JPS6035589A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6035589A
JPS6035589A JP58143853A JP14385383A JPS6035589A JP S6035589 A JPS6035589 A JP S6035589A JP 58143853 A JP58143853 A JP 58143853A JP 14385383 A JP14385383 A JP 14385383A JP S6035589 A JPS6035589 A JP S6035589A
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JP
Japan
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fiber
optical fiber
fixed
stem
chip
Prior art date
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Pending
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JP58143853A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ishii
暁 石井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6035589A publication Critical patent/JPS6035589A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4248Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置、特に光通信装置における光フアイ
バー付半導体装置に適用して有効な技術に関する。
〔背景技術〕
光通信における光通信装置の一つとして、本出願人は第
1図で示すような光フアイバー付レーザーダイオード装
置を開発している。
このレーザーダイオード装置は、長方形金属板の主面に
リング状封止壁lを有するステム2と、とのステム2の
リング状封止壁lの上面に取り付けられてリング状封止
壁1の内側を気密封止する金属製のキャップ3とを有し
ている。また、リング状封止壁lの内側のステム主面部
分はさらに深くくり抜かれるとともに中央には小高い台
座部4が設けられている。そして、この台座部4上には
サブマウント5を介して半導体レーザ素子(チップ)6
が固定されている。また、このチップ60両端のレーザ
ー光を出射する出射面に先端が対面するように、いずれ
もガラスからなる光ファイバー7およびモニタファイバ
ー8がステム2の周壁9に貫通状態で固定されている。
光ファイバー7およびモニタファイバー8はそれぞれ金
属性のファイバーガイド10.11を貝通し、ファイバ
ーガイド10.11によってガイドされている。フアイ
バーガイド10.11は銀鑞12,13によって気密的
にステム2に固定されている。また、光ファイバー7お
よびモニタファイバー8はファイバーガイド10,11
0内端面に被着硬化されたエポキシ樹脂からなる固定材
14.15でファイバーガイド10.11に固定されて
いる。この固定材14.15は光ファ・[バー7および
モニタファイバー8とファイバーガイド10.11のガ
イド孔との隙間をも塞ぎ、ステム2およびキャップ3で
形成されるパッケージ16内に水分が侵入しないように
配〃されている。また、ガラスと銀材は接着できないこ
とから固定材としてレジンが用いられている。このよう
なレーザーダイオード装置はチップ6に所定の電圧が印
加されると、レーザー発振が起きる。そして、チップ6
0両端から発光したレーザー光の一方は光フアイバー7
内を伝わって光通信に供され、他方のレーザー光はモニ
タファイバー8に取り込まれ、光出力のモニタ用に供さ
れるようになっている。
このような光通信に用いられるレーザーダイオード装置
は高信頼度が要求される。
しかし、前記技術においては、光ファイバー7およびモ
ニタファイバー8を固定する固定材14゜15がエポキ
シ樹脂であるために、年を経る間にエポキシ樹脂がガス
を放出してチップ6に支障を来たしたり、あるいはエポ
キシ樹脂の劣化によるクシツクの発生に基く耐湿性の低
下からチップ6に支障を来たしたシして、チップ6の寿
命が短かくなるという問題が生じることが本発明者によ
ってあきらかとされた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、カラスからなる光ファイバーをパッケ
ージの内外に亘って貫通固定した気密性に優れた信頼度
の高い半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるでろ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、いずれもガラスからなる光ファイバーおよび
モニタファイバーは部分的に外周面全域に亘って下層が
クロム層、上層がニッケル層からなる金属被膜が形成さ
れ、光ファイバーおよびモニタファイバーは前記金属被
膜部分で固定材の半田を介して金属性のファイバーガイ
ドに気密固定された構造とすることにより、パッケージ
内外の封止部分は総て気密封止構造となシ、固定材に起
因したチップ劣化および耐湿性低下を防止し、チップの
