JPS6026665A - アモルフアスシリコン堆積膜形成法 - Google Patents
アモルフアスシリコン堆積膜形成法Info
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- JPS6026665A JPS6026665A JP13416383A JP13416383A JPS6026665A JP S6026665 A JPS6026665 A JP S6026665A JP 13416383 A JP13416383 A JP 13416383A JP 13416383 A JP13416383 A JP 13416383A JP S6026665 A JPS6026665 A JP S6026665A
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- Japan
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- film
- deposited film
- cylinder
- amorphous silicon
- deposition chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気的、光、熱的エネルギーを利用して、光
導電膜、半導体膜あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上
に形成させる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、原料
ガス中に電気的、光、熱的エネルギーによシ励起エネル
ギーを生起させて、ガスの励起、分解状態を作シ、所定
の支持体上に、特に、アモルファスシリコン（以下ａ−
８１）の堆積膜を形成する方法に関する。
導電膜、半導体膜あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上
に形成させる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、原料
ガス中に電気的、光、熱的エネルギーによシ励起エネル
ギーを生起させて、ガスの励起、分解状態を作シ、所定
の支持体上に、特に、アモルファスシリコン（以下ａ−
８１）の堆積膜を形成する方法に関する。
従来、ＳｉＨ４を放電や熱エネルギー等の励起エネルギ
ーによシ分解して、支持体上にａ−８ｉの堆積膜を形成
させ、これが種々の目的に利用されているのは周知であ
る。
ーによシ分解して、支持体上にａ−８ｉの堆積膜を形成
させ、これが種々の目的に利用されているのは周知であ
る。
しかし、この５ｉＨ４ｅ原料としてａ−８１の堆積膜を
形成する方法には、 １）良品質を維持しようとすると膜の形成速度が遅い、 ２）供給エネルギーの種類にかかわらず、強い励起エネ
ルギーが必要とされる。
形成する方法には、 １）良品質を維持しようとすると膜の形成速度が遅い、 ２）供給エネルギーの種類にかかわらず、強い励起エネ
ルギーが必要とされる。
３）大面積、厚膜の堆積膜の形成にあっては、電気的、
光学的特性の均一性、品質の安定性の確保が難しく、堆
積中の膜表面の乱れ、バルク内の欠陥が生じやすい、 等の解決されるべき問題点が残されているのが現状であ
る。
光学的特性の均一性、品質の安定性の確保が難しく、堆
積中の膜表面の乱れ、バルク内の欠陥が生じやすい、 等の解決されるべき問題点が残されているのが現状であ
る。
最近これらの問題点を補う５１２Ｈ６ヲ原料とするａ−
８１の堆積膜の形成法が提案されて注目されているが、
未だ不十分であシ、特に、励起エネルギー源として熱エ
ネルギーを利用しようとすると、４００℃以上の高温が
