JPH01169720A - 磁気円板及びその製造方法 - Google Patents
磁気円板及びその製造方法Info
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- JPH01169720A JPH01169720A JP62328149A JP32814987A JPH01169720A JP H01169720 A JPH01169720 A JP H01169720A JP 62328149 A JP62328149 A JP 62328149A JP 32814987 A JP32814987 A JP 32814987A JP H01169720 A JPH01169720 A JP H01169720A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気ディスク装置の記憶媒体として用いら
れる磁気円板に係り、特に磁気円板の耐久性、信顛性を
上げるため磁性媒体が下地硬化膜を介して基板上に被着
された磁気円板及びその製造方法に関するものである。
れる磁気円板に係り、特に磁気円板の耐久性、信顛性を
上げるため磁性媒体が下地硬化膜を介して基板上に被着
された磁気円板及びその製造方法に関するものである。
従来の磁気円板は、磁性媒体にＣｏ（コバルト）合金薄
膜を用いた場合は下地硬化膜に無電解Ｎ１−Ｐにニッケ
ル・リン）めっき膜を用い、磁性媒体にγ−ＦｅｚＯｚ
（ガンマ・フェライト）薄膜を用いた場合は下地硬化膜
に陽極酸化皮膜を用いるのが一般的である。
膜を用いた場合は下地硬化膜に無電解Ｎ１−Ｐにニッケ
ル・リン）めっき膜を用い、磁性媒体にγ−ＦｅｚＯｚ
（ガンマ・フェライト）薄膜を用いた場合は下地硬化膜
に陽極酸化皮膜を用いるのが一般的である。
このように従来、下地硬化膜としては無電解Ｎ１−Ｐめ
っき膜、陽極酸化皮膜が用いられているが、これらの硬
度は各々ＨＶ（マイクロビッカース硬度）４００前後、
２００前後である。
っき膜、陽極酸化皮膜が用いられているが、これらの硬
度は各々ＨＶ（マイクロビッカース硬度）４００前後、
２００前後である。
下地硬化膜の大きな機能の一つは、耐ヘツドクラツシユ
性を上げることにある。すなわち、何らかの要因でヘッ
ドが円板を打ったとき、円板が十分な表面硬度を有さな
い場合には、当該部分にスリ傷が入ったり、塑性変形を
起こして打痕が生じたりして、これが契朋となってヘッ
ドの安定浮上が損なわれ、遂にはヘッドクラッシュに至
る。このヘッドクラッシュを極力起こさせない目的で表
面硬度を上げるために硬化膜を設ける。
性を上げることにある。すなわち、何らかの要因でヘッ
ドが円板を打ったとき、円板が十分な表面硬度を有さな
い場合には、当該部分にスリ傷が入ったり、塑性変形を
起こして打痕が生じたりして、これが契朋となってヘッ
ドの安定浮上が損なわれ、遂にはヘッドクラッシュに至
る。このヘッドクラッシュを極力起こさせない目的で表
面硬度を上げるために硬化膜を設ける。
従来の磁気円板は以上のように構成されているが、無電
解Ｎｔ−Ｐめっき膜や陽極酸化皮膜による従来の下地硬
化膜は、耐ヘツドクラツシユ性を向上させる目的におい
て必ずしも十分とはいえない。すなわち、磁気円板に対
向するヘッドの表面硬度は、最も普及しているフェライ
トヘッドでは１（ｖ ６００前後で、従来の下地硬化膜
の硬度はこれを下回っており、ヘッドで打たれたとき磁
気円板が傷付き易い問題がある。
解Ｎｔ−Ｐめっき膜や陽極酸化皮膜による従来の下地硬
化膜は、耐ヘツドクラツシユ性を向上させる目的におい
て必ずしも十分とはいえない。すなわち、磁気円板に対
向するヘッドの表面硬度は、最も普及しているフェライ
トヘッドでは１（ｖ ６００前後で、従来の下地硬化膜
の硬度はこれを下回っており、ヘッドで打たれたとき磁
気円板が傷付き易い問題がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、磁気円板の表面硬度をヘッドの表面硬度より
高くすることを目的とする。
たもので、磁気円板の表面硬度をヘッドの表面硬度より
高くすることを目的とする。
この発明に係る磁気円板は、下地硬化膜を所定値以上の
硬度に熱処理されたＮ１−Ｃｕ−Ｐにニッケル・銅・リ
ン）３元合金膜から構成したものである。また、この発
明に係る磁気円板の製造方法は、基板上に無電解めっき
によりＮ１−Ｃｕ−Ｐ３元合金膜を形成した後に、所定
値以上の温度で熱処理し、その後に、磁性媒体を被着す
