JPS5955434A - ポジ型レジストパターンの形成方法 - Google Patents
ポジ型レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPS5955434A JPS5955434A JP57164859A JP16485982A JPS5955434A JP S5955434 A JPS5955434 A JP S5955434A JP 57164859 A JP57164859 A JP 57164859A JP 16485982 A JP16485982 A JP 16485982A JP S5955434 A JPS5955434 A JP S5955434A
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- Japan
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- exposure
- far
- rays
- development
- pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）与れ明の技術分野
本発明は遠う７： ”１’線用ポジレジストのパターン
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
（２）技術の１′刑
ＬＳＩの１？ｉ巣偵比にどもない従来のホトリソグラフ
ィより短波長の紫外線（［）ｅｅｐ−口Ｖ）’に用いる
リングラフィは殴れた解像力’ｚ：’ ７ｊ＜すこと、
従来の露光技術ど共辿性が高いこと等、微？ｌ：＋＋ｉ
パターンの転写（支＜ｌ：ｊ ｊ二し−Ｃ注目されてい
る。１．）ｅａｐ −ＬＪ Ｖリソグラフィの南用性に
伴なって１）ｅｅｐ −ＵＶ用レジストが調査、研究さ
れているがＷ！’１１々の１史月１条件を満足するよう
ｆｊ：、優秀なレジストは゛市販されていない０ （３）従来技術と問題点 従来、Ｄｅｅｐ−ＵＶ用レジストと１７−Ｃその１つは
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレ−ドラがＡυ用されて
いるが、電子線に対すると同様に高解像度であるが感度
が低いので実用性に乏しい。そこで感度が高いＰ１■Ｉ
Ｉ） Ｋ （ポリメチルイソプロピルケトンプ（ＯＤ
ＵＲ−１０１３ンが］）ｅｅｐ − ＩＪ Ｖ用レジス
トとして最も実用的である。
ィより短波長の紫外線（［）ｅｅｐ−口Ｖ）’に用いる
リングラフィは殴れた解像力’ｚ：’ ７ｊ＜すこと、
従来の露光技術ど共辿性が高いこと等、微？ｌ：＋＋ｉ
パターンの転写（支＜ｌ：ｊ ｊ二し−Ｃ注目されてい
る。１．）ｅａｐ −ＬＪ Ｖリソグラフィの南用性に
伴なって１）ｅｅｐ −ＵＶ用レジストが調査、研究さ
れているがＷ！’１１々の１史月１条件を満足するよう
ｆｊ：、優秀なレジストは゛市販されていない０ （３）従来技術と問題点 従来、Ｄｅｅｐ−ＵＶ用レジストと１７−Ｃその１つは
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレ−ドラがＡυ用されて
いるが、電子線に対すると同様に高解像度であるが感度
が低いので実用性に乏しい。そこで感度が高いＰ１■Ｉ
Ｉ） Ｋ （ポリメチルイソプロピルケトンプ（ＯＤ
ＵＲ−１０１３ンが］）ｅｅｐ − ＩＪ Ｖ用レジス
トとして最も実用的である。
しかしながら、Ｄｅｅｐ − ＵＶ用レしスｉ・とじて
最も良好なＯＤＵＲ− １ ０ １ ３にしてもレジス
トパターン形成の際、ＯＩ）ｔＪＲ− １ ０ １ ３
中の定在波の影響を受けやすいので露光時ＩＪ＋を現１
″５エネルギＥｔｈ１の２〜３倍となるよう長くし，な
ければならない０又、露光時間を長くするとマスクパタ
ーン幅によってパターン［ｊＪ余コントロールする必要
があるために大きな露光シフト量が必′！′ｙと・りる
Ｏなおシフト量は第１図で示したように石英マスク１ｖ
ｃｔ皮５（Ｉされたクロム２０幅ｅｌｌからレジストパ
ターン３０幅ｉｆ引いた値、すなわらｋ。−Ｉ！ｆｆ：
意味する０史すこＯＤ ＬＪ Ｒ−１０１３ｆＫ：用い
てレジストパターンを形成する場合、スプレーで容易に
