JPS6037079B2 - 原料内の空隙に成長したウイスカ−の分離法 - Google Patents

原料内の空隙に成長したウイスカ−の分離法

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JPS6037079B2
JPS6037079B2 JP11472281A JP11472281A JPS6037079B2 JP S6037079 B2 JPS6037079 B2 JP S6037079B2 JP 11472281 A JP11472281 A JP 11472281A JP 11472281 A JP11472281 A JP 11472281A JP S6037079 B2 JPS6037079 B2 JP S6037079B2
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稔 田中
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Tateho Chemical Industries Co Ltd
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Tateho Chemical Industries Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0685Preparation by carboreductive nitridation

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 従来、例えば炭化させた籾殻のような多量の珪酸分を含
む原料を、上方に十分な反応空間を残存させて反応炉に
装填し、高温下で原料内をキャリャーガスを通過させる
ことにより珪素を含む蒸気を搬出させ、上記反応空間内
でこの珪素を含む蒸気に窒素を反応させることにより、
その周囲の炉壁に窒化珪素ウィスカーを成長させること
が知られている。
この成長法では、ウィスカーの収集は炉壁内面に成長し
たものを掻取るだけであるから極めて簡単である。しか
しこの方法では、原料中の珪酸分が窒化珪素ゥィスカー
に変換される効率は、例えば0.2〜11.3%(特公
昭50一4480号公報参照)と言った低い値である。
発明者は、原料に反応ガスまたはキャリャーガスを流通
させることにより、原料から離れた場所ではなく、原料
自体の表面にウィスカ−を成長させる技術を開発した。
例えば、炭化させた籾殻に高温下で窒素ガスを流通させ
ることにより、窒化珪素ウィスカーを籾殻の内外面に成
長させ、或し、はアルゴンガスを流通させることにより
、炭化珪素ウイスカーを籾殻内外面に成長させるもので
ある。この技術によれば、籾殻中の蓮酸分の殆ど全量を
窒化或いは炭素させることができ、窒化珪素の場合は粉
体とウィスカーとの比率は約4岱対60に達する。しか
し、ウィスカーを橘集するには、前述の従来法とは違っ
た方法が必要になる。この発明は、上述の発明者が開発
したウィスカー成長法に適合するゥィスカー分離法を実
現することを目的とする。
この発明において炉に装填される原料は、ゥィスカーの
成分になる物質と、それだけではゥィスカーの成長中原
料が形状を維持できない場合には形状を維持させるため
の物質とを含有する。
その形状としては、内部に位置する成分までがその表面
から蒸発できるように薄肉であること、及び相互間にウ
ィスカーの成長のための空隙を維持できるようにフレー
ク状、短管状、波板状、綿状等をなすことが必要である
。このような原料を炉に装填し、所要温度に維持し、ウ
ィスカーの1成分となる反応ガスまたはキャリャーガス
を供給すると、原料の表面にウィスカーが成長する。籾
殻は、含水炭素の他に13〜22%の無水珪酸を含有し
、かつ薄肉で、ウィスカ−の成長に要する夕空隙が内外
両面に得られるから、炭化珪素ウィスカー及び窒化珪素
ウィスカ−の原料として好適な天然品である。
この炭化物を1320〜1450qCに維持して窒素及
び窒化ガスを除く非酸化性ガスを3〜1加時間流通させ
ると、内外面に炭化珪素ウィスカーが成長する。また、
この炭化物を1300〜1450つ0に維持して窒素ガ
ス或いはアンモニアガスを流通させると、内外面に窒化
珪素ゥィスカーが成長し、その間、炭素は籾殻の形状を
維持する役割を果す。炉から取出した原料は、ゥィスカ
ーがからみ合って互に結合している。
