JPS6032121A - 磁気ディスク用基板 - Google Patents
磁気ディスク用基板Info
- Publication number
- JPS6032121A JPS6032121A JP58139413A JP13941383A JPS6032121A JP S6032121 A JPS6032121 A JP S6032121A JP 58139413 A JP58139413 A JP 58139413A JP 13941383 A JP13941383 A JP 13941383A JP S6032121 A JPS6032121 A JP S6032121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- oxide film
- forming
- magnetic disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ディスク用基板に関する。
従来磁気ディスク用基板としては、特開昭５１−４８５
０２にあるように、ＡＪ合金基板表面に、スパッタリン
グ法により５ＬＯｔ 、 Ａ４０． 、 Ｔａｘｅｓ又
はＴｉｅ。
０２にあるように、ＡＪ合金基板表面に、スパッタリン
グ法により５ＬＯｔ 、 Ａ４０． 、 Ｔａｘｅｓ又
はＴｉｅ。
の少なくとも一つの酸化物からなる酸化物膜を形成した
ものが知られている。
ものが知られている。
しかし、従来のこの種の磁気ディスク用基板では、 Ｓ
ＬＯ，等の酸化物を、スパッタ法により、直接ＡＩ合金
基板表面に形成するため、酸化物膜のＭ合金基板表面へ
の密着力が弱く、そのため、酸化物膜表面を、研磨加工
あるいはバニシング加工により平滑にしようとすると酸
化物膜に剥離が生じてしまう。従って、酸化物面を平滑
にすることができず、その結果、従来の磁気ディスク用
基板を用いた磁気ディスクのヘッド浮上性は良好とは言
えなかった。
ＬＯ，等の酸化物を、スパッタ法により、直接ＡＩ合金
基板表面に形成するため、酸化物膜のＭ合金基板表面へ
の密着力が弱く、そのため、酸化物膜表面を、研磨加工
あるいはバニシング加工により平滑にしようとすると酸
化物膜に剥離が生じてしまう。従って、酸化物面を平滑
にすることができず、その結果、従来の磁気ディスク用
基板を用いた磁気ディスクのヘッド浮上性は良好とは言
えなかった。
また、従来の磁気ディスク用基板には耐熱クラック性が
劣るという欠点がある。すなわち、ＳＬＯ，等の酸化物
とＡ１合金とでは後者の方が熱膨張係数が大きい（例え
ばＳｈｏ、はｏ、５Ｘｉｏ−’、／に’、Ａ１合金は２
５ Ｘ １０−’／Ｕ ）。そのため、後工程で必要と
なる熱処理により酸化物膜中に熱クラツクが生じる。
劣るという欠点がある。すなわち、ＳＬＯ，等の酸化物
とＡ１合金とでは後者の方が熱膨張係数が大きい（例え
ばＳｈｏ、はｏ、５Ｘｉｏ−’、／に’、Ａ１合金は２
５ Ｘ １０−’／Ｕ ）。そのため、後工程で必要と
なる熱処理により酸化物膜中に熱クラツクが生じる。
本発明の目的は、研磨加工あるいはバニ・／ング加工し
ても、酸化物膜に剥離が生じない磁気ディスク用基板を
提供することｋある。
ても、酸化物膜に剥離が生じない磁気ディスク用基板を
提供することｋある。
本発明の第２の目的は、耐熱クラック性に優れた磁気デ
ィスク用基板を提供することである。。
ィスク用基板を提供することである。。
本発明は、Ａ１合金基板と酸化物膜との間にアルマイト
膜を形成する。これにより、酸化物膜の、下地との密着
力を向上させ、研磨加工あるいはバニシング加工を行な
っても酸化物膜に剥離が生じないようにできる。
膜を形成する。これにより、酸化物膜の、下地との密着
力を向上させ、研磨加工あるいはバニシング加工を行な
っても酸化物膜に剥離が生じないようにできる。
また、Ｍ合金基板と酸化物膜との熱膨張応力の緩衝を図
り、耐熱クラック性を向上させることができる。
り、耐熱クラック性を向上させることができる。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図面は本発明の実施例に係る磁気ディスク用基板を用い
た磁気ディスクの断面図である。
た磁気ディスクの断面図である。
実施例１