るようにしたものである。無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき
膜は、めっきしたままでは硬度Ｈｖが５００前後である
が、適当な熱処理を施こすことにより８００以上に硬く
なるものであり、この性質を利用する。
硬度に熱処理されたＮ１−Ｃｕ−Ｐにニッケル・銅・リ
ン）３元合金膜から構成したものである。また、この発
明に係る磁気円板の製造方法は、基板上に無電解めっき
によりＮ１−Ｃｕ−Ｐ３元合金膜を形成した後に、所定
値以上の温度で熱処理し、その後に、磁性媒体を被着す
るようにしたものである。無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき
膜は、めっきしたままでは硬度Ｈｖが５００前後である
が、適当な熱処理を施こすことにより８００以上に硬く
なるものであり、この性質を利用する。
既述したように、フェライトヘッドの硬度Ｈｖは６００
前後であるが、適当に熱処理された無電解Ｎ ｉ −Ｃ
ｕ −Ｐめっき膜は８００以上となり、モース硬度で周
知のように、百行を相打ったり。
前後であるが、適当に熱処理された無電解Ｎ ｉ −Ｃ
ｕ −Ｐめっき膜は８００以上となり、モース硬度で周
知のように、百行を相打ったり。
相互に引っかいた場合、硬い方には殆んど損傷が生じな
いので、この現象を応用したものである。
いので、この現象を応用したものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は代表的な磁気円板の層構成を示す要部断面図である
。図において、１はアルミニウム合金から成るサブスト
レート（基板）、２は上記サブストレート１上に形成さ
れ磁性媒体３の下地となる下地硬化膜であり、本実施例
の下地硬化膜２はＮｉ含有量５０％でＨｖ ８００以上
の硬度に熱処理されたＮ１−Ｃｕ−Ｐ３元合金膜から成
るものである。
図は代表的な磁気円板の層構成を示す要部断面図である
。図において、１はアルミニウム合金から成るサブスト
レート（基板）、２は上記サブストレート１上に形成さ
れ磁性媒体３の下地となる下地硬化膜であり、本実施例
の下地硬化膜２はＮｉ含有量５０％でＨｖ ８００以上
の硬度に熱処理されたＮ１−Ｃｕ−Ｐ３元合金膜から成
るものである。
上記磁気円板の製造プロセスを第２図に示す。
先ず、アルミニウムサブストレート１上に下地硬化［２
として無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっきを１０〜１５μｍ施
こす（工程ａ）。代表的なめっき条件は次の通りである
。
として無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっきを１０〜１５μｍ施
こす（工程ａ）。代表的なめっき条件は次の通りである
。
硫酸ニッケル、 ０．０６モル／ｌ
硫酸銅、 ０．００５〜０．０２５モル／１次亜燐酸ソ
ーダ；０．３モル／１ クエン酸ソーダ；０．２モル／ｌ ＰＨ；９．０±０．２ 温度；８０±２℃ めっき速度；５〜８μｍ ／ ｈ ｒ 攪拌；円板回転、５ｒｐｍ 次に、４００℃以上で、非酸化性雰囲気中で熱処理する
（工程ｂ）。そして、所望の表面精度が得られるよう２
例えばラッピング（研磨）する（工程Ｃ）。
ーダ；０．３モル／１ クエン酸ソーダ；０．２モル／ｌ ＰＨ；９．０±０．２ 温度；８０±２℃ めっき速度；５〜８μｍ ／ ｈ ｒ 攪拌；円板回転、５ｒｐｍ 次に、４００℃以上で、非酸化性雰囲気中で熱処理する
（工程ｂ）。そして、所望の表面精度が得られるよう２
例えばラッピング（研磨）する（工程Ｃ）。
最後に磁性媒体３を施こす（工程ｄ）。磁性媒体３とし
ては、無電解めっきによる００合金薄膜、スパッタリン
グによる００合金薄膜、スパックリングによるγ−Ｆｅ
ｚｏｚＦｉ膜の何れでもよい。
ては、無電解めっきによる００合金薄膜、スパッタリン
グによる００合金薄膜、スパックリングによるγ−Ｆｅ
ｚｏｚＦｉ膜の何れでもよい。
無電解Ｎ ｉ −Ｃｕ −Ｐめっき膜（Ｎｉ含有量５０
％）の熱処理による硬度の変化を示す第３しｌかられか
るように、４００℃以上で熱処理することにより硬度Ｈ
ｖ ８００以上を得ることができる。ところで、４００
℃以上で熱処理すると、第４図に示すように、従来の無
電解Ｎｉ −Ｐめっき膜では残留磁束密度Ｂｒは２００
ガウスをも越える程度に高くなり、およそ媒体下地には
使えない。比較的低記録密度の磁気円板の場合でも、Ｓ
／Ｎ比の関係等から１０ガウス以下が要求されている。
％）の熱処理による硬度の変化を示す第３しｌかられか