必要であシ、所要エネルギ−の低下、高効率化は今後の
問題である。また、Ｓ ｉ ２Ｈ６は分解して、ＳｉＨ
４と励起分解物を容易に生成するだめ、ＳｉＨ４’ｉ利
用するよシ有利ではあるが、効率よく５１２Ｈ６が分解
するには、その分解生成物の主体である５ＩＨ４の分解
が更に続行されなければならないことから、飛躍的に効
率のよい分解を期待するには限度がある。
８１の堆積膜の形成法が提案されて注目されているが、
未だ不十分であシ、特に、励起エネルギー源として熱エ
ネルギーを利用しようとすると、４００℃以上の高温が
必要であシ、所要エネルギ−の低下、高効率化は今後の
問題である。また、Ｓ ｉ ２Ｈ６は分解して、ＳｉＨ
４と励起分解物を容易に生成するだめ、ＳｉＨ４’ｉ利
用するよシ有利ではあるが、効率よく５１２Ｈ６が分解
するには、その分解生成物の主体である５ＩＨ４の分解
が更に続行されなければならないことから、飛躍的に効
率のよい分解を期待するには限度がある。
更には、５１２Ｈ６以上の高級シランとして５ｌｎＨ２
ｎ＋２で代表される高１級シラン化合物が利用できると
いうことについて特開昭５６−８３９２９に記載がある
が、この高級シランは不安定であシ、未だ高収率で製造
される方法は未知である。又Ｓ１の結合様式からみても
、線状のオリゴマー、ポリマー鎖として安定的、効率的
に単離することは、難しいと言えよう。
ｎ＋２で代表される高１級シラン化合物が利用できると
いうことについて特開昭５６−８３９２９に記載がある
が、この高級シランは不安定であシ、未だ高収率で製造
される方法は未知である。又Ｓ１の結合様式からみても
、線状のオリゴマー、ポリマー鎖として安定的、効率的
に単離することは、難しいと言えよう。
堆積膜の作製が低エネルギーレベルで実施できれば、均
一性全保持した高品質の成膜が期待され、製造条件の制
御が容易になシ、再現性も含めて工業的な生産性が向上
する。例えばグロー放電堆積法においては、高出力下で
は堆積膜の作製中における膜への放電エネルギーの影響
が大きく、再現性のある安定した条件の制御も難しいの
が現状である。
一性全保持した高品質の成膜が期待され、製造条件の制
御が容易になシ、再現性も含めて工業的な生産性が向上
する。例えばグロー放電堆積法においては、高出力下で
は堆積膜の作製中における膜への放電エネルギーの影響
が大きく、再現性のある安定した条件の制御も難しいの
が現状である。
また、熱エネルギー堆積法においても、高温が必要とな
ることから使用される堆積基板材料が限定され、加えて
所望のａ−８１中の有用な結合水屋原子が離脱してしま
う確率が増加するため、所望の特性が得難−０しかも、
分解効率が悪いので堆積速度も遅く、穀量性に不適であ
る。
ることから使用される堆積基板材料が限定され、加えて
所望のａ−８１中の有用な結合水屋原子が離脱してしま
う確率が増加するため、所望の特性が得難−０しかも、
分解効率が悪いので堆積速度も遅く、穀量性に不適であ
る。
本発明はこれらの事実に鑑みなされたものであシ、上記
問題を解決する新規な堆積膜の形成法を提供することを
目的とする。
問題を解決する新規な堆積膜の形成法を提供することを
目的とする。
本発明の他の目的は、高品質を維持しつつ成膜速度を高
くすることのできる堆積膜の形成法を提供することにあ
る。
くすることのできる堆積膜の形成法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、放電電気エネルギーの低出力化あ
るいは熱的エネルギーによる場合の分解温度の低下の可
能な堆積膜の形成法を提供することにある。
るいは熱的エネルギーによる場合の分解温度の低下の可
能な堆積膜の形成法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成
