JPS6035400A - 相補形金属酸化膜半導体を用いた送信装置 - Google Patents
相補形金属酸化膜半導体を用いた送信装置Info
- Publication number
- JPS6035400A JPS6035400A JP58144252A JP14425283A JPS6035400A JP S6035400 A JPS6035400 A JP S6035400A JP 58144252 A JP58144252 A JP 58144252A JP 14425283 A JP14425283 A JP 14425283A JP S6035400 A JPS6035400 A JP S6035400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flip
- data
- flops
- logic
- signal
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1036—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using data shift registers
Landscapes
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は相補形金属酸化膜半導体(略称C−MO8)装
置に関し、もつと詳しくはデータをシフトレジスタに入
出力して処理するための半導体集積回路などの装置に関
する。
置に関し、もつと詳しくはデータをシフトレジスタに入
出力して処理するための半導体集積回路などの装置に関
する。
背景技術
近年マイクロプロセッサおよびマイクロコンピュータな
どは0−MOS化が急速に行なわれてお9、高機能の要
求に応じて4ビツトだけでなく、8ピツトの汎用マイク
ロ10セツサもまたC−Δ10S化されるようになって
きた。このような状況において直列入出力データ処理機
能を内蔵したC−MO81チツフ1マイクロコンピュー
タや汎用マイクロプロセッサのC−MOS化された周辺
素子が出現しつつある。
どは0−MOS化が急速に行なわれてお9、高機能の要
求に応じて4ビツトだけでなく、8ピツトの汎用マイク
ロ10セツサもまたC−Δ10S化されるようになって
きた。このような状況において直列入出力データ処理機
能を内蔵したC−MO81チツフ1マイクロコンピュー
タや汎用マイクロプロセッサのC−MOS化された周辺
素子が出現しつつある。
このようなC−MO8装置では消費型カが大きな問題と
なる。C−MO8装置の直列入出力データ処理回路で最
も電力を消費するのはデータ転送用クロック信号に起因
するものである。
なる。C−MO8装置の直列入出力データ処理回路で最
も電力を消費するのはデータ転送用クロック信号に起因
するものである。
C−MO8装置の消費電流1.DDは第一式で示される
。
。
IDD=f−OL・VDD ・・・(1)ここでfはC
−MO8装置の動作周波数であり、シフトレジスタの転
送のために用いられるクロック信号の周波数である。O
Lは負荷容量であり、VDDは電源電圧を示す。原理上
は転送りロック信号が発生されていないときにはf=0
となり。
−MO8装置の動作周波数であり、シフトレジスタの転
送のために用いられるクロック信号の周波数である。O
Lは負荷容量であり、VDDは電源電圧を示す。原理上
は転送りロック信号が発生されていないときにはf=0
となり。
第1式から消費電流IDDは零となる。
目 的
本発明の目的は、消費電力を低減することができるよう
にした相補形金属酸化膜半導体装@を提供することでb
る。
にした相補形金属酸化膜半導体装@を提供することでb
る。
実施例
第1図は非同期直列入出力転送データのフォーマットを
示す。通信が行なわれないときマーク信号は論理rlJ
のままである。通信にあたっては、まず1ビツトのスタ
ートビット8Tと8ビツトの7’ −’) D O〜D
7と1ビツトのパリティPと1ビツトのストップビット
8Pとから成る。ストップビットSPは1ビツト以外に
1−ビットまたは2ビットであってもよい。第1図では
ストツ7゛ピットが1ビツトである状態?示す。
示す。通信が行なわれないときマーク信号は論理rlJ
のままである。通信にあたっては、まず1ビツトのスタ
ートビット8Tと8ビツトの7’ −’) D O〜D
7と1ビツトのパリティPと1ビツトのストップビット
8Pとから成る。ストップビットSPは1ビツト以外に
1−ビットまたは2ビットであってもよい。第1図では
ストツ7゛ピットが1ビツトである状態?示す。
第2図は本発明の一実施例の相補形金属酸化膜半導体集
積回路によって実現された送信回路を示す。スタートビ
ット8T、データD O、D 7 、パリティPおよび
ストップビットSPに個別的に対応してD型フリップフ
ロッグFl〜F11が設けられ、それらの人出端子Sに
