JPS6027654A - セラミツク成形品の製造方法 - Google Patents
セラミツク成形品の製造方法Info
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- JPS6027654A JPS6027654A JP59132807A JP13280784A JPS6027654A JP S6027654 A JPS6027654 A JP S6027654A JP 59132807 A JP59132807 A JP 59132807A JP 13280784 A JP13280784 A JP 13280784A JP S6027654 A JPS6027654 A JP S6027654A
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- Japan
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- ceramic
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- molded article
- resin
- ceramic molded
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック成形品の製造方法に係り、更に詳し
くはセラミック成形品を熱間アイソスタチックプレスす
る方法に関する。
くはセラミック成形品を熱間アイソスタチックプレスす
る方法に関する。
セラミック成形品を熱間アイソスタチックブレスする方
法が種々知られている。第１の周知の方法は粉末よりな
る予備成形品を先ず冷間アイソスタチックプレス成形す
るか又は型に注入成形して形成し、次いで、粉末よりな
る予備成形品を気密なカプセルで包み、熱間アイソスタ
チックブレスする方法である０又、第２の周知の方法は
予め造った粉末よりなる予備成形品を焼結して密度が？
！チ以下で気孔が開いたままの状態のものを形成し、次
いで焼結形成したものを同様に気密なカプセルで包み、
熱間アイソスタチックブレスする方法である。更に第３
の周知の方法は予め造った粉末よりなる予備成形品を焼
結して密度が２タチ以上で気孔が閉じられた状態のもの
を形成し、次いで焼結形成したものを同様に気密なカプ
セルで包み、熱間アイソスタチックプレスする方法であ
る。最初にのべた二つの方法において用いるカプセルと
しては通常のガラスが用いられる。
法が種々知られている。第１の周知の方法は粉末よりな
る予備成形品を先ず冷間アイソスタチックプレス成形す
るか又は型に注入成形して形成し、次いで、粉末よりな
る予備成形品を気密なカプセルで包み、熱間アイソスタ
チックブレスする方法である０又、第２の周知の方法は
予め造った粉末よりなる予備成形品を焼結して密度が？
！チ以下で気孔が開いたままの状態のものを形成し、次
いで焼結形成したものを同様に気密なカプセルで包み、
熱間アイソスタチックブレスする方法である。更に第３
の周知の方法は予め造った粉末よりなる予備成形品を焼
結して密度が２タチ以上で気孔が閉じられた状態のもの
を形成し、次いで焼結形成したものを同様に気密なカプ
セルで包み、熱間アイソスタチックプレスする方法であ
る。最初にのべた二つの方法において用いるカプセルと
しては通常のガラスが用いられる。
しかしながら、カプセルな除くことは困難である。又、
高温のときにはガラスが軟化してしまうので、熱間アイ
ソスタチックプレスを行なうときの温度が／７００ない
し／ｒｊ００ｃに制限されるという欠点がある。粉末よ
りなる予備成形品にその高熱安定性を低下させる焼結助
剤（例えばＳｉ３Ｎ。
高温のときにはガラスが軟化してしまうので、熱間アイ
ソスタチックプレスを行なうときの温度が／７００ない
し／ｒｊ００ｃに制限されるという欠点がある。粉末よ
りなる予備成形品にその高熱安定性を低下させる焼結助
剤（例えばＳｉ３Ｎ。
中に入れられるＭｇＯ又はＹｔＯｓ ）又は強度を低下
させる焼結助剤（例えばＢ１０中に入れられるほう素又
はアルミニウム又は炭素）又は熱伝導率を低下させる焼
結助剤（例えばＳｉＣ中に入れられるほう素又はアルミ
ニウム又は炭素）を含む。焼結助剤は原則として（最初
にのべた二つの周知の方法によるように）ガ２スカグセ
ルが耐え得る温度下で熱間アイソスタテックブレスを行
うことを可能ならしめるために、或いは（あとにのべた
二つの方法によるように）所望の焼結を行うことを可能
ならしめるために原則として必要なものである。
させる焼結助剤（例えばＢ１０中に入れられるほう素又
はアルミニウム又は炭素）又は熱伝導率を低下させる焼
結助剤（例えばＳｉＣ中に入れられるほう素又はアルミ
ニウム又は炭素）を含む。焼結助剤は原則として（最初
にのべた二つの周知の方法によるように）ガ２スカグセ
ルが耐え得る温度下で熱間アイソスタテックブレスを行
うことを可能ならしめるために、或いは（あとにのべた
二つの方法によるように）所望の焼結を行うことを可能
ならしめるために原則として必要なものである。
しかしながら上記の欠点な解消するために焼結助剤の量
は極力少量であるのが望ましいものである〇〔発明が解
決しようとする問題点〕 そこで本発明の課題は容易に除くことができるか又は成
形品上に残存させることができ、しかもセラミック部分
の圧縮に必要な温度下でわず力）しか軟化しないカグセ
）ｖｔ７予め造られた粉末よりなる予備成形品の表面に
形成することかできる、セラミック成形品な熱間アイソ
スタテックプレスする方法を提供することにあるＯ 〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明者は上記の問題点を解決すべ”く研究の結果、予
