JPS59213700A - ＳｉＣウイスカ−の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣウイスカ−の製造方法Info
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- JPS59213700A JPS59213700A JP58085906A JP8590683A JPS59213700A JP S59213700 A JPS59213700 A JP S59213700A JP 58085906 A JP58085906 A JP 58085906A JP 8590683 A JP8590683 A JP 8590683A JP S59213700 A JPS59213700 A JP S59213700A
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- carbon black
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- oil absorption
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＳｉＣの単結晶で構成される微小繊維状のウィスカーは
比強度、比弾性率、耐熱性、化学的安定性などに卓越し
た性能を有する。ことがら、各種金属あふいはプラスチ
ックの複合強化材として有用視されている。該ＳｉＣウ
ィスカーの生成は、用いる原料物質の選定、配合比率、
反応時の雰囲気および温度などにより大きく支配され、
これら条件因子をいかに組合わせるかが高品位、高収率
を得るための要件となる。このため、従来がらこれら生
成条件を相違させた多様の製造技哲が提案されている。
比強度、比弾性率、耐熱性、化学的安定性などに卓越し
た性能を有する。ことがら、各種金属あふいはプラスチ
ックの複合強化材として有用視されている。該ＳｉＣウ
ィスカーの生成は、用いる原料物質の選定、配合比率、
反応時の雰囲気および温度などにより大きく支配され、
これら条件因子をいかに組合わせるかが高品位、高収率
を得るための要件となる。このため、従来がらこれら生
成条件を相違させた多様の製造技哲が提案されている。
このうち原料物質の選定に関しては、けい素源原料およ
び触媒、生成促進助剤などの第三成分に対する研究例は
多くみられるが、炭材成分の性状とウィスカー生成機構
との関係について詳しく検討された例は見当らない。
び触媒、生成促進助剤などの第三成分に対する研究例は
多くみられるが、炭材成分の性状とウィスカー生成機構
との関係について詳しく検討された例は見当らない。
本発明は、各種炭材成分のうち粒子構造の制御化が比較
的容易なカーボンブラックに着目し、この性状がイ↓す
られるＳｉＣウィスカーの品位、収率等に及ぼす影響に
ついて多角的に研究を重ねた結果、カーボンブラックの
性状特性が一定の選択的範囲にある場合にのみ顕著な効
果を与える事実を確認して開発に至ったものである。
的容易なカーボンブラックに着目し、この性状がイ↓す
られるＳｉＣウィスカーの品位、収率等に及ぼす影響に
ついて多角的に研究を重ねた結果、カーボンブラックの
性状特性が一定の選択的範囲にある場合にのみ顕著な効
果を与える事実を確認して開発に至ったものである。
すなわち、本発明はけい素源原料に、ＢＥＴ比表面積４
０ｎ？／ｙ以上、ＤＢＰ吸油計９０１ｎｐ／／ｉｏ。。
０ｎ？／ｙ以上、ＤＢＰ吸油計９０１ｎｐ／／ｉｏ。。
以上および着色力（チ）が（０，３４９６Ｘ（ＢＥＴ比
表面積） −０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量） ＋ １
０１．８７）式により算出される着色力関係値以下のカ
ーボンブラックを炭羽として配合し、非酸化性雰囲気下
で１３００〜１８００℃の温度に加熱することを特徴と
する。
表面積） −０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量） ＋ １
０１．８７）式により算出される着色力関係値以下のカ
ーボンブラックを炭羽として配合し、非酸化性雰囲気下
で１３００〜１８００℃の温度に加熱することを特徴と
する。
上記の各特性項目はカーボンブラックの粒性状を評価す
るために常用される指標で、次の方法により測定される
。
るために常用される指標で、次の方法により測定される
。
ＢＥＴ比表面＋９７− ： ＡＳＴＭ Ｄ３０３７−７
８ＩＩＳｔａｎｄａｒｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓ
ｔｉｎｇ Ｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ −１３Ｊｆａｃｅ
ａｒｅａ ｂｙ ｎｉｔｒｏｇｅｎ ａｄｓｏ−ｒｐ