与えられる。送1言にあたってはまず論理「1」の能動
化信号がフリップフロップF1〜Filの入力端子Eに
入力され、これによって送信すべき情報がプリセット入
力端子Sに人力され、出力端子Qに導出される。このプ
リセット入力端子SにおいてフリップフロップF1では
論理「0」であるスタートピッFSTが与えられ、また
フリップフロップF2〜F9ではデータDO〜D7が与
えられ、フリップフロラ1FtoではパリティPが与え
られ、フリップフロップFilでは論理「0」であるス
トップビットSPが与えられる。この能動化信号はもう
一つのフリップフロップF12ffiセットし、その出
力QはANDゲート1に与えられる。ANDゲート1に
は転送りロック信号発生源2から送信データ転送用クロ
ック信号TxCが与えられる。これによってANDゲー
トlからの転送りロック信号はフリップフロップF1〜
Filのクロック入力端子CLKに与えられ、フィン3
から直列転送データTxD が外部に送出される。フリ
ップフロップr11のデータ入力端子りには論理「1」
の@号を発生する信号源4からの信号が与えられる。こ
うしてフリップフロッグFl−Filの出力Qは転送用
クロック信号の入力の度毎に順次的に直列に導出されて
行き、信号源4からの論理1のIN号が転送後のフリッ
プフロラ1F1〜Filにストアされる。
積回路によって実現された送信回路を示す。スタートビ
ット8T、データD O、D 7 、パリティPおよび
ストップビットSPに個別的に対応してD型フリップフ
ロッグFl〜F11が設けられ、それらの人出端子Sに
与えられる。送1言にあたってはまず論理「1」の能動
化信号がフリップフロップF1〜Filの入力端子Eに
入力され、これによって送信すべき情報がプリセット入
力端子Sに人力され、出力端子Qに導出される。このプ
リセット入力端子SにおいてフリップフロップF1では
論理「0」であるスタートピッFSTが与えられ、また
フリップフロップF2〜F9ではデータDO〜D7が与
えられ、フリップフロラ1FtoではパリティPが与え
られ、フリップフロップFilでは論理「0」であるス
トップビットSPが与えられる。この能動化信号はもう
一つのフリップフロップF12ffiセットし、その出
力QはANDゲート1に与えられる。ANDゲート1に
は転送りロック信号発生源2から送信データ転送用クロ
ック信号TxCが与えられる。これによってANDゲー
トlからの転送りロック信号はフリップフロップF1〜
Filのクロック入力端子CLKに与えられ、フィン3
から直列転送データTxD が外部に送出される。フリ
ップフロップr11のデータ入力端子りには論理「1」
の@号を発生する信号源4からの信号が与えられる。こ
うしてフリップフロッグFl−Filの出力Qは転送用
クロック信号の入力の度毎に順次的に直列に導出されて
行き、信号源4からの論理1のIN号が転送後のフリッ
プフロラ1F1〜Filにストアされる。
こうしてフリップフロップF1〜Filにストアされた
信号のすべてが直列に転送され、それらのストア内容が
すべて論理「l」となったときにそれらのフリップフロ
ラ1F1〜F11の出力Qを受信するANDゲート5か
らの出力は論理「1」となりフリップフロップF12を
リセットする。
信号のすべてが直列に転送され、それらのストア内容が
すべて論理「l」となったときにそれらのフリップフロ
ラ1F1〜F11の出力Qを受信するANDゲート5か
らの出力は論理「1」となりフリップフロップF12を
リセットする。
これによってA N I)ゲート1からの転送りロック
信号TxCが遮断される。し之がってフリップフロッグ
Ft−Fl、1によってデータを転送したのちには転送
りロック1言号は用いられず、消費電力の低減が図られ
る。
信号TxCが遮断される。し之がってフリップフロッグ
Ft−Fl、1によってデータを転送したのちには転送
りロック1言号は用いられず、消費電力の低減が図られ
る。
上述の実施例ではフリップ70ツブF12がリセットさ
れることによってANDゲート1を介する転送りロック
信号TxCの導出が遮断されたけれども、本発明の池の
実施例として、転送りロック信号発生源2からのクロッ
クが池の用途に用いうしていないときにはフリップフロ
ップF12のリセット信号によって転送りロック信号発
生源2?不能動化するようにしてもよい。
れることによってANDゲート1を介する転送りロック
信号TxCの導出が遮断されたけれども、本発明の池の
実施例として、転送りロック信号発生源2からのクロッ
クが池の用途に用いうしていないときにはフリップフロ
ップF12のリセット信号によって転送りロック信号発
生源2?不能動化するようにしてもよい。
第3図は本発明の池の実施例の相補形金属酸化膜半導体
集積回路によって実現される受信回路を示す。スタート
ビットST、データD Q 、 D 7、パリティPお