め造られたセラミック前体の表面圧無定形炭素層な形成
し、次いで熱間アイソスタテックプレスを行うことによ
り上記の問題点を解決し得ることを見いだし、かかる知
見にもとづいて本発明を完成したものである。
は極力少量であるのが望ましいものである〇〔発明が解
決しようとする問題点〕 そこで本発明の課題は容易に除くことができるか又は成
形品上に残存させることができ、しかもセラミック部分
の圧縮に必要な温度下でわず力）しか軟化しないカグセ
）ｖｔ７予め造られた粉末よりなる予備成形品の表面に
形成することかできる、セラミック成形品な熱間アイソ
スタテックプレスする方法を提供することにあるＯ 〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明者は上記の問題点を解決すべ”く研究の結果、予
め造られたセラミック前体の表面圧無定形炭素層な形成
し、次いで熱間アイソスタテックプレスを行うことによ
り上記の問題点を解決し得ることを見いだし、かかる知
見にもとづいて本発明を完成したものである。
即ち本発明の要旨は窒化珪素又は炭化珪素よりなるセラ
ミック前体に気密なカプセルをつけ、次いで熱間アイソ
スタテイフグレスを行ない、次いでカプセルをとりのぞ
くセラミック成形品の製造方法において、セラミック前
体の表面に無定形炭素層な形成することＫよって気密な
カグセ〃を形成し、且つ前記炭素層を焼くことにより、
カプセルの除去を行なうことを特徴とするセラミック成
形品の製造方法である。
ミック前体に気密なカプセルをつけ、次いで熱間アイソ
スタテイフグレスを行ない、次いでカプセルをとりのぞ
くセラミック成形品の製造方法において、セラミック前
体の表面に無定形炭素層な形成することＫよって気密な
カグセ〃を形成し、且つ前記炭素層を焼くことにより、
カプセルの除去を行なうことを特徴とするセラミック成
形品の製造方法である。
先ず、本発明において、冷間アインスタチツクグレス成
形や型に注入・成形するなどの成形法により生の状態で
成形加工することにより窒化珪素又は炭化珪素よりなる
セラミック前体を形成する。
形や型に注入・成形するなどの成形法により生の状態で
成形加工することにより窒化珪素又は炭化珪素よりなる
セラミック前体を形成する。
次いでセラミック前体の表面に無定形炭素層を形成する
。
。
無定形炭素層なセラミック前体の表面に設はイために、
金目Ａ、予め造られたセラミック前体ＩＣフェノ−／Ｉ
／４１１脂、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を塗布す
るか、又は前記樹脂中にセラミック前体に浸漬すること
を７回ないし複数回行う。そして前記樹脂な塗布もしく
は前記樹脂中に浸漬したセラミック前体を／！θ〜２−
ｔＯ’Ｃで熱処理することによって硬化させる。そのと
きに別の熱処理によって樹脂のコークス化を行５ｏあと
Ｋのべたコークス化のための熱処理は不活性ガス中もし
くは真空下で７時間につき約１０ ’Ｃ！ずつ昇温する
ようＫゆっくりと熱することにより行う。
金目Ａ、予め造られたセラミック前体ＩＣフェノ−／Ｉ
／４１１脂、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を塗布す
るか、又は前記樹脂中にセラミック前体に浸漬すること
を７回ないし複数回行う。そして前記樹脂な塗布もしく
は前記樹脂中に浸漬したセラミック前体を／！θ〜２−
ｔＯ’Ｃで熱処理することによって硬化させる。そのと
きに別の熱処理によって樹脂のコークス化を行５ｏあと
Ｋのべたコークス化のための熱処理は不活性ガス中もし
くは真空下で７時間につき約１０ ’Ｃ！ずつ昇温する
ようＫゆっくりと熱することにより行う。
無定形炭素により気密な層な形成する必要性があり、７
回の塗布もしくは浸漬で所望の気密性を有する層が形成
されないときには、セラミック前体に再度樹脂を塗布し
、気密な層が形成される迄、上記の処理な繰り返して行
う。これは７回ないし３回よりも多く繰り返して行う必
要はほとんどない０ フェノール樹脂の代りにエポキシ樹脂又はポリイミド樹
脂を用いることができる。前記樹脂の塗布は回転シンタ
リンダによって行うことができ、％にエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂を回転シンタリングによって行うことがで
きる。回転シンタリングによって特に一様な層を得るこ
とができる。
回の塗布もしくは浸漬で所望の気密性を有する層が形成
されないときには、セラミック前体に再度樹脂を塗布し
、気密な層が形成される迄、上記の処理な繰り返して行
う。これは７回ないし３回よりも多く繰り返して行う必
要はほとんどない０ フェノール樹脂の代りにエポキシ樹脂又はポリイミド樹
脂を用いることができる。前記樹脂の塗布は回転シンタ
リンダによって行うことができ、％にエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂を回転シンタリングによって行うことがで
きる。回転シンタリングによって特に一様な層を得るこ
とができる。
前記樹脂のコークス化は加圧下で（例えばＡｒ又はＮ２
ガスの雰囲気下で）すばや（行５ｏこのコークス化は
第１のコークス化工程のとキニ優先的におこり、第２の
コークス化工程は、ガスの雰囲気内で行うと当該層下に
ガスが閉じ込められてしまい、そのガスが熱間アイソス
タチックブレスの際の圧縮を妨げるので真空下で行なわ
れる（但し、ガスの封入は後述するように望ましい）０
本発明においてセラミック前体として、ｆ記のものを利
用セきる。
ガスの雰囲気下で）すばや（行５ｏこのコークス化は
