JPH0492890A - ダイヤモンド合成方法 - Google Patents
ダイヤモンド合成方法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、ダイヤモンドの気相合成方法に関するもの
であり、特に、低圧雰囲気下に保たれた反応容器内に炭
化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを導入し、陰極と陽
極との間で直流放電を起こさせることによって陽極上に
置かれた基体上にダイヤモンドを析出させるダイヤモン
ド合成方法に関するものである。
であり、特に、低圧雰囲気下に保たれた反応容器内に炭
化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを導入し、陰極と陽
極との間で直流放電を起こさせることによって陽極上に
置かれた基体上にダイヤモンドを析出させるダイヤモン
ド合成方法に関するものである。
［従来の技術］
ダイヤモンドは、以下のような特性を有している。
ａ、高硬度である。
ｂ、耐摩耗性に優れている。
Ｃ０圧縮率・熱膨張率か小さい。
ｄ、絶縁体でありながら熱伝導度が非常に高い。
ｅ、屈折率が高く、光学的（紫外・可視・赤外）に透明
である。
である。
ｆ、耐薬品性に優れる。
ｇ、音波の伝播速度に優れる。
ｈ、特定の不純物をドープすることにより半導体特性を
与えることができる。
与えることができる。
上記種々の特性を考慮して、ダイヤモンドを各種分野で
利用することが考えられている。ダイヤモンドは、今や
、産業界において必要不可欠な物質となっている。
利用することが考えられている。ダイヤモンドは、今や
、産業界において必要不可欠な物質となっている。
よく知られているように、マイクロ波ＣＶＤ法や熱フイ
ラメントＣＶＤ法などの各種ＣＶＤ法によって気相から
ダイヤモンドを合成することが実゛現されている。ダイ
ヤモンドの持つ優れた特性を発揮させるために、ダイヤ
モンドを膜状に合成して利用したり、あるいはダイヤモ
ンドを他の材料の表面上に被覆して利用することができ
るようになった。このような技術の発展に伴ない、ダイ
ヤモンドの利用範囲がさらに拡大されつつある。
ラメントＣＶＤ法などの各種ＣＶＤ法によって気相から
ダイヤモンドを合成することが実゛現されている。ダイ
ヤモンドの持つ優れた特性を発揮させるために、ダイヤ
モンドを膜状に合成して利用したり、あるいはダイヤモ
ンドを他の材料の表面上に被覆して利用することができ
るようになった。このような技術の発展に伴ない、ダイ
ヤモンドの利用範囲がさらに拡大されつつある。
多くの気相合成法の中で、直流放電を利用したダイヤモ
ンド合成法も既に開発されている。比較的圧力の高い領
域（１００Ｔｏｒｒ以上）での放電を利用した合成法で
は、ダイヤモンドの高速合成が可能である。１〜１００
Ｔｏｒｒの低圧領域下での直流放電を利用した合成法は
、低温かつ大面積にわたってダイヤモンド膜を形成する
のに適しており、また３次元形状を有する基体上にダイ
ヤモンド膜を形成するのに適している。
ンド合成法も既に開発されている。比較的圧力の高い領
域（１００Ｔｏｒｒ以上）での放電を利用した合成法で
は、ダイヤモンドの高速合成が可能である。１〜１００
Ｔｏｒｒの低圧領域下での直流放電を利用した合成法は
、低温かつ大面積にわたってダイヤモンド膜を形成する
のに適しており、また３次元形状を有する基体上にダイ
ヤモンド膜を形成するのに適している。
［発明が解決しようとする課題］
低圧領域下での直流放電を利用したダイヤモンド合成法
は、上述のような利点を有するが、その反面、マイクロ
波ＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶＤ法に比べてダイヤモ
ンドの成長速度が遅く、また得られたダイヤモンドの品
質も劣るなどの欠点を含んでいる。
は、上述のような利点を有するが、その反面、マイクロ
波ＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶＤ法に比べてダイヤモ
ンドの成長速度が遅く、また得られたダイヤモンドの品
質も劣るなどの欠点を含んでいる。
この発明の目的は、低圧領域下での直流放電を利用した
ダイヤモンド合成法において、マイクロ波ＣＶＤ法や熱
