JPS599518B2 - sicホイスカ−の製造法 - Google Patents
sicホイスカ−の製造法Info
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- JPS599518B2 JPS599518B2 JP56143877A JP14387781A JPS599518B2 JP S599518 B2 JPS599518 B2 JP S599518B2 JP 56143877 A JP56143877 A JP 56143877A JP 14387781 A JP14387781 A JP 14387781A JP S599518 B2 JPS599518 B2 JP S599518B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、籾殼灰(けい素源原料)とカーボンブラック
炭材の混合物を基本原料とする改良されたSiCホイス
カ一の製造法に関する。
炭材の混合物を基本原料とする改良されたSiCホイス
カ一の製造法に関する。
農業廃棄物として多量に副生ずる籾殻は、焼却灰化する
と相当な量の無定形Si02に転化するため、SiCホ
イスカー製造用の安価有用なけい素源原料としての適格
性がある。
と相当な量の無定形Si02に転化するため、SiCホ
イスカー製造用の安価有用なけい素源原料としての適格
性がある。
出願人は、既にこの点に着目して研究を重ね、籾殻を含
むイネ科植物の果実殼もしくは茎の灰化残渣をけい素源
原料としこれに最適な炭材としてカーボンブラックを選
定配合して原材料とすることにより、SiC粒状夾雑物
の少ないSiCホイスカーを高水準の生成収率で製造す
る方法を開発(特開昭57−209813号)したが、
本発明は更に改良を加え、特にコンポジット強化材トシ
ての用途に障害となるSiC粒状夾雑物の混在化を一層
抑止したものである。
むイネ科植物の果実殼もしくは茎の灰化残渣をけい素源
原料としこれに最適な炭材としてカーボンブラックを選
定配合して原材料とすることにより、SiC粒状夾雑物
の少ないSiCホイスカーを高水準の生成収率で製造す
る方法を開発(特開昭57−209813号)したが、
本発明は更に改良を加え、特にコンポジット強化材トシ
ての用途に障害となるSiC粒状夾雑物の混在化を一層
抑止したものである。
すなわち、本発明の前提となる前記先願技術は,籾殼な
どの灰化残渣(けい素源原料)に110〜400重量%
のカーボンプラック炭材を混合した原料(以下、『基本
原料』という。
どの灰化残渣(けい素源原料)に110〜400重量%
のカーボンプラック炭材を混合した原料(以下、『基本
原料』という。
)を例えば黒鉛のような耐熱製反応容器に充填し非酸化
性雰囲気下で1300〜1700℃の温度に加熱するこ
とを要件とする。
性雰囲気下で1300〜1700℃の温度に加熱するこ
とを要件とする。
この方法によると、直径0.2〜0. 5 μm 、長
さ30〜80μmのβ型SiCホイスカーが8%(対籾
殻、重量%)を越える高生成収率で得られるうえに、夾
雑するSiC粒状物の含有量を効果的に低減することが
できる利点がある。
さ30〜80μmのβ型SiCホイスカーが8%(対籾
殻、重量%)を越える高生成収率で得られるうえに、夾
雑するSiC粒状物の含有量を効果的に低減することが
できる利点がある。
しかしながら、この含有率を5%以下におさえることは
未だ困難で、とくに炭材としてペレット状造粒カーボン
プラックを用いる場合にはSiCホイスカーの収率向上
に対しては一層有効に作用する一方、大粒のSiC夾雑
物が反応容器の周辺部に偏在生成する現象が生じる。
未だ困難で、とくに炭材としてペレット状造粒カーボン
プラックを用いる場合にはSiCホイスカーの収率向上
に対しては一層有効に作用する一方、大粒のSiC夾雑
物が反応容器の周辺部に偏在生成する現象が生じる。
本発明は、けい素源原料となる籾殼灰の一部を超微粉二
酸化けい素により置換して反応容器内に共存させること
によりSiC粒状夾雑物の混在化を最小限に抑えたもの
である。
酸化けい素により置換して反応容器内に共存させること
によりSiC粒状夾雑物の混在化を最小限に抑えたもの
である。
超微粉二酸化けい素としては、1次粒子直径が7〜40
