JPS59178625A - デイスク基板 - Google Patents
デイスク基板Info
- Publication number
- JPS59178625A JPS59178625A JP58052340A JP5234083A JPS59178625A JP S59178625 A JPS59178625 A JP S59178625A JP 58052340 A JP58052340 A JP 58052340A JP 5234083 A JP5234083 A JP 5234083A JP S59178625 A JPS59178625 A JP S59178625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layers
- disk
- base material
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ヘッドの浮動安定性に好適なディ。
スフ基板に関するものである。
ディスク装置はその動作状態では、ヘッドと。
ディスクの間隙は０３ｐ以下に保つ必要がある。・その
ためには、ディスク基板のＡ！母材の経時質・化を抑え
る必要があり、従来、第１図に示すよ・うな円板状に加
工したｈｐ母材、あるいはその表・面に更にＡｔ薄膜を
被覆したＡ７母材を陽極酸化す゛ることによってＡＪ、
０． 被膜を形成したものをディスク基板として用いて
いた。ヘッドの浮動安゛定性は記録媒体の膜質と共に基
板の性質にも大゛きく依存することが知られている。従
来法では５残留応力の大きいＡｔ、Ｏ，膜を生じ、記録
媒体を゛堆積した磁気ディスクとしては、ヘッドの浮動
。
ためには、ディスク基板のＡ！母材の経時質・化を抑え
る必要があり、従来、第１図に示すよ・うな円板状に加
工したｈｐ母材、あるいはその表・面に更にＡｔ薄膜を
被覆したＡ７母材を陽極酸化す゛ることによってＡＪ、
０． 被膜を形成したものをディスク基板として用いて
いた。ヘッドの浮動安゛定性は記録媒体の膜質と共に基
板の性質にも大゛きく依存することが知られている。従
来法では５残留応力の大きいＡｔ、Ｏ，膜を生じ、記録
媒体を゛堆積した磁気ディスクとしては、ヘッドの浮動
。
安定性を損うことがあった。
本発明の目的はディスク基板母材と記録媒体ＩＯとの間
に適当な中間層を設けて、ヘッドの浮動・安定性を向上
させたディスク基板を提供する釦・ある。
に適当な中間層を設けて、ヘッドの浮動・安定性を向上
させたディスク基板を提供する釦・ある。
ヘッド荷重が２０１以下のいわゆる軽荷重ヘラ１５ドを
用いるコンタクトスタートストップ方式の。
用いるコンタクトスタートストップ方式の。
ディスク装置においてはヘッドとディスクの接。
触は避られないが、ヘッドとディスクが激しく。
摺動して、記録媒体に書き込まれている情報の。
破壊あるいは、ヘッドやディスクそれ自体の物。。
埋的機械的破壊を避けるために、ディスクの製。
造段階において、ディスク基板の母材と記録媒。
体との間に適度の硬度を有し、表面粗さ０．１５μ以。
下の鏡面仕上げに耐える緻密で内部応力が小さ゛（、か
つ経時変化の小さい良質の中間層を形成″することによ
って、上記した目的を達成した。゛同じ弁金属であって
も、Ａｊの場合には基板母材。
つ経時変化の小さい良質の中間層を形成″することによ
って、上記した目的を達成した。゛同じ弁金属であって
も、Ａｊの場合には基板母材。
がＡｊであるため母材のＡＪと酸化被膜のＡＪ、０３が
′直に接触することＫなる。Ａ）、とＡＪ、０３との硬
度。
′直に接触することＫなる。Ａ）、とＡＪ、０３との硬
度。
と膨張率の差異が大き過ぎ、Ａｎ、０．に大きな内１パ
部応力歪を生じ、ディスク基板としてはヘッドの浮動安
定性を損う場合があった。本発明の揚゛合には、Ａｎ母
材と酸化物層との間に膨張率が両゛者の中間程度の金属
層又は窒化物層が存在する′断面構造の概念図である。
部応力歪を生じ、ディスク基板としてはヘッドの浮動安
定性を損う場合があった。本発明の揚゛合には、Ａｎ母
材と酸化物層との間に膨張率が両゛者の中間程度の金属
層又は窒化物層が存在する′断面構造の概念図である。
以下本発明を図に示・す実施例に基づいて説明する。デ
