JPS5945639B2 - SiCホイスカ−の製造方法 - Google Patents

SiCホイスカ−の製造方法

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JPS5945639B2
JPS5945639B2 JP57004856A JP485682A JPS5945639B2 JP S5945639 B2 JPS5945639 B2 JP S5945639B2 JP 57004856 A JP57004856 A JP 57004856A JP 485682 A JP485682 A JP 485682A JP S5945639 B2 JPS5945639 B2 JP S5945639B2
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JP
Japan
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alkali metal
metal halide
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boiling point
reaction
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JP57004856A
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JPS58125697A (ja
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実夫 土肥
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TOKAI KAABON KK
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TOKAI KAABON KK
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B17/00Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor
    • G11B17/22Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor from random access magazine of disc records

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 SiCホイスカーは複合材料の強化物質として好適な有
効特性(比強度、比弾性率、耐熱性、化学的安定性等)
を備えるうえに、所望形状のFRPまたはFRMを射出
あるいは押出など工業的に安価な成形手段により得るこ
とができる点で長繊維にはない長所があるため、その製
造技術については多(の試みがなされている。
従来のSiCホイスカー製法は、概ね、二酸化けい素を
けい木理原料としこれを炭材と共に不活性気流中で加熱
反応させる方法が基本とされているが、第三成分として
アルカリ金属のハロゲン化物を添加すると反応の促進化
に有効である。
出願人は、先に特開昭57−209813号により籾殻
を含むイネ科植物の果実殻もしくは茎を灰化して得られ
る無定形二酸化けい素微粉末をけい木理原料とし、これ
に炭材としてカーボンブラック110〜400重量%を
選定配合して原材料とすることにより、粒状夾雑物の少
ないSiCホイスカーを高水準の生成収率で製造する方
法を提案したが、この際、反応温度より沸点の低いアル
カリ金属ハロゲン化物をけい木理原料に対し80〜20
0重量%の多量範囲で共存させると、得られるSiCホ
イスカーの生成収率と結晶の伸長度合を一層助長する効
果を与えることを確認している。
しかしながら、低沸点のアルカリ金属ハロゲン化物が共
存する原料系では、昇温時、加熱温度がその沸点附近に
達すると突沸現象を起して円滑な反応促進作用を阻害し
、寧ろ生成収率の低下を招(事態が屡々発生する。
この突沸現象は、加熱昇温速度を早めると発生頻度の増
大を伴うことから、生産性を損ねる一因ともなっている
発明者は、上記現象について調査検討を重ねた結果、ア
ルカリ金属ハロゲン化物の突沸は沸点士100℃の範囲
で集中的に起るが前記温度範囲の昇温を1.0〜5.0
℃/分の速度でおこなうと発生しない事実を見出した。
本発明は上記知見に基づいてなされたもので、主要な構
成は、けい木理原料および炭材にアルカリ金属ハロゲン
化物を共存させ非酸化性雰囲気下に共存アルカリ金属ハ
ロゲン化物の沸点以上の温度に加熱して反応を完結する
方法において、加熱昇温時、使用するアルカリ金属ハロ
ゲン化物の沸点±100℃の温度域を1.0〜5.0℃
/分の昇温速度で除熱することを特徴とする。
本発明に適用されるけい木理原料としては、籾殻灰化残
渣のほか、けい石、けい砂などの二酸化けい素微粉末が
、また炭材にはカーボンブラック、黒鉛粉、コークス粉
などが用いられる。
第三成分となるアルカリ金属ノ・ロゲン化物は、SiC
ホイスカーの生成反応温度(1600℃附近)より低い
沸点を有する塩化ナトリウム(m、p、1413℃)、
塩化カリウム(m、p。
1500℃)、弗化カリウム(m、p、1500℃)臭
化カリウム(m、p、1380℃)などが有効に適用さ
れる。
これら反応系物質は適宜な配合比率で混合されるが、最
適な反応系は、けい素源原料に籾殻灰化残渣、炭材にカ
ーボンブラック、アルカリ金属ハロゲン化物に塩化ナト
リウムを用い、これらを1:1.1〜4.0:0.8〜
2.0の重量配合比により混合共存させたものである。
反応系物質は、高純度黒鉛のような耐熱材料で構成され
た反応容器に充填したのち、クリブトール炉あるいはア
チンン炉などの加熱炉に入れ内部を非酸化性雰囲気に保
持しながら加熱する。
加熱時の昇温速度は、通常12〜b 1550〜1650℃の温度域まで上昇させる。