ｔｉｏｎ ＃Ｍｅｔｈｏｄ Ｂによる。
８ＩＩＳｔａｎｄａｒｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓ
ｔｉｎｇ Ｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ −１３Ｊｆａｃｅ
ａｒｅａ ｂｙ ｎｉｔｒｏｇｅｎ ａｄｓｏ−ｒｐ
ｔｉｏｎ ＃Ｍｅｔｈｏｄ Ｂによる。
ＤＢＰ吸油量−：Ｊ工Ｓ Ｋ６２２１（１９７５）
ｒゴム用カーボンブラックの試験方法Ｊ６．１．；ＩＪ
の吸油ｔＡ法による。
ｒゴム用カーボンブラックの試験方法Ｊ６．１．；ＩＪ
の吸油ｔＡ法による。
着色カニ ＡＳＴＭ Ｄ３２６５−８０ ’Ｓｔａｎｄ
ａｒｄｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓｔｉｎｇ Ｃａｒｂ
ｏｎ ｂｌａｃｋ−ＴｉｎｔＳｔｒθｎｇｔｈ ’によ
る。
ａｒｄｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓｔｉｎｇ Ｃａｒｂ
ｏｎ ｂｌａｃｋ−ＴｉｎｔＳｔｒθｎｇｔｈ ’によ
る。
このうち、ＢＥＴ比表面積はカーボンブラックの粒子径
、ＤＢＰ吸油量はその構成粒子のストラフチア−（凝集
体鎖状構造）の大小をそれぞれ示す尺度とされる。また
、着色力は本来的にはカーボンブラックの黒色度を表わ
す指標とされるが、同時に粒子の直径および分布、スト
ラフチア−の大きさとその分布、ストラフチア−の形態
学的構造ならびにコロイド特性等の粒子物理的性状に関
与する因子となる。本発明で特定されたＢＥＴ比表面積
４０ ｍ” ／ を以上、ＤＢＰ吸油量油””’１００
９以上および着色力（％）が（０，３４９６Ｘ （ＢＥ
Ｔ比表面積）−０，２１４３Ｘ （ＤＢＰ吸油量）＋１
０１．８７）の着色力関係値以下の領域に属する炭材カ
ーボンブラックは、一定水準を下廻る微小粒子径と発達
した凝集鎖状構造を有するとともにこれら粒子構造に対
応する着色力が相対的に低位にある性状により特長づけ
られるもので、該特性要件を全面的に満足する場合に高
品位ＳｉＣウィスカーの効果的な生成が確保される。
、ＤＢＰ吸油量はその構成粒子のストラフチア−（凝集
体鎖状構造）の大小をそれぞれ示す尺度とされる。また
、着色力は本来的にはカーボンブラックの黒色度を表わ
す指標とされるが、同時に粒子の直径および分布、スト
ラフチア−の大きさとその分布、ストラフチア−の形態
学的構造ならびにコロイド特性等の粒子物理的性状に関
与する因子となる。本発明で特定されたＢＥＴ比表面積
４０ ｍ” ／ を以上、ＤＢＰ吸油量油””’１００
９以上および着色力（％）が（０，３４９６Ｘ （ＢＥ
Ｔ比表面積）−０，２１４３Ｘ （ＤＢＰ吸油量）＋１
０１．８７）の着色力関係値以下の領域に属する炭材カ
ーボンブラックは、一定水準を下廻る微小粒子径と発達
した凝集鎖状構造を有するとともにこれら粒子構造に対
応する着色力が相対的に低位にある性状により特長づけ
られるもので、該特性要件を全面的に満足する場合に高
品位ＳｉＣウィスカーの効果的な生成が確保される。
上記選択的特性を備えるカーボンブラックは、製造時、
原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率、熱分解
反応の温度、反応域におけるガス流の滞留時間などの諸
条件を適宜制御することによって容易に調製することが
できる。
原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率、熱分解
反応の温度、反応域におけるガス流の滞留時間などの諸
条件を適宜制御することによって容易に調製することが
できる。
カーボンブラック炭材は、けい砂、けい石、籾殻灰、シ
リカゲルなどのＳｉｎ、含有物質からなるけい素源涼刺
と配合して反応に供される。けい素源原料に対する炭材
カーボンブラックの配合比率は、ＳｉＣウィスカーの生
成収率ならびに残留炭材の焼却後処理等の観点から１１
０〜４００重量係の範囲に設定することが望ましい。ま
た、これら原料系に、例えばＦｅＣｌ、 −４Ｈ，Ｏ，
Ｎ１（Ｎｏ、）ｉ６Ｈ，Ｏ，ＣＯＣｌ、 −６Ｈ，Ｏの
ようなＦｅ、ＮｉもしくはＣＯの化合物から選ばれた触
謀成分および／または生成空間生成材として機能するＮ
ａＣｌを添加混合するとウィスカーの生長が効果的に促
進される。
リカゲルなどのＳｉｎ、含有物質からなるけい素源涼刺
と配合して反応に供される。けい素源原料に対する炭材
カーボンブラックの配合比率は、ＳｉＣウィスカーの生
成収率ならびに残留炭材の焼却後処理等の観点から１１
０〜４００重量係の範囲に設定することが望ましい。ま
た、これら原料系に、例えばＦｅＣｌ、 −４Ｈ，Ｏ，
Ｎ１（Ｎｏ、）ｉ６Ｈ，Ｏ，ＣＯＣｌ、 −６Ｈ，Ｏの
ようなＦｅ、ＮｉもしくはＣＯの化合物から選ばれた触