本実施例においてはＭ合金基板５の表面に、アルマイト
膜４を形成してあり、このアルマイト膜４の上にＡｊ！
、０．からなる酸化物膜３を形成しである。これにより
耐熱り２ツク性を向上させ、酸化物膜の剥離を防止する
。
膜４を形成してあり、このアルマイト膜４の上にＡｊ！
、０．からなる酸化物膜３を形成しである。これにより
耐熱り２ツク性を向上させ、酸化物膜の剥離を防止する
。
以下に本実施例を具体的に゛詳述する。
外径２１０φ、内径１００φ、板厚２．０ｔのＡｌ−４
，５％町合金基板５の上にアル１イト膜４を形成した後
、研磨加工を行って表面粗さ０．０５μ４ａｚの高精度
面を得た。
，５％町合金基板５の上にアル１イト膜４を形成した後
、研磨加工を行って表面粗さ０．０５μ４ａｚの高精度
面を得た。
次に、本研磨表面を脱脂等の清浄化処理を行った後に、
スパッタ装置内にセットしＡｌ＊ｏ３ターゲットケ用い
た高周波スパッタリング法により、Ｍ１０３酸化膜３を
形成した。スパッタリングの条件は以下に示し本実施例
での条件はカッコの中に示した。
スパッタ装置内にセットしＡｌ＊ｏ３ターゲットケ用い
た高周波スパッタリング法により、Ｍ１０３酸化膜３を
形成した。スパッタリングの条件は以下に示し本実施例
での条件はカッコの中に示した。
ターゲット Ｍ、０． 純度 ９９５％スパッタ動作圧
力 ｔｏ−２５ｍＴｏｒｒ （８，０）高周波スパッタ
電力（ターゲット）２〜ｊ ５Ｗ１５１ （１０，０）
基板温度 ２００〜５５０ ｃ（５００）Ａｌｔｏｓ膜
厚 ｏ、ｏｓ−４，ｏｔｔｍ （２，０）ＡＡｔ、Ｏ，
酸化膜を形成した基板は、次に表面上に存在する微少突
起を取りのぞくためバニシング加工を行なった。本バニ
シング加工により記録ヘッドの安定浮上性を得る。本実
施例ではスパッタ後のＡＡ！１０３酸化膜表面粗さは０
．１５μｒｒＪ１ｙａａχであり、アルマイト膜研磨面
の粗さよりは増大してるものの、基板表面粗さの必要値
は達成している。そのため、本実施例ではＭ、Ｏ，＠化
膜表面の研磨加工は行なわずにすましたが、必要に応じ
て研磨加工を行なっても良い。
力 ｔｏ−２５ｍＴｏｒｒ （８，０）高周波スパッタ
電力（ターゲット）２〜ｊ ５Ｗ１５１ （１０，０）
基板温度 ２００〜５５０ ｃ（５００）Ａｌｔｏｓ膜
厚 ｏ、ｏｓ−４，ｏｔｔｍ （２，０）ＡＡｔ、Ｏ，
酸化膜を形成した基板は、次に表面上に存在する微少突
起を取りのぞくためバニシング加工を行なった。本バニ
シング加工により記録ヘッドの安定浮上性を得る。本実
施例ではスパッタ後のＡＡ！１０３酸化膜表面粗さは０
．１５μｒｒＪ１ｙａａχであり、アルマイト膜研磨面
の粗さよりは増大してるものの、基板表面粗さの必要値
は達成している。そのため、本実施例ではＭ、Ｏ，＠化
膜表面の研磨加工は行なわずにすましたが、必要に応じ
て研磨加工を行なっても良い。
上記のパニシング加工後の基板上には続いて反応スパッ
タによりＦ’ｅｓｏ４膜を形成後、さらに空気中５００
Ｃ−５時間の熱処理を行なってγ〜Ｆｅ！ｒｓ磁性薄膜
２を形成した。
タによりＦ’ｅｓｏ４膜を形成後、さらに空気中５００
Ｃ−５時間の熱処理を行なってγ〜Ｆｅ！ｒｓ磁性薄膜
２を形成した。
保護膜１はディスクと記録ヘッド間で生じる磨耗ｔ’ｓ
を低減するために、フロロカーボン蟇の液体潤滑剤を塗
布し、形成した。
を低減するために、フロロカーボン蟇の液体潤滑剤を塗
布し、形成した。
本実施例によれば、Ｍ合金表面上に直接Ｍ！０゜酸化膜
を形成する方法と比較して、ｒ−ＦｅｔＯｓ化のための
熱処理によるクラック発生を防止できる利点を有する。
を形成する方法と比較して、ｒ−ＦｅｔＯｓ化のための
熱処理によるクラック発生を防止できる利点を有する。
さらに従来法で問題となったμρ畠と下地との密着力不
足による膜の部分的剥離による欠陥発生を皆無にできた
。
足による膜の部分的剥離による欠陥発生を皆無にできた
。
実施例２
前述の実施例１と同様なディスク用Ｍ合金基板５を準備
し、次にＭ合金表面上にアルマイト膜４を４．０μｍ形
成した。引続きイオンブレーティング法にてＳＬＯ，酸
化膜３を４０μｍ形成した。イオンブレーティングの条
件は下記に示し、本実施例の条件はカッコの中に示した
。
し、次にＭ合金表面上にアルマイト膜４を４．０μｍ形