現像することが可能であるが約２分以上の長い現像時間
が心像である。現像時間は露光時間を長くすればそｈだ
り現像時間が帰線されるが処理能率が悪くなる０ （４）発明の目的 以、上の欠点ｃ沫み不発明は遠紫外線用ボジレジスｌ、
に外いて〕（Ｌ曲性全改良することをＩＪ的とする。
最も良好なＯＤＵＲ− １ ０ １ ３にしてもレジス
トパターン形成の際、ＯＩ）ｔＪＲ− １ ０ １ ３
中の定在波の影響を受けやすいので露光時ＩＪ＋を現１
″５エネルギＥｔｈ１の２〜３倍となるよう長くし，な
ければならない０又、露光時間を長くするとマスクパタ
ーン幅によってパターン［ｊＪ余コントロールする必要
があるために大きな露光シフト量が必′！′ｙと・りる
Ｏなおシフト量は第１図で示したように石英マスク１ｖ
ｃｔ皮５（Ｉされたクロム２０幅ｅｌｌからレジストパ
ターン３０幅ｉｆ引いた値、すなわらｋ。−Ｉ！ｆｆ：
意味する０史すこＯＤ ＬＪ Ｒ−１０１３ｆＫ：用い
てレジストパターンを形成する場合、スプレーで容易に
現像することが可能であるが約２分以上の長い現像時間
が心像である。現像時間は露光時間を長くすればそｈだ
り現像時間が帰線されるが処理能率が悪くなる０ （４）発明の目的 以、上の欠点ｃ沫み不発明は遠紫外線用ボジレジスｌ、
に外いて〕（Ｌ曲性全改良することをＩＪ的とする。
（５）発明の擾゛１１成
本発明の目的は遠紫外線露光を実施し、次に紫外線露ノ
゛Ｃを’：ｐ楕し、次に現像を行なうこと全特徴とする
遠紫外線用ポジレジスト金バターニングする方法によっ
て達成される・、 すなわらべ発明の方法は従来のように遠紫外線１ｚ光後
、すぐに現像を行なって該レジストに：パターニングす
ミ、ものでなく、遠紫外線露光の後に該遠：′紮外線を
カッｌ−１，’ｒ紫外線によって露光２行ない、その後
に現像を行なうものである。
゛Ｃを’：ｐ楕し、次に現像を行なうこと全特徴とする
遠紫外線用ポジレジスト金バターニングする方法によっ
て達成される・、 すなわらべ発明の方法は従来のように遠紫外線１ｚ光後
、すぐに現像を行なって該レジストに：パターニングす
ミ、ものでなく、遠紫外線露光の後に該遠：′紮外線を
カッｌ−１，’ｒ紫外線によって露光２行ない、その後
に現像を行なうものである。
本発明の場合、紫外線露光は１〜５秒間実施すればよい
。又遠紫外線用ポジレジストとしては市販の０ＤＯＲ−
１０１３（ＰＭＩＰＫ）が好ましい０ （６）発明の実施例 以下本発明の実施例全従来例と比較しながら図面に基づ
いて説明する。
。又遠紫外線用ポジレジストとしては市販の０ＤＯＲ−
１０１３（ＰＭＩＰＫ）が好ましい０ （６）発明の実施例 以下本発明の実施例全従来例と比較しながら図面に基づ
いて説明する。
偲２図に従来例（テス）ｍｌ ）の場合と本発明（テス
ト−２，３，４）の場合におけるＤｅｅｐ −ＵＶボジ
レジヌトの残膜厚が０になる透過度、並びに定在波によ
る該レジストの残渣がなくなる透過度を示すグラフであ
る。露光条件としては、従来例の場合ＤｅｅｐＵＶ露党
は、２２０ ｎｍの波長で１０ ｍｗ／ｃ４の出力、又
Ｑよ２５３．７行ｍの波長で９、０ ｍｗ／ａｎｔの出
力で２５．０秒間実施された。−力木発明の場合は前述
の従来例と同様の露光条件でｐｅｅｐ−ＵＶ露露光桁行
った後、ソーダガラス（素通し）をマスクとしてＤＱｅ
ｐ −ＵＶを刷新し、３６５ｎｍの波長のＵＶ、３１Ｔ
Ｉ Ｗ ／ ｃｒＩ の出力で露光全実施したもので７
）す、テストＮ１１１２，３．４はＵＶ露光時ｆト１を
変えｒ′ノテ怖し７たものでありそれぞれ５秒間、３秒
間、１彩）ＩＩＪＩの露光時間であった。そして各１１
１（光’Ｉｃ実１１１ｉ Ｌ／ブｒ−ｆＳ−、スプレー
１ ’Ｊ４ ｊｉｆｆ Ｇ ＣＡ ６８０１）愛用い
で」２０秒間、スプレー現像を行なったものである。ｒ
ｆｘ ３図によれば残１候厚がＯＫなる透過度（８１暑
光ｍ、）は従来例であるＮｎ１の鳴負が最も少ないもの
の、定在波による残渣がなくなる透過度は４Ｇ、７％と
７に発明の、場合の３８．９％より大きい値であった。
ト−２，３，４）の場合におけるＤｅｅｐ −ＵＶボジ
レジヌトの残膜厚が０になる透過度、並びに定在波によ
る該レジストの残渣がなくなる透過度を示すグラフであ
る。露光条件としては、従来例の場合ＤｅｅｐＵＶ露党