謀成分および／または生成空間生成材として機能するＮ
ａＣｌを添加混合するとウィスカーの生長が効果的に促
進される。
原料物質は、黒鉛のような耐熱性材料で構成された反応
容器に充填したのち加熱される。反応容器の加熱は、容
器に蓋を付し非酸化性雰囲気に保持した電気炉中で１３
００−１８００１：、望ましくは１５００〜１７００Ｃ
の温度に少くとも２時間保持することによっておこなわ
れる。
容器に充填したのち加熱される。反応容器の加熱は、容
器に蓋を付し非酸化性雰囲気に保持した電気炉中で１３
００−１８００１：、望ましくは１５００〜１７００Ｃ
の温度に少くとも２時間保持することによっておこなわ
れる。
加熱過程で原料物質中のけい素成分と炭素成分は相互に
反応して微小繊維状のＳｉＣ単結晶に転化するが、この
際、炭材カーボンブラックが有する独特の粒子性状に基
づきウィスカーの生長は極めて迅速かつ均等に進行し、
粒子状ＳｉＣの副生をほとんど伴わない高品位のＳｉＣ
ウィスカーとして収率よく生成する。
反応して微小繊維状のＳｉＣ単結晶に転化するが、この
際、炭材カーボンブラックが有する独特の粒子性状に基
づきウィスカーの生長は極めて迅速かつ均等に進行し、
粒子状ＳｉＣの副生をほとんど伴わない高品位のＳｉＣ
ウィスカーとして収率よく生成する。
生成物中に残留する未反応の炭材カーボンブラックは、
焼却処理により除去する。
焼却処理により除去する。
焼却処理後の生成物は、淡緑白色を呈するＳｉＣウィス
カーで、けい素源原料に対する収率は理論収量に近似す
る。また、ウィスカーの性状は、直径０．１〜０．５μ
フｎ、長さ５０〜３００μｍの均質アスペクト比をもつ
格子欠陥のないβ型単結晶である。
カーで、けい素源原料に対する収率は理論収量に近似す
る。また、ウィスカーの性状は、直径０．１〜０．５μ
フｎ、長さ５０〜３００μｍの均質アスペクト比をもつ
格子欠陥のないβ型単結晶である。
以上のとおり、本発明は炭材成分として最も効果的な生
成機構を与える特性範囲のカーボンブラックを］ン９定
し、よって高品位ＳｉＣウィスカーの高収率生産を可能
にしたものであるから産業上極めて有益である。
成機構を与える特性範囲のカーボンブラックを］ン９定
し、よって高品位ＳｉＣウィスカーの高収率生産を可能
にしたものであるから産業上極めて有益である。
実施例
ＳｉＯ，含有率９９．５％の二酸化けい素微粉末（１５
０メツシユ以下）をけい素源原料とし、これにＢＥＴ比
表面積、ＤＢＰ吸油量および着色力の異なる各種特性の
炭制カーボンブラックを１１０重量％の配合比率で均一
に混合した。
０メツシユ以下）をけい素源原料とし、これにＢＥＴ比
表面積、ＤＢＰ吸油量および着色力の異なる各種特性の
炭制カーボンブラックを１１０重量％の配合比率で均一
に混合した。
混合した原料物質の各５０．Ｏｆを内径７０朋、高さ１
５０ｍｍの高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応容
器の上部に黒鉛蓋を付してアチソン型電気炉に移したの
ち、周囲をコークス粒バッキングで被包した。炉を通電
昇温し、炉内を非酸化性雰囲気に保持しながら１６００
℃の温度に４時間加熱して反応を完結した。ついで反応
容器から内容物を集取し、大気中で７ｏｏ℃の温度に熱
処理して残留する炭材成分を完全に燃焼除去した。
５０ｍｍの高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応容
器の上部に黒鉛蓋を付してアチソン型電気炉に移したの
ち、周囲をコークス粒バッキングで被包した。炉を通電
昇温し、炉内を非酸化性雰囲気に保持しながら１６００
℃の温度に４時間加熱して反応を完結した。ついで反応
容器から内容物を集取し、大気中で７ｏｏ℃の温度に熱
処理して残留する炭材成分を完全に燃焼除去した。
また、上記原料物質群の一部にＣｏＣ１２−６Ｈ，０の
触媒成分（けい素源原料に対し７．０重量係）および生
成空間形成材としてＮａＣ４（けい素源原料に対し１５
０重量％）をそれぞれ添加混合した原料系につき同様に
処即した。
触媒成分（けい素源原料に対し７．０重量係）および生
成空間形成材としてＮａＣ４（けい素源原料に対し１５
０重量％）をそれぞれ添加混合した原料系につき同様に
処即した。
得られた生成物はいずれも淡緑白色の藻革状外観を有す
るβ型Ｓ１Ｃウイスカーであったが、適用した炭材カー
ボンブラックの種類により生成収率、粒子状Ｓ ｉ、ｃ
の混在量、アスペクト比、性状均質性などに相違が認め
られた。
るβ型Ｓ１Ｃウイスカーであったが、適用した炭材カー
ボンブラックの種類により生成収率、粒子状Ｓ ｉ、ｃ
の混在量、アスペクト比、性状均質性などに相違が認め
られた。
これらの結果を、用いた原料系と対比させて下表に示し
た。
た。
箇
光性：（１）けい素源原料に対する生成収率（２）