mμの高度の比表面積と分散性をもつコロイド性けい酸
が有効に適用され、籾殼灰のlO〜30%(重量)相当
量の範囲で置換配合する。
mμの高度の比表面積と分散性をもつコロイド性けい酸
が有効に適用され、籾殼灰のlO〜30%(重量)相当
量の範囲で置換配合する。
この置換配合比率は限定的で、10%(重量)未満では
SiC粒状夾雑物の生成抑止効果は乏しく、他方、30
%(重量)を越える場合にはSiCホイスカーの生成な
らびに成長が著しく阻害される結果を招《。
SiC粒状夾雑物の生成抑止効果は乏しく、他方、30
%(重量)を越える場合にはSiCホイスカーの生成な
らびに成長が著しく阻害される結果を招《。
超微粉二酸化けい素を反応容器内に共存させるには、上
記置換配合したけい素源原料をカーボンブラック炭材と
混合し全体を均一混合原料として反応容器に充填するか
、反応容器の中心部に基本原料を装入しこれを被包する
状態で前記置換配合した均一混合原料を周辺部のみに充
填する方法がとられる。
記置換配合したけい素源原料をカーボンブラック炭材と
混合し全体を均一混合原料として反応容器に充填するか
、反応容器の中心部に基本原料を装入しこれを被包する
状態で前記置換配合した均一混合原料を周辺部のみに充
填する方法がとられる。
このうち、後者の方法は炭材にペレット状造粒カーボン
ブラックを用いる場合に有効であり、大粒のSiC夾雑
物が反応容器の周辺部に偏在生成する現象はほぼ全面的
に解消する。
ブラックを用いる場合に有効であり、大粒のSiC夾雑
物が反応容器の周辺部に偏在生成する現象はほぼ全面的
に解消する。
原料物質には、Narl,NaF ,KClなとのアル
カリ金属ハロゲン化物またはM f C l2s C
aF 2などのアルカリ土類金属ハロゲン化物を籾殼灰
に対し80〜200重量%の範囲で予め混合しておくと
、得られるSiCホイスカーの生成収率と結晶の伸長を
助長する効果を与える。
カリ金属ハロゲン化物またはM f C l2s C
aF 2などのアルカリ土類金属ハロゲン化物を籾殼灰
に対し80〜200重量%の範囲で予め混合しておくと
、得られるSiCホイスカーの生成収率と結晶の伸長を
助長する効果を与える。
原料物質を充填した反応容器は、周囲をコークス粒など
のカーボンパッキング材で被包し、非酸化性雰囲気下に
保持しながら1300〜17000C、望ましくは15
00〜1600℃の温度に少なくとも2時間加熱する。
のカーボンパッキング材で被包し、非酸化性雰囲気下に
保持しながら1300〜17000C、望ましくは15
00〜1600℃の温度に少なくとも2時間加熱する。
加熱過程で原料物質中のけい素成分と炭素成分は気相反
応により微小繊維状のSiCに転化し、最終的に炭材カ
ーボンブラックの粒子構造内部あるいは相互空間の全域
に亘って綿状のホイスカーとして密生するが、SiC粒
状夾雑物の生成は原料物質中に共存する超微粉二酸化け
い素の作用により極めて効果的に抑止される。
応により微小繊維状のSiCに転化し、最終的に炭材カ
ーボンブラックの粒子構造内部あるいは相互空間の全域
に亘って綿状のホイスカーとして密生するが、SiC粒
状夾雑物の生成は原料物質中に共存する超微粉二酸化け
い素の作用により極めて効果的に抑止される。
生成物中に残留する未反応の炭材カーボンブラックは、
空気中に燃焼処理することにより容易に除去することが
できる。
空気中に燃焼処理することにより容易に除去することが
できる。
燃焼処理後の生成物は、5%以下の微粒子状SiCを含
むほかは全て淡緑白色を呈するβ型SiCホイスカーで
ある。
むほかは全て淡緑白色を呈するβ型SiCホイスカーで
ある。
このように、本発明によれば粒状SiC夾雑物の極めて
少ない高品位のSiCホイスカ一が製造できるから、こ
れらを分離精製する必要なしにセラミックスあるいは金
属用複合強化材として供用できる利点がある。
少ない高品位のSiCホイスカ一が製造できるから、こ
れらを分離精製する必要なしにセラミックスあるいは金
属用複合強化材として供用できる利点がある。
実施例 1
乾燥した籾殻を、電気炉中で600℃の温度を保持しな
がら恒量となるまで焼却灰化した。
がら恒量となるまで焼却灰化した。
得られた籾殻灰は淡灰色を呈する微粉末で、灰化残留率
は20.5%(重量)、Si02含有率は91.9%(
重量)であった。