これを水中に入れ、ウイスカーを損傷しないように静か
に損拝する。蝿枠は機械的方法の他に、エアーレーショ
ンや超音波などの方法を用いてもよい。原料がはぐれた
ならば、疎水性の有機質液体、経済的なものとしては灯
油を加え、更に燭拝してから暫ら〈静暦する。すると、
水と有機質液体とが分離した際に、ウィスカーは下部の
水側に残り、原料は有機質液体の側に移っている。有機
質液体は、最初から水に加えておいてもよい。
また、原料がよく解きほぐされるように、水に分散効果
を示す助剤を添加してもよいが、有機質液体を乳化させ
ないものを選ぶことが必要である。なお、炉から取出し
た原料は、上述の液体による分離を実施する前に、機械
的に解きほぐしてもよいが、この場合は多少のウィスカ
−の損傷は避けられない。水側に分離されたウィスカー
は、市販洗剤、金属石けんなどを用いて浮遊選鉱技術で
精選すると良好に不純物が除けるが、単に水洗をくり返
すだけでも、かなり不純物を除くことができる。
なお、油側に分離された原料は、ウィスカーと同質の粉
体を多量に含んでいるので、これは別途に分離して窯業
原料とすることができる。実施例 1 空気遮断して蝦焼した籾殻100夕を、下部に多数の孔
を開けた黒鉛製の容器に入れ、蓋をせずにァルミナ製マ
ッフル炉に黒鉛のべレツトを5肌程充填した上に置き窒
素ガスを0.5そ/分で炉下部より上部に流して昇温し
、140000に達したとき窒素ガス流量を4〆/分と
して4時間保持した後、窒素ガス流量を0.5夕/分と
して1000oo迄降温4し、この後ガス送入を止めて
密閉冷却した。
容器内焼成物を灯油:水(水道水)、3:7の混合液に
入れ、30分鷹梓後静瞳し、油側分離物は酸化雰囲気中
で80ぴ02時間焼成し、灰白色の粉体12.2夕を得
た。水側分離物は脱水乾燥して15.4夕のウイスカー
を得た。ウィスカーは径0.3〜1.0一肌、長さ10
0〜200〃肌でX線回折でゥィスカー粉体ともQ−S
らN4であることが認められた。そして、蟹光X線によ
る不純物の定量値は、ウィスカーはCaが0.10%、
Mgが0.04%、Feが1.56%であり、粉体はC
aが0.12%、Mgが0.06%、Feが1.75%
であった。実施例 2 200メッシュ以下に調整したシラス(南九州地方の火
山噴出物で、無水珪酸65〜75%を含有)粉砕品を4
の重量%、325メッシュ以下に調整したガラス研磨廃
粉を2の重量%、200メッシュ以下に調整した炭素粉
を4の重量%の割合で混合し、メチルセルローズ液を少
量加えて泥練し、押出成型により外径5肋、内径4柳、
長さ5柳の短管状に成型し、自然乾燥して原料を実施例
1と同様な炉に装填し、アルゴンガスを0.5夕/分で
流しながら昇溢し、1400午0に達したときアルゴン
ガス流量を5〆/分として4時間半保持した後、アルゴ
ンガス流量を0.5そ/分に落して1000ooまで降
溢し、以後アルゴンガスの供給を停めて密閉冷却した。
炉から取出した原料を灯油と水の3対7の混合液に入れ
、1時間燈拝した後静置し、油側に原料を、水側にウィ
スカーを分離することができた。油側に得た原料は、乳
鉢で粗砕後更に同様な分離を実施し、水側からは若干の
ウィスカ−を更に回収した。2回目の油側分離物は、9
00qoの酸化雰囲気中で3時間焼成し、遊離炭素分を
除去して炭化珪素粉のみを取出した。
炭化珪素ウィスカーと炭化珪素粉の割合は2の重量%対
8広重量%で、ウィスカーは長さ100Aの前後、径は
2ムの前後であった。X線回折によれば、ウィスカーは
完全にQ−SICであり、粉体は大部分がQ−SICで
若干の不純物を含んでいた。以上の実施例によって明ら
かなように、この発明によるときは、原料に混在した形
で高い効率で成長したウィスカーを、効果的に原料から
分離することができたのである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 空隙内にウイスカーが成長している原料を、疎水性
    有機質液体と水との混合物中に分散させ、静置後に、上
    記ウイスカーを上記水側に、上記原料を上記有機質液側
    に分離捕集することを特徴とする原料内の空隙に成長し
    たウイスカーの分離法。
JP11472281A 1981-07-21 1981-07-21 原料内の空隙に成長したウイスカ−の分離法 Expired JPS6037079B2 (ja)

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