JPS5845197A - 高品位sicホイスカ−の製造方法 - Google Patents

高品位sicホイスカ−の製造方法

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JPS5845197A
JPS5845197A JP56143878A JP14387881A JPS5845197A JP S5845197 A JPS5845197 A JP S5845197A JP 56143878 A JP56143878 A JP 56143878A JP 14387881 A JP14387881 A JP 14387881A JP S5845197 A JPS5845197 A JP S5845197A
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JP
Japan
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carbon
porous
whiskers
carbon black
filled
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JP56143878A
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JPS599519B2 (ja
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Akira Yamamoto
明 山本
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Tokai Carbon Co Ltd
Original Assignee
Tokai Carbon Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005Growth of whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36Carbides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、粒状夾雑物を含tikい高品位8iCホイス
カーの製造方法に関する。
農業廃棄物として多量に発生する籾殻は、焼却処理によ
艶無定形の二酸化けい素として残留するため81Cホイ
スカー製造用の安価な出発原料として注目されている。
製法としては、籾殻を直接、耐熱反応容器に詰め非酸化
性雰囲気下で1600℃附近の温度で加熱する方法、ま
えは籾殻を一旦灰化物に転化し九のち適宜な炭材と混合
して反応容器に充填し、上記同様に加熱処理する方法が
知られているが、これら方法で得られる81Cホイスカ
ーに社同時に生成する粒子状の81Cが多量に混在する
難点がある。この九め、高性能の壷金強化材料として供
す派、混在する粒状81Cを分別することが要求される
。ところが粒状81Cは藻草状に生成したホイスカー繊
維組織内に絡み合つ良状態で夾雑する九め、これ全分別
するためKは着るしく煩瑣な分離操作が必要とされてい
る。
本発明は、上記二次的分別処理を施すことなしに粒状8
iC不含の高品位81Gホイスカーを製造する方法を提
供するもので、その構成は、下層部に籾殻灰とカーボン
ブラックの配合原料を充填し九反応容器の上層部に多孔
性あるいは繊維状の炭素質物を装入して生成区域を形成
し、容器底部から不活性ガスを流入拡散しながら130
0〜2000℃の温度域で加熱することを特徴とする。
出発原料となる籾殻は600℃以上のi1度で加熱焼却
して一旦、灰化物に転化し、得られた籾殻灰に炭材を混
合して原料物質とする。炭材としてはカーボンブラック
が用いられるが、充填時、適fO通気性をもたせるため
に予めベレット状に造粒したカーボンブラックを使用す
ることが良好である。まえ、籾殻灰に対するカーポンプ
2ツク炭材の配合比率は、110〜400重量−の範囲
に設定することが望ましい。
反応容器は、例えば黒鉛材で構成され底部に不活性ガス
導入口および多孔拡散板を有する耐熱性の円筒密閉容器
が有用されるが、加熱処理を通して不活性ガスが循環し
て流通するような配管構造に設計しておくことが効果的
である。
反応容器には、まず原料物質を下層部に軽く充填し、そ
の上層部に多孔性あるいは繊維状の炭素質物を装入して
生成区域を形成する。該区域に詰められる多孔性あるい
は繊維状の炭素質物は、粒状の多孔質カーボン、活性炭
、コークスあるいはカーボンブラック、もしくは炭素繊
維のフェルト、トウ、りpスから選択される。
上層部に生成区域を形成し九反応容器は、アチンン炉ま
九はクリブトール炉など適宜な加熱炉に入れ周囲を非酸
化性雰囲気に保持したのち、容器底部から不活性ガスを
流入しながら1500〜2000℃の温度に加熱する。
流入する不活性ガスとしてはアルゴンを九はヘリウムが
