をＶｔ，２としたとき
、Ｖｔ，２＜Ｖｔ３２＜Ｖ。Ｄ−Ｖｓｓ
…・・・‘１｝を満足させると、ＶＴ，２コＶＴ概と
した場合に比べて最終段増幅器Ａ３の貫通電流を小さく
することができる。又は、Ｖｔ３２＞Ｖｔ滋を満足させ
ても同様な効果が得られる。ただし、ＶＴ・２，ＶＴ２
２’ＶＴ３２は正とする。同様に、最終段増幅器Ａ３の
負荷トランジスタＴ乳のしきい値電圧をＶら，、初段増
幅器Ａ，の負荷トランジスタＴ，．のしきい値電圧をＶ
ｔ，．としたとき、ＩＶｔ，．ｌ＜ＩＶｔ３，ｌ＜Ｖｏ
ｏ−Ｖｓｓ …■を満足させると、やはりＶＴ，
．＝ＶＴ３，とした場合に比べて最終段増幅器Ａ３の貫
通電流を小さくすることができる。
又は、ＩＶら，ｌ＞ＩＶｔのｌを満足させても同様な効
果が得られる。ただし、ＶＴ，．，ＶＴ２，，ＶＴ３，
は負とする。こうして、ｔｌ）式、あるいは‘２〕式を
満たすように素子設計を行うことにより、低消費電力化
に好ましい結果が得られ、特に｛１｝，｛２）式を同時
に満すことにより効果的に低消費電力化が図られる。以
上説明したように、この発明によれば、ＣＭＯＳ増幅器
を縦続接続した増幅回路の消費電流の低減が図れる。
果が得られる。ただし、ＶＴ，．，ＶＴ２，，ＶＴ３，
は負とする。こうして、ｔｌ）式、あるいは‘２〕式を
満たすように素子設計を行うことにより、低消費電力化
に好ましい結果が得られ、特に｛１｝，｛２）式を同時
に満すことにより効果的に低消費電力化が図られる。以
上説明したように、この発明によれば、ＣＭＯＳ増幅器
を縦続接続した増幅回路の消費電流の低減が図れる。
またこの発明によればＣＭＯＳ増幅器を縦続接続して増
幅回路と水晶振動子を含む帰還回路を組合せた水晶発振
器の消費電流を大幅に小さくすることができ、従来、消
費電流の点で実用化されていなかった腕時計用４ＭＨ２
発振器も実現可能となる。なお、この発明は上記実施例
に限られるものではない。
幅回路と水晶振動子を含む帰還回路を組合せた水晶発振
器の消費電流を大幅に小さくすることができ、従来、消
費電流の点で実用化されていなかった腕時計用４ＭＨ２
発振器も実現可能となる。なお、この発明は上記実施例
に限られるものではない。
例えば実施例では３段のＣＭＯＳ増幅器を用いたが、更
に段数を多くしてもよい。また、ＣＭＯＳトランジスタ
は、半導体基板上に集積してもよいし、ＳＯＳ構造を利
用して絶縁基板上に集積してもよい。また、抵抗Ｒ，２
，ＲＭは必らずしも必要ではない。その他、その発明は
その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することがで
きる。
に段数を多くしてもよい。また、ＣＭＯＳトランジスタ
は、半導体基板上に集積してもよいし、ＳＯＳ構造を利
用して絶縁基板上に集積してもよい。また、抵抗Ｒ，２
，ＲＭは必らずしも必要ではない。その他、その発明は
その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することがで
きる。
第１図はＣＭＯＳを用いた従来の水晶発振器を示す図、
第図は３２ＫＨＺ用水晶振動子と４ＭＨＺ用水晶振動子
の温度特性を示す図、第３図はこの発明の一実施例の増
幅回路とこれを用いた水晶発振器を示す図、第４図はＣ
ＭＯＳにおける貫通電流としきい値の関係を説明するた
めの特性図である。 Ａ，，Ａ２，Ａ３…ＣＭＯＳ増幅器、Ｔ，．，Ｔ２．，
Ｔ３．・・・ｐチヤネルＭＯＳトランジスタ、Ｔ，２，
Ｔ２２，Ｔ３２・・・ｎチャネルＭＯＳトランジスタ、
Ｑ．・・・水晶振動子、Ｒ，．，Ｒ，２，Ｒ，３，Ｒ，
４・・・抵抗、Ｃ，．，Ｃ，２・・・コンデンサ。第１
図 第２図 第３図 第４図
第図は３２ＫＨＺ用水晶振動子と４ＭＨＺ用水晶振動子
の温度特性を示す図、第３図はこの発明の一実施例の増
幅回路とこれを用いた水晶発振器を示す図、第４図はＣ
ＭＯＳにおける貫通電流としきい値の関係を説明するた
めの特性図である。 Ａ，，Ａ２，Ａ３…ＣＭＯＳ増幅器、Ｔ，．，Ｔ２．，
Ｔ３．・・・ｐチヤネルＭＯＳトランジスタ、Ｔ，２，
Ｔ２２，Ｔ３２・・・ｎチャネルＭＯＳトランジスタ、
Ｑ．・・・水晶振動子、Ｒ，．，Ｒ，２，Ｒ，３，Ｒ，
４・・・抵抗、Ｃ，．，Ｃ，２・・・コンデンサ。第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相補型ＭＯＳトランジスタ増幅器を複数段縦続接続
して構成される相補型ＭＯＳトランジスタ回路において
、最終段増幅器の負荷側、ドライバ側のしきい値電圧を
それぞれＶ＿Ｔ＿ａ＿１，Ｖ＿Ｔ＿ａ＿２とし、最終段
以外の少くとも一つの増幅器の負荷側、ドライバ側のし
きい値電圧をそれぞれＶ＿Ｔ＿ｂ＿１，Ｖ＿Ｔ＿ｂ＿２
としたとき、｜Ｖ＿Ｔ＿ｂ＿１｜＜｜Ｖ＿Ｔ＿ａ＿１｜
または｜Ｖ＿Ｔ＿ｂ＿２｜＜｜Ｖ＿Ｔ＿ａ＿２｜の少く
とも一方を満たすようにしたことを特徴とする相補型Ｍ
ＯＳトランジスタ回路。 ２ 相補型ＭＯＳトランジスタ増幅器を少くとも３段縦
続接続し、水晶振動子を含む帰還回路を設けて構成され
る相補型ＭＯＳトランジスタ回路において、最終段増幅
器の負荷側、ドライバ側のしきい値電圧をそれぞれＶ＿
Ｔ＿ａ＿１，Ｖ＿Ｔ＿ａ＿２とし、最終段以外の少くと