第１のコークス化工程のとキニ優先的におこり、第２の
コークス化工程は、ガスの雰囲気内で行うと当該層下に
ガスが閉じ込められてしまい、そのガスが熱間アイソス
タチックブレスの際の圧縮を妨げるので真空下で行なわ
れる（但し、ガスの封入は後述するように望ましい）０
本発明においてセラミック前体として、ｆ記のものを利
用セきる。
−ＭｇＯ又はＹ２Ｏ３をＯ，Ｓないし！チ含む反応結合
された窒化珪素よりなるもの。
された窒化珪素よりなるもの。
一〇、２μないし弘θμの粒度な有するＳｉ、Ｎ、粉末
よりなるもの。
よりなるもの。
Ｓｉ、Ｎ、粉末の平均粒度は／ないし２μ（最大粒度７
０μ以下）が特に好ましい。次に純度はり！ないしタタ
、９％で、特に９９−の純度のものが好ましい。
０μ以下）が特に好ましい。次に純度はり！ないしタタ
、９％で、特に９９−の純度のものが好ましい。
Ｓｉ、Ｍ、粉末ＶＣは焼結助剤２例えばＳｉ３Ｎ４粉末
と同様の粒度のＭｇＯもしくはＹ、０３粉末ｆＯ，／な
いし！チ含ませても良い。焼結助剤を添加することによ
って、成形品の塑性が変化せしめられる。
と同様の粒度のＭｇＯもしくはＹ、０３粉末ｆＯ，／な
いし！チ含ませても良い。焼結助剤を添加することによ
って、成形品の塑性が変化せしめられる。
−炭化珪素の粉末よりなるもの。炭化珪素の純度は９夕
ないし９９．９チで、特に９♂チのものが好ましい。炭
化珪素粉末には粒子成長防止剤として、例えば０．２な
いしｊチのＡ４１０Ｂ 、 ＭｇＯ、ＴｉＮ 、 Ｙ２
Ｏ３。
ないし９９．９チで、特に９♂チのものが好ましい。炭
化珪素粉末には粒子成長防止剤として、例えば０．２な
いしｊチのＡ４１０Ｂ 、 ＭｇＯ、ＴｉＮ 、 Ｙ２
Ｏ３。
ＴｉＣ！ （粒度Ｏ０，２ないしｉｏμ。好ましくは平
均粒度／μ以下、最大粒度ｌＯμｍ以下）を含ませるこ
とができる。
均粒度／μ以下、最大粒度ｌＯμｍ以下）を含ませるこ
とができる。
熱間アイソスタチックプレス中の粒子の成長を少、（す
ることにより良好な機械特性（強度）を得ることができ
る。
ることにより良好な機械特性（強度）を得ることができ
る。
熱間アイソスタチックプレスは／７０θないし２ｊＯθ
００．圧力！θＯないし３００θバールのもとでおこな
われる。処理の時間は３０分ないし２時間である。Ｓｉ
３Ｎ４かうなるものを熱間アイソスタチックブレスする
際、無定形炭素の層を作るために樹脂をコークス化する
ことを０．７ないし３００バールの窒素の雰囲気下で行
うのが有利である。窒素はカブセル内に封じ込められ、
’Ｓｉ、Ｎ、の熱解離を防止する。
００．圧力！θＯないし３００θバールのもとでおこな
われる。処理の時間は３０分ないし２時間である。Ｓｉ
３Ｎ４かうなるものを熱間アイソスタチックブレスする
際、無定形炭素の層を作るために樹脂をコークス化する
ことを０．７ないし３００バールの窒素の雰囲気下で行
うのが有利である。窒素はカブセル内に封じ込められ、
’Ｓｉ、Ｎ、の熱解離を防止する。
無定形炭素層は空気中で６０θ〜／２００００で熱処理
し、焼くことにより除去することができる。
し、焼くことにより除去することができる。
本発明において、無定形炭素層は窒化珪素又は炭化珪素
よりなるセラミック前体を包む気密なカブセルとしての
機能を果すものである。無定形炭素層は熱間アイソスタ
チックプレスを行う温度下で、十分に塑性変形する。
よりなるセラミック前体を包む気密なカブセルとしての
機能を果すものである。無定形炭素層は熱間アイソスタ
チックプレスを行う温度下で、十分に塑性変形する。
本発明の方法により、セラミック前体の表面に気密な層
を容易に得ることができる。この層はセラミック前体に
浸透するが、これは本質的ではない。この層は必要に応
じて熱処理（１，０θ〜／２０θＯＣの空気中で燃焼）
することにより除去することができる。
を容易に得ることができる。この層はセラミック前体に
浸透するが、これは本質的ではない。この層は必要に応
じて熱処理（１，０θ〜／２０θＯＣの空気中で燃焼）
することにより除去することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 窒化珪素又は炭化珪素よりなるセラミック前体
を気密なカプセルで包み、次いで熱間アイソスタチック
ブレスを行い、次いでカプセルをとりのぞくセラミック
成形品の製造方法において、セラミック前体の表面に無
定形炭素層を形成することによって気密なカプセルを形
成し、且つ前記炭素層を焼くことにより、カプセルの除
去を行うことを特徴とするセラミック成形品の製造方法
。 （２）予め造られたセラミック前体の表面にフェノール
樹脂、エポキ７ｍ脂、又はポリイミド樹脂を塗布するか
、もしくはセラミック前体な前記樹脂中に浸漬すること
を７回ないし複数回行うことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のセラミック成形品の製造方法。 （３）前記樹脂を塗布したセラミック前体、もしくは前
記樹脂中に浸漬したセラミック前体を／！θないし２Ｊ
′θ０Ｃで熱処理することによって硬化させることな特
徴とする特許請求の範囲第２項記載のセラミック成形品
の製造方法。 （４）前記樹脂を塗布したセラミック前体、もしくは前
記樹脂中に浸漬したセラミック前体に更に熱処理を施す
ことによって前記樹脂をコークス化することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項又は第３項記載のセラミック成
形品の製造方法。 （５）コークス化のための熱処理を不活性ガス中もしく
は真空下でセラミック前体をゆっくりと熱することによ
り行うことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のセ