にあっても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定
性を確保した高品質の堆積膜を作製することのできる方
法を提供することにある。
にあっても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定
性を確保した高品質の堆積膜を作製することのできる方
法を提供することにある。
かかる本発明の目的は、励起エネルギーにより分解され
る原料ガスとして、例えば ５ｉＨ３Ｓｉ（ＳｉＨ５）２ＳｉＨ，あるいは、ＳｉＨ
，５ｉ（ＳｉＨ５）２ＳｉＨ２ＳｉＨ５で表わされる硅
素連鎖に分枝を有する高級シラン化合物を利用すること
によって達成されることが見い出された。
る原料ガスとして、例えば ５ｉＨ３Ｓｉ（ＳｉＨ５）２ＳｉＨ，あるいは、ＳｉＨ
，５ｉ（ＳｉＨ５）２ＳｉＨ２ＳｉＨ５で表わされる硅
素連鎖に分枝を有する高級シラン化合物を利用すること
によって達成されることが見い出された。
すなわち本発明は、減圧下にある堆積室内に、例えば５
ｉＨ３Ｓｉ（ＳｉＨ３）２ＳｉＨ，および５ｕｒ３ｓｔ
（ｓｔＨ３）２ｓｔｕ６で表わされる硅素連鎖に分枝を
有する高級シラ／化合物（ＳＩｎＨｍ ； ｎ≧４ ｔ
ｍ≧１０）ｆｆｉガス状態で導入し、該ガスに励起エ
ネルギーを与えて該堆積室内に置かれた支持体上に堆積
膜を形成することｆｔ特徴とする堆積膜の形成法である
。
ｉＨ３Ｓｉ（ＳｉＨ３）２ＳｉＨ，および５ｕｒ３ｓｔ
（ｓｔＨ３）２ｓｔｕ６で表わされる硅素連鎖に分枝を
有する高級シラ／化合物（ＳＩｎＨｍ ； ｎ≧４ ｔ
ｍ≧１０）ｆｆｉガス状態で導入し、該ガスに励起エ
ネルギーを与えて該堆積室内に置かれた支持体上に堆積
膜を形成することｆｔ特徴とする堆積膜の形成法である
。
本発明の高級シラン化合物は線状シランでなく、分岐さ
れた結合様式をとるものであシ、その安定性と製造の容
易さに特徴があるものである。
れた結合様式をとるものであシ、その安定性と製造の容
易さに特徴があるものである。
以下、図面を参照しつつ本発明の方法について説明する
。
。
図面は、感光ドラムを形成するために、支持体、例えば
アルミニウムの円筒の上に光導電材の堆積膜を形成する
装置を示す。図中、１は堆積膜形成装置、２はその中に
設けられた円筒形の堆積室を示す。堆積室２の周シに円
筒状の電極３が配置され、この電極３に導線４全通して
高周波電圧が印加される。感光ドラムを形成するための
支持体、例えばアルミニウムよ構成る円筒５が該堆積室
内に同心に設置され、これは矢印で示す如く回転される
。該円筒５は導ｍ６によシ接地されて、上記の電極３に
対する対向電極を構成する。また、該円筒５内には、こ
れ全所定の温度に加熱するためのヒータ（図示せず）が
配置され、導線７によって該ヒータに給電される。
アルミニウムの円筒の上に光導電材の堆積膜を形成する
装置を示す。図中、１は堆積膜形成装置、２はその中に
設けられた円筒形の堆積室を示す。堆積室２の周シに円
筒状の電極３が配置され、この電極３に導線４全通して
高周波電圧が印加される。感光ドラムを形成するための
支持体、例えばアルミニウムよ構成る円筒５が該堆積室
内に同心に設置され、これは矢印で示す如く回転される
。該円筒５は導ｍ６によシ接地されて、上記の電極３に
対する対向電極を構成する。また、該円筒５内には、こ
れ全所定の温度に加熱するためのヒータ（図示せず）が
配置され、導線７によって該ヒータに給電される。
上記の堆積室を排気するために、該堆積室に排気口８が
設けられていて、これは排気装置（図示せず）に連結さ
れる。
設けられていて、これは排気装置（図示せず）に連結さ
れる。
上記の堆積室２内に原料ガスを導入するガス導入管９が
堆積室の中央に配置され、その上端からガスを吹き出す
