JPS60239317A - シリコンからの反応生成物分離方法 - Google Patents
シリコンからの反応生成物分離方法Info
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- JPS60239317A JPS60239317A JP60094566A JP9456685A JPS60239317A JP S60239317 A JPS60239317 A JP S60239317A JP 60094566 A JP60094566 A JP 60094566A JP 9456685 A JP9456685 A JP 9456685A JP S60239317 A JPS60239317 A JP S60239317A
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- sic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
-
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アーク炉中でＳ ｉ ０２および炭素の還元
の際に生ずる溶融シリコンから、８ｉ０２およびＳｉＣ
のような固体反応生成物を分離するための方法（−関す
る。
の際に生ずる溶融シリコンから、８ｉ０２およびＳｉＣ
のような固体反応生成物を分離するための方法（−関す
る。
結晶シリコンからなる太陽電池によって太陽エイ・ルギ
ーを経済的に利用するためには、原材料の製造原価を明
白に低減しなければならない。最もよく知られており、
今日原価的にもつとも有利なシリコンの製造方法は、ア
ーク炉中での石英の炭素高温還元である。そのような方
法は、例えばエル、ロス） （Ｒ，Ｈｏ５ｔ ）著１半
導体としてのシリコｙ （Ｓｉｌｉｚｉｕｍ ａｌｓ
Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ ） ｌ ベルリナー・ウニオン
出版社、シュトットガルト（Ｖｅ−Ｉ ｒｌａｇ Ｂｅ
ｒｌｉ。ｅｒ Ｕｎｉｏｎ Ｓｔｕｔｔｇａｒ、）８よ
、。
ーを経済的に利用するためには、原材料の製造原価を明
白に低減しなければならない。最もよく知られており、
今日原価的にもつとも有利なシリコンの製造方法は、ア
ーク炉中での石英の炭素高温還元である。そのような方
法は、例えばエル、ロス） （Ｒ，Ｈｏ５ｔ ）著１半
導体としてのシリコｙ （Ｓｉｌｉｚｉｕｍ ａｌｓ
Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ ） ｌ ベルリナー・ウニオン
出版社、シュトットガルト（Ｖｅ−Ｉ ｒｌａｇ Ｂｅ
ｒｌｉ。ｅｒ Ｕｎｉｏｎ Ｓｔｕｔｔｇａｒ、）８よ
、。
１８７１９ページに記載されている。石英、石油コーク
ス、木炭、石炭のような著しく純度の低い原材料に上述
の方法を用いて得られるシリコンは、９６ないし９８５
％の純度をもつにすぎず、従って太陽電池の製作に適し
ていない。
ス、木炭、石炭のような著しく純度の低い原材料に上述
の方法を用いて得られるシリコンは、９６ないし９８５
％の純度をもつにすぎず、従って太陽電池の製作に適し
ていない。
米国特許第４，２４７ｊ２８号明細書から、高純原材料
（Ｓｉｎ、および煤）を高純度の条件のもとで加工する
アーク炉中での太陽電池用シリコンの製造方法が公知で
ある。それによればホウ素およびリン含有量ならびに重
金属含有量は低下し、９９９係の純度が得られるが、融
体中（二不純物が固体反応生成物（未還元石英、未反応
炭および炭化ケイ素各粒子）の形でなお含まれており、
それがシリコン結晶への後処理を困難にする。この場合
、二度のチョクラルスキー引上げ法がよいことが認めら
れており、それにより粒子全体が除去される。
（Ｓｉｎ、および煤）を高純度の条件のもとで加工する
アーク炉中での太陽電池用シリコンの製造方法が公知で
ある。それによればホウ素およびリン含有量ならびに重
金属含有量は低下し、９９９係の純度が得られるが、融
体中（二不純物が固体反応生成物（未還元石英、未反応
炭および炭化ケイ素各粒子）の形でなお含まれており、
それがシリコン結晶への後処理を困難にする。この場合
、二度のチョクラルスキー引上げ法がよいことが認めら
れており、それにより粒子全体が除去される。
この材料から作られた太陽電池は１０％以上の効率を示
す。しかし結晶引上げの工程を皿回行うことは高価で費
用がかかる。
す。しかし結晶引上げの工程を皿回行うことは高価で費
用がかかる。
本発明が解決しようとする問題点は、製造工程を簡単に
する方法を提供することにある。さらに本発明が解決し
ようとする問題点は、特に炭素高温還元によって得られ
るシリコンを丁ぐに、丁なわち結晶引上げ工程を付加す