ラミック成形品の製造方法。 （６）熱処理（硬化ならびにコークス化）をセラミック
前体の各樹脂塗布もしくは浸漬過程ののちに行うことを
特徴とする特許請求の範囲第３項。 第４項、又は第５項記載のセラミック成形品の製造方法
。 （））加圧しながら第１のコークスを行い、且つ必要に
応じて真空下で第一のコークス化を行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第４項、第５項。 又は第６項記載のセラミック成形品の製造方法。 （８）前記樹脂の塗布を回転シンタリングによって行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項。 第２項、第３項、第４項、第、５項、第６項、又は第７
項記載のセラミック成形品の製造方法。 （９）セラミック前体としてＭｇＯ又はＹ２Ｏ３をθ、
！ないし６％含む反応結合された窒化珪素からなるもの
な用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２
項、第３項、第４項、第５項、第６項。 第１項、又は第８項記載のセラミック成形品の製造方法
。 （ｌＯ）セラミック前体として／ないし２μの平均粒度
と２タチの純度を有するＳｉ３Ｎ、の粉末からなるもの
な用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２
項、第３項、第４項、第５項、第６項、第７項、又は第
８項記載のセラミック成形品の製造方法。 （１１）セラミック前体として／ないし２μの平均粒度
とタッチの純度を有するＳｉ、Ｎ、の粉末にＭｇＯ又は
Ｙ２Ｏ３粉末のような焼結助剤が混合せしめられた粉末
からなるものを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項、第３項、第４項。 第５項、第６項、第１項、又は第８項記載のセラミック
成形品の製造方法。 （１２）セラミック前体として／ないし一μの平均粒度
とりｒ％の純度を有する炭化珪素の粉末からなるものを
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
、第３項、第４項、第５項、第６項、第７項、又は第８
項記載のセラミック成形品の製造方法。 （１３） セラミック前体として／ないしλμの平均粒
度とり？−の純度を有する炭化珪素の粉末に粒子成長防
止剤が混合せしめられた粉末からなるものを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、
第４項、第５項、第６項。 第マ項、又は第８項記載のセラミック成形品の製造方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3323509.0 | 1983-06-30 | ||
| DE3323509A DE3323509C2 (de) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | Verfahren zur Herstellung von Keramikformteilen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027654A true JPS6027654A (ja) | 1985-02-12 |
| JPS6343345B2 JPS6343345B2 (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=6202732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132807A Granted JPS6027654A (ja) | 1983-06-30 | 1984-06-26 | セラミツク成形品の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4612146A (ja) |
| EP (1) | EP0133874B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6027654A (ja) |
| DE (1) | DE3323509C2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3778138D1 (de) * | 1986-07-01 | 1992-05-14 | Mitsui Toatsu Chemicals | Verfahren zum entfernen der zusaetze beim pulverformverfahren. |
| US5082710A (en) * | 1988-11-21 | 1992-01-21 | Loral Aerospace Corp. | Coated article for hot isostatic pressing |
| GB8827146D0 (en) * | 1988-11-21 | 1988-12-29 | Ici Plc | Preparation of refractory materials |
| US4987105A (en) * | 1988-11-21 | 1991-01-22 | Ford Aerospace Corporation | Carbon/boron nitride release coating |
| GB8926455D0 (en) * | 1989-11-23 | 1990-05-30 | T & N Technology Ltd | Manufacture of shaped articles from sinterable powder |