よびストップビットS Pに対応してD型フリップフロ
ップF21〜Fstが設けられる。受信されるべき信号
がライン6から入力され、その信号が論理「0」のスタ
ートビットSTであるとき反転回路7を介する論理「1
」の18号はフリップフロップF a 2 re上セツ
トる。したがってANDゲート8にはフリップフロップ
F32の論理「1」であるセット信号が導出される。こ
のANDゲート8には転送りロック信号源2からの転送
りロック信号孔ICが与えられる。ANDゲート8から
の転送りロック信号RxCはフリップフロップF21〜
F、81のクロック入力端子CLKに与えられ、これに
よってデータ入力端子りに入力された@号はフリップフ
ロップFBIからフリップフロップF21に向けて転送
りロック信号且xCの受信の度毎に一つずつシフトされ
て行く。
集積回路によって実現される受信回路を示す。スタート
ビットST、データD Q 、 D 7、パリティPお
よびストップビットS Pに対応してD型フリップフロ
ップF21〜Fstが設けられる。受信されるべき信号
がライン6から入力され、その信号が論理「0」のスタ
ートビットSTであるとき反転回路7を介する論理「1
」の18号はフリップフロップF a 2 re上セツ
トる。したがってANDゲート8にはフリップフロップ
F32の論理「1」であるセット信号が導出される。こ
のANDゲート8には転送りロック信号源2からの転送
りロック信号孔ICが与えられる。ANDゲート8から
の転送りロック信号RxCはフリップフロップF21〜
F、81のクロック入力端子CLKに与えられ、これに
よってデータ入力端子りに入力された@号はフリップフ
ロップFBIからフリップフロップF21に向けて転送
りロック信号且xCの受信の度毎に一つずつシフトされ
て行く。
ライン6からスタートビットST、データDO〜D7、
パリティPおよびストップビットBP7)s直列に与え
られてフリップフロップF21−FBIにストアされた
状態ではフリップフロップF21の出力はスタートビッ
トSTである論理「0」となっている。このときライン
6からはilfltg状態でないことを表わす論」里r
lJのマーク1a号が与えられている。したがってゲー
ト9の出力は論理「1」となり、フリップフロップB’
82 kリセットする。こうしてANDゲート8を介
する転送りロック信号ILXCが遮断される。こうして
データDO〜D7がストアされているフリップフロップ
F22〜F29からの出力がデータバスに転送されて読
取られる。ゲート9からの論理「1」の信号はまたフリ
ップフロップF21〜士゛31のリセット入力端子孔2
に入力され、これによってフリッププロップF21〜F
31の出力Qは論理「1」に強制される。
パリティPおよびストップビットBP7)s直列に与え
られてフリップフロップF21−FBIにストアされた
状態ではフリップフロップF21の出力はスタートビッ
トSTである論理「0」となっている。このときライン
6からはilfltg状態でないことを表わす論」里r
lJのマーク1a号が与えられている。したがってゲー
ト9の出力は論理「1」となり、フリップフロップB’
82 kリセットする。こうしてANDゲート8を介
する転送りロック信号ILXCが遮断される。こうして
データDO〜D7がストアされているフリップフロップ
F22〜F29からの出力がデータバスに転送されて読
取られる。ゲート9からの論理「1」の信号はまたフリ
ップフロップF21〜士゛31のリセット入力端子孔2
に入力され、これによってフリッププロップF21〜F
31の出力Qは論理「1」に強制される。
このような第3図に示された実施例でもまたデータ転送
後には転送りロック信号几xG が用いられず、したが
って電力消費の低減を図ることができる。
後には転送りロック信号几xG が用いられず、したが
って電力消費の低減を図ることができる。
本発明のさらに池の実施例としてフリップフロップF1
〜Fz;F2t〜F31を送信および受信のために共用
化し、これらのフリップフロップに与えられる送信およ
び受信の転送りロック信号を通信時だけ送出するように
してもよく、これによって消費″心力の低減を図ること
ができる。
〜Fz;F2t〜F31を送信および受信のために共用
化し、これらのフリップフロップに与えられる送信およ
び受信の転送りロック信号を通信時だけ送出するように
してもよく、これによって消費″心力の低減を図ること
ができる。
効 果
以上のように本発明によれば転送りロック@号はM1信
ずべきデータが有るときだけ用いられるので相補形金属
酸化膜半導体における消費電力の低減と図ることが可能
になった。
ずべきデータが有るときだけ用いられるので相補形金属
酸化膜半導体における消費電力の低減と図ることが可能
になった。
第1図は本発明の一実施例の非同期直列入出力転送デー
タのフォーマツ)k示す図、第2図は本発明の一実施例