ることなく、太陽電池用シリコン素体製作のために供給
することを可能にすることにある。
する方法を提供することにある。さらに本発明が解決し
ようとする問題点は、特に炭素高温還元によって得られ
るシリコンを丁ぐに、丁なわち結晶引上げ工程を付加す
ることなく、太陽電池用シリコン素体製作のために供給
することを可能にすることにある。
ドイツ連邦共和国特許出願Ｐ３４］１９５５．８号明細
書には、この目的のために高温炉から出る溶融シリコン
を、１８５り／−以下の比重を持つ黒鉛からなるフィル
タを通じて導き、フィルタ中に固体成分を残し、シリコ
ンは通過させるようにすることが提案されている。゛ また別の方法は、ドイツ連邦共和国特許出願Ｐ３４０３
１３１．６号明細書に提案されているように、炭素高温
還元後のシリコンが高密度化された黒鉛るつぼ中で溶融
され、それにより未還元の石英および未反応の炭がるつ
ぼ壁に集まるようにしたものである。
書には、この目的のために高温炉から出る溶融シリコン
を、１８５り／−以下の比重を持つ黒鉛からなるフィル
タを通じて導き、フィルタ中に固体成分を残し、シリコ
ンは通過させるようにすることが提案されている。゛ また別の方法は、ドイツ連邦共和国特許出願Ｐ３４０３
１３１．６号明細書に提案されているように、炭素高温
還元後のシリコンが高密度化された黒鉛るつぼ中で溶融
され、それにより未還元の石英および未反応の炭がるつ
ぼ壁に集まるようにしたものである。
本発明はそれらとは別の道をとるもので、溶融シリコン
をいわゆる「保持段階」の後にシリコンの融点より上の
領域（−ある温度において、加熱されたＳｉＣ／Ｓｉ
複合材料からなる層を通じて濾過し、高純の黒鉛型中に
受け、方向性凝固を行うことによって上述の問題点を解
決する。その場合、濾過のために底がＳｉＣ／Ｓｉ 製
の板からなる黒鉛るつぼを用いることは本発明の枠内に
ある。その場合、ＳｉＣの含有量は、濾過の際（：３μ
ｍより小さい直径を持つ「流路」が生ずるように調整さ
れる。
をいわゆる「保持段階」の後にシリコンの融点より上の
領域（−ある温度において、加熱されたＳｉＣ／Ｓｉ
複合材料からなる層を通じて濾過し、高純の黒鉛型中に
受け、方向性凝固を行うことによって上述の問題点を解
決する。その場合、濾過のために底がＳｉＣ／Ｓｉ 製
の板からなる黒鉛るつぼを用いることは本発明の枠内に
ある。その場合、ＳｉＣの含有量は、濾過の際（：３μ
ｍより小さい直径を持つ「流路」が生ずるように調整さ
れる。
ＳｉＣ／Ｓｉ 複合材料からなる成形体、例えばるつぼ
、板などは、多孔質の炭素−吹成形体をシリコン融体中
に浸漬すること（二よって工業的（−作られる。その場
合、炭素の多くの量がＳｉＣに変換される。空孔は一次
成形体を融体から出した後はシリコンによって充てんさ
れている。ＳｉＣ：Ｓｉの比および空孔分布は、炭素−
吹成形体の選択およびシリコン融体との反応条件（二よ
って広い範囲で調整できる。
、板などは、多孔質の炭素−吹成形体をシリコン融体中
に浸漬すること（二よって工業的（−作られる。その場
合、炭素の多くの量がＳｉＣに変換される。空孔は一次
成形体を融体から出した後はシリコンによって充てんさ
れている。ＳｉＣ：Ｓｉの比および空孔分布は、炭素−
吹成形体の選択およびシリコン融体との反応条件（二よ
って広い範囲で調整できる。
本発明の他の実施例によれば、ＳｉＣ／Ｓｉ 板の代り
にＳｉ０粒からなる濾床を用いることができ、その際Ｓ
ｉＣ粒径は溶融シリコンの流れ方向に増大する。
にＳｉ０粒からなる濾床を用いることができ、その際Ｓ
ｉＣ粒径は溶融シリコンの流れ方向に増大する。
次に第１図および第２図Ｃ二ついて本発明をさらに詳細
Ｃ二説明する。肉において、第１図は製造工程の流れ図
、第２図は炭化ケイ素濾床の断面図である。
Ｃ二説明する。肉において、第１図は製造工程の流れ図
、第２図は炭化ケイ素濾床の断面図である。
第１図： 高純Ｓ１０．および高純炭素をアーク炉中で
粒体としてシリコンに変換する。シリコン融体を、加熱
された高純黒鉛からなる容器中に受け、つづいて融点の
数度上の温度（＋４２０ないし１４５０℃）に長時間保
持する。この保持段階中にＳｉＣ粒子はその高い比重に
基づいて容器の底に沈み、一方軽いＳｉＯ２粒子は融体
表面に浮かぶ。保持段階温度は、ＳｉＣの融体に対する
溶解度を減らすため（二、できるだけシリコン融点の近
（に調整する。保持段階に対しで、必要な最低Ｉ２間は
約１’５ｃｍのるつぼ高さの場合に３０分である。それ
はるつぼ高さの増加と共に長くなる。
粒体としてシリコンに変換する。シリコン融体を、加熱
された高純黒鉛からなる容器中に受け、つづいて融点の
数度上の温度（＋４２０ないし１４５０℃）に長時間保
持する。この保持段階中にＳｉＣ粒子はその高い比重に