フイラメントＣＶＤ法と同程度のダイヤモンド成長速度
およびダイヤモンド品質を得ることのできるダイヤモン
ド合成法を提供することである。
ダイヤモンド合成法において、マイクロ波ＣＶＤ法や熱
フイラメントＣＶＤ法と同程度のダイヤモンド成長速度
およびダイヤモンド品質を得ることのできるダイヤモン
ド合成法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本願発明者達は、低圧領域下での直流放電を利用してダ
イヤモンドを合成する際、水素ガスに対する炭化水素ガ
スの濃度を増加させることによって、発光スペクトルに
おいてＨα＞ＣＨとなる陽光柱を発生させ得ることを見
出した。本件発明は、この知見に基づくものである。
イヤモンドを合成する際、水素ガスに対する炭化水素ガ
スの濃度を増加させることによって、発光スペクトルに
おいてＨα＞ＣＨとなる陽光柱を発生させ得ることを見
出した。本件発明は、この知見に基づくものである。
この発明は、１〜１００Ｔｏｒｒの圧力下に保たれた反
応容器内に炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを導入
し、陰極と陽極との間で直流放電を起こさせることによ
って陽極上に置かれた基体上にダイヤモンドを析出させ
るダイヤモンド合成方法であって、以下のことを特徴と
する。すなわち、放電時に発生する陽光柱の領域の発光
スペクトルにおけるＨａ （６５６，３ｎｍ）およびＣ
Ｈ（４３１，４ｎｍ）の発光強度が、Ｈ（Ｚ＞ＣＨなる
条件を満たすようになるまで水素ガスに対する炭化水素
ガスの濃度を増加させ、上記条件を満たす陽光柱が発生
した後、炭化水素ガスの濃度を減少させることを特徴と
する。
応容器内に炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを導入
し、陰極と陽極との間で直流放電を起こさせることによ
って陽極上に置かれた基体上にダイヤモンドを析出させ
るダイヤモンド合成方法であって、以下のことを特徴と
する。すなわち、放電時に発生する陽光柱の領域の発光
スペクトルにおけるＨａ （６５６，３ｎｍ）およびＣ
Ｈ（４３１，４ｎｍ）の発光強度が、Ｈ（Ｚ＞ＣＨなる
条件を満たすようになるまで水素ガスに対する炭化水素
ガスの濃度を増加させ、上記条件を満たす陽光柱が発生
した後、炭化水素ガスの濃度を減少させることを特徴と
する。
［作用］
陰極と陽極との間で直流放電を発生させ、陽光柱に限定
した領域での発光スペクトルを測定してＨａおよびＣＨ
の発光強度に注目した。水素ガスに対する炭化水素ガス
の濃度を増加させると、その強度関係がＨａ＜ＣＨなる
陽光柱からＨａ〉ＣＨとなる陽光柱へと不連続的に変化
する。分光分析の結果から両者でのプラズマ状態を比較
すると、前者に比べ後者の方がＨａのスペクトル強度が
１００倍程程度加している。このことから、陽光柱内の
原子状水素が急激に増加しているものと考えられる。さ
らに、ＣＨの発光強度においても増加が認められ、炭化
水素ガスの分解も同時に促進されているものと認められ
る。すなわち、前述の条件下でダイヤモンドの合成を行
なえば、非ダイヤモンド成分の除去に対して重要な役割
を果たすといわれている原子状水素の増加によってダイ
ヤモンド膜質を向上させることかでき、加えて、炭化水
素ガスの分解の促進によってダイヤモンドの成長速度を
増加させることかできるようになる。しかしながら、マ
イクロ波ＣＶＤ法や熱フイラメントＣＶＤ法をはじめと
するダイヤモンドの気相合成法においては、炭化水素濃
度の増加はダイヤモンド膜質の劣化の一要因となってい
る。このような現象は、低圧領域下での直流放電を利用
するダイヤモンド合成法においても何ら変わることはな
い。そのため、Ｈα＞ＣＨとなる陽光柱を発生させるた
めの炭化水素濃度条件下でダイヤモンドを合成すれば、
合成されたダイヤモンドの品質は十分とはいえない。
した領域での発光スペクトルを測定してＨａおよびＣＨ
の発光強度に注目した。水素ガスに対する炭化水素ガス
の濃度を増加させると、その強度関係がＨａ＜ＣＨなる
陽光柱からＨａ〉ＣＨとなる陽光柱へと不連続的に変化
する。分光分析の結果から両者でのプラズマ状態を比較
すると、前者に比べ後者の方がＨａのスペクトル強度が