Ｗ４微鏡写真の観察から彷られた定性的測定結果。
Ｗ４微鏡写真の観察から彷られた定性的測定結果。
十＋＋（推定含有率４０係以上）、＋＋（推定含有率２
０〜４０係）、＋（推定含有率１０〜２０％）、−（推
定含４〕率５φ以下）。
０〜４０係）、＋（推定含有率１０〜２０％）、−（推
定含４〕率５φ以下）。
（３）良−二直径、長さが均質でアスペクト比が均等。
不良−直径、長さが不揃いでアスペクト比が不均等。
上表の結果から、本発明で特定した選択的特性要件を満
足する炭材カーボンブラックを適用した例（本発明例、
Ｒｕｎ １１１ｋＬ１−７ ）は特性範Ｕ ヲ外れる炭
材カーボンブラックを用いた比較例ＣＯＣｌ、・６Ｈ，
Ｏ触媒およびＮａＣｌ生成空間形成拐を添加した例にお
いて顕著な効果が認められた。
足する炭材カーボンブラックを適用した例（本発明例、
Ｒｕｎ １１１ｋＬ１−７ ）は特性範Ｕ ヲ外れる炭
材カーボンブラックを用いた比較例ＣＯＣｌ、・６Ｈ，
Ｏ触媒およびＮａＣｌ生成空間形成拐を添加した例にお
いて顕著な効果が認められた。
特許出願人 東海カーボン株式会社
代理人 弁理士 高 畑 正 也
手続補正書（自発）
昭和５８年７月２７日
特許庁長官 若 杉 和 夫殿
■、小事件表示
昭和５８年特許願第８５９０６号
２ 発明の名称
ＳｉＣウィスカーの製造方法
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
東京都港区北肯山−丁目２番３号
東海カーボン株式会社
取締役社長 伊 藤 國二部
４代理人
東京都港区北青山−丁目２番３号（青白ビル）５、 補
正の対象 明ｌＩａ書第５頁、６行目から１０行目「上記選択的特
性を備える・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
容易に調製することができる。」の記載部分を下記のと
おり訂正する。
正の対象 明ｌＩａ書第５頁、６行目から１０行目「上記選択的特
性を備える・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
容易に調製することができる。」の記載部分を下記のと
おり訂正する。
「上記選択的特性を備えるカーボンブラックとしては、
製造時、原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率
、熱分解反応の温度、反応域におけるガス流の滞留時開
などの諸条件を適宜制御することによって容易に調製す
ることができる７アーネスブラツク、その他炭化水素を
水蒸気の存在下に酸素で部分酸化して水素と一酸化炭素
の合成化学用原料ガスを製造する際に副生ずるカーボン
ブラック、これを熱処理することによって得られる導電
性カーボンブラックなどが含まれる。」 以上
製造時、原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率
、熱分解反応の温度、反応域におけるガス流の滞留時開
などの諸条件を適宜制御することによって容易に調製す
ることができる７アーネスブラツク、その他炭化水素を
水蒸気の存在下に酸素で部分酸化して水素と一酸化炭素
の合成化学用原料ガスを製造する際に副生ずるカーボン
ブラック、これを熱処理することによって得られる導電
性カーボンブラックなどが含まれる。」 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 りけい素像原料に、ＢＥＴ比表面積４０ｒｒ？／。 以上、ＤＢＰ吸油量９０ｍｎ７１００ｆ以上および着色
力（％）が（０，３４９６Ｘ（ＢＦｉＴ比表面積’）−
０，２１４３Ｘ （ＤＢＰ吸油量）＋１０１．８７ ）
式により算出される着色力関係値以下のカーボンブラッ
クを炭材として配合し、非酸化性雰囲気下で１３００〜
１８００℃の温度に加熱することを特徴とするＳｉＣウ
ィスカーの製造方法。 ２けい素源原料に対する炭材の配合比率をｉｉｏ〜４０
０重量％の範囲に設定し、必要に応じてＦｅ、Ｎｉもし
くはＣＯの化合物から選ばれた触媒成分および／ｌたは
Ｎａ（Ｊ生成空間形成材を特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＳｉＣウィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085906A JPS59213700A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085906A JPS59213700A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213700A true JPS59213700A (ja) | 1984-12-03 |