。このガス導入管９の下端部は、管１゜によってマスフ
ローメータ１１に連結される。このマス７０−メータ１
１には、原料ガスを供給するための供給管１２、および
キャリヤーガスその他のガスを供給する供給管１３が連
結され、該供給管１２は気化装置１４に連結され１．こ
れに管１５を通して原料が供給される。
堆積室の中央に配置され、その上端からガスを吹き出す
。このガス導入管９の下端部は、管１゜によってマスフ
ローメータ１１に連結される。このマス７０−メータ１
１には、原料ガスを供給するための供給管１２、および
キャリヤーガスその他のガスを供給する供給管１３が連
結され、該供給管１２は気化装置１４に連結され１．こ
れに管１５を通して原料が供給される。
光導電材の堆積膜を形成すべき支持体、例えばアルミニ
ウムよ構成る円筒５を堆積室２内に設置し、排気口８に
連結された排気装置によって堆積室２内を減圧する！極
３に高周波電力を印加して、グロー放電を生ぜしめる。
ウムよ構成る円筒５を堆積室２内に設置し、排気口８に
連結された排気装置によって堆積室２内を減圧する！極
３に高周波電力を印加して、グロー放電を生ぜしめる。
円筒５を矢印で示す如く回転し、導線７によシ給電され
るヒータによって円筒を加熱する。
るヒータによって円筒を加熱する。
本発明で使用される硅素連鎖に分枝を有する高級シラン
化合物は管１５を通して気化装置１４に於いてガス化さ
れ、マス７０−メーター１１に於いて必要に応じて所望
の他のガスと混合されて、減圧下にある堆積室２内へ導
入される。マス７０−メーターに於いて混合される他の
ガスとしては、例えば酸素、窒素、炭素、硼素等の中か
ら所望の成分を含有するガスが挙げられる。堆積室２内
に導入された気体状の原料物質は、グロー放電あるいは
加熱等によって、それぞれ放電分解や熱分解を起して、
例えばアルミニウムの円筒からなる所定の支持体５上に
ａ−８１の光導電膜が形成される。
化合物は管１５を通して気化装置１４に於いてガス化さ
れ、マス７０−メーター１１に於いて必要に応じて所望
の他のガスと混合されて、減圧下にある堆積室２内へ導
入される。マス７０−メーターに於いて混合される他の
ガスとしては、例えば酸素、窒素、炭素、硼素等の中か
ら所望の成分を含有するガスが挙げられる。堆積室２内
に導入された気体状の原料物質は、グロー放電あるいは
加熱等によって、それぞれ放電分解や熱分解を起して、
例えばアルミニウムの円筒からなる所定の支持体５上に
ａ−８１の光導電膜が形成される。
この例では、感光体ドラム用の光導電膜を形成する例に
限定して説明したが、もちろん本発明はこれによって限
定されるものではなく、一般に支持体上にａ−８ｉ堆積
膜を形成するのに応用でき、半導体デバイス等の製造に
も適用できる。
限定して説明したが、もちろん本発明はこれによって限
定されるものではなく、一般に支持体上にａ−８ｉ堆積
膜を形成するのに応用でき、半導体デバイス等の製造に
も適用できる。
本発明の方法に於いて使用されるシラン化合物は硅素連
鎖に分枝を有する高級シラン化合物に限定されるもので
ある。その分枝の分子構成をとることによシ、その取シ
扱い上の安定性を増加させ、低いエネルギーによシ分解
が容易に起こさせることが達成されるものである。
鎖に分枝を有する高級シラン化合物に限定されるもので
ある。その分枝の分子構成をとることによシ、その取シ
扱い上の安定性を増加させ、低いエネルギーによシ分解
が容易に起こさせることが達成されるものである。
本発明の方法に使用される例えば５ＩＨ３８１（ＳＩＨ
，）２８１１１５、およびＳＩＨ，Ｓｌ （ｓｔｕ３）
２ｓｔＨ２ｓｔｕ３で表わされる分校を有する高級シラ
ン化合物は、放電あるいは熱などの励起エネルギーによ
シ容易に分解され、低いエネルギー強度で膜の形成が行
なわれる。これは、環状シランが分子構造的に環状に結