１００倍程程度加している。このことから、陽光柱内の
原子状水素が急激に増加しているものと考えられる。さ
らに、ＣＨの発光強度においても増加が認められ、炭化
水素ガスの分解も同時に促進されているものと認められ
る。すなわち、前述の条件下でダイヤモンドの合成を行
なえば、非ダイヤモンド成分の除去に対して重要な役割
を果たすといわれている原子状水素の増加によってダイ
ヤモンド膜質を向上させることかでき、加えて、炭化水
素ガスの分解の促進によってダイヤモンドの成長速度を
増加させることかできるようになる。しかしながら、マ
イクロ波ＣＶＤ法や熱フイラメントＣＶＤ法をはじめと
するダイヤモンドの気相合成法においては、炭化水素濃
度の増加はダイヤモンド膜質の劣化の一要因となってい
る。このような現象は、低圧領域下での直流放電を利用
するダイヤモンド合成法においても何ら変わることはな
い。そのため、Ｈα＞ＣＨとなる陽光柱を発生させるた
めの炭化水素濃度条件下でダイヤモンドを合成すれば、
合成されたダイヤモンドの品質は十分とはいえない。
上記理由によって、膜質の向上のためには炭化水素濃度
の減少が必要となる。本願発明者達は、分光分析によっ
て次の事実を究明した。すなわち、炭化水素ガスの濃度
を増加させてＨα＞ＣＨなる陽光柱が一旦発生すると、
その後、通常では陽光柱の発光強度がＨα＜ＣＨの関係
となる炭化水素濃度まで炭化水素ガスの濃度を減少させ
てもＨα＞ＣＨなる陽光柱を安定に維持することができ
る。
の減少が必要となる。本願発明者達は、分光分析によっ
て次の事実を究明した。すなわち、炭化水素ガスの濃度
を増加させてＨα＞ＣＨなる陽光柱が一旦発生すると、
その後、通常では陽光柱の発光強度がＨα＜ＣＨの関係
となる炭化水素濃度まで炭化水素ガスの濃度を減少させ
てもＨα＞ＣＨなる陽光柱を安定に維持することができ
る。
言換えれば、陽光柱内の原子状水素の発生が促進されて
いる状態を維持したまま、炭化水素濃度を減少させるこ
とによって、高品質なダイヤモンドの合成を実現するこ
とができる。
いる状態を維持したまま、炭化水素濃度を減少させるこ
とによって、高品質なダイヤモンドの合成を実現するこ
とができる。
［実施例〕
実施例１
反応ガスとして水素とメタンとの混合ガスを用い、陰極
と陽極との間で直流放電を起こさせた。
と陽極との間で直流放電を起こさせた。
水素に対するメタンの濃度および放電電流を変化させて
、陽光柱に限定された領域でのプラズマ分光分析を行な
った。使用した装置の概略図を＄１図に示す。図中、１
は陰極、２は陽極、３は基体、４はヒータ、５は直流電
源、６は排気系、７は原料ガス供給系、９は真空容器、
１０は遮蔽板、１１は分光器である。
、陽光柱に限定された領域でのプラズマ分光分析を行な
った。使用した装置の概略図を＄１図に示す。図中、１
は陰極、２は陽極、３は基体、４はヒータ、５は直流電
源、６は排気系、７は原料ガス供給系、９は真空容器、
１０は遮蔽板、１１は分光器である。
直流電源５に接続される陰極１として、Ｌ字形に作成し
たＭｏメツシュを使用した。陽極２として、円柱形状の
Ｗを使用した。Ｌ字形状の陰極１の底部寸法は、３０ｍ
ｍＸ３０ｍｍであり、メツシュの線径は０．２ｍｍ、ピ
ッチは１ｍｍであった。円柱形状の陽極２は、その直径
が３０ｍｍで、高さが１０ｍｍであった。電極間距離を
１０ｍｍとし、ガス圧力を４０Ｔｏｒｒに固定した。プ
ラズマ分光の測定にあたり、陰極メツシュ近傍での発光
の影響を避けるために遮蔽板１０を設置し、さらに、分
光器１１を、陽極上方２〜５ｍｍ程度の位置に焦点が結
ぶように設置した。上記条件下で測定した陽光柱の発光
スペクトルにおいてＨα（６５６，３ｎｍ）およびＣＨ
（４３１，４ｎｍ）の発光ピークに注目し、両者の発光
強度を比較した。その結果を、以下の第１表に示す。
たＭｏメツシュを使用した。陽極２として、円柱形状の
Ｗを使用した。Ｌ字形状の陰極１の底部寸法は、３０ｍ
ｍＸ３０ｍｍであり、メツシュの線径は０．２ｍｍ、ピ
ッチは１ｍｍであった。円柱形状の陽極２は、その直径
が３０ｍｍで、高さが１０ｍｍであった。電極間距離を
１０ｍｍとし、ガス圧力を４０Ｔｏｒｒに固定した。プ
ラズマ分光の測定にあたり、陰極メツシュ近傍での発光
の影響を避けるために遮蔽板１０を設置し、さらに、分
光器１１を、陽極上方２〜５ｍｍ程度の位置に焦点が結