るように、４００℃以上で熱処理することにより硬度Ｈ
ｖ ８００以上を得ることができる。ところで、４００
℃以上で熱処理すると、第４図に示すように、従来の無
電解Ｎｉ −Ｐめっき膜では残留磁束密度Ｂｒは２００
ガウスをも越える程度に高くなり、およそ媒体下地には
使えない。比較的低記録密度の磁気円板の場合でも、Ｓ
／Ｎ比の関係等から１０ガウス以下が要求されている。
一方、本願の無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜は、４００
″Ｃ以上の熱処理を施こしても１ガウス以下であり、媒
体下地として極めて好都合であることがわかる。
″Ｃ以上の熱処理を施こしても１ガウス以下であり、媒
体下地として極めて好都合であることがわかる。
実施例においてγ−Ｆｅ２Ｑ、媒体の下地に無電解Ｎｔ
−Ｃｕ−ｐめっき膜を用いた磁気円板と、ｒ−ｒ；’ｅ
２ｏ、媒体の下地に陽極酸化皮膜（８μｍ）を用いた従
来の磁気円板との耐久性の比較を実施したところ下表の
結果を得た。
−Ｃｕ−ｐめっき膜を用いた磁気円板と、ｒ−ｒ；’ｅ
２ｏ、媒体の下地に陽極酸化皮膜（８μｍ）を用いた従
来の磁気円板との耐久性の比較を実施したところ下表の
結果を得た。
ビン尖端；窒化珪素（Ｓ ｉ ：ｌ Ｎ４） 、 １．
５龍Ｒ荷重；５グラム ヘッド摺動速度；２０ｍ／ｓｅｃ 上記試験結果より、無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜を媒
体下地とする磁気円板の方が明らかに耐久性が優れてい
ることがわかる。直接フェライトヘッドとの耐久性試験
は未実施であるが、前述のモース硬度の理屈からも、当
然同様の性能差が現れるものと期待できる。
５龍Ｒ荷重；５グラム ヘッド摺動速度；２０ｍ／ｓｅｃ 上記試験結果より、無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜を媒
体下地とする磁気円板の方が明らかに耐久性が優れてい
ることがわかる。直接フェライトヘッドとの耐久性試験
は未実施であるが、前述のモース硬度の理屈からも、当
然同様の性能差が現れるものと期待できる。
なお、上記実施例では、磁性媒体３としてＣ。
合金薄膜、γ−Ｆｅｚ○３薄膜のみをとりあげたが、他
に塗布媒体にも適用できる。近年、塗布媒体も０．５μ
ｍ以下と極めて薄いものが実用化されるようになり、下
地の硬度増大は大きな効果を生むものと期待できる。
に塗布媒体にも適用できる。近年、塗布媒体も０．５μ
ｍ以下と極めて薄いものが実用化されるようになり、下
地の硬度増大は大きな効果を生むものと期待できる。
以上のように、この発明による磁気円板は、下地硬化膜
を所定値以上の硬度に熱処理されたニッケル・銅・リン
３元合金膜から構成したもので、その製造方法は基板上
に無電解めっきによりニッケル・銅・リン３元合金膜を
形成した後に、所定値以上の温度で熱処理し、その後に
、磁性媒体を被着するようにしたものであるから、比較
的容易に磁気円板の表面硬度をヘッドの表面硬度より高
くすることができ、傷付きにくくなって耐ヘッドクラッ
シュ性、すなわち磁気円板の耐久性が格段に向上する効
果が得られる。
を所定値以上の硬度に熱処理されたニッケル・銅・リン
３元合金膜から構成したもので、その製造方法は基板上
に無電解めっきによりニッケル・銅・リン３元合金膜を
形成した後に、所定値以上の温度で熱処理し、その後に
、磁性媒体を被着するようにしたものであるから、比較
的容易に磁気円板の表面硬度をヘッドの表面硬度より高
くすることができ、傷付きにくくなって耐ヘッドクラッ
シュ性、すなわち磁気円板の耐久性が格段に向上する効
果が得られる。
第１図は代表的な磁気円板の層構成を示す要部断面図、
第２図はこの発明の一実施例による磁気円板の製造プロ
セスを示す図、第３図は無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜
（Ｎｉ含有量５０％）の熱処理による硬度の変化を示す
図、第４図は代表的な無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜（
Ｎｉ含を量５０％）の熱処理温度と残留磁束密度Ｂｒの
関係を従来の代表的な無電解Ｎ１−Ｐめっき膜と比較し
て示す図である。 １はサブストレート（基板）、２は下地硬化膜にニッケ
ル・銅・リン３元合金膜）、３は磁性媒体。 代理人 大 岩 増 ａ（ばか２名）＼２ノ （支）ｌｊ昨 一
第２図はこの発明の一実施例による磁気円板の製造プロ