長寿命化お、よび耐湿性の向上による信頼度向上が達成
できるものである。
〔実施例〕
第2図は本発明の一実施例によるレーザーダイオード装
置を示す一部を切り欠いた状態の平面図、第3図は同じ
く第2図の11′線に沿う断面図、第4図は同じく要部
の拡大断面図である。
との実施例のレーザーダイオード装置は第2図および第
3図で示すように長方形板のステム2を基にして組み立
てられている。すなわち、ステム2は長方形金属板の一
面を切削加工して中央部にリング状封止壁1を形成する
とともに、このリング状封止壁lの内側をさらに深くく
り抜きかつその底面中央部に台座部4を形作っている。
そして、第4図に示すように、この台座部4上にソルダ
ー17を介して固定したサブマウント5上にソルダー1
8によりて半導体レーザー素子(チップ)6を固定して
いる。また、ステム2の両端にはチップ6のレーザー光
19を出射する出射面に向かって延在するガイド孔20
,21がそれぞれ設けられている。一方のガイド孔2o
には光ファイバー7を中心部に挿嵌固定したファイバー
ガイド1゜が嵌合され、銀鑞12によってステム2に固
定されている。光ファイバー7の先端はチップ6の一方
の出射面に対面し、レーザー光19を光フアイバー7内
に取シ込むようになっている。また、光ファイバー7の
内端部は半田(Pd−8n)からなる固定材14によっ
てファイバーガイド10の内端部に気密的に固着されて
いる。この際、第4図に示すように、光ファイバー7の
一部(固着部)の外周面全域には補助金屑被膜22およ
びこの補助金属被膜22上に形成される主金属被膜23
からなる金属被膜が形成されている。これは、半田が直
接ガラスとは接合しないことによる処置であって、金属
被膜は一層であってもよいが、ガラスにも半田にも良好
に接・合する金蔵が見当らないことから、ガラスの光フ
ァイバー7にはガラスとの接着性が良好であるところの
特に限定はされないがクロム<cr>からなる補助金ハ
被膜22を最初に被着させ、つぎに補助金属および半田
との接合性の良好な金属、たとえば銅(Cu)lニッケ
ル(Ni)等の主金属被膜23を被膜させた構造となっ
ている。また、光ファイバー7の直径はたとえば125
μmψ 、ファイバーガイド10の先端部分の直径はた
とえば500μmφと細く、ファイノく−ガイド10の
先端面部分に半田を付けた状態では接合面積が小さいこ
とから、第4図に示すように、ファイバーガイド10の
先端の内周縁部分を座ぐり、テーパ孔として固定材14
とファイバーガイド10および光ファイバー7との接合
面積の増大による接合強度向上を図っている。
一方、前記他方のガイド孔21にはモニタファイバー8
を挿嵌ガイドするファイバーガイド11が技入され、銀
鑞13によって気密的にステム2に固定されている。モ
ニタファイバー8はガラスからなυ、内端をチップ6の
光ファイバーと対面した出射面とは別の出射面に対面さ
せ、レーザー光19の光強度をモニターするようになっ
ている。
また、モニタファイバー8は第4図に示すように、前記
光ファイバー7の固着構造と同様な固着構造となってい
る。すなわち、モニタファイバー8は外周面に下層がc
Fからなる補助金属被膜24゜上層がNiからなる主金
属被膜25となる金属被膜部分で半田からなる固定材1
5でファイバーガイド11に固着されている。また、モ
ニタ7アイパー8は直径が0.6目ψ、ファイバーガイ
ド11の内端径が1mφと光ファイバー7の場合に比較
して太いが、接合強度向上のためにファイバーガイド1
1の内端の内周部分を座ぐってテーパ孔とし、この部分
に半田からなる固定材15を充填した構造となっている
他方、前記ステム2には2本のリード26 、27が配
設されている。一方のリード26はグランドリードであ
って、ステム2に溶接され、ステム2およびサブマウン
ト5を介してチップ6の下部電極に電気的に繋がってい
る。また、他方のリード27はステム2に図示しないガ
ラス(絶縁体)を介して固定されるとともに、内端はリ
ング状封止壁1内の空間部に突出している。そして、と
の内端とチップ6の上部電極とはワイヤ28で電気的に
接続されている。さらに、リング状封止壁1の上面には
シームウェルドによって金属板からなるキャップ3が気
密的に取り付けられ、ステム2とキャップ3とによって
気密性のパッケージ16が形成されている。また、ステ
ム2の4隅には実装時利用される取付孔29が設けられ
ている。
このようなレーザーダイオード装置はつぎのような手順
によって製造される。
すなわち、ファイバーガイド10.11を銀鑞12.1
3で固定したステム2を用意した後、ステム2の台座部
4上にチップ6を固定したサブマウント5をソルダー1
7を介して固定し、かつチップ6の上面に設けられた図
示しない上部電極とリード27の内端とをワイヤ28で
接続する。
つぎに、2つのファイバーガイド10 、1−1にそれ
ぞれ光ファイバー7、モニタファイバー8を挿入する。
光ファイバー7およびモニタファイバ−80所定部分に
はあらかじめCr層とNiRとからなる金蔵被膜がたと
えばイオンブレーティングによって数100μmの厚さ
に被着されている。
そこで、光ファイバー7およびモニタファイバ−80内
端部分の位置決めを行ないながら半田からなる固定材1
4.15によって金属被膜を利用して光ファイバー7お
よびモニタファイバー8をファイバーガイド10.11
に固着する。
つぎに、キャップ3をリング状封止壁1上に重ね合せた
後、シームウェルドによって気密的にキャップ3をステ
ム2に固定する。
〔効果〕