基づいて容器の底に沈み、一方軽いＳｉＯ２粒子は融体
表面に浮かぶ。保持段階温度は、ＳｉＣの融体に対する
溶解度を減らすため（二、できるだけシリコン融点の近
（に調整する。保持段階に対しで、必要な最低Ｉ２間は
約１’５ｃｍのるつぼ高さの場合に３０分である。それ
はるつぼ高さの増加と共に長くなる。
保持段階の別の目的しす、最小のＳｉＣ浮遊粒子をその
あと底に沈み易い大きなＳｉＣ結晶に変換することに蔦
る。保持段階の後溶融シリコンを複合４ｆｒ９Ａ ｓ
ｉ ｃ ７ ｓ ｉ からなる加熱されたフィルタ板を
通じて導く。固体粒子（ＳｊＣ，５ｉｎ２）はフィルタ
板の上に残る。濾過が高純黒鉛るつぼの底をＳｉＣ／Ｓ
ｉ からなる薄い板に代えることによって行われるのは
有効である。シリコンの融点より上の温度において黒鉛
るつぼ中に存在するシリコンが流出し、従って微細な「
流路」を開ける。研究の結果、ＳｉＣ粒子の大部分は３
〜１０μ扉の大きさを持つことが分かった。それ故、効
果的な濾過のため（二はＳｉＣ／Ｓｉ 板中の「流路」
の直径は３μ扉より小さくなければならない。
あと底に沈み易い大きなＳｉＣ結晶に変換することに蔦
る。保持段階の後溶融シリコンを複合４ｆｒ９Ａ ｓ
ｉ ｃ ７ ｓ ｉ からなる加熱されたフィルタ板を
通じて導く。固体粒子（ＳｊＣ，５ｉｎ２）はフィルタ
板の上に残る。濾過が高純黒鉛るつぼの底をＳｉＣ／Ｓ
ｉ からなる薄い板に代えることによって行われるのは
有効である。シリコンの融点より上の温度において黒鉛
るつぼ中に存在するシリコンが流出し、従って微細な「
流路」を開ける。研究の結果、ＳｉＣ粒子の大部分は３
〜１０μ扉の大きさを持つことが分かった。それ故、効
果的な濾過のため（二はＳｉＣ／Ｓｉ 板中の「流路」
の直径は３μ扉より小さくなければならない。
第２図ａ Ｓ Ｉ Ｃ／ Ｓ ｉ 複合材料からなる板
を通じての濾過の代りＣ二、Ｓｉ０粒からなる濾床も用
いることができる。濾床はその場合、ＳｉＣ粒径がシリ
コン融体の流れ方向において約１μｍから８＋Ｍｎまで
増大するように構成さ２する。濾床は５゛！いし８關の
大きさのＳｉ０粒からなる表面層を有し、それが細かい
粒子の巻き上がりを阻止する。濾床の厚さは３０ないし
４０μｍである。
を通じての濾過の代りＣ二、Ｓｉ０粒からなる濾床も用
いることができる。濾床はその場合、ＳｉＣ粒径がシリ
コン融体の流れ方向において約１μｍから８＋Ｍｎまで
増大するように構成さ２する。濾床は５゛！いし８關の
大きさのＳｉ０粒からなる表面層を有し、それが細かい
粒子の巻き上がりを阻止する。濾床の厚さは３０ないし
４０μｍである。
濾過の後シリコンを高純黒鉛型く二受け、方向性凝固を
行う。この材料をつづいてチョクラルスキー引上げ法に
よって単結晶のシリコン棒に、あるいは帯域溶融法（二
よって多結晶シリコン帯（＝変えることができる。どち
らの場合も、その分割の後Ｃ二１０％より大きな効率を
持つ太陽電池の製作（二適しているシリコン素体を得る
ことができる。
行う。この材料をつづいてチョクラルスキー引上げ法に
よって単結晶のシリコン棒に、あるいは帯域溶融法（二
よって多結晶シリコン帯（＝変えることができる。どち
らの場合も、その分割の後Ｃ二１０％より大きな効率を
持つ太陽電池の製作（二適しているシリコン素体を得る
ことができる。
第１図は本発明の実施例の製造工程の流れ図、第２図は
本発明の一実施例に用いられる濾床の断面説明図である
°。 ＩＧ １
本発明の一実施例に用いられる濾床の断面説明図である
°。 ＩＧ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）溶融シリコンを保持段階の後にシリコンの融点より
上の領域にある温度において、加熱されたＳｉＣ／Ｓｉ
複合材料からなる層を通じて濾過し、高純黒鉛型中に
受け、方向性凝固を行うこと（二より、アーク炉中で５
ｉｎ２および炭素の還元の際Ｃ二生ずる溶融シリコンか
ら固体生成反応物を分離することを特徴とするシリコン
からの反応生成物分離方法。 ２）底がＳｉＣ／Ｓｉ 製の板からなる黒鉛るつぼを用
いて濾過することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ３） ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料中のＳｉＣの含有毒を、濾
過の際に３μｍの直径をもつ流路がＳｉＣ／ Ｓ ｉ
層または板の中に生ずるように調整することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４） ５ｔｃ７’ｓｔ板の代りに８ｉＣ粒からなり、Ｓ
ｉＣ粒径が溶融シリコンの流れ方向に増大するような濾
