JPS6029936B2 - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS6029936B2 JPS6029936B2 JP54169173A JP16917379A JPS6029936B2 JP S6029936 B2 JPS6029936 B2 JP S6029936B2 JP 54169173 A JP54169173 A JP 54169173A JP 16917379 A JP16917379 A JP 16917379A JP S6029936 B2 JPS6029936 B2 JP S6029936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- resist film
- ultraviolet light
- resist
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ポジ型レジストを用いてネガ像を得るパタ
ーン形成法に関する。
ーン形成法に関する。
ネガ型レジストは、これをパターン露光すると露光区域
が現像液に対して不熔化性となり、現像の際非露光区域
が除去されてネガ像が形成されるものであるが、非露光
区域の膨潤剥離が主たる現像メカニズムになっている。
が現像液に対して不熔化性となり、現像の際非露光区域
が除去されてネガ像が形成されるものであるが、非露光
区域の膨潤剥離が主たる現像メカニズムになっている。
そのため、露光エネルギーが比較的低い状態では、膨酒
により、ブリッジまたはヒゲと呼ばれるレジスト残膜が
発生しやすく、解像性低下の一因になっている。この現
象は、１なし、し２り肌以下の中の微細パターン形成の
際特に顕著である。また、既知のネガ型レジストは、除
去されるべき非露光区域が除去がいよいよ不完全であっ
て、当該部分に薄いレジスト残膜が残ることがある。こ
の残膜が存在すると、これを介して行なう下層のエッチ
ングに要する時間が長くなり、エッチング制御性が悪化
する酸素プラズマにより残膜を灰化して除去する対策が
提案されてはいるが、抜本的解決とはいえない。この発
明の目的は、従来のネガ型レジストの前記のような欠点
を克服し、従釆のネガ型レジストから得られるネガ像よ
りも精度の高い良質のネガ像を得ることができるパター
ン形成法を提供することである。また、ポジ型レジスト
をネガ型に反転する方法としてポジ型レジストに、たと
えば１ーヒドロキシェチル−２−ァルキルーィミダリン
のような添加剤を配合することが既に提案されているが
、一面からみればこの発明は、かような添加剤を用いる
ことなく、ポジ型レジストから良質のネガ像を形成する
方法を提供を目的とする。
により、ブリッジまたはヒゲと呼ばれるレジスト残膜が
発生しやすく、解像性低下の一因になっている。この現
象は、１なし、し２り肌以下の中の微細パターン形成の
際特に顕著である。また、既知のネガ型レジストは、除
去されるべき非露光区域が除去がいよいよ不完全であっ
て、当該部分に薄いレジスト残膜が残ることがある。こ
の残膜が存在すると、これを介して行なう下層のエッチ
ングに要する時間が長くなり、エッチング制御性が悪化
する酸素プラズマにより残膜を灰化して除去する対策が
提案されてはいるが、抜本的解決とはいえない。この発
明の目的は、従来のネガ型レジストの前記のような欠点
を克服し、従釆のネガ型レジストから得られるネガ像よ
りも精度の高い良質のネガ像を得ることができるパター
ン形成法を提供することである。また、ポジ型レジスト
をネガ型に反転する方法としてポジ型レジストに、たと
えば１ーヒドロキシェチル−２−ァルキルーィミダリン
のような添加剤を配合することが既に提案されているが
、一面からみればこの発明は、かような添加剤を用いる
ことなく、ポジ型レジストから良質のネガ像を形成する
方法を提供を目的とする。
前記の目的を達成するこの発明によるパターン形成法は
、キノンジアジド系ポジ型レジスト膜を波長が１８０な
し、し３０仇ｍの遠紫外光少なくとも２０仇ｎＪ／ので
パターン露光し、その露光したレジスト膜を熱処理して
露光区域を現像液に対し不溶化し、その熱処理したレジ
スト膜に波長３５仇ｍ以上の紫外光を全面照射して当該
レジスト膜の前記遠紫外光への非露光区域を現像液に対
し可溶化し、そしてそのように処理したレジスト膜を現
像してネガ像を得ることを特徴とする。
、キノンジアジド系ポジ型レジスト膜を波長が１８０な
し、し３０仇ｍの遠紫外光少なくとも２０仇ｎＪ／ので
パターン露光し、その露光したレジスト膜を熱処理して
露光区域を現像液に対し不溶化し、その熱処理したレジ
スト膜に波長３５仇ｍ以上の紫外光を全面照射して当該
レジスト膜の前記遠紫外光への非露光区域を現像液に対
し可溶化し、そしてそのように処理したレジスト膜を現
像してネガ像を得ることを特徴とする。
この発明で用いるキノンジアジド系ポジ型レジストは、
ナフトキノンジアジドのようなキノンジアジド系禁止剤
およびノボラックを溶解含有する有機溶媒溶液で、紫外
線ポジ型レジストとして公知であり、ＡＺ−１３５０，
ＡＺ−１３５０Ｊ，ＯＦＦＲ−７７およびＯＦＰＲ−７
８などの商品名で市場入手できる。
ナフトキノンジアジドのようなキノンジアジド系禁止剤
およびノボラックを溶解含有する有機溶媒溶液で、紫外
線ポジ型レジストとして公知であり、ＡＺ−１３５０，
ＡＺ−１３５０Ｊ，ＯＦＦＲ−７７およびＯＦＰＲ−７
８などの商品名で市場入手できる。
かようなしジスト液を基板に塗布し乾燥した塗膜を、波
長が３５仇ｍ以上の紫外光でパターン露光すると、露光
区域のレジスト膜が現像液に可溶となる。通常の紫外線
ポジ型レジストの感度は約４位ｈＪ／ｃ嫌程度であり、
現像液としては、いわゆるアルカリ現像液やメタルフリ
ー現像液が用いられている。この発明にしたがい、かよ
うなポジ型レジストを用いて所定パターンのネガ像を形
成するに当っては、常法により基板上に形成したレジス
ト膜を、波長が１８０なし、し３０仇ｍの遠紫外光でパ
ターン露光した後、熱処理して露光区域を現像液に対し
不溶化する。
長が３５仇ｍ以上の紫外光でパターン露光すると、露光
区域のレジスト膜が現像液に可溶となる。通常の紫外線
ポジ型レジストの感度は約４位ｈＪ／ｃ嫌程度であり、
現像液としては、いわゆるアルカリ現像液やメタルフリ
ー現像液が用いられている。この発明にしたがい、かよ
うなポジ型レジストを用いて所定パターンのネガ像を形
成するに当っては、常法により基板上に形成したレジス
ト膜を、波長が１８０なし、し３０仇ｍの遠紫外光でパ
ターン露光した後、熱処理して露光区域を現像液に対し
不溶化する。
／ボラックの不落化に要する露光エネルギーは２０仇ｈ
Ｊ／地以上であり、露光後の燃処理としては、８０ない
