JPH01249620A - 四塩化ケイ素の製造法 - Google Patents

四塩化ケイ素の製造法

Info

Publication number
JPH01249620A
JPH01249620A JP7470088A JP7470088A JPH01249620A JP H01249620 A JPH01249620 A JP H01249620A JP 7470088 A JP7470088 A JP 7470088A JP 7470088 A JP7470088 A JP 7470088A JP H01249620 A JPH01249620 A JP H01249620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
reaction
chlorine
chaff
carbide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7470088A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0645449B2 (ja
Inventor
Tetsuya Wada
徹也 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Nippon Steel Trading Corp
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Sumikin Bussan Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK, Sumikin Bussan Corp filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP7470088A priority Critical patent/JPH0645449B2/ja
Publication of JPH01249620A publication Critical patent/JPH01249620A/ja
Publication of JPH0645449B2 publication Critical patent/JPH0645449B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10715Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material
    • C01B33/10721Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of tetrachloride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、籾殼及び籾殼の燃焼灰全原料とする四塩化珪
素の製造法に関するものである。
〔従来の技術と発明が解決すべき課題〕四塩化珪素は、
種々の有機珪素化合物の合成原料として使用される他に
、また微細シリカ、高純度合成石英、窒化珪素、炭化珪
素などの合成原料として使用される。四塩化珪素の既存
の製造法には、次の6つがある。
(1)金属珪素化合物を環化水素により[素化し、トリ
クロルシランを製造する工程で、副生物として四塩化珪
素を生成する方法。(2)フェロシリコン、炭化珪素等
と塩素と反応させる方法。(3)珪石等の珪酸質原料と
炭素との混合物を塩素と反応させる方法。
(1)の方法では、トリクロルシランの製造工程におけ
る副生物として得られるために、四塩化珪素は、トリク
ロルシランの需倣量に左右される。さらに、原料である
金属珪素t−孤造するためには、多量の電力が必要であ
シ、原料価格が高いものとなる。(2)の方法では、フ
ェロシリコン、炭化珪素製造に多食の電力を必要とする
ため、原料価格が高い。(3)の方法では原料価格は低
いが、珪石と炭素の混合物と塩素との反応性が低く、こ
のために原料をペレット化したシ、高価な反応促進剤全
添加したシする必袈があシ、コストが高くなる。
以上のように、従来の各々の技術には、難点があ夛、満
足すべきものではなかった。
これらの難点を解決する方法として、珪素集積バイオマ
スの炭化物’に400〜1100℃で壌素と反応させる
ことが、特開昭58−5533[]号公報に提案されて
いる。この方法は、比較的低い温度で四環化珪素全製造
できるが、反応速度が十分満足のいく速度ではなく、か
つ長時間の連続運転では反応残渣が蓄積する等の問題が
あり、十分満足のいく方法ではない。
本発明渚らは、四環化珪素を裏造するための従来技術の
うち、原料価格が安い、珪石等の珪酸質原料と炭素との
混合物を塩素と反応させる方法において、さらに詳しく
は、珪酸質原料として珪素集積バイオマス全もちいる方
法において、従来法の課題を解消し、反応速度が大きく
かつ長時間の連続運転が可能な工業的に有第1なプロセ
ス全開発すること全目的として種々仙究を行なった。
〔課題を解決するための手段〕
即ち、本発明は籾殼’100重量部及び籾殼燃焼灰20
〜60重量部を混合し、嵩比重0.8〜1.5の固形物
とし、これ?]l:500〜1200℃の高温下、炭化
処理したものを1100〜1500°Cの高温下で塩素
と反応させることを特徴とする四端化珪素の製造法であ
る。
従来の様に、珪酸質原料中の二酸化珪素と、コークス、
木炭などの炭素質物質を混合し、塩素ガスで塩素化し、
四端化珪素kW造する場合、工業的に十分な反応速度?
もたせるために、珪酸質原料と炭素質物質を粉砕し、混
合し、炭化珪素等の高価な反応促進剤全添加したpする
心壁があった。
また、珪素集積バイオマスの炭化物七地素と反応させる
方法においては、長時間の連続運転では反応残渣が蓄積
する等の問題があり、反応残渣を反応器から積極的に抜
き出す磨製があった。
本発明で用いる籾殼燃焼灰は、籾殼上例えは火格子燃焼
炉、浮遊旋回燃焼炉、流動床燃焼炉等によシ燃焼した後
の灰である。この籾殼燃焼灰の二酸化珪素含有1はその
燃焼条件等により異なるが、一般的に85重量パーセン
ト以上である。
籾殼と籾殼燃焼灰の混合物は例えばスクリュープレス等
によシ製造される。この固形物の嵩比重は0.8〜1.
5が好ましい。0.8未満では固形物の強度が十分では
彦<、この後の炭化処理時及び及応待に崩れやすく好ま
しくない。1,5全越える固形物を製造するためには大