は、２２０ ｎｍの波長で１０ ｍｗ／ｃ４の出力、又
Ｑよ２５３．７行ｍの波長で９、０ ｍｗ／ａｎｔの出
力で２５．０秒間実施された。−力木発明の場合は前述
の従来例と同様の露光条件でｐｅｅｐ−ＵＶ露露光桁行
った後、ソーダガラス（素通し）をマスクとしてＤＱｅ
ｐ −ＵＶを刷新し、３６５ｎｍの波長のＵＶ、３１Ｔ
Ｉ Ｗ ／ ｃｒＩ の出力で露光全実施したもので７
）す、テストＮ１１１２，３．４はＵＶ露光時ｆト１を
変えｒ′ノテ怖し７たものでありそれぞれ５秒間、３秒
間、１彩）ＩＩＪＩの露光時間であった。そして各１１
１（光’Ｉｃ実１１１ｉ Ｌ／ブｒ−ｆＳ−、スプレー
１ ’Ｊ４ ｊｉｆｆ Ｇ ＣＡ ６８０１）愛用い
で」２０秒間、スプレー現像を行なったものである。ｒ
ｆｘ ３図によれば残１候厚がＯＫなる透過度（８１暑
光ｍ、）は従来例であるＮｎ１の鳴負が最も少ないもの
の、定在波による残渣がなくなる透過度は４Ｇ、７％と
７に発明の、場合の３８．９％より大きい値であった。
第３Ａ図醍び：１〜３１目閃Ｕ土それぞノを戸ストＭ１
、及び２の透ノへ則：１ｆ１．２％の時の、ＬＪＪ、像
状況を示したものである０４ケ支レジ、スト（月）Ｕｌ
も１ｏ１３のパターンで、ちり ５ Ｖ；ｉ該しジスト
の残渣である。第３Ａ図、第ｚロ３図から明らかに’７
５３ Ｂ図（不発明）の場合の方が残渣が著るしく少な
いことが云える。
、及び２の透ノへ則：１ｆ１．２％の時の、ＬＪＪ、像
状況を示したものである０４ケ支レジ、スト（月）Ｕｌ
も１ｏ１３のパターンで、ちり ５ Ｖ；ｉ該しジスト
の残渣である。第３Ａ図、第ｚロ３図から明らかに’７
５３ Ｂ図（不発明）の場合の方が残渣が著るしく少な
いことが云える。
なおテス）ｒｎ３．４の場ａもは！デ、ストｍ２と同様
の少ない残７１Ｖであった。
の少ない残７１Ｖであった。
又透過度が４０〜５０ ％ ｉ”ａ ｆｌｃｊ’；、
＆；Ｉシン）ｌが０、 ；３５〜（１，４０ｔｔ ｍ
’５ｇと、従来の、１ハ合ト氷ＲＦ１４の場合において
あまり差はないが透過度が６０％μ上になるとシフ）
３１が約０．１／ｊｍ程度従来の場合の方が大きくなっ
ノζ。このより ［ｔこ不発ψ）の万が現像性が１ｔυ
上しているのはＤｅｅｐ−ＵＶ島尤喚更にＬＪＶＪ光す
ることによって０１） Ｕ ｉｔ １０．１３ ノ＞ｊ
：α波の強度分布が波形の凹凸′ｆ：緩やかにするよう
に変形せしめられるものと考えられる。
＆；Ｉシン）ｌが０、 ；３５〜（１，４０ｔｔ ｍ
’５ｇと、従来の、１ハ合ト氷ＲＦ１４の場合において
あまり差はないが透過度が６０％μ上になるとシフ）
３１が約０．１／ｊｍ程度従来の場合の方が大きくなっ
ノζ。このより ［ｔこ不発ψ）の万が現像性が１ｔυ
上しているのはＤｅｅｐ−ＵＶ島尤喚更にＬＪＶＪ光す
ることによって０１） Ｕ ｉｔ １０．１３ ノ＞ｊ
：α波の強度分布が波形の凹凸′ｆ：緩やかにするよう
に変形せしめられるものと考えられる。
（７）発明の効果
以上の説明から本発明により露光時間又は現像時間を短
縮することが可能であシ（に露光ジット凰葡少７２＜１
−ることが出来る。
縮することが可能であシ（に露光ジット凰葡少７２＜１
−ることが出来る。
第１図は露光／フトｌｔを説明するための・眠略図゛Ｃ
′るり、１＝ル２：Δは従来列と不発明の〕兄（ｙ住忙
比１ダし／と結果を示したグラフであり、第３ Ａ ｌ
ｘｌ ｊｐ−ひ第３１３図はｉｌｉ過度３０．２頭の場
合のぞ−ｎぞれ従来例及び本発明のレジスト残置を示し
たもので、ｖ）る。 ■・・・・・石英マスク、２・・・・・・クロム、３．
ｌト旧・・レジストパターン、５・・・・・・レジスト
残故。
′るり、１＝ル２：Δは従来列と不発明の〕兄（ｙ住忙
比１ダし／と結果を示したグラフであり、第３ Ａ ｌ
ｘｌ ｊｐ−ひ第３１３図はｉｌｉ過度３０．２頭の場
合のぞ−ｎぞれ従来例及び本発明のレジスト残置を示し
たもので、ｖ）る。 ■・・・・・石英マスク、２・・・・・・クロム、３．
ｌト旧・・レジストパターン、５・・・・・・レジスト
残故。
Claims (1)
- １、遠紫外線露光全実施し、次に紫外線露光を実施し、
次Ｖ′Ｃ現像を行なうことを特徴とする遠紫外線用ポジ
レジストのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164859A JPS5955434A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ポジ型レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164859A JPS5955434A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ポジ型レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955434A true JPS5955434A (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0349100B2 JPH0349100B2 (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=15801269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164859A Granted JPS5955434A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ポジ型レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955434A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51122146A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-26 | Iwasaki Electric Co Ltd | A process for curing and drying of ultraviolet-curing coating compound , ink or a resin plate |
| JPS5492801A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-23 | Ibm | Photolithographic method |
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS56144539A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Ltd | Formation of fine pattern |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57164859A patent/JPS5955434A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51122146A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-26 | Iwasaki Electric Co Ltd | A process for curing and drying of ultraviolet-curing coating compound , ink or a resin plate |
| JPS5492801A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-23 | Ibm | Photolithographic method |
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS56144539A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Ltd | Formation of fine pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349100B2 (ja) | 1991-07-26 |
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