ぶように設置した。上記条件下で測定した陽光柱の発光
スペクトルにおいてＨα（６５６，３ｎｍ）およびＣＨ
（４３１，４ｎｍ）の発光ピークに注目し、両者の発光
強度を比較した。その結果を、以下の第１表に示す。
第１表
上記表中、発光スペクトルの評価は次のとおりである。
Ｏ：Ｈαの発光強度がＣＨの発光強度よりも強い。
×、Ｈαの発光強度がＣＨの発光強度よりも弱い。
第１表の測定結果から明らかなように、メタン濃度が低
い場合には、陽光柱内のプラズマ状態は、ＣＨの発光強
度がＨαの発光強度よりも強くなっている。一方、メタ
ンの濃度を増加していくと、その強度関係が逆転し、Ｈ
α＞ＣＨなる陽光柱が不連続的に発生する。さらに、Ｈ
αおよびＣＨの発光強度自体も急激に増加し、Ｈαで１
００倍程程度ＣＨで数倍程度の発光強度となった。第１
表の測定結果から、放電電流が高い場合にもＨα〉ＣＨ
なる陽光柱が発生しやすくなっていることがわかる。
い場合には、陽光柱内のプラズマ状態は、ＣＨの発光強
度がＨαの発光強度よりも強くなっている。一方、メタ
ンの濃度を増加していくと、その強度関係が逆転し、Ｈ
α＞ＣＨなる陽光柱が不連続的に発生する。さらに、Ｈ
αおよびＣＨの発光強度自体も急激に増加し、Ｈαで１
００倍程程度ＣＨで数倍程度の発光強度となった。第１
表の測定結果から、放電電流が高い場合にもＨα〉ＣＨ
なる陽光柱が発生しやすくなっていることがわかる。
Ｈα＞ＣＨなる陽光柱が発生するまでメタンの濃度を増
加させ、その後メタンの濃度を減少させていったところ
、メタンの濃度を０．１％まで減少させても陽光柱のプ
ラズマ状態がＨα＞ＣＨとなる関係を維持することがわ
かった。
加させ、その後メタンの濃度を減少させていったところ
、メタンの濃度を０．１％まで減少させても陽光柱のプ
ラズマ状態がＨα＞ＣＨとなる関係を維持することがわ
かった。
上述のような傾向は、炭素源としてメタンの代わりにア
セチレン、ベンゼンおよびエタノールを用いた場合でも
同様であった。
セチレン、ベンゼンおよびエタノールを用いた場合でも
同様であった。
実施例２
第１図に示す装置を用いてダイヤモンドの合成を行なっ
た。陰極１として、線形０．２ｍｍ、ピッチ１ｍｍのＭ
ｏメツシュを用いた。陰極１のＬ字状底部の寸法は、３
０ｍｍＸ３０ｍｍであった。
た。陰極１として、線形０．２ｍｍ、ピッチ１ｍｍのＭ
ｏメツシュを用いた。陰極１のＬ字状底部の寸法は、３
０ｍｍＸ３０ｍｍであった。
陽極２として、直径３Ｑｍｍ、高さｌＱｍｍの円柱形状
Ｗを用いた。電極間距離は１０ｍｍとした。
Ｗを用いた。電極間距離は１０ｍｍとした。
基体３として、２０ｍｍＸ２０ｍｍの単結晶Ｓｔを使用
した。陽極２上に置かれた基体３を、ヒータ４によって
加熱し、その温度を７００℃に保持した。反応ガスとし
ては、水素とメタンとの混合ガスを用いた。
した。陽極２上に置かれた基体３を、ヒータ４によって
加熱し、その温度を７００℃に保持した。反応ガスとし
ては、水素とメタンとの混合ガスを用いた。
陰極１と陽極２との間で直流放電を起こさせ、４０時間
の反応を行なってダイヤモンドの膜質および成膜速度の
評価を行なった。放電電流をＩＡとし、一定に保った。
の反応を行なってダイヤモンドの膜質および成膜速度の
評価を行なった。放電電流をＩＡとし、一定に保った。
膜質の評価にはラマン分光分析を用い、評価基準として
は、１３５０ｃｍ−１〜１６００ｃｍ−１に現われるア
モルファスカーボンおよびグラファイトのブロードなピ
ークの最大高さと、１３３３ｃｍ−１付近に現われるダ
イヤモンドのピーク高さとを比較した。各種条件下で成
膜した結果を以下の第２表に示す。
は、１３５０ｃｍ−１〜１６００ｃｍ−１に現われるア
モルファスカーボンおよびグラファイトのブロードなピ
ークの最大高さと、１３３３ｃｍ−１付近に現われるダ
イヤモンドのピーク高さとを比較した。各種条件下で成
膜した結果を以下の第２表に示す。
第２表中の膜質の評価の欄に記載されている記号「Ｏ」
、「△」および「×」の定義は、以下のとおりである。
、「△」および「×」の定義は、以下のとおりである。
ラマン分光分析において、１３５０ｃｍ−１〜１６００
ｃｍ’に現われる非ダイヤモンド炭素のブロードなピー
クの最大高さを、１３３３ｃｒｒｒ１付近のダイヤモン
ドのピーク高さで除したとき、その得られた値