JPS59148129A - デイスク基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分計〕 本発明はディスク基板にかかわシ、特に、へ０ツドの浮
動安定性の向上に好適な構造を有する　゛ディスク基板
とその製造方法に関するものであ。

る。

〔従来技術〕

高密度ディスク装置で書込みｄ出し動作を行１０う場合
には、ヘッドとディスクとの間隙は０．２　　・〜０．
６μｍ程度に保持する必要がある。一方、へ・ラドの浮
動安定性は、記録媒体の膜質と開織に・基板の性質にも
依存することが知られている。。

しかしながら、陽極酸化によってＡｄ合金円板上１５に
Ａ１２０　！被膜を形成する従来法による基板は、。

硬度、封孔度、残留応力等に問題があり、時に。

初期に、特に経時的に、ヘッドの安定浮動を妨。

げる事故を発生させることがあった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を　。

なくし、ヘッドの浮動安定性の向上に好適な構　。

造を有するディスク基板とその製造方法を提供。

するにある。

【発明の概要〕

本発明は、ディスク基板母材と記録媒体との間に、適当
な中間層を設けてヘッドの浮動安定性の向上を図ったも
のである。すなわち、ｃｓ７ｓ−（接触始動停止型）の
ディスク装置においては、゛ヘッドとディスクとの接触
は避けられないが、１０ヘツドとディスクが激しく摺動
して記録媒体に・書込まれている情報の破壊やヘッド、
ディスク・それ自体の物理的破壊を避けるだめに、ディ
ス・りの製造段階において、ディスク基板の母材と・記
録媒体との間に、適度の硬度を有し、表面粗１゜さ０．
１５μｍ以下の誂面仕上げに耐える緻密で内　。

部応力が小さく、かつ経時変化の小さい良質の、中間！
−を形成することによって、上記目的を達。

成できる。そこで、本発明では、硬くて緻密な。

弁金属（Ｔａ、　′ｒｉ　、　Ｚｒ、　Ｈｆ　、　Ｗｌ
ｚど）の炭化！＃　２、。

またはその上皮層をさらに酸化物層で置換した゛構造の
基板上に記録媒体を形成し、これによつ。

て、従来と同様の力ロエでも媒体の表面度が向上。

し、また、Ｃ８／Ｓ’時のヘッド、ディスクの摺動゛に
よる発塵が迎えられて、ヘッドの浮動性を確５保できる
ように図っている。

〔発明の実施列〕

第１図は本発明の宕１の実施夕Ｕであるディス。

りの断面構造の載念図である。以下、第１図を用いて、
第１の実癩列の構成および製造１去につ１０いて説明す
る。まず、ディスク基板の母材１と。

して、耐食性アルミニウム合金（ＪＩＳＡ５０８３　’
Ｒ）を８インチディスク状（／ａ略す法で、外径２１０
゜寵、内径１００欄、７≠さ１．９＆りに切削し、熱処
゛理を経て、表面を鏡面カロエする。次に、この母１・
Ｉｔ１ｅｌｌクロルエチレン、アセトン、フルオ・シカ
−ボン類などによる脱脂洗浄を行った後、・２００“Ｏ
プリベークエ、淫を経て、Ｃｕ　ｔｉ　２を含んだ希・
薄ガス雰囲気中で、弁金属の一列として□ｐＨを出発物
質として、イオンブレーティングまたはス：・、Ｉバッ
タリングなどの反応性製ａ法を用いて、Ｔ　ｉ　Ｃ１貞
２を０．５μｍ厚に堆積させる。すなわち、厚さ。

１．９ｊｌｌのＡ１合金上に厚さ０．５μｍのｆ’ｉｃ
を堆。

積した円板を＃！遺し、さらに鏡面仕上げ加工を施した
ものを基板としてその上に記録媒体３を５形成する。

４Ｘ２図は本発明の第２の実施列であるディス゛りの断
面構造の概念図である。以ｒ１適２図を“用いて、第２
の実施列の構成および製造法につ゛いて説明する。まず
、４１の実施列で用いだもｆｉｌの同様な材質の母材１
に同様の処理を施し、厚・さり、６μｍのＴ１Ｃ膜２を
堆積させる。ついで、陽・１酸化あるいは熱ＩＲ化など
の酸化処理によって・炭化物ＴｉＣ膜２の上皮層０．６
μｍだけを酸化物・Ｔ　ｉ　Ｕ　ｚ膜４に変成する。す
なわち、厚さ１．９Ｍ　＋：。

のＡ１合金上に厚さ０．３μｍのＴｉｃ　、さらにそ。

の上に０．６μｍのＴｉ（ｈを堆積した構造の円板。

を製造し、その表面を＝ａ面仕上げ加工を施した。

ものを基板として、その上に記録媒体６を形成。

する。

以上述べた第１しよび第２の実施列では、弁。

金、＠とじてｒｉを用いる例について説明したが、′ｒ
ｉの代ＤＫ他の弁金属Ｔａ、　Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗなども。

全く同様に用いることができる。

（発明の効果〕 弁金属の炭化−吻は、一般に硬く、緻密で１．涌。

時変化が小さい。従って、Ａｄ合金母材と、記゛録媒体
との間にこれら弁金属の炭化物からなる。

中間層を設けることにより、Ｃ８／Ｓ　＠作詩に発゛塵
の小さい耐摩耗性に富んだディスクが得られ１０る。ま
た、ヘッド。ディスクの間隙を０．２〜０．３μｍ（／
Ｃ床つ浮動安定性についても、経時変化の。

小さい良好なディスクを与えることが確認でき。

た。

また、炭化物の上皮）・１に酸化物層を形成した１５第
２の実施列についても、第１の実施列とほと・んど同様
の効果が期待できる。荷に、記録媒体・かさらに薄い場
合には、Ｃ８／Ｓ　時の発熱に対・して酸化物の方が化
学的に安定であう、経時安・定性に寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施列のディスクの゛断面構造
を示す概念図、第２図は第２の実施例゛のディスクの所
面購億を示す坑念図である。　。 符号の説明 １・・・母材　　　　　　　　２１．−ＴｉＣ膜　　　
　・６　・・・　δ己録媒　本　　　　　　　　　　　
　　　　　　　４　・・・　Ｔｉ０ｇ　　膜　　　　　
　　　　。 ０ ５ ・　７　・ 第　ｌ　圓 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）その表面上にディスク型記録媒体を形成するため
   の基板であ、って、該基板の母材の表面を弁金属（Ｔａ
   、　”Ｉ’ｉ　、　Ｚｒ、　Ｈｆ　、　Ｗなど）の炭化
   物皮膜で被覆してなることを特徴とするディスク基板。 （２、特許請求の範囲第１項に記載のディスク４板にお
   いて、弁金属の炭化物皮膜が、その上皮層を該弁金属の
   酸化物で置換した構造を有することを特徴とするディス
   ク基板。 （６）その表面上にディスク型記録媒体を形成するだめ
   の基板の製造方法であって、該基板の母材ノ表面を弁金
   ７１４　（’Ｌ”ａ　、　Ｔｉ　％Ｚｒ、　１−１ｆ、
   　Ｗなど）の炭化物皮膜で被覆することを特徴とするデ
   ィスク基板の製造方法。 （４）特許請求の範囲第３項に記載のディスク基板の製
   造方法において、弁金属の炭化物皮膜に対し、その上皮
   層を該弁金属の酸化物で置換。 することを特徴とするディスク基板の製造方法。