は20.5%(重量)、Si02含有率は91.9%(
重量)であった。
上記籾殼灰に対し5〜40%(重量)の範囲で1次粒子
直径約12mμ(平均)の超微粉二酸化けい素〔日本ア
エロジル(株)製〃AEROSIL,#200〕を配合
した数種類の置換けい素源原料を調製し、その各々に未
造粒カーボンプラック炭材〔東海カーボン(株)製、”
SEAST//5H,1を150%(重量)の配合割合
で添加し十分均一に混合した。
直径約12mμ(平均)の超微粉二酸化けい素〔日本ア
エロジル(株)製〃AEROSIL,#200〕を配合
した数種類の置換けい素源原料を調製し、その各々に未
造粒カーボンプラック炭材〔東海カーボン(株)製、”
SEAST//5H,1を150%(重量)の配合割合
で添加し十分均一に混合した。
混合した原料物質の各50.OS’を内径70mm、高
さ150朋の高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応
容器の上部に黒鉛蓋を付してクリプトール炉に移したの
ち、周囲をコークス粒パッキングで被覆した。
さ150朋の高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応
容器の上部に黒鉛蓋を付してクリプトール炉に移したの
ち、周囲をコークス粒パッキングで被覆した。
ついで炉を通電昇温し、炉内を非酸化性雰囲気に保持し
ながら1600℃の温度に4時間加熱した。
ながら1600℃の温度に4時間加熱した。
加熱後、反応容器から内容物を集収し、大気中で700
℃の温度に熱処理して残留する炭材成分を燃焼除去した
。
℃の温度に熱処理して残留する炭材成分を燃焼除去した
。
得られた生成物は、大部分が微小ボイスカ一である淡緑
白色を呈する藻草状物質であったが、超微粉二酸化けい
素の共存比率により粒状夾雑物の含有状態に相違が認め
られた。
白色を呈する藻草状物質であったが、超微粉二酸化けい
素の共存比率により粒状夾雑物の含有状態に相違が認め
られた。
しかし、X線回析の測定結果では生成物の全てが純粋な
SiC単結晶であることが確認された。
SiC単結晶であることが確認された。
上記原料物質のうち数種のものにつき、籾殼灰(けい素
源原料)に対し100%(重量)の割合で精製NaC#
を混合し、同一条件により処理した。
源原料)に対し100%(重量)の割合で精製NaC#
を混合し、同一条件により処理した。
また、比較のために、超微粉二酸化けい素を共存させな
い例(基本原料)および籾殻灰を100%超微粉二酸化
けい素で置換した例についても同一の生成条件で処理し
た。
い例(基本原料)および籾殻灰を100%超微粉二酸化
けい素で置換した例についても同一の生成条件で処理し
た。
以上の生成結果を、対比して下表に示した。
上表の結果から、超微粉二酸化けい素を本発明範囲(籾
殼灰の10〜30重量%相当量)の比率で置換配合する
と、SiCホイスカーの収率を低下させることなしに粒
状SiC夾雑物の生成混入を5%以下の低位水準に抑止
しえることが認められる。
殼灰の10〜30重量%相当量)の比率で置換配合する
と、SiCホイスカーの収率を低下させることなしに粒
状SiC夾雑物の生成混入を5%以下の低位水準に抑止
しえることが認められる。
また、NaCl の添加は、SiCホイスカ一の生成収
率と結晶伸長を助長することが判明する。
率と結晶伸長を助長することが判明する。
実施例 2
籾殼灰に150%(重量)のペレット状造粒カーボンプ
ラック炭材〔東海カーボン(株)製、“SEAST//
5H)を均一混合した基本原料と、この基本原料のうち
籾殼灰の20%(重量)相当量を超微粉二酸化けい素〔
日本アエロジル(株)製、“AEROS I Ltt
#2 0 0 )で置換配合した原料(置換原料)をそ
れぞれ準備し、前者の基本原料を反応容器の中心部に入
れこれを周辺から後者の置換原料で被包するように充填
したのち実施例1と同一処理条件を用いてSiCホイス
カーを生成させた。
ラック炭材〔東海カーボン(株)製、“SEAST//
5H)を均一混合した基本原料と、この基本原料のうち
籾殼灰の20%(重量)相当量を超微粉二酸化けい素〔
日本アエロジル(株)製、“AEROS I Ltt
#2 0 0 )で置換配合した原料(置換原料)をそ