成した。引続きイオンブレーティング法にてＳＬＯ，酸
化膜３を４０μｍ形成した。イオンブレーティングの条
件は下記に示し、本実施例の条件はカッコの中に示した
。
ＳＬ（％純度 ５ｎＬｒｂａ、−７ｙｕつ（９９，９９
９９％ ）動作真空度 ５ｘ１０−’−ｚＸｔｏ−”Ｔ
’ｏｒｒ（２ｘ１（１’Ｔｏｒｒ）成膜速度 ２０〜ｉ
ｏｏｏｏん’ｎｃＬｎ （ｊ５０久／ｍｌり基板温度
１００−４５０ Ｃ（１００Ｃ）基板バイアス ０〜
５ｏｏｖ （−１ｏｏｖ）ＳＬＯ＝酸化膜を形成後にそ
の表面を研磨加工して表面アラサ０．０５μＷＬＲ，Ｌ
ａｘの高精度平滑面を得た。
９９％ ）動作真空度 ５ｘ１０−’−ｚＸｔｏ−”Ｔ
’ｏｒｒ（２ｘ１（１’Ｔｏｒｒ）成膜速度 ２０〜ｉ
ｏｏｏｏん’ｎｃＬｎ （ｊ５０久／ｍｌり基板温度
１００−４５０ Ｃ（１００Ｃ）基板バイアス ０〜
５ｏｏｖ （−１ｏｏｖ）ＳＬＯ＝酸化膜を形成後にそ
の表面を研磨加工して表面アラサ０．０５μＷＬＲ，Ｌ
ａｘの高精度平滑面を得た。
加工後のＳＬＯ，酸化膜厚は２．０μｍであり、研磨量
はｔＯμ乳でありた。
はｔＯμ乳でありた。
引続いて実施例１と同様にして、酸化鉄磁性膜２、およ
び保護膜１を形成して磁気ディスクとして完成した。本
実施例と先の実施例１との違いは本実施例では酸化膜３
形成後に研磨加工しており、先の例ではアルマイト膜２
形成後に研磨加工している点である。酸化膜３表面粗さ
および膜厚をどう設定するかによって研磨加工をどこで
導入するかを決定する。
び保護膜１を形成して磁気ディスクとして完成した。本
実施例と先の実施例１との違いは本実施例では酸化膜３
形成後に研磨加工しており、先の例ではアルマイト膜２
形成後に研磨加工している点である。酸化膜３表面粗さ
および膜厚をどう設定するかによって研磨加工をどこで
導入するかを決定する。
本実施例によれば、従来技術によるＭ合金上に直接Ｓ、
、Ｏ，酸化膜を形成する方法と比較して、γ−Ｆｅｔｕ
ｓ化熱処理によ小熱処理クを防止し、がっ、５ＬＯ２と
下地間との密着力不足により生じる膜剥離、欠陥発生を
皆無にでき、信頼性に優れ電磁変換特性に優れた磁気デ
ィスクを得た。
、Ｏ，酸化膜を形成する方法と比較して、γ−Ｆｅｔｕ
ｓ化熱処理によ小熱処理クを防止し、がっ、５ＬＯ２と
下地間との密着力不足により生じる膜剥離、欠陥発生を
皆無にでき、信頼性に優れ電磁変換特性に優れた磁気デ
ィスクを得た。
なお、実施例１，２では酸化膜６として、ＡＩ、Ｏ。
・５＝Ｏｔを示したが同様なディスク特性はＴａ１ＯＢ
＋ＴＬＯ，でも得られる。また酸化膜３の成膜手法と
してはスパッタ、イオンブレーティング以外にも已■法
および蒸着法でも可能である。
＋ＴＬＯ，でも得られる。また酸化膜３の成膜手法と
してはスパッタ、イオンブレーティング以外にも已■法
および蒸着法でも可能である。
なお、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法又は化学気相蒸着法により酸化物膜を形成した場合
には、酸化物膜は高硬度、無欠陥であり、表面に、磁性
薄膜・保護膜を形成して完成した磁気ディスクとしても
、記録ヘッドに対する機械的強度および信号エラー特性
にも優れる。作製した磁気ディスクでは、記録密度２８
０００ＢＰＩ、耐Ｃ８Ｓ強度（ＣＬｏｎｔａｃｔ ３ｔ
ａｒｔ旦ｔｏｐ） ３５０００回以上を実現した。
グ法又は化学気相蒸着法により酸化物膜を形成した場合
には、酸化物膜は高硬度、無欠陥であり、表面に、磁性
薄膜・保護膜を形成して完成した磁気ディスクとしても
、記録ヘッドに対する機械的強度および信号エラー特性
にも優れる。作製した磁気ディスクでは、記録密度２８
０００ＢＰＩ、耐Ｃ８Ｓ強度（ＣＬｏｎｔａｃｔ ３ｔ
ａｒｔ旦ｔｏｐ） ３５０００回以上を実現した。
上述の如く、本発明の磁気ディスク用基板（（は以下の
列記する如き効果がある。
列記する如き効果がある。
＋１１ 耐熱クラック性に優れている。
すなわち、従来の磁気ディスク用基板では１５０Ｃ程度
で熱クラツクが発生したが、本発明の磁気ディスク用基
板においては、３５０Ｃにおいても熱クラツクは発生し
ない。
で熱クラツクが発生したが、本発明の磁気ディスク用基
板においては、３５０Ｃにおいても熱クラツクは発生し
ない。