ィスク基板の。
ィスク基板の。
厚さ２ｒｒｍのＡ７母材１′を８インチの円板状に切削
。
。
してダイヤモンド砥石で鏡面に仕上げる。トリ題りレン
ーアセトン、アルコールの順に脱脂洗浄工程を経た後更
にプラズマ洗浄し、２μｍのＴａ被゛膜４をスパークリ
ング又はイオンプレーティン。
ーアセトン、アルコールの順に脱脂洗浄工程を経た後更
にプラズマ洗浄し、２μｍのＴａ被゛膜４をスパークリ
ング又はイオンプレーティン。
ングにて堆積する。その後、陽極酸化などの酸゛化工程
によって、該Ｔａの被膜４０１μｍからＴａ、０−膜５
を変成する。即ち板厚２ｒｒｒｎのＡノ母材上に、。
によって、該Ｔａの被膜４０１μｍからＴａ、０−膜５
を変成する。即ち板厚２ｒｒｒｎのＡノ母材上に、。
Ｔａ、Ｔａ、Ｑ各１μｍ被膜層を有する円板を基板とし
゛て、記録媒体２番堆積する。
゛て、記録媒体２番堆積する。
本実施例では基板母材１と記録媒体２′との中。
間層を形成するのにＴａを用いた場合について説１り明
したが、Ｔａの代りに硬に弁金属Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ
、 。
したが、Ｔａの代りに硬に弁金属Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ
、 。
Ｂｉ、Ｎｂ、ＳｉおよびＶ、Ｃｒなど真空蒸着、スパツ
タリ・ング、イオン更にこれらの窒グレーティングで・
形成でき、更にこれらの窒化物ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴＥＮ
を・スハｙ ｐ Ｉ）ング、イオンプレーティ７り、
ＣＶＤ １５等で形成することができる。
タリ・ング、イオン更にこれらの窒グレーティングで・
形成でき、更にこれらの窒化物ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴＥＮ
を・スハｙ ｐ Ｉ）ング、イオンプレーティ７り、
ＣＶＤ １５等で形成することができる。
上記酸化工程として陽極酸化の他、プラズマ。
アッシャ−２熱酸化などが適用できる。
弁金属の酸化物は一般に封孔が良く、経時変。
化が小さい。従来のＡＪ！２０．もこの面では良い特、
。
。
性を示すが、母材のＡｊとの硬度、膨張率の差異が大き
過ぎて、ディスク基板としては十分でなかった。本発明
の硬に弁金属Ｔａ、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉな。
過ぎて、ディスク基板としては十分でなかった。本発明
の硬に弁金属Ｔａ、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉな。
どの酸化物は封孔性、化学的な経時安定性にいってはＡ
ｎ２０ｓ と同等もしくはそれ以上であり、しかも母材
のＡｊと酸化物層との間には、同種の。
ｎ２０ｓ と同等もしくはそれ以上であり、しかも母材
のＡｊと酸化物層との間には、同種の。
金属又は窒化物が存在しているため、母材のＡｉから酸
化物層まで、硬度や膨張率の飛躍が小さ。
化物層まで、硬度や膨張率の飛躍が小さ。
く、応力の緩和が比較的スムーズに行なわれる゛ため、
本発明の基板上に形成された記録媒体に１゛悪影響が及
ぶことが抑えられ、結果として、へ゛ラドの浮動安定性
は著しく向上する。
本発明の基板上に形成された記録媒体に１゛悪影響が及
ぶことが抑えられ、結果として、へ゛ラドの浮動安定性
は著しく向上する。
以上説明したように本発明によれば、ヘッドの浮動安定
性を０２〜０３μｍのスペーシングでもつ１−て著しく
向上させることが出来る効果を奏する１更に衝撃と温度
変化による変形やクラックに耐・力を有する。また内部
応力も経時変化も小さく・することができる。
性を０２〜０３μｍのスペーシングでもつ１−て著しく
向上させることが出来る効果を奏する１更に衝撃と温度
変化による変形やクラックに耐・力を有する。また内部
応力も経時変化も小さく・することができる。
第１図は従来のディスクの部分断面図、第２図は本発明
