JPS6031301A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPS6031301A JPS6031301A JP58139426A JP13942683A JPS6031301A JP S6031301 A JPS6031301 A JP S6031301A JP 58139426 A JP58139426 A JP 58139426A JP 13942683 A JP13942683 A JP 13942683A JP S6031301 A JPS6031301 A JP S6031301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance
- spiral inductance
- integrated circuit
- constitution
- microwave integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マイクロ波集積回路、更に詳しく百えば、マ
イクロストリップ線路、スパイラル・インダクタンスを
１吏用したマイクロ波集積回路に係り、特にスパイラル
・インダクタンスの寄生容量を減少するのに好適な構造
の７フイクロ波集槓回路に関する。
イクロストリップ線路、スパイラル・インダクタンスを
１吏用したマイクロ波集積回路に係り、特にスパイラル
・インダクタンスの寄生容量を減少するのに好適な構造
の７フイクロ波集槓回路に関する。
従来、マイクロストリップ線路、スパイラル・インター
フタンスを使用したマイクロ波集積回路を構成するもの
として第１図に示すような構造が知られている。第１図
において、１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線
路、３はスパイラル・インダクタンス、４はトランジス
タ、５はマイクロストリップ線路を構成するための接地
導体、６はケース、７は接続用コネクタである。この構
造では、３のスパイラル・インダクタンスと５の接地導
体の間に寄生容量が生じるため、マイクロ波帯において
周波数帯域の変化が大きいという欠点があった。
フタンスを使用したマイクロ波集積回路を構成するもの
として第１図に示すような構造が知られている。第１図
において、１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線
路、３はスパイラル・インダクタンス、４はトランジス
タ、５はマイクロストリップ線路を構成するための接地
導体、６はケース、７は接続用コネクタである。この構
造では、３のスパイラル・インダクタンスと５の接地導
体の間に寄生容量が生じるため、マイクロ波帯において
周波数帯域の変化が大きいという欠点があった。
本発明の目的は、誘電体基板上に構成したスパイラル・
インダクタンスと接地導体間の寄生容量による周波数帯
域の変化を小さくした構造のマイクロ波集積回路を提供
することにある。
インダクタンスと接地導体間の寄生容量による周波数帯
域の変化を小さくした構造のマイクロ波集積回路を提供
することにある。
本発明は上記目的を達成するためマイクロ波集積回路に
おいて、誘電体基板上に構成したスパイラル・インダク
タンスと接地導体間の寄生容量を小さくするために、ス
パイラル・インダクタンスの直下位置の誘電体基板の接
地導体を取り除き、さらに、その直下位置のケースに穴
を設けて寄生容量を減少した。
おいて、誘電体基板上に構成したスパイラル・インダク
タンスと接地導体間の寄生容量を小さくするために、ス
パイラル・インダクタンスの直下位置の誘電体基板の接
地導体を取り除き、さらに、その直下位置のケースに穴
を設けて寄生容量を減少した。
以下、本発明を実施例により説明する。第２図は本発明
によるマイクロ波集積回路の一実施例の分解斜視図を示
すもので同図において、１は誘電体基板、２はマイクロ
ストリップ線路、３はスパイラル・インダクタンス、４
はトランジスタ、５はマイクロス） ＩＪツブ線路を構
成するための接地導体、６はケース、７は接続用コネク
タ、８Ｆｉヌバイラル・インダクタンスの直下位置の接
地導体を取り除いた穴、９はスパイラル・インダクタン
スの直下位置のケースに設けた穴である。上記構成によ
るマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例と、従来の
構成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例を
第３図に示す。第３図において、曲線ａは計算１直で１
．５ ＧＨｚ 〜、 ２．０ ＧＨ２に。
によるマイクロ波集積回路の一実施例の分解斜視図を示
すもので同図において、１は誘電体基板、２はマイクロ
ストリップ線路、３はスパイラル・インダクタンス、４
はトランジスタ、５はマイクロス） ＩＪツブ線路を構
成するための接地導体、６はケース、７は接続用コネク
タ、８Ｆｉヌバイラル・インダクタンスの直下位置の接
地導体を取り除いた穴、９はスパイラル・インダクタン
スの直下位置のケースに設けた穴である。上記構成によ
るマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例と、従来の
構成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例を
第３図に示す。第３図において、曲線ａは計算１直で１
．５ ＧＨｚ 〜、 ２．０ ＧＨ２に。
おいて約２０ｄＢの利得を示している。曲線すは上記構
成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例で、
１．５ ＧＨｚ 〜２．０ ＧＨｚにおいて約２０ｄＢ
の利得を示しており、計算値とよく一致している。曲線
Ｃは従来の構成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波