耐熱クラック性に優れる理由は、アルマイト膜（熱膨張
係数２〜４Ｘ１０−７’ｃ ）が、Ｍ合金基板と酸化物
膜との熱膨張係数のギャップを緩衝する中間膜として作
用し、熱クラツクの発生を防止する働きをするためと考
えられる。
係数２〜４Ｘ１０−７’ｃ ）が、Ｍ合金基板と酸化物
膜との熱膨張係数のギャップを緩衝する中間膜として作
用し、熱クラツクの発生を防止する働きをするためと考
えられる。
このように耐熱クラック性に優れているので、高温（３
５０Ｃ程度）において熱処理が可能であり、従って、γ
−Ｆ’ｅｔｏｓ磁性膜の磁気特性を向上でき、磁気ディ
スクとして優れた電磁変性特性を実現できた。
５０Ｃ程度）において熱処理が可能であり、従って、γ
−Ｆ’ｅｔｏｓ磁性膜の磁気特性を向上でき、磁気ディ
スクとして優れた電磁変性特性を実現できた。
（２） 酸化物膜の密着性が優れているため、研磨加工
あるいはバニシング加工しても酸化物膜のはく離は生ぜ
ず、これにより基板としての高精度平滑面（０，０５μ
ｍＢｍｏｚ ＞を実現でき、ヘッド浮上性に優れた磁気
ディスクを得られる。
あるいはバニシング加工しても酸化物膜のはく離は生ぜ
ず、これにより基板としての高精度平滑面（０，０５μ
ｍＢｍｏｚ ＞を実現でき、ヘッド浮上性に優れた磁気
ディスクを得られる。
なお、当然のことではあるが、本発明は図示の実施例に
のみ限定されるものではない。
のみ限定されるものではない。
図面は、本発明の一実施例に係る磁気ディスク用基板を
用いた、磁気ディスクの断面図である。 １・・・保護膜、 ２・・・磁性薄膜、第１頁の続き
用いた、磁気ディスクの断面図である。 １・・・保護膜、 ２・・・磁性薄膜、第１頁の続き
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＡＪ合金基板表面にアルマイト膜を形成し、該アル
マイト膜上に、５ＬＯｔ 、Ａｌ＊Ｏｓ 、Ｔ、Ｌｔ
Ｏｓ又はＴＬＯ，の少なくとも一つの酸化物からなる酸
化物膜を形成したことを特徴とする磁気ディスク用基板
。 ２、 酸化物膜を、スパッタリング法、蒸着法、イオン
ブレーティング法又は化学気相蒸着法により形成した。 特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139413A JPS6032121A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139413A JPS6032121A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気ディスク用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032121A true JPS6032121A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15244650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139413A Pending JPS6032121A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気ディスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293511A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0224821A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58139413A patent/JPS6032121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293511A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0224821A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
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