合している５ｔ−Ｈよシ結合エネルギーの低い５ｉ−８
ｉ結合の切断分解によるものである。
，）２８１１１５、およびＳＩＨ，Ｓｌ （ｓｔｕ３）
２ｓｔＨ２ｓｔｕ３で表わされる分校を有する高級シラ
ン化合物は、放電あるいは熱などの励起エネルギーによ
シ容易に分解され、低いエネルギー強度で膜の形成が行
なわれる。これは、環状シランが分子構造的に環状に結
合している５ｔ−Ｈよシ結合エネルギーの低い５ｉ−８
ｉ結合の切断分解によるものである。
その分解効率が著しく増大し、堆積効率、堆積速度の向
上に寄与することになる。
上に寄与することになる。
放電エネルギーを利用して本発明を実施する際には、従
来からの知見に反し、放電パワーあるいはガス流量を増
大させることなく堆積効率、堆積速度に優れ、電気的、
光学的特性にも優れた堆積膜を形成することができる。
来からの知見に反し、放電パワーあるいはガス流量を増
大させることなく堆積効率、堆積速度に優れ、電気的、
光学的特性にも優れた堆積膜を形成することができる。
一方、熱エネルギーによシ分解させることによって本発
明の方法によシ堆積膜を形成する場合に於いても、使用
する装置にやや依存するものの、１００〜３５０℃の温
度でも堆積膜を効率良く形成することができる。
明の方法によシ堆積膜を形成する場合に於いても、使用
する装置にやや依存するものの、１００〜３５０℃の温
度でも堆積膜を効率良く形成することができる。
また、この本発明で使用する分枝を有する高級シラン、
化合物を使用した場合には、大面積、厚膜の堆積膜の形
成する場合にも全体に均一な特性を保有する堆積膜が形
成でき、もちろん膜の成長過程に於いて表面やバルク内
に局部的な欠陥や乱れを招くことがないことが明らかに
なった。
化合物を使用した場合には、大面積、厚膜の堆積膜の形
成する場合にも全体に均一な特性を保有する堆積膜が形
成でき、もちろん膜の成長過程に於いて表面やバルク内
に局部的な欠陥や乱れを招くことがないことが明らかに
なった。
本発明に使用する高級シラン化合物例えばＷｉｂｅｒｇ
＋Ｅ、 ＋Ｎｅｕｍａｊｅｒ＋Ａ 等によって製造され
る方法に依り製造された塩化物をＬｉＡｔＨ４などの還
元剤を用い、還元することにより得られるものである。
＋Ｅ、 ＋Ｎｅｕｍａｊｅｒ＋Ａ 等によって製造され
る方法に依り製造された塩化物をＬｉＡｔＨ４などの還
元剤を用い、還元することにより得られるものである。
５１２Ｃ４６ヲ原料としてトリメチルアミン触媒の作用
で本発明の高級シラン化合物の母体である塩化物が製造
されることはＡｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｍ、 ７４．５１４
（１９６２）、Ｗｉｂｅｒｇ ＊ Ｅ、 ＋ Ｎｏｕｍ
ａｊｅｒ ＊ Ａ、によった・又１本塩化物を還元する
方法は一般的な還元剤にて、エーテル系溶剤中で処理さ
れることに分岐状の高級シラン化合物が得られる。下記
に反応式を示す。
で本発明の高級シラン化合物の母体である塩化物が製造
されることはＡｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｍ、 ７４．５１４
（１９６２）、Ｗｉｂｅｒｇ ＊ Ｅ、 ＋ Ｎｏｕｍ
ａｊｅｒ ＊ Ａ、によった・又１本塩化物を還元する
方法は一般的な還元剤にて、エーテル系溶剤中で処理さ
れることに分岐状の高級シラン化合物が得られる。下記
に反応式を示す。
触媒
次に、本発明で使用される硅素連鎖に分枝を有する高級
シラン化合物（Ｓｔ、Ｈｎｌ： ｎ≧４．ｍ≧１０）の
合成例について説明する。
シラン化合物（Ｓｔ、Ｈｎｌ： ｎ≧４．ｍ≧１０）の
合成例について説明する。
合成例
温度計、コンデンサー、攪拌機及び滴下ロート付きの四
つロフラスコに予めｓ１□Ｃ１６５００部とテトラヒド