のディスクの部分断面図である。 １１１′−・・ＡＩ基板母材 ２、？テ・・記録媒体 ３−１． Ｏ８層 ４・・・Ｔａ又はＴａＮ層 ５ ・Ｔａ、 ０．層 ０ ５ 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第７図 第 ２ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和５８年特許願第 ５２３４０ 号発明の名称 デ
ィスク基板 補正をする者 事件との関係 特許 出 願 人名 称 ｒｓ
＋ｏ＋手４式会ト！ 日 立 製 作 所代 理
人 補正の対象 明細書全文 補正の内容 別紙のとおり 明 細 書 １、発明の名称 ディスク基板 ２、特許請求の範囲 １、 記録媒体用基板の表面を硬い弁金属あるい゛はそ
の窒化物で覆い、更にその表面に該弁金−□属の！化物
を形成したことを特徴とするディ。 スフ基板。 ２、上記した弁金属が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、
Ｓｂ、Ｂｉ ’Ｎｂ、Ｍｏであることを特徴とする特許
請求の範。 門弟１項記載のディスク基板構造 ＩＯ２、発
明の詳細な説明 〔発明の利用分野〕 本発明は、ヘッドの浮動安定性に好適なディ。 スフ基板に関するものである。 〔発明の背景〕 １コデイ
スク装置はその動作状態では、ヘッドと・ディスクの間
隙は０３μ以下に保つ必要がある。・そのためには、デ
ィスク基板のＡＩ！母材の経時変。 化を抑える必要があり、従来、第１図に示すよ。 うに円板状に力日工したＡＪ母材、あるいはその表ｎ面
に更にＡＪ薄膜を被覆したＡ！母材を陽極酸化す。 ることによってＡ４Ｑ＋ ＊膜を形成したものをデ。 イスク基板として用いていた。ヘッドの浮動安。 定性は記録媒体め膜質ばかりでなく基板の性質゛にも大
きく依存することが知られている。従来５法では残留応
力の大きいＡＡＯ＋ 膜を生じ、記録゛媒体を堆積し
た磁気ディスクとしては、ヘッド・の浮動安定性を損う
ことがあった。 〔発明の目的〕 本発明の目的はディスク基板母材と記録媒体と１０の間
に適当な中間層を設けて、ヘッドの浮動安・定性を向上
させたディスク基板を提供するにあ。 る。 〔発明の概要〕 ヘッド荷重が２０．ｆ以下のいわゆる軽荷重ヘン、。 ドな用いるコンタクトスタートストップ方式の。 ディスク装置においてはヘッドとディスクの接。 触は避られないが、ヘッドとディスクが激しく。 摺動して、記録媒体に書き込まれている情報の。 破壊あるいは、ヘッドやディスクそれ自体の物。 理的機械的破壊を避けるために、ディスクの製。 造段階において、ディスク基板の母材と記録媒。 体との間に適度の硬度を有し、表面粗さ０１５μｍ。 以下の鏡面仕上げに耐え、緻密で内部応力が小”さく、
かつ経時変化の小さい良質の中間層を形−成することに
よって、上記した目的を達成した−同じ弁金属であって
も、ＡＪの場合には基板母材′がＡＪであるため母材の
ＡＡＩと酸化被膜のＡ／２０ｓ が゛直に接触するこ
とになる。ＡＪ、とＡ４へとの硬度゛と膨張率の差異が
大き過ぎ、Ａｌ２Ｏ８に大きな内゛″部応力歪を生じ、
ディスク基板としてはヘッドの浮動安定性を損う場合が
あった。本発明の揚。 合には、Ａ／母材と酸化物層との間に膨張率が両・者の
中間程度の金属層又は窒化物層が存在する・ため、応力
が緩和が段階的に起る。 。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の実施例である。ディスクの。 断面構造の概念図である。以下本発明を図に示。 す実施例に基づいて説明する。ディスク基板の。 厚さ２ＩＴｒｎのＡＪ母材１を８インチの円板状に切削
、１、３ 。 してダイヤモンド砥石で鏡面に仕上げる。トリ。 クレン、アセトン、アルコールの順に脱脂洗浄・工程を
経た後、更にプラズマ洗浄し、１〜２μｍの・Ｔａｇ膜
４をスパッタリング又はイオンプレーテ・インクにて堆
積する。その後、陽極酸化などの５酸化工程によって、
該Ｔａの被膜４の上皮０５〜ｉＪｍ・Ｔａ２Ｏ，、膜５
に変成する。即ち板厚２ｒｒｍのＡＩ母材・上に、Ｔａ
、Ｔａ２０６各０．５〜１μｍ被膜層を有する円板を・
基板として一記録媒体２′を堆積する。 本実施例では基板母材１′と記録媒体２′との、０中間