れぞれ準備し、前者の基本原料を反応容器の中心部に入
れこれを周辺から後者の置換原料で被包するように充填
したのち実施例1と同一処理条件を用いてSiCホイス
カーを生成させた。
加熱処理後の状況は、ペレット状造粒カーボンブラック
炭材の単味使用時(基本原料のみ充填)に生ずる反応容
器周辺部分における犬粒SiCの偏在生成現象は全く認
められず、極めて均質な組織状態を呈していた。
炭材の単味使用時(基本原料のみ充填)に生ずる反応容
器周辺部分における犬粒SiCの偏在生成現象は全く認
められず、極めて均質な組織状態を呈していた。
この場合のSiCホイスカー収率(対籾殻、重量%)は
8.7%、粒状SiC夾雑物含有率は5%、そしてホイ
スカーの性状は直径0−2〜0.5 μm ,長さ30
〜80μmであった。
8.7%、粒状SiC夾雑物含有率は5%、そしてホイ
スカーの性状は直径0−2〜0.5 μm ,長さ30
〜80μmであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 籾殼灰に110〜400重量%のカーボンブラック
炭材を混合してなる基本原料を反応容器に充填し非酸化
性雰囲気下で1300〜1700℃に加熱する方法にお
いて、1次粒子直径7〜40mμの超微粉二酸化けい素
を前記籾殼灰の10〜30%(重量)相当量の範囲で置
換配合することにより反応容器中に共存させることを特
徴とするSiCホイスカーの製造法。 2 籾殼灰に対し80〜200重量%のアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属のハロゲン化物を混合する特許請
求の範囲第1項記載のSiCホイスカーの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56143877A JPS599518B2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | sicホイスカ−の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56143877A JPS599518B2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | sicホイスカ−の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5845196A JPS5845196A (ja) | 1983-03-16 |
JPS599518B2 true JPS599518B2 (ja) | 1984-03-02 |
Family
ID=15349082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56143877A Expired JPS599518B2 (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | sicホイスカ−の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS599518B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59213700A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-03 | Tokai Carbon Co Ltd | SiCウイスカ−の製造方法 |
US4971834A (en) * | 1989-06-29 | 1990-11-20 | Therm Incorporated | Process for preparing precursor for silicon carbide whiskers |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP56143877A patent/JPS599518B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5845196A (ja) | 1983-03-16 |
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