ロフラン（Ｔ）ＩＦ） ３５０部を加えておき、これに
トリメチルアミン（ＴＭＡ） ５部と乾燥生成したＴＩ
（Ｆ ３５０部との混合溶液を滴下した。この際発熱す
るので適宜冷却あるいは滴下速度を調整しながら反応温
度は室温付近に制御した。打検下が終了してからも２４
時間攪拌を継続した。得られた住酸物金ろ過し、不靜副
生物を除去した。ろ液中のＴＨＦとＴＭＡを留去した後
ベンゼン５００部を加え、再度ろ過した扱ベンゼンを留
去し、酢酸エチル中で再結晶して′＃袈し、５ｘｃｔ５
ｓｈ（ｓ＋ｃｔ３）２ｓｉｃｔ２ｓｘｃｔ。
つロフラスコに予めｓ１□Ｃ１６５００部とテトラヒド
ロフラン（Ｔ）ＩＦ） ３５０部を加えておき、これに
トリメチルアミン（ＴＭＡ） ５部と乾燥生成したＴＩ
（Ｆ ３５０部との混合溶液を滴下した。この際発熱す
るので適宜冷却あるいは滴下速度を調整しながら反応温
度は室温付近に制御した。打検下が終了してからも２４
時間攪拌を継続した。得られた住酸物金ろ過し、不靜副
生物を除去した。ろ液中のＴＨＦとＴＭＡを留去した後
ベンゼン５００部を加え、再度ろ過した扱ベンゼンを留
去し、酢酸エチル中で再結晶して′＃袈し、５ｘｃｔ５
ｓｈ（ｓ＋ｃｔ３）２ｓｉｃｔ２ｓｘｃｔ。
を得た。収率は６５％であった。
次に温度計、コンデンサー、偉拌機、部下ロート及び不
活性ガス導入日付きの気密系の五つロフラスコに予め還
元剤のＬｉＡｚＨ４２００部をエチルエーテル１０００
部に分散させた液を加えておき、これに５ｉｃｔ３ｓｔ
（ｓｔｃｚ３）２ｓｔｃｚ２ｓｉｃｚ２の約１５重景係
のエチルエーテル溶液１０００部を滴下した。
活性ガス導入日付きの気密系の五つロフラスコに予め還
元剤のＬｉＡｚＨ４２００部をエチルエーテル１０００
部に分散させた液を加えておき、これに５ｉｃｔ３ｓｔ
（ｓｔｃｚ３）２ｓｔｃｚ２ｓｉｃｚ２の約１５重景係
のエチルエーテル溶液１０００部を滴下した。
滴下速度の調整や冷却によシ、反応温度を室温付近に調
整しつつ３時間の攪拌を継続した。
整しつつ３時間の攪拌を継続した。
ＬｉＣＡ、 ＡｔＣ１，等をろ過し、生成するＨＣｌや
溶媒のエチルエーテルｆ、真空蒸留除去し、液体の５ｉ
Ｈ５Ｓ１（ＳｉＨ，）２ＳｉＨ２ＳｉＨ５および５ｉＨ
３Ｓｌ（ＳｉＨ，）２８１Ｈ。
溶媒のエチルエーテルｆ、真空蒸留除去し、液体の５ｉ
Ｈ５Ｓ１（ＳｉＨ，）２ＳｉＨ２ＳｉＨ５および５ｉＨ
３Ｓｌ（ＳｉＨ，）２８１Ｈ。
の混合体を得た。収率は７５％であった。
次に、本発明にょシ硅素連鎖に分枝を有する高級シラン
化合物を使用して、感光体ドラム用のアルミニウムの円
筒に光導電材の堆積膜を形成する方法の実施例を説明す
る。
化合物を使用して、感光体ドラム用のアルミニウムの円
筒に光導電材の堆積膜を形成する方法の実施例を説明す
る。
実施例１
図面に示した装置を用い、堆積膜形成用の出発物質であ
る上記合成例による高級シラン化合物を管１５を通じて
気化装置１４で気化し、マスフロメーター１１で所定の
流量に調整し、堆積膜形成装置１に導入した。所定の圧
力まで減圧された原料ガスに高周波電源から電極３に所
定の出力を与えてグロー放電を起し、アルミニウムの円
筒５上にａ−８ｉの光４．７！膜全形成した。
る上記合成例による高級シラン化合物を管１５を通じて
気化装置１４で気化し、マスフロメーター１１で所定の
流量に調整し、堆積膜形成装置１に導入した。所定の圧
力まで減圧された原料ガスに高周波電源から電極３に所
定の出力を与えてグロー放電を起し、アルミニウムの円
筒５上にａ−８ｉの光４．７！膜全形成した。
また上記と同様にして、出発原料物質としてＳｉＨ４、
Ｓｉ２Ｈ６を使用して、アルミニウムの円筒上にａ−８
１の光導電膜を形成した。
Ｓｉ２Ｈ６を使用して、アルミニウムの円筒上にａ−８
１の光導電膜を形成した。