層を形成するのにＴａを用いた場合について。 説明したが、Ｔａの代りに硬い弁金属Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ
、Ｔｉ 。 Ｂｉ、Ｎｂ、ＳｉおよびＶ、Ｃｒなどを真空蒸着、スパ
ッタ。 す／グ、イオンブレーティングで形成でき、更。 にこれらの窒化物ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮをスパッタリ
ン、。 グ、イオンブレーティング、 ＣＶＤ等で形成する。 ことができる。 上記酸化工程としては陽極酸化の他に、プ礼ズマアツシ
ャー、熱酸化などが適用できる。 弁金属の酸化物は一般に封孔が良く、経時変２゜、４
。 化が小さい。従来のＡＪ、 Ｑ、 もこの面では良い
特。 性を示すが、母材のＡＪとの硬度、膨張率の差異゛が大
きく、ディスク基板としては十分でなかつ゛た。本発明
の硬い弁金属Ｔａ 、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ 、Ｔｉなどの
゛酸化物は封孔性、化学的な経時安定性にいって゛はＡ
４０ａ と同等もしくはそれ以上であり、しか゛も母
材のＡＩと酸化物層との間には、同種の金属。 又は窒化物が存在しているため、母材のＡｔから。 酸化物層まで、硬度や膨張率の飛躍が小さく、応・力の
緩和が段階的に行なわれるため、本発明の１〔１の基板
上に形成された記録媒体に悪影響が及ぶ・ことが抑えら
れ、結果として、ヘッドの浮動安・定性は著しく向上す
る。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ヘッド１５の浮動
安定性を０２〜０３μｍのスペーシングでも著。 しく向上させることが出来る効果を奏する。更。 に衝撃と温度変化による変形やクラックにも耐。 力を有する。また内部応力も経時変化も小さく。 することができる。 ２゜
４、図面の簡単な説明 第１図は従来のディスクの部分断面図、第２゜図は本発
明のディスクの部分断面図である。 １．１′・・・・
Ａｔ基板母材 １．２−・・・記録媒体 ６・・・・・・・・Ａｔ２０３層 ４・・・・・・・・Ｔａ又はＴａＮ層 ５・・・・・・・・・Ｔａ２Ｏ，層
のディスクの部分断面図である。 １１１′−・・ＡＩ基板母材 ２、？テ・・記録媒体 ３−１． Ｏ８層 ４・・・Ｔａ又はＴａＮ層 ５ ・Ｔａ、 ０．層 ０ ５ 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第７図 第 ２ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和５８年特許願第 ５２３４０ 号発明の名称 デ
ィスク基板 補正をする者 事件との関係 特許 出 願 人名 称 ｒｓ
＋ｏ＋手４式会ト！ 日 立 製 作 所代 理
人 補正の対象 明細書全文 補正の内容 別紙のとおり 明 細 書 １、発明の名称 ディスク基板 ２、特許請求の範囲 １、 記録媒体用基板の表面を硬い弁金属あるい゛はそ
の窒化物で覆い、更にその表面に該弁金−□属の！化物
を形成したことを特徴とするディ。 スフ基板。 ２、上記した弁金属が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、
Ｓｂ、Ｂｉ ’Ｎｂ、Ｍｏであることを特徴とする特許
請求の範。 門弟１項記載のディスク基板構造 ＩＯ２、発
明の詳細な説明 〔発明の利用分野〕 本発明は、ヘッドの浮動安定性に好適なディ。 スフ基板に関するものである。 〔発明の背景〕 １コデイ
スク装置はその動作状態では、ヘッドと・ディスクの間
隙は０３μ以下に保つ必要がある。・そのためには、デ
ィスク基板のＡＩ！母材の経時変。 化を抑える必要があり、従来、第１図に示すよ。 うに円板状に力日工したＡＪ母材、あるいはその表ｎ面
に更にＡＪ薄膜を被覆したＡ！母材を陽極酸化す。 ることによってＡ４Ｑ＋ ＊膜を形成したものをデ。 イスク基板として用いていた。ヘッドの浮動安。 定性は記録媒体め膜質ばかりでなく基板の性質゛にも大
きく依存することが知られている。従来５法では残留応
力の大きいＡＡＯ＋ 膜を生じ、記録゛媒体を堆積し