のブロック図、第3図は池の実施例のブロック図でbる
。 1.5.8・・・ANDゲート、2・・・転送りロック
信号発生源、7・・・反転回路、9・・・グー)、Fl
〜1!’11;F21−F31・・・D型フリッグフロ
ップ、F12.I′’82・・・フリップフロップ代理
人 弁理士 西教圭一部
タのフォーマツ)k示す図、第2図は本発明の一実施例
のブロック図、第3図は池の実施例のブロック図でbる
。 1.5.8・・・ANDゲート、2・・・転送りロック
信号発生源、7・・・反転回路、9・・・グー)、Fl
〜1!’11;F21−F31・・・D型フリッグフロ
ップ、F12.I′’82・・・フリップフロップ代理
人 弁理士 西教圭一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 相補形金属酸化膜半導体によって構成され、データをス
トアするシフトレジスタと、 データの存無を検出する手段と、 転送りロック信号源と、 データ有無検出手段からの出力に応答し、データがある
ときだけ転送りロック信号源からの転送りロック信号音
シフトレジスタに与える手段とを含むこと全特徴とする
相補形金属酸化膜半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144252A JPS6035400A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 相補形金属酸化膜半導体を用いた送信装置 |
US06/633,989 US4630295A (en) | 1983-08-05 | 1984-07-24 | Low power consumption CMOS shift register |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144252A JPS6035400A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 相補形金属酸化膜半導体を用いた送信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6035400A true JPS6035400A (ja) | 1985-02-23 |
JPH0311036B2 JPH0311036B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15357770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144252A Granted JPS6035400A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 相補形金属酸化膜半導体を用いた送信装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4630295A (ja) |
JP (1) | JPS6035400A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63194422A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Fujitsu Ltd | パラレル−シリアル変換回路 |
JP2008010072A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2009147844A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | パルス発生装置 |
JP4682485B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2011-05-11 | 株式会社デンソー | メモリ制御装置及びシリアルメモリ |
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1983
- 1983-08-05 JP JP58144252A patent/JPS6035400A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-24 US US06/633,989 patent/US4630295A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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JPH0311036B2 (ja) | 1991-02-15 |
US4630295A (en) | 1986-12-16 |
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