| US5534292A (en) * | 1991-09-17 | 1996-07-09 | Mitsuo; Koji | Method for producing and curing hydraulic material |
| US5352395A (en) * | 1992-07-17 | 1994-10-04 | Phillips Petroleum Company | Carbon and ceramic-containing layers for use in sintering of silicon nitride article |
| US5484629A (en) * | 1993-05-27 | 1996-01-16 | Eastman Kodak Company | Coating apparatus and method |
| DE4438464A1 (de) | 1994-10-27 | 1996-05-02 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Praktisch porenfreie Sinterkörper auf Basis von Siliciumcarbid enthaltend grobkörnigen Graphit |
| US5503926A (en) * | 1995-01-11 | 1996-04-02 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Hipped silicon nitride having a reduced reaction layer |
| CN1057515C (zh) * | 1997-10-24 | 2000-10-18 | 清华大学 | 氮化硅材料固相有机前驱体除氧增强的方法 |
| US20130186109A1 (en) * | 2010-07-27 | 2013-07-25 | Indian Institute Of Technology Bombay | Counter flow heat exchanger for a miniature joule-thomson cryocooler |
| CN116947499B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-12 | 嘉庚(江苏)特材有限责任公司 | 一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4112143A (en) * | 1977-01-18 | 1978-09-05 | Asea Aktiebolag | Method of manufacturing an object of silicon nitride |
| DE2945513C2 (de) * | 1979-11-10 | 1987-12-23 | MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München | Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus Siliziumkeramik durch Heißisostatpressen |
| NL8200087A (nl) * | 1981-01-19 | 1982-08-16 | Mitsubishi Chem Ind | Werkwijze voor het bereiden van een poreus vuurvast anorganisch oxyde. |
| JPS57209884A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-23 | Kobe Steel Ltd | Manufacture of high strength silicon carbide sintered body |
-
1983
- 1983-06-30 DE DE3323509A patent/DE3323509C2/de not_active Expired
-
1984
- 1984-05-30 EP EP84106197A patent/EP0133874B1/de not_active Expired
- 1984-06-21 US US06/622,781 patent/US4612146A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-26 JP JP59132807A patent/JPS6027654A/ja active Granted
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| Publication number | Publication date |
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| JPS6343345B2 (ja) | 1988-08-30 |
| DE3323509A1 (de) | 1985-01-10 |
| DE3323509C2 (de) | 1985-05-02 |
| EP0133874B1 (de) | 1986-09-03 |
| EP0133874A1 (de) | 1985-03-13 |
| US4612146A (en) | 1986-09-16 |
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