JPS6029231B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6029231B2
JPS6029231B2 JP14971876A JP14971876A JPS6029231B2 JP S6029231 B2 JPS6029231 B2 JP S6029231B2 JP 14971876 A JP14971876 A JP 14971876A JP 14971876 A JP14971876 A JP 14971876A JP S6029231 B2 JPS6029231 B2 JP S6029231B2
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JP
Japan
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region
substrate
present
conductivity type
type
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JP14971876A
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English (en)
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JPS5374386A (en
Inventor
健明 岡部
功 吉田
嶺雄 勝枝
鹿之 越智
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電界効果トランジスタに関するものである。
従来の電界効果トランジスタの一例として２重拡散形電
界効果トランジスタの断面構造図を第１図に、金属電極
形成前の平面図を第２図に示す。１はｐ形基板で、３は
ｐ形低濃度拡散層である。
２および４はｎ型の高濃度拡散層で、各々ドレィン領域
およびソース領域である。
６はゲート電極で、領域３はＭＯＳＦＥＴのいわゆる基
板となっている。
第２図１川ま領域３、領域４へのコンタクト穴である。
領域３はトランジスタのベース領域と同様深さ方向の幅
は高々２〜３山ｍ程度であるから、ゲート電極直下から
ソース電極７へ致る直列抵抗は大きい。この抵抗と、Ｍ
ＯＳＦＥＴの基板電流により生ずる電位降下は、ＭＯＳ
ＦＥＴのしきし・電圧を減少させる働きをするため、不
安定性発生の原因となる。以上の事実は第３図に示した
構造の電界効果トランジスタについてもいえる。
同図においては、ＭＯＳＦＥＴ とたて構造の接合型Ｆ
ＥＴの直結接続となっている。同図において、第１図と
同一番号は第１図と同じである。又、１′はｎ形基板、
３′はｎ形拡散層であり、５′は接合型ＦＥＴのドレィ
ン電極である。同図の構成において、ソース領域４は２
重拡散でつくられる必要はなく、ゲート電極６をマスク
とするイオン打込み、熱拡散などで作成しても同じであ
る。本発明の目的は、上述の欠点を改良し、安定な電界
効果トランジスタを得ることである。
上記目的を達成するため、ソース領域の形状とコンタク
トの取り出し方法を改良した。以下本発明を実施例によ
り詳細に説明する。第４図は本発明の実施例の断面構造
を示し、先に第１図、第２図に示した構造に本発明を適
用した図で、１はｐ形基板、２，４は各々高濃度ｎ形領
域でドレィンおよびソースである。
３は低濃度ｐ形層である。
第５図は、金属電極を形成する前段階の平面図で、１川
まソース、基板のコンタクト穴である。素子の製法は従
来確立されている工程がそのまま利用できた。従来例と
異なる点はソース領域の形状で、従来の矩形に対し、本
発明では櫛歯状になっている。第５図Ａ，Ａ′の断面構
造は第１図のようになり、Ｂ，Ｂ′の断面図は第３図の
ようになっている。つまりコンタクト領域は第５図に示
されているように、ソースコンタクトと基板コンタクト
が相互に繰返し配列されている。この配列を採用するこ
とによる直列抵抗の改善の度合を次に述べる。第６図は
上記配列の１ユニットを示す。シート抵抗をｐｓとすれ
ば従来の直列抵抗はＲＳ＝ｐＳ（１，十１２）．．．．
．．｛１ーとなる。
一方、本発明の場合の直列抵抗をＲＳ′とすれば、とな
る。
但しＲ．三雲１”ｐＳ，Ｒ２＝Ｒ３＝２１２ｐ２従って
、となり、本実施例の場合１，＝１０仏ｍ，１２＝３仏
ｍであるから１２／１．＝３／１０となり従って｛３’
式からＲＳ′／Ｒｓ２１／３となる。
つまり直列抵抗は３０％程度の改善がある。不安定性の
発生の臨界電圧は直列抵抗に比例するから、不安定性の
臨界電圧も３０％改善されたことになる。以上述べたよ
うに本発明を用いればベース直列低抗を減少し、不安定
性の発生を防ぐことができる。
第７図は本発明の他の実施例で、第１の実施例の領域３
内に、同一導電形でかつ高濃度の領域を設け、ソース電
極とのオーミックコンタクトを容易にしたもので、本質
的には実施例１と同じである。
もちろん、本発明は第４図、第７図の実施例に限定され
るものでなく、第３図に示した従来例に適用しても効果
があることは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれ‘ま、基板電流の変動に
よる基板電位の変動を低く押えることができるため、安
定な電界効果トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来の２重拡散形ＭＯＳＦＥＴの断面
図および平面図、第３図は他の従来例の断面図、第４図
、第５図は本発明の実施例の断面図および平面図、第６
図は本発明の効果を説明するための図で、第７図は本発
明の他の実施例を説明するための図である。 ※ｌ図 弟２図 篤３図 Ｘ４図 ＸＳ図 力６図 豹７図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板と、該基板表面の一部に形成された第１
    導電型領域と、該第１導電型内の表面の一部に形成され
    た第２導電型のソース領域と、該ソース領域と上記基板
    とにはさまれた上記第１導電型領域の表面に絶縁物を介
    して形成されたゲート電極とを有する電界効果形トラン
    ジスタにおいて、上記ソース領域の上記ゲート電極側で
    ない端部が櫛歯状に形成されていることを特徴とする半
    導体装置。
JP14971876A 1976-12-15 1976-12-15 半導体装置 Expired JPS6029231B2 (ja)

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JPS5374386A JPS5374386A (en) 1978-07-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0550320U (ja) * 1991-12-09 1993-07-02 横河電機株式会社 流量測定装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5553462A (en) * 1978-10-13 1980-04-18 Int Rectifier Corp Mosfet element
US5191396B1 (en) * 1978-10-13 1995-12-26 Int Rectifier Corp High power mosfet with low on-resistance and high breakdown voltage
US5869371A (en) * 1995-06-07 1999-02-09 Stmicroelectronics, Inc. Structure and process for reducing the on-resistance of mos-gated power devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0550320U (ja) * 1991-12-09 1993-07-02 横河電機株式会社 流量測定装置

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