セスを示す図、第３図は無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜
（Ｎｉ含有量５０％）の熱処理による硬度の変化を示す
図、第４図は代表的な無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐめっき膜（
Ｎｉ含を量５０％）の熱処理温度と残留磁束密度Ｂｒの
関係を従来の代表的な無電解Ｎ１−Ｐめっき膜と比較し
て示す図である。 １はサブストレート（基板）、２は下地硬化膜にニッケ
ル・銅・リン３元合金膜）、３は磁性媒体。 代理人 大 岩 増 ａ（ばか２名）＼２ノ （支）ｌｊ昨 一
Claims (4)
- （１）磁性媒体が下地硬化膜を介して基板上に被着され
た磁気円板において、上記下地硬化膜を所定値以上の硬
度に熱処理されたニッケル・銅・リン３元合金膜から構
成したことを特徴とする磁気円板。 - （２）ニッケル・銅・リン３元合金膜の硬度をマイクロ
ビッカース硬度８００以上としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の磁気円板。 - （３）基板上に無電解めっきによりニッケル・銅・リン
３元合金膜を形成した後に、所定値以上の温度で熱処理
し、その後に、磁性媒体を被着するようにしたことを特
徴とする磁気円板の製造方法。 - （４）４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載の磁気円板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328149A JPH01169720A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気円板及びその製造方法 |
| KR1019880015004A KR920001571B1 (ko) | 1987-12-24 | 1988-11-15 | 자기원판 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328149A JPH01169720A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気円板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169720A true JPH01169720A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18207033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328149A Pending JPH01169720A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気円板及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169720A (ja) |
| KR (1) | KR920001571B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049015A1 (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic-disk substrate, and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62328149A patent/JPH01169720A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-15 KR KR1019880015004A patent/KR920001571B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049015A1 (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic-disk substrate, and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001571B1 (ko) | 1992-02-18 |
| KR890010815A (ko) | 1989-08-10 |
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