数特性例で、１．３ＧＨｚ〜１．８ ＧＨｚにおいて約
１８．５ｄＢの利得を示して２す、計算値に比較して周
波数は０．２ＧＨｚ低域にずれ、利得は約１．５ｄｌｌ
低くなっている。このように、誘電体基板上に構成した
スパイラル・インダクタンスの直下位置の接地導体を）
＠！り除き、さらに、その直下位置のケースに内を設け
ることにより、スパイラル・インダクタンスの寄生容量
を少なくシ、周波数特性の変化を小きくすることができ
る。
成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波数特性例で、
１．５ ＧＨｚ 〜２．０ ＧＨｚにおいて約２０ｄＢ
の利得を示しており、計算値とよく一致している。曲線
Ｃは従来の構成によるマイクロ波帯増幅器の利得の周波
数特性例で、１．３ＧＨｚ〜１．８ ＧＨｚにおいて約
１８．５ｄＢの利得を示して２す、計算値に比較して周
波数は０．２ＧＨｚ低域にずれ、利得は約１．５ｄｌｌ
低くなっている。このように、誘電体基板上に構成した
スパイラル・インダクタンスの直下位置の接地導体を）
＠！り除き、さらに、その直下位置のケースに内を設け
ることにより、スパイラル・インダクタンスの寄生容量
を少なくシ、周波数特性の変化を小きくすることができ
る。
本発明によれば、誘電体基板上に構成したマイクロスト
リップ線路、スパイラル・インダクタンスを使用したマ
イクロ波集積回路に２いて、特にスパイラル・インダク
タンスの直下位置の接地導体を取り除き、さらに、その
直下位置のケースに穴を設けることにより、スパイラル
・インダクタンスの寄生容量を従来の１／３〜１１５程
度に減少することができるので、周波数帯域の変化を小
さくする効果がある。
リップ線路、スパイラル・インダクタンスを使用したマ
イクロ波集積回路に２いて、特にスパイラル・インダク
タンスの直下位置の接地導体を取り除き、さらに、その
直下位置のケースに穴を設けることにより、スパイラル
・インダクタンスの寄生容量を従来の１／３〜１１５程
度に減少することができるので、周波数帯域の変化を小
さくする効果がある。
不発明によれば、スパイラル・インダクタンスの寄生容
量を小さくすることができるので、製造プロセスによる
線路幅の寸法限界が緩和される効果かある。
量を小さくすることができるので、製造プロセスによる
線路幅の寸法限界が緩和される効果かある。
第１図は従来のマイクロ波集積回路の斜視図、第２図は
本発明によるマイクロ波集積回路の一実施例の分解斜視
図、第３図はマイクロ波集積回路の設計値と本発明によ
る周波数特性例と従来の（・１４成による川波数特注図
でらる。 １・・・誘電体基板、２・・・マイクロストリップ線路
、３・・・スパイラル・インダクタンス、４・・・トラ
ンジスタ、５・・・接地導体、６・・・ケース、７・・
・接続用コネクタ、８・・・接８Ｌ４体を取り除いた穴
、９・・・ケースに設けた穴。
本発明によるマイクロ波集積回路の一実施例の分解斜視
図、第３図はマイクロ波集積回路の設計値と本発明によ
る周波数特性例と従来の（・１４成による川波数特注図
でらる。 １・・・誘電体基板、２・・・マイクロストリップ線路
、３・・・スパイラル・インダクタンス、４・・・トラ
ンジスタ、５・・・接地導体、６・・・ケース、７・・
・接続用コネクタ、８・・・接８Ｌ４体を取り除いた穴
、９・・・ケースに設けた穴。
Claims (1)
- 誘電体基板と、上記誘電体基板上に形成された導体線路
を有するマイクロストリップ線路およびスパイラル・イ
ンダクタンスと誘電体基板を収容するためのケースより
成るマイクロ波集積回路において、上記スパイラル・イ
ンダクタンスの直下位置の接地導体を取り除き、さらに
、その直下位置のケースに穴を設けたことを特徴とする
マイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139426A JPS6031301A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139426A JPS6031301A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031301A true JPS6031301A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15244920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139426A Pending JPS6031301A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199101A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Fujitsu Ltd | 高速ｉｃの実装方法 |
| JP2010166276A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 高周波用基板及びパッケージ |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58139426A patent/JPS6031301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199101A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Fujitsu Ltd | 高速ｉｃの実装方法 |
| JP2010166276A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 高周波用基板及びパッケージ |
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