きなエネルギー全戦しエネルギー的に不利となる。
籾殼と籾殼燃焼灰の混合割合は、籾殼100重量部に幻
し籾殼燃焼灰20〜60重量部が好ましい。さらに好ま
しくは60〜50M量部である。
籾殼100M傭部に対し籾殼燃焼灰20重値部未満では
、炭化処理後塩素と反応させた場合、未反応残渣として
炭素が多量に生成し連続的に匹墳化珪素′f:製造する
場合に支障ケきたす。逆に、籾殼ツ4;焼灰が60重量
部を越えると、未反応残渣として二酸化珪素が多量に生
成し、連続的に四項化珪素を製造する場合に支障を招く
籾殼と籾殼燃焼灰の混合物の炭化処理は通常の炭焼釜や
雰囲気炉にて行なえる。炭化処、+!1!温度は50口
〜1200 ’Cが好ましい。500℃未満の温度では
籾殼の炭化が十分ではなく、次の反応で好゛ましく々い
水分や炭化水素が残留する。120口℃を越える温度で
の炭化は大きなエネルギーを袈するばかpでなく、含有
に酸化珪素の結晶化が進み好ましくない。
該籾殼と籾殼燃焼灰の混合物の炭化処理物と塩素との反
応温度は、11[]0〜1500℃である。
1100℃100℃未満度では反応速度が十分には速く
なく燃焼灰が十分には反応せず、未反応残渣が年成し連
続的に四環化珪素全製造する場合支障をきたす。150
0℃をこえる温度ではそれに伴う環系化反応速度の増大
効果がそれほど大きくなく、熱的に不経済である。
反応の型式は固定床(移動床)及び流動床何れの方式で
も適用できるが、固定床(移動床)が好ましい。固定床
(移動床うで反応上行なう場合、該炭化物の形状は平均
粒径1〜50Mの塊状または粒状のものが好ましい。平
均粒径1〜50Mの塊状または粒状の炭化物は、籾殼及
び籾殼燃焼灰の混合物の固形物?破砕したものを炭化処
理して製造するか、該混合物の固形物上そのまま炭化処
理したものを破砕して製造することができる。はさいに
はショークラッシャー、ロールクラッシャー、カッター
ミル等の一般的な粗粉砕機及び中砕樵により行なえる。
〔実施例〕
次に本発明を実施例によシさらに詳しく説明する。
実施例1 籾殼を毎時100重量部と籾殼燃焼灰(二酸化珪素含有
量95M量パーセント)を毎時4ON量部、単軸スクリ
ュー押し出し機(品名スミライトマシン発売元住金物産
株式会社9にパドルミキサーにて混合しながら供給し、
為比M1.乙の固形物とした。つづいてイ0られた固形
物を800℃の雰囲気炉中で60分間炭化如理した。イ
得られた炭化物をショークラッシャーにて粉砕し3m角
のふるい上かつ10期角のふるい下のものを得た。該塊
状炭化物の組成分析葡したところニ酸化珪素68.6パ
ーセント、炭素30.1パーセントであった。該塊状炭
化物を75g、容積60ローの黒鉛製反応器に充填し、
下部よシ塩素を毎分160−供給しながら、1300℃
で反応させた。反応生成ガス全15分置きにガスクロマ
トグラフにて分析、未反応塩素が1各iパ一セント以上
検出された時点で地素専入を止め反応を終了した。反応
生成ガスは一60°Cのコンデンサーに′4き、生成し
た凹地化珪素を捕集した。
塩素導入時間は195分であシ、コンデンサーにて捕集
した四環化珪素は109.7gであった。
また反応終了後の反応器内に残った残渣は16.4gで
あった。
実施例2,6 反応温度Th1150’Oおよび1450°Cに変えて
実施例1と同様に塩素化反応を行なった。結果を下表に
示す。
表 比較例1 籾殼を窒素雰囲気下、800°Cにて2時間炭化した。
得られた籾殼炭化物の炭素含有量は56重意パーセント
、嵩比重0.06であった。容積300−の黒鉛製反応
器に得られた籾殼炭化物16gを充填し、反応湿度10
50℃にて実施例1と同様に塩素化反応を行なった。
塩素導入開始20分後の反応ガスの分析時に未戊応増素
は1各貴パーセントを越えており、反応を終了した。
比較例2 比較例1で得られた籾殼炭化物を粉砕し、嵩比重0.2
5の籾殼炭化物粉を得た。得られた籾殼炭化物粉全75
g容積600−の黒鉛製反応器に充填し、反応温度10
50℃にて実施例1と同様に塩素化反応を行なった。
塩素導入時間は105分であり、コンデンサーにて捕集
した四環化珪素は57.5 、!i’であった。また汐
応終了後の反応器内に残った残渣は45.2 、Fであ
った。
比較例6 平均粒径60μmの鯖波珪石1001負部と平均粒径5
0μmのコークス4ON量部の混合物を75g1容積6
00−の黒鉛製反応器に充填し、反応温度1600℃に
て実施例1と同様に塩素化反応を行なった。
壌索導入開始20分後の反応ガスの分析時に禾及応坦素
は1容量パーセントを越えておシ、反応を終了した。
〔発ツ」の効果〕
従来法である珪酸質原料に炭素質物質全混合し塩素化す
る方法では、高価な反応促進剤の添加が8璧であった。
また、珪素集積バイオマスの炭化物e40[]〜110
0℃で塩素化する方法においては、長時間の連続運転で
は反応へ渣が蓄積する等の問題があったが、本発明の方
法によれば高価な反応促進剤の添加の必9がなく、また
成力残渣の蓄積もほとんどなく、容易に四端化珪素全製
造出来る。
特許出願人 電気化学工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)籾殼100重量部及び籾殼燃焼灰20〜60重量
    部を混合し、嵩比重0.8〜1.5の固形物とし、これ
    を500〜1200℃の高温下、炭化処理したものを1
    100〜1500℃の高温下で塩素と反応させることを
    特徴とする四塩化ケイ素の製造法
JP7470088A 1988-03-30 1988-03-30 四塩化ケイ素の製造法 Expired - Lifetime JPH0645449B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7470088A JPH0645449B2 (ja) 1988-03-30 1988-03-30 四塩化ケイ素の製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7470088A JPH0645449B2 (ja) 1988-03-30 1988-03-30 四塩化ケイ素の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01249620A true JPH01249620A (ja) 1989-10-04
JPH0645449B2 JPH0645449B2 (ja) 1994-06-15