も１つの増幅器の負荷側、ドライバ側のしきい値電圧を
それぞれＶ＿Ｔ＿ｂ＿１，Ｖ＿Ｔ＿ｂ＿２としたとき｜
Ｖ＿Ｔ＿ｂ＿１｜＜｜Ｖ＿Ｔ＿ａ＿１｜または｜Ｖ＿Ｔ
＿ｂ＿２｜＜｜Ｖ＿Ｔ＿ａ＿２｜の少くとも一方を満た
すようにしたことを特徴とする相補型ＭＯＳトランジス
タ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52057195A JPS6037642B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 相補型ｍｏｓトランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52057195A JPS6037642B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 相補型ｍｏｓトランジスタ回路 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10009279A Division JPS5523699A (en) | 1979-08-06 | 1979-08-06 | Crystal oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53142155A JPS53142155A (en) | 1978-12-11 |
| JPS6037642B2 true JPS6037642B2 (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=13048697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52057195A Expired JPS6037642B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 相補型ｍｏｓトランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037642B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293443U (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-15 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4674299B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-04-20 | インターチップ株式会社 | 反転増幅器及びこれを有する水晶発振器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057161A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-19 | ||
| JPS50132850A (ja) * | 1974-04-05 | 1975-10-21 | ||
| JPS5155658A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Sohogata mos toranjisutakairo |
| JPS5185357A (ja) * | 1975-01-23 | 1976-07-26 | Sharp Kk |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584249Y2 (ja) * | 1973-09-12 | 1983-01-25 | 株式会社東芝 | スイシヨウハツシンキカイロ |
-
1977
- 1977-05-18 JP JP52057195A patent/JPS6037642B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057161A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-19 | ||
| JPS50132850A (ja) * | 1974-04-05 | 1975-10-21 | ||
| JPS5155658A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Sohogata mos toranjisutakairo |
| JPS5185357A (ja) * | 1975-01-23 | 1976-07-26 | Sharp Kk |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293443U (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53142155A (en) | 1978-12-11 |
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