た磁気ディスクとしては、ヘッド・の浮動安定性を損う
ことがあった。 〔発明の目的〕 本発明の目的はディスク基板母材と記録媒体と１０の間
に適当な中間層を設けて、ヘッドの浮動安・定性を向上
させたディスク基板を提供するにあ。 る。 〔発明の概要〕 ヘッド荷重が２０．ｆ以下のいわゆる軽荷重ヘン、。 ドな用いるコンタクトスタートストップ方式の。 ディスク装置においてはヘッドとディスクの接。 触は避られないが、ヘッドとディスクが激しく。 摺動して、記録媒体に書き込まれている情報の。 破壊あるいは、ヘッドやディスクそれ自体の物。 理的機械的破壊を避けるために、ディスクの製。 造段階において、ディスク基板の母材と記録媒。 体との間に適度の硬度を有し、表面粗さ０１５μｍ。 以下の鏡面仕上げに耐え、緻密で内部応力が小”さく、
かつ経時変化の小さい良質の中間層を形−成することに
よって、上記した目的を達成した−同じ弁金属であって
も、ＡＪの場合には基板母材′がＡＪであるため母材の
ＡＡＩと酸化被膜のＡ／２０ｓ が゛直に接触するこ
とになる。ＡＪ、とＡ４へとの硬度゛と膨張率の差異が
大き過ぎ、Ａｌ２Ｏ８に大きな内゛″部応力歪を生じ、
ディスク基板としてはヘッドの浮動安定性を損う場合が
あった。本発明の揚。 合には、Ａ／母材と酸化物層との間に膨張率が両・者の
中間程度の金属層又は窒化物層が存在する・ため、応力
が緩和が段階的に起る。 。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の実施例である。ディスクの。 断面構造の概念図である。以下本発明を図に示。 す実施例に基づいて説明する。ディスク基板の。 厚さ２ＩＴｒｎのＡＪ母材１を８インチの円板状に切削
、１、３ 。 してダイヤモンド砥石で鏡面に仕上げる。トリ。 クレン、アセトン、アルコールの順に脱脂洗浄・工程を
経た後、更にプラズマ洗浄し、１〜２μｍの・Ｔａｇ膜
４をスパッタリング又はイオンプレーテ・インクにて堆
積する。その後、陽極酸化などの５酸化工程によって、
該Ｔａの被膜４の上皮０５〜ｉＪｍ・Ｔａ２Ｏ，、膜５
に変成する。即ち板厚２ｒｒｍのＡＩ母材・上に、Ｔａ
、Ｔａ２０６各０．５〜１μｍ被膜層を有する円板を・
基板として一記録媒体２′を堆積する。 本実施例では基板母材１′と記録媒体２′との、０中間
層を形成するのにＴａを用いた場合について。 説明したが、Ｔａの代りに硬い弁金属Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ
、Ｔｉ 。 Ｂｉ、Ｎｂ、ＳｉおよびＶ、Ｃｒなどを真空蒸着、スパ
ッタ。 す／グ、イオンブレーティングで形成でき、更。 にこれらの窒化物ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮをスパッタリ
ン、。 グ、イオンブレーティング、 ＣＶＤ等で形成する。 ことができる。 上記酸化工程としては陽極酸化の他に、プ礼ズマアツシ
ャー、熱酸化などが適用できる。 弁金属の酸化物は一般に封孔が良く、経時変２゜、４
。 化が小さい。従来のＡＪ、 Ｑ、 もこの面では良い
特。 性を示すが、母材のＡＪとの硬度、膨張率の差異゛が大
きく、ディスク基板としては十分でなかつ゛た。本発明
の硬い弁金属Ｔａ 、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ 、Ｔｉなどの
゛酸化物は封孔性、化学的な経時安定性にいって゛はＡ
４０ａ と同等もしくはそれ以上であり、しか゛も母
材のＡＩと酸化物層との間には、同種の金属。 又は窒化物が存在しているため、母材のＡｔから。 酸化物層まで、硬度や膨張率の飛躍が小さく、応・力の
緩和が段階的に行なわれるため、本発明の１〔１の基板
上に形成された記録媒体に悪影響が及ぶ・ことが抑えら
れ、結果として、ヘッドの浮動安・定性は著しく向上す
る。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ヘッド１５の浮動
安定性を０２〜０３μｍのスペーシングでも著。 しく向上させることが出来る効果を奏する。更。 に衝撃と温度変化による変形やクラックにも耐。 力を有する。また内部応力も経時変化も小さく。 することができる。 ２゜
