JPS5938447Y2 - SiCホイスカ−生成用反応容器 - Google Patents
SiCホイスカ−生成用反応容器Info
- Publication number
- JPS5938447Y2 JPS5938447Y2 JP13559881U JP13559881U JPS5938447Y2 JP S5938447 Y2 JPS5938447 Y2 JP S5938447Y2 JP 13559881 U JP13559881 U JP 13559881U JP 13559881 U JP13559881 U JP 13559881U JP S5938447 Y2 JPS5938447 Y2 JP S5938447Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- graphite
- reaction vessel
- raw material
- sic whisker
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、とくに籾殻を出発原料として多目的の1S
iCホイスカーを製造する目的に有効なSiCホイスカ
ー生成用反応容器に関する。
iCホイスカーを製造する目的に有効なSiCホイスカ
ー生成用反応容器に関する。
籾殻を出発原料とするSiCホイスカーの製法としては
、籾殻を直接に耐熱性の筒状反応容器に充填するか、こ
れを一旦灰化物に転化したのち適宜な炭材と混合して同
反応容器に詰め、非酸化性雰囲気下で約1600℃の温
度に加熱する方法が知られている。
、籾殻を直接に耐熱性の筒状反応容器に充填するか、こ
れを一旦灰化物に転化したのち適宜な炭材と混合して同
反応容器に詰め、非酸化性雰囲気下で約1600℃の温
度に加熱する方法が知られている。
しかしながら、これら方法で反応容器内に生成するSi
Cホイスカーには同時に生成する粒子状SiCが混在し
、しかもこれは藻草状のSiCホイスカーに絡み合った
状態で夾雑するため分離除去することに著るしい困難性
を伴う。
Cホイスカーには同時に生成する粒子状SiCが混在し
、しかもこれは藻草状のSiCホイスカーに絡み合った
状態で夾雑するため分離除去することに著るしい困難性
を伴う。
このため、高性能補強材としての用途目的に対しては、
十分に満足しえない難点がある。
十分に満足しえない難点がある。
この考案は、高性能補強材用に好適な夾雑物不含の高純
度SiCホイスカーと粒子状SiCを含有する汎用性S
iCホイスカーとを同時に分別生成することができる多
目的タイプのSiCホイスカー生成用反応容器を提供す
るものである。
度SiCホイスカーと粒子状SiCを含有する汎用性S
iCホイスカーとを同時に分別生成することができる多
目的タイプのSiCホイスカー生成用反応容器を提供す
るものである。
以下、この考案を図示の一実施例に基づいて説明する。
図において、1は、上部蓋2を備える筒状密閉容器であ
る。
る。
この筒状密閉容器1は黒鉛材で構成し、底板部を着脱で
きる構造にしておくことが望ましい。
きる構造にしておくことが望ましい。
3は筒状密閉容器1内に複数個多段に積重ねて配置され
た各々平板底面を有する原料受皿で、黒鉛材により構成
される。
た各々平板底面を有する原料受皿で、黒鉛材により構成
される。
構成黒鉛材の材質はとくに限定されるものではないが、
全体を多孔質黒鉛で構成するか、底面に黒鉛フェルト、
黒鉛繊維布などを張り付けた状態で使用すると生成する
SiCホイスカーの付着捕促化に有効に作用する利点が
ある。
全体を多孔質黒鉛で構成するか、底面に黒鉛フェルト、
黒鉛繊維布などを張り付けた状態で使用すると生成する
SiCホイスカーの付着捕促化に有効に作用する利点が
ある。
使用に際しては、第1図に示すように籾殻あるいは籾殻
の灰化物とカーボンブラックのような炭材とからなる原
料物質4を各原料受皿3に装入して筒状密閉容器1内に
積重ね、これをアチソン炉またはクリブトール炉など適
宜な加熱炉中に入れ周囲を炭素質粒バンキング材で充填
被包したのち約1600℃の温度に加熱する。
の灰化物とカーボンブラックのような炭材とからなる原
料物質4を各原料受皿3に装入して筒状密閉容器1内に
積重ね、これをアチソン炉またはクリブトール炉など適
宜な加熱炉中に入れ周囲を炭素質粒バンキング材で充填
被包したのち約1600℃の温度に加熱する。
加熱過程で原料物質中のけい素成分と炭素成分は気相反
応によりSiCに転化するが、その生成は、第2図に示
すように各原料受皿3および上部蓋2の底面には綿状ノ
高純度SiCホイスカー5として密生付着し、他方、原
料受皿3上にはSiCホイスカー、粒状SiCおよび残
留炭素分(籾殻炭化物または配合炭材)の混在組成物6
として生成する。
応によりSiCに転化するが、その生成は、第2図に示
すように各原料受皿3および上部蓋2の底面には綿状ノ
高純度SiCホイスカー5として密生付着し、他方、原
料受皿3上にはSiCホイスカー、粒状SiCおよび残