Family

ID=13554764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7470088A Expired - Lifetime JPH0645449B2 (ja) 1988-03-30 1988-03-30 四塩化ケイ素の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0645449B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011036897A1 (ja) * 2009-09-25 2011-03-31 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 四塩化珪素の製造方法および太陽電池用シリコンの製造方法
JP2011068520A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Jx Nippon Oil & Energy Corp 太陽電池用シリコンの製造方法
JP2011068518A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Jx Nippon Oil & Energy Corp 四塩化珪素の製造方法
JP2012171843A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Toagosei Co Ltd 四塩化ケイ素の製造方法
JP2013014446A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Toagosei Co Ltd 四塩化ケイ素の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011036897A1 (ja) * 2009-09-25 2011-03-31 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 四塩化珪素の製造方法および太陽電池用シリコンの製造方法
JP2011068520A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Jx Nippon Oil & Energy Corp 太陽電池用シリコンの製造方法
JP2011068518A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Jx Nippon Oil & Energy Corp 四塩化珪素の製造方法
JP2012171843A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Toagosei Co Ltd 四塩化ケイ素の製造方法
JP2013014446A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Toagosei Co Ltd 四塩化ケイ素の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0645449B2 (ja) 1994-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8048822B2 (en) Method for making silicon-containing products
US8470279B2 (en) High purity silicon-containing products and method of manufacture
US7638108B2 (en) High purity silicon-containing products
JP2007532468A5 (ja)
JPS6353124B2 (ja)
JPS61117111A (ja) 光起電産業で用いる金属珪素の製造方法
JP2011006316A (ja) 金属シリコンの製造方法
JPH01249620A (ja) 四塩化ケイ素の製造法
JPS60112610A (ja) 四塩化珪素の製造方法
JPH0472765B2 (ja)
CA1171227A (en) Process for the production of silicon-containing and carbon-containing raw material mouldings, and the use of such mouldings
JPS599516B2 (ja) 炭化けい素ホイスカ−の製造方法
JPH0643247B2 (ja) 籾殻燃焼灰組成物及びその製造方法
JPH0645450B2 (ja) 四塩化ケイ素の製造方法
JPS6362449B2 (ja)
JPH0692250B2 (ja) 四塩化珪素の製造方法
JPH01249614A (ja) 籾殻及び籾殻灰からなる固型組成物ならびにその製造方法
JPS62252311A (ja) 四塩化ケイ素の製造方法
JPS6021808A (ja) 四塩化珪素の製造方法
JPH04160012A (ja) 炭化ホウ素微粉末の製造方法
JP3006843B2 (ja) 炭化珪素粉末含有金属複合体の製造方法
JPS599518B2 (ja) sicホイスカ−の製造法
JPS599517B2 (ja) 炭化けい素ホイスカ−の製造法
JPS6024047B2 (ja) 炭化ケイ素の製造方法
JPS5899116A (ja) 四塩化ケイ素の製造方法