４、図面の簡単な説明 第１図は従来のディスクの部分断面図、第２゜図は本発
明のディスクの部分断面図である。 １．１′・・・・
Ａｔ基板母材 １．２−・・・記録媒体 ６・・・・・・・・Ａｔ２０３層 ４・・・・・・・・Ｔａ又はＴａＮ層 ５・・・・・・・・・Ｔａ２Ｏ，層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 記録媒体用基板の表面を硬い弁金属あるい゛はその
窒化物で覆い、更にその表面に該弁金属の配化物層を形
成したことを特徴とするディスク基板。 ２、 上記した弁金属が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ
、Ｓｂ、Ｂｉ ’Ｎｂ、Ｍｏであることを特徴とする特
許請求の範゛囲第１項記載のディスク基板構造
１゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052340A JPS59178625A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052340A JPS59178625A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | デイスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178625A true JPS59178625A (ja) | 1984-10-09 |
Family
ID=12912063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58052340A Pending JPS59178625A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | デイスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990362A (en) * | 1989-06-16 | 1991-02-05 | Nkk Corporation | Method of manufacturing a titanium magnetic disk substrate |
| US6740397B1 (en) | 2000-05-24 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Subseedlayers for magnetic recording media |
| US6849326B1 (en) | 2000-10-10 | 2005-02-01 | Seagate Technology Llc | Niobium alloy seedlayer for magnetic recording media |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58052340A patent/JPS59178625A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990362A (en) * | 1989-06-16 | 1991-02-05 | Nkk Corporation | Method of manufacturing a titanium magnetic disk substrate |
| US6740397B1 (en) | 2000-05-24 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Subseedlayers for magnetic recording media |
| US6849326B1 (en) | 2000-10-10 | 2005-02-01 | Seagate Technology Llc | Niobium alloy seedlayer for magnetic recording media |
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