床を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかに記載の方法。 ５）最上層が１〜］ Ｏｐｍ Ｏ）Ｓ ｉ Ｃ粒から、
最下層が５〜１３＋ｕ＋のＳｉＣ粒からなることを特徴
とする特許請求の範囲第４項記戦の方法。 ６）保持段階の温度を１４２０〜１４５０℃ζ二調整す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項
のいずれかに記載の方法。 ７）方向性凝固の後に、結晶シリコンにチョクラルスキ
ー引上げ法を行ない、単結晶シリコンを作ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに
記載の方法。 ８）方向性凝固の後に結晶シリコンを再び溶融し、帯域
溶融法によって多結晶シリコン帯（二変えることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3416543.6 | 1984-05-04 | ||
| DE3416543 | 1984-05-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239317A true JPS60239317A (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0476925B2 JPH0476925B2 (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=6234968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094566A Granted JPS60239317A (ja) | 1984-05-04 | 1985-05-01 | シリコンからの反応生成物分離方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643833A (ja) |
| EP (1) | EP0160294B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60239317A (ja) |
| DE (1) | DE3565517D1 (ja) |
| NO (1) | NO851749L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140120362A (ko) * | 2012-02-01 | 2014-10-13 | 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 | 실리콘 정제 몰드 및 방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
| US5158690A (en) * | 1992-02-18 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Thermophoretic filtering of liquids |
| NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
| CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
| US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
| US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
| US8167981B2 (en) * | 2009-04-21 | 2012-05-01 | Spx Corporation | Vacuum filter assembly |
| NO331026B1 (no) | 2009-09-23 | 2011-09-12 | Elkem Solar As | Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium |
| WO2012042700A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | Koishi Kazunori | ろ過材の積層方法に特徴を有する上向きろ過装置 |
| CN108128779B (zh) * | 2018-01-30 | 2020-05-19 | 青岛蓝光晶科新材料有限公司 | 一种去除多晶硅中碳、氮杂质的方法 |