適当で、窒素の使用は高温反応により部分的に131□
N4 を生成する虞れがToり好ましくない。また、不
活性ガスの供給祉、多孔拡散板を介して反応成分ガスを
上層の生成区域に円滑に伴送しえる程度の流量であれば
よく、空間流速として1〜20W/秒の範囲にあれば足
りる。
加熱過程で原料物質から発生した気相反応成分(810
s?よびCO)は、反応容器底部から流入拡散する不活
性ガスに伴われながら上昇して生成区域に至り、表面積
の大きい多孔性あるいは繊維状炭素質物の充填M内で反
応を完結する。生成した81Cホイスカーは、充填炭素
質物の表面もしくは内部に綿状に密生付着する。
反応生成後、容器から生成区域の充填炭素質物を取艶出
し密生付着した81Cホイスカーを回収する。81Cホ
イスカーの回収は、充填炭素質物を焼却して炭素分を除
去する方法、または充填炭素質物を水洗して付着する8
1Cホイスカーを分別する方法を用いておこなわわるが
、とくに炭素繊維のトウ、フェルト、クロスなど表面性
状が比較的平滑な繊維状物を充填炭素質物とする場合に
は後者の水洗法が効果的に適用される。該水洗法におい
ては、必要に応じて振盪あるいは超音波洗滌などの手段
を用いて付着する81Cホイスカーを十分に分別し、さ
らに−過処理を施す等の諸工at必要とするが、充填炭
素質物が再使用できる利点がある丸め高価な充填材料を
用いる際に有効でおる。
このようにして得られる81Cホイスカーは、夾雑物を
全く含まない高品位のもので、その性状は直径0.2〜
0.5pws、長さ500−100011mの良好なア
スペクト比を有する単結晶である。したがって、窒化け
い素やアルミニウムなどセラミック系あるいは金属系コ
ンポジットを目的とする高性能強化材として也めて有用
である。
実施例!。
乾燥した籾殻を電気r中で600℃の温度で焼却して得
られた籾殻灰に、造粒ペレット化したエエ8ム?−H8
級7ケーネスカーボンブラツク(#81A87 5H’
東海カーボン■製)1200重量−の配合比率で均一に
混合した。
混合原料を、底部に島鉛多孔拡散板を介してガス導入管
を配設し丸内!70■、高さ150Wの高純度黒鉛製反
応容器に70mの高さまで充填し九。次いで上層部に平
均蚊度6X1011IIIの椰子殻活性炭を軽く装入し
て生成区域を形成した。容器上部に黒鉛蓋を付してクリ
ブトール炉に移し、ガス導入管から5wm/秒の流速で
アルゴンガスを流入拡散しながら昇温し、炉内を175
0℃の温度に4時間加熱した。
加熱後の反応容器内部は、生成区域を構成する椰子殻活
性炭層の全域に淡緑白色の綿状生成物が密生付着してい
た。
反応容器から椰子殻活性炭層を集収し、大気中で700
℃の温度に熱処理して炭素成分を燃焼除去し九。
残留し九生成物は、直410.2〜0.5μm、長さ5
00〜1000μmのβ型結晶形を有する純粋なsic
ホイスカーで、その生成収率は原料籾殻対比で5.6 
% (重量)であり九。
*麹例2 生成区域の充填炭素質物として炭素繊維のトウを用い、
これを乱雑に装填したほかは実施例1と同一の装置およ
び条件により加熱処理をおこなった。
反応容器から炭素穢維層を集収してビーカー内に移し、
純水を注入したのち振盪して繊維表面に密生付着し71
j81Cホイスカーを十分に水洗分別し丸。ついで炭素
繊維を取り出し、ビーカー内容物tp遇した。−過残渣
は、乾燥後、焼却処理して残留する炭素成分を燃焼除去
し九。
得らrL九BICホイスカーは、実施例1と同搬夾雑物
不含の純粋β型単結晶で、生成収率は原料籾殻に対し5
.1 % (重量)であった。
特許出願人 東海カーボン株式会社 代理人 弁理士  高 畑 正 也 =52

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 り下層部に籾殻灰とカーボンブラックの配合原料を充填
    した反応容器の上層部に多孔性わるいは繊維状の炭素質
    物を装入して生成区域を形成し、容器底部から不活性ガ
    スを流入拡散しながら1500〜2000℃の温度域で
    加熱することを特徴とする高品位81Cホイスカーの製
    造方法。 2生成区域を形成する多孔性あるいは繊維状の炭素質物
    が、粒状の多孔質カーボン、活性炭、コークスあるいは
    カーボンブラック、もしくは炭素繊維のフェルト、トウ
    、クロスから選択される特許請求の範囲第1項記載の高
    品位81Cホイスカーの製造方法。 1容器底部から流入拡散する不活性ガスをアルゴンとし
    、拡散板を介して1〜20fl/秒の空間流速で供給す
    る特許請求の範囲第1項記載の高品位81Cホイスカー
    の製造方法。
JP56143878A 1981-09-14 1981-09-14 高品位sicホイスカ−の製造方法 Expired JPS599519B2 (ja)

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