留炭素分(籾殻炭化物または配合炭材)の混在組成物6
として生成する。
加熱処理後、上部蓋2を取りはずし原料受皿3を筒状密
閉容器から取出して底面に密生付着した高純度SiCホ
イスカーを掻き落して巣状し、次に原料受皿を大気中で
加熱して残留炭素分を焼却除去する。
閉容器から取出して底面に密生付着した高純度SiCホ
イスカーを掻き落して巣状し、次に原料受皿を大気中で
加熱して残留炭素分を焼却除去する。
このようにして得られる反応生成物の性状は、原料受皿
底面から巣状したSiCホイスカーは夾雑物を全く含渣
ない純粋な単結晶で大部分が直径0.2〜0.5μm1
長さ500〜5000μmの良好なアスペクト比をもつ
β型結晶であり、また原料受皿上のものは5〜20%の
微粒状SiCを含む上記性状と同等のSiCホイスカー
である。
底面から巣状したSiCホイスカーは夾雑物を全く含渣
ない純粋な単結晶で大部分が直径0.2〜0.5μm1
長さ500〜5000μmの良好なアスペクト比をもつ
β型結晶であり、また原料受皿上のものは5〜20%の
微粒状SiCを含む上記性状と同等のSiCホイスカー
である。
したがって、前者の高純度SiCホイスカーは窒化けい
素やアルミニウムなどセラミック系あるいは金属系コン
ポジットを目的とする高性能補強材として、一方後者は
金属類またはプラスチック材料の一般的補強材を対象と
する汎用性SiCホイスカーとして、それぞれ有効に適
用することができる。
素やアルミニウムなどセラミック系あるいは金属系コン
ポジットを目的とする高性能補強材として、一方後者は
金属類またはプラスチック材料の一般的補強材を対象と
する汎用性SiCホイスカーとして、それぞれ有効に適
用することができる。
以上のとおり、この考案に係るSiCホイスカー生収生
民用反応容器れば、高純度SiCホイスカーと汎用性S
iCホイスカーを同時に分別生成することができるから
、実用面での効果は犬である。
民用反応容器れば、高純度SiCホイスカーと汎用性S
iCホイスカーを同時に分別生成することができるから
、実用面での効果は犬である。
第1図はこの考案の一実施例を示した側断面図、第2図
はその使用状態を部分側断面図として示した説明図であ
る。 1・・・筒状密閉容器、2・・・上剖蓋、3・・・原料
受皿、4・・・原料物質、5・・・高純度SiCホイス
カー、6・・・SiCホイスカー、粒状SiC>よび残
留炭素分の混在組成物。
はその使用状態を部分側断面図として示した説明図であ
る。 1・・・筒状密閉容器、2・・・上剖蓋、3・・・原料
受皿、4・・・原料物質、5・・・高純度SiCホイス
カー、6・・・SiCホイスカー、粒状SiC>よび残
留炭素分の混在組成物。
Claims (1)
- 黒鉛材で構成された筒状密閉容器1内に、全体を多孔質
黒鉛で構成するか、黒鉛フェルトJたは黒鉛繊維布を張
り付けた各平板底面を有する複数個の黒鉛製原料受皿3
を多段に積重ねてなるSiCホイスカー生成用反応容器
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13559881U JPS5938447Y2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | SiCホイスカ−生成用反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13559881U JPS5938447Y2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | SiCホイスカ−生成用反応容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5842169U JPS5842169U (ja) | 1983-03-19 |
JPS5938447Y2 true JPS5938447Y2 (ja) | 1984-10-26 |
Family
ID=29928956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13559881U Expired JPS5938447Y2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | SiCホイスカ−生成用反応容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5938447Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP13559881U patent/JPS5938447Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5842169U (ja) | 1983-03-19 |
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