各々の原料及び堆積膜の作製条件及びそれらの特性の測
定結果を表１に示す。
定結果を表１に示す。
表に於ける画像欠陥とは、■帯電、露光、転写によるカ
ールソンプロセスに於いてｅトナーによる熱定着方式の
複写装置に対し、作製された各々の感光体ドラムを装着
し、全面暗部、全面明部あるいは全面ハーフトーン部の
Ａ−３サイズの複写を行ない、画像中に不均一なノイズ
が発生するか否かについて観察したものである。
ールソンプロセスに於いてｅトナーによる熱定着方式の
複写装置に対し、作製された各々の感光体ドラムを装着
し、全面暗部、全面明部あるいは全面ハーフトーン部の
Ａ−３サイズの複写を行ない、画像中に不均一なノイズ
が発生するか否かについて観察したものである。
本実施例においては、光導電層は複写プロセスに適合す
る受容電位のために、６０００Ｘのａ−８ｉ ：Ｂ ：
０の阻止層を設け、その上に各々の原料物質によるａ
−８ｉの堆積膜を設けている。
る受容電位のために、６０００Ｘのａ−８ｉ ：Ｂ ：
０の阻止層を設け、その上に各々の原料物質によるａ
−８ｉの堆積膜を設けている。
実施例２
実施例１と同様な操作で堆積膜形成装置１にガスを導入
し、アルミニウムの円筒を所定の温度に加熱し、グロー
放電の代わシに、熱分解によシａ−８１の堆積膜を作製
した。各々の原料及び堆積膜の作製条件及びそれらの特
性の測定結果を表２に示す。
し、アルミニウムの円筒を所定の温度に加熱し、グロー
放電の代わシに、熱分解によシａ−８１の堆積膜を作製
した。各々の原料及び堆積膜の作製条件及びそれらの特
性の測定結果を表２に示す。
表 −１
導電率λＤ 〜１０−８Ω−’ｚ−’ 〜１０ ”、Ｑ
−皆１〜１０−１°Ｑ−’ｃｍ ’λＰ１）〜１０−６
〜１０−７ 〜１０−６基板温度 ２５０℃ ２５０
℃ ２５０℃流量３） ３００ ＳＣＣＭ ８０ ＳＣ
ＣＭ ６０ ＳＣＣＭ圧 力 ０．３ Ｔｏｒｒ Ｏ，
１５Ｔｏｒｒ Ｏ，Ｉ Ｔｏｒｒ高周波電力 ６．５
Ｗ／ｃｍ２３ Ｗ／ｃｍ２２ Ｗ／ｃｍ２１）λｐ ：
Ｈｅ−Ｎｅレーザー λ＝６３２８Ｘ７ ｍＷ照射下
での測定値 ２）◎・・・１個以内の欠陥（欠陥は０．５籠以上のも
の） ○・・・２〜１０個以内 △・・・１０ケ以上（画像上問題有） ３）マスフローメーターによる１分間に標準状態ガスの
流れる容量 表 −２ 堆積速度 −Ｑ、４ ｉ／ｓｅｅ ９’Ｘ ／ｙｘ導電
率λＤ −〜工０ ０ｍ 〜１０ ΩｍλＰ −〜１０
−８ 〜１０−７ 基板温度４５０℃ ４００℃ ２８０℃流 量 １５０
ＳＣＣＭ １５０ ＳＣＣＭ １４０８００Ｍ圧 力
０．２ Ｔｏｒｒ Ｏ，２Ｔｏｒｒ Ｏ，１５Ｔｏｒｒ
備 考膜生成せず
−皆１〜１０−１°Ｑ−’ｃｍ ’λＰ１）〜１０−６
〜１０−７ 〜１０−６基板温度 ２５０℃ ２５０
℃ ２５０℃流量３） ３００ ＳＣＣＭ ８０ ＳＣ
ＣＭ ６０ ＳＣＣＭ圧 力 ０．３ Ｔｏｒｒ Ｏ，
１５Ｔｏｒｒ Ｏ，Ｉ Ｔｏｒｒ高周波電力 ６．５
Ｗ／ｃｍ２３ Ｗ／ｃｍ２２ Ｗ／ｃｍ２１）λｐ ：
Ｈｅ−Ｎｅレーザー λ＝６３２８Ｘ７ ｍＷ照射下
での測定値 ２）◎・・・１個以内の欠陥（欠陥は０．５籠以上のも
の） ○・・・２〜１０個以内 △・・・１０ケ以上（画像上問題有） ３）マスフローメーターによる１分間に標準状態ガスの
流れる容量 表 −２ 堆積速度 −Ｑ、４ ｉ／ｓｅｅ ９’Ｘ ／ｙｘ導電
率λＤ −〜工０ ０ｍ 〜１０ ΩｍλＰ −〜１０
−８ 〜１０−７ 基板温度４５０℃ ４００℃ ２８０℃流 量 １５０
ＳＣＣＭ １５０ ＳＣＣＭ １４０８００Ｍ圧 力
０．２ Ｔｏｒｒ Ｏ，２Ｔｏｒｒ Ｏ，１５Ｔｏｒｒ
備 考膜生成せず
図面は、本発明の方法に従って感光ドラム用のアルミニ
ウムの円筒に堆積膜を製造する装置を模式的に示したも
のである。 １・・・堆積膜形成装置 ２・・・堆積室３・・・電極