| FR3116527B1 (fr) | 2020-11-23 | 2023-04-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede et installation de purification de silicium a partir d’un melange issu de la decoupe de briques de silicium en plaquettes |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2430917A1 (fr) * | 1978-07-11 | 1980-02-08 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin |
| DE2903061A1 (de) * | 1979-01-26 | 1980-08-07 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zur herstellung grosskristalliner vorzugsorientierter siliciumfolien |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| US4388286A (en) * | 1982-01-27 | 1983-06-14 | Atlantic Richfield Company | Silicon purification |
| US4388080A (en) * | 1982-02-12 | 1983-06-14 | Atlantic Richfield Company | Process for recovery of high purity silicon |
| DE3208877A1 (de) * | 1982-03-11 | 1983-09-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur entfernung des schlackenanteils aus schmelzmischungen von schlacke und silicium |
| DE3220338A1 (de) * | 1982-05-28 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe |
| NO152551C (no) * | 1983-02-07 | 1985-10-16 | Elkem As | Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium. |
| DE3411955A1 (de) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum abtrennen fester bestandteile aus fluessigem silicium |
-
1985
- 1985-04-23 US US06/726,492 patent/US4643833A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-04-29 DE DE8585105222T patent/DE3565517D1/de not_active Expired
- 1985-04-29 EP EP85105222A patent/EP0160294B1/de not_active Expired
- 1985-05-01 JP JP60094566A patent/JPS60239317A/ja active Granted
- 1985-05-02 NO NO851749A patent/NO851749L/no unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140120362A (ko) * | 2012-02-01 | 2014-10-13 | 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 | 실리콘 정제 몰드 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4643833A (en) | 1987-02-17 |
| JPH0476925B2 (ja) | 1992-12-07 |
| DE3565517D1 (en) | 1988-11-17 |
| EP0160294A2 (de) | 1985-11-06 |
| EP0160294A3 (en) | 1986-02-19 |
| NO851749L (no) | 1985-11-05 |
| EP0160294B1 (de) | 1988-10-12 |
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