し１００ｏｏに１５なし、し２５分べーキングすること
ができる。熱処理したレジスト膜には、波長が３５仇ｍ
以上の紫外光を全面照射し、前記遠紫外光への非露出区
域を現像液に対し可溶化する。この際必要な露光エネル
ギーは約３０ないし５仇ｈＪ／のである。全面露光した
レジスト膜をアルカリ現像液またはメタルフリー現像液
で現像すると、前記遠紫外光への非露光区域が溶けて所
定パターンのネガ像が得られる。この発明の方法にあっ
ては、ボジ型レジストを用いてネガ像を形成するため、
現像は膨潤剥離でなく表面食刻的であり、したがって膨
週によるパターン劣化が実質的にない。
Ｊ／地以上であり、露光後の燃処理としては、８０ない
し１００ｏｏに１５なし、し２５分べーキングすること
ができる。熱処理したレジスト膜には、波長が３５仇ｍ
以上の紫外光を全面照射し、前記遠紫外光への非露出区
域を現像液に対し可溶化する。この際必要な露光エネル
ギーは約３０ないし５仇ｈＪ／のである。全面露光した
レジスト膜をアルカリ現像液またはメタルフリー現像液
で現像すると、前記遠紫外光への非露光区域が溶けて所
定パターンのネガ像が得られる。この発明の方法にあっ
ては、ボジ型レジストを用いてネガ像を形成するため、
現像は膨潤剥離でなく表面食刻的であり、したがって膨
週によるパターン劣化が実質的にない。
また、この発明では、除去すべきレジスト区域を、通常
のポジ型レジストの露光現像過程を経て除去するのであ
るから、全面露光工程における露光エネルギーをしかる
べく選択することにより、残膜が発生しない条件を容易
に見し、出すことができる。大抵の場合、適切な露光エ
ネルギーは既述のとおり約３０ないし５仇ｈＪ／のであ
る。さらに、この発明の方法では、パターン露光を、波
長が短かし、遠紫外光で実施するため、回折が少し、像
を形成できる。結局、この発明の方法によれば、従来の
ネガ型レジストから得られるネガ像よりも精度の高い良
質のネガ像を形成できることが了解されるであろう。次
に具体例を挙げ、この発明をさらに説明する。実施例 Ｓｉ基板上に形成した約４００Ａ厚さのＳｉ０２被膜に
、市販のキノンジアジド系ポジ型レジストＡＺ−１３５
０Ｊをスピン塗布法で塗布し、レジスト薄膜を形成した
。
のポジ型レジストの露光現像過程を経て除去するのであ
るから、全面露光工程における露光エネルギーをしかる
べく選択することにより、残膜が発生しない条件を容易
に見し、出すことができる。大抵の場合、適切な露光エ
ネルギーは既述のとおり約３０ないし５仇ｈＪ／のであ
る。さらに、この発明の方法では、パターン露光を、波
長が短かし、遠紫外光で実施するため、回折が少し、像
を形成できる。結局、この発明の方法によれば、従来の
ネガ型レジストから得られるネガ像よりも精度の高い良
質のネガ像を形成できることが了解されるであろう。次
に具体例を挙げ、この発明をさらに説明する。実施例 Ｓｉ基板上に形成した約４００Ａ厚さのＳｉ０２被膜に
、市販のキノンジアジド系ポジ型レジストＡＺ−１３５
０Ｊをスピン塗布法で塗布し、レジスト薄膜を形成した
。
そのレジスト薄膜を８０こ○で２０分間熱処理（ブレベ
ーキング）した。レジスト薄膜の厚さは約１．５仏仇で
あった。このレジストに、ラインアンドスベース／ぐタ
ーンの石英マスクを介して、５００Ｗキセノン−水銀ラ
ンプからの遠紫外光約２０仇ｈＪ／のを照射した後、９
０つ０で２０分間熱処理（ポストベーキング）した。
ーキング）した。レジスト薄膜の厚さは約１．５仏仇で
あった。このレジストに、ラインアンドスベース／ぐタ
ーンの石英マスクを介して、５００Ｗキセノン−水銀ラ
ンプからの遠紫外光約２０仇ｈＪ／のを照射した後、９
０つ０で２０分間熱処理（ポストベーキング）した。
Claims (1)
- １ 基板上に塗布されたキノンジアジト系ポジ型レジス
ト膜を波長が１８０ないし３００ｎｍの遠紫外光少なく
とも２００ｍＪ／ｃｍ＾２で所定パターンを露光し、そ
の露光したレジスト膜を熱処理して露光区域を現像液に
対し不溶化した後レジスト膜を波長が３５０ｎｍ以上の
紫外光を全面照射して当該レジスト膜の前記遠紫外光へ
の非露光区域を現像液に対し可溶化し、ネガ像を得るこ
とを特徴とするパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54169173A JPS6029936B2 (ja) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54169173A JPS6029936B2 (ja) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5692536A JPS5692536A (en) | 1981-07-27 |
| JPS6029936B2 true JPS6029936B2 (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=15881595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54169173A Expired JPS6029936B2 (ja) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029936B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0110557Y2 (ja) * | 1985-07-11 | 1989-03-27 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140345A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-02 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS5955434A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-30 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジストパターンの形成方法 |
| JPS5979249A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59146047A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型レジストのパターン形成方法 |