全過程を通じて前記昇温速度を適用すると加熱温度が使
用するアルカリ金属ノ・ロゲン化物の沸点附近に達した
際、突沸現象を起し急激に白煙を発生するが、使用アル
カリ金属ハロゲン化物の沸点士100℃の温度域で昇温
速度を緩め1.0〜5.0℃/分の範囲に制御すると突
沸現象は起らず、好適な速度で系内を蒸発して生成反応
の促進化に寄与する。
この場合、上記除熱度合を1.0℃/分未満に落すと沸
点±100℃範囲内の蒸発が局部的に進行し、一方、5
.0℃/分を越える昇温速度でおこなうと蒸発が一時点
に進行し、時により突沸現象を伴うことから、いずれも
十分な反応促進効果を得ることができなくなる。
加熱温度が除熱温度域を過ぎたら再び正規の昇温速度に
戻し、所定反応温度に到達した時点で昇温を止め反応が
完結するまで該温度に保持する。
加熱過程で原料物質中のけい素成分と炭素成分は気相反
応を起して微少繊維状のSiCに転化するが、この際共
存するアルカリ金属ハロゲン化物の円滑な蒸発接触作用
により生成反応は全体に均等かつ迅速に進行し、また結
晶の伸長化を助長してアスペクト比の増大をもたらす。
したがって、高品位のSiCホイスカを極めて収率よ(
製造することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例 1 けい素源原料に籾殻灰化物(SiO2含有率91.9重
量%)、炭材にカーボンブラック〔東海カーボン■製、
′″5EAST5H”〕、アルカリ金属ハロゲン化物と
して塩化ナトリウム粉末を用い、これらを1 : 1.
5 二1.0の重量配合比により十分均一に混合して反
応系とした。
反応系物質を、内径70WtrIL、高さ150朋の高
純度黒鉛製円筒反応容器に充填し、上部に黒鉛蓋を付し
てクリブトール炉に入れたのち周囲をコークス粒バッキ
ングで被包した。
ついで炉に通電し、1313℃(NaC1沸点1413
℃より一100℃温度段階)まで14.2℃の昇温速度
で加熱し、1313〜1513℃の温度域を0.5〜7
.0℃/分の範囲で昇温速度を変えて除熱した。
1513℃に至った時点で再び14.2℃/分の昇温速
度に戻して1620℃まで加熱し、この温度に3.5時
間保持した。
比較のために、除熱工程を経ずに全過程を14.2℃/
分の昇温速度で加熱したところ、1350℃附近で塩化
ナトリウムが突沸し、反応容器から急激に白煙が発生し
た。
加熱処理後、反応容器から内容物を集収し、大気中で7
00℃に加熱して残留する炭材成分を燃焼除去した。
このようにして得られた生成物は、いずれもβ型のSi
Cホイスカーであったが、除熱度合により生成収率およ
びアスペクト比に相違が認められた。
これら結果を、表■に示した。表■の結果は、本発明適
用例(R[lA2〜5)において良好な生成収率とアス
ペクト比性状が得られることを示している。
実施例 2 共存アルカリ金属ハロゲン化物として臭化カリウム(沸
点1380℃)、塩化カリウム(沸点1500℃)およ
び弗化カリウム(沸点1500℃)を用い、各沸点±1
00℃の温度域を4℃/分の昇温速度で除熱したほかは
全て実施例1と同一の条件を適用してSiCホイスカー
を生成した。
得られた結果を、除熱工程なしく全工程14.2℃/分
の昇温速度)の例(比較例)と対比して表■に示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 けい木理原料および炭材にアルカリ金属ハロゲン化
    物を共存させ非酸化性雰囲気下に共存アルカリ金属ハロ
    ゲン化物の沸点以上の温度に加熱して反応を完結する方
    法において、加熱昇温時、使用するアルカリ金属ハロゲ
    ン化物の沸点±100℃の温度域を1.0〜5.0℃/
    分の昇温速度で除熱することを特徴とするSiCホイス
    カーの製造方法。 2 けい木理原料に籾殻灰化残渣、炭材にカーボンブラ
    ック、アルカリ金属ハロゲン化物に塩化ナトリウムを用
    い、これらを1:1.1〜4.0:0.8〜2,0の重
    量配合比により混合共存させて反応系とする特許請求の
    範囲第1項記載のSiCホイスカーの製造方法。
JP57004856A 1982-01-18 1982-01-18 SiCホイスカ−の製造方法 Expired JPS5945639B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57004856A JPS5945639B2 (ja) 1982-01-18 1982-01-18 SiCホイスカ−の製造方法
US06/458,801 US4477889A (en) 1982-01-18 1983-01-18 Recording media selecting mechanism

Applications Claiming Priority (1)

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JP57004856A JPS5945639B2 (ja) 1982-01-18 1982-01-18 SiCホイスカ−の製造方法

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JPS58125697A JPS58125697A (ja) 1983-07-26
JPS5945639B2 true JPS5945639B2 (ja) 1984-11-07

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ID=11595314

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JPS58125697A (ja) 1983-07-26
US4477889A (en) 1984-10-16

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