| JPS6310120B2 JPS6310120B2 (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=13871875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085906A Granted JPS59213700A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3541238A1 (de) * | 1984-11-21 | 1986-05-22 | Tokai Carbon Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung von siliziumkohlenstoffwhiskern |
| JPH02141499A (ja) * | 1987-02-23 | 1990-05-30 | Pechiney Electrometall | 炭化ケイ素ウィスカーの製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228760A (en) * | 1975-08-30 | 1977-03-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Adiabatic material |
| JPS57209813A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-23 | Tokai Carbon Co Ltd | Preparation of silicon carbide whisker |
| JPS5845197A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | 高品位ｓｉｃホイスカ−の製造方法 |
| JPS5845196A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | ｓｉｃホイスカ−の製造法 |
| JPS5845198A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | ｓｉｃホイスカ−の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP58085906A patent/JPS59213700A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228760A (en) * | 1975-08-30 | 1977-03-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Adiabatic material |
| JPS57209813A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-23 | Tokai Carbon Co Ltd | Preparation of silicon carbide whisker |
| JPS5845197A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | 高品位ｓｉｃホイスカ−の製造方法 |
| JPS5845196A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | ｓｉｃホイスカ−の製造法 |
| JPS5845198A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-16 | Tokai Carbon Co Ltd | ｓｉｃホイスカ−の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3541238A1 (de) * | 1984-11-21 | 1986-05-22 | Tokai Carbon Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung von siliziumkohlenstoffwhiskern |
| JPH02141499A (ja) * | 1987-02-23 | 1990-05-30 | Pechiney Electrometall | 炭化ケイ素ウィスカーの製造方法 |
| JPH0476357B2 (ja) * | 1987-02-23 | 1992-12-03 | Pechiney Electrometallurgie |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6310120B2 (ja) | 1988-03-03 |
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