| US4609615A (en) * | 1983-03-31 | 1986-09-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| JPS6045244A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS59181535A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS59202462A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS6045242A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPS60130828A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6045243A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6180246A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Nec Corp | ポジレジスト材料 |
| JPS63269150A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPH01158451A (ja) * | 1987-09-25 | 1989-06-21 | Toray Ind Inc | 水なし平版印刷板の製版方法 |
| KR900001271B1 (ko) * | 1987-10-21 | 1990-03-05 | 삼성전자 주식회사 | 양성 감광성 수지를 이용한 음성패턴 형성방법 |
| JPH07123104B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1995-12-25 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
| JPH02207253A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Rohm Co Ltd | パターン形成用フォトマスク及び露光方法 |
| CN102166920B (zh) * | 2011-03-25 | 2013-03-06 | 宁波泰佳安全设备有限公司 | 箱体的升降脚轮结构 |
| JP6852558B2 (ja) | 2017-05-16 | 2021-03-31 | トヨタ紡織株式会社 | シート駆動装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49127615A (ja) * | 1973-04-07 | 1974-12-06 |
-
1979
- 1979-12-27 JP JP54169173A patent/JPS6029936B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49127615A (ja) * | 1973-04-07 | 1974-12-06 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0110557Y2 (ja) * | 1985-07-11 | 1989-03-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5692536A (en) | 1981-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6029936B2 (ja) | パタ−ン形成法 | |
| US4356255A (en) | Photosensitive members and a process for forming patterns using the same | |
| US4165395A (en) | Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation | |
| EP0160248A2 (en) | Method of forming narrow photoresist lines on the surface of a substrate | |
| JPS6258652B2 (ja) | ||
| JPS61200537A (ja) | 蒸気拡散画像反転によりポジのホトレジストの画像の質を高める方法 | |
| JPS5834922A (ja) | フオトリソグラフイ方法 | |
| JP3224602B2 (ja) | 感光性基材及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| JPS6249613B2 (ja) | ||
| US4816380A (en) | Water soluble contrast enhancement layer method of forming resist image on semiconductor chip | |
| JPH0143298B2 (ja) | ||
| JPH06267838A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2878274B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| US4997742A (en) | Water soluble contrast enhancement composition with 1-oxy-2 diazonaphthalene sulfonamide salt and polyvinyl alcohol | |
| JPH0553290A (ja) | 位相シフトマスク用ブランクおよび位相シフトマスク並びにその製造方法 | |
| JP3366441B2 (ja) | λ／４シフト回折格子の製造方法 | |
| JP3091886B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0290170A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH06348036A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JP3241809B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JPH0458170B2 (ja) | ||
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0831717A (ja) | レジストパターンの形成方法 |