４・・・導線 ５・・・支持体（アルミニウムの円筒）６．７・・・導
線 ８・・・排気口 ９・・・ガス導入管 １０・・・管 １１・・・マスフローメータ １２・・・原料ガス供給管
ウムの円筒に堆積膜を製造する装置を模式的に示したも
のである。 １・・・堆積膜形成装置 ２・・・堆積室３・・・電極
４・・・導線 ５・・・支持体（アルミニウムの円筒）６．７・・・導
線 ８・・・排気口 ９・・・ガス導入管 １０・・・管 １１・・・マスフローメータ １２・・・原料ガス供給管
Claims (1)
- 減圧下にある堆積室内に硅素連鎖に分枝を有する高級シ
ラン化合物（ＳｉｌＨｍ’、 ｎ≧４２ｍ≧１０）をガ
ス状態で導入し、該ガスに励起エネルギーを与えて該堆
積室内に置かれた支持体上にアモルファスシリコン堆積
膜を形成することを特徴とするアモルファスシリコン堆
積膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13416383A JPS6026665A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アモルフアスシリコン堆積膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13416383A JPS6026665A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アモルフアスシリコン堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6026665A true JPS6026665A (ja) | 1985-02-09 |
Family
ID=15121926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13416383A Pending JPS6026665A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アモルフアスシリコン堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6026665A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017523134A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-17 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | モノアミノシラン化合物 |
| JP2017524728A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ジアミノシラン化合物 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13416383A patent/JPS6026665A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017523134A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-17 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | モノアミノシラン化合物 |
| JP2017524728A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ジアミノシラン化合物 |
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