(1)いずれもガラス(ガラスファイノ<−)からなる
光ファイバー7およびモニタファイノく−8は気密性の
半田からなる固定材14.I5によってファイバーガイ
ドio、iiに隙間なく固着されている。また、パッケ
ージ16を構成する各部の接合部分は溶接および欽鑞か
らなシ、いずれも気密的に接合されている。この結果、
ノくツケージ16内は気密性が維持され、外部からの水
分等の侵入に基〈チップ6の劣化は生じなくなり、レー
ザーダイオード装置の信頼度の向上、長寿命化が達成で
きるという効果が得られる。
(2)光ファイバー7およびモニタファイノく−8を固
定する固定材は半田が使用されている。半田はレジンの
ようにガスを放出したりすることはないことから、ガス
放出によるチップの劣化は発生せず、レーザーダイオー
ド装置の信頼度の向上、長寿命化が達成できるという効
果が得られる。
(3)上記(1)および(2)から高品質で長寿命のレ
ーザーダイオード装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、固定材はp
b−8nの半田以外のAu−8nのような半田でも、ガ
ス放出防止、気密接着は可能である。また、固定材の接
着面積を増大させ、接着強度を向上させるために、第5
図に示すように、ファイバーガイド10の内端部の上部
を切り欠いて段付構造としてもよい。
また、固定材としては、ガラスに直接接着できる特殊半
田(たとえば、電子材料]979年8月号80〜−−頁
に記載されている商品名「セランルザ」)を用いて光フ
ァイバーおよびモニタファイバーとファイバーガイドと
の接合を図れば、前記実施例のように光ファイバーおよ
びモニタファイバーにあらかじめ金属被膜を被着させて
おかなくともよくなり、工数および材料低減から製造コ
ストの低減が図れる。
しかし、いずれにしても固定材による接着時にはチップ
や光ファイバーを被うジャケット等を高温度に晒し劣化
を生じさせないようにする必要があり、固定材は融点の
低いものを選択することが望ましい。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用レーザーダ
イオード装置技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、パンケージ
の内外を貫くようにガラス体が配設した構造の半導体装
置におけるガラスの支持構造に対して本発明は適用でき
、良好な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本出願人の開発によるレーザーダイオード装
置の要部を示す断面図である。 第2図は、本発明の一実施例によるレーザーダイオード
装置を示す一部を切り欠いた状態の平面図であ−る。 第3図は、同じく第2図の[−I’ 腺に沿う断面図で
ある。 第4図は、同じく要部の拡大断面図である。 第5図は、他の実施例によみ要部の正面図である。 1・・・リング状封止壁、2・・・ステム、3・・・キ
ャップ、4・・・台座部、5・・・ザブマウント、6・
・・半導体レーザ素子(チップ)、7・・・光ファイバ
ー、8・・・モニタファイバー、9・・・Fa、10.
11・・・ファイバーガイド、12.13・・・銀鑞、
14.15・・・固定材、16・・・パンケージ、17
.18・・・ソルダー、19・・・レーザー光、20.
21・・・ガイド孔、22・・・補助金8被膜、23・
・・主金属被膜、24・・・補助会名被膜、25・・・
主金属被膜、26.27・・・リード、28・・・ワイ
ヤ、29・・・取付孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 】、気合性パッケージと、このパッケージを貫通して固
    定される光ファイバーと、を有する半導体装置であって
    、前記光ファイバーは気密接着が可能な鑞材によって気
    密的にパッケージに接着されていることを特徴とする半
    導体装置。 2、前記光7アイバーの接着面にはガラスとの密着性が
    良好な補助金属被膜およびこの補助金属被膜上に形成さ
    れかつ補助金属被膜および鑞材との接合性が良好な主金
    属被膜がそれぞれ積層形成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP58143853A 1983-08-08 1983-08-08 半導体装置 Pending JPS6035589A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58143853A JPS6035589A (ja) 1983-08-08 1983-08-08 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP58143853A JPS6035589A (ja) 1983-08-08 1983-08-08 半導体装置

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JPS6035589A true JPS6035589A (ja) 1985-02-23

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JP58143853A Pending JPS6035589A (ja) 1983-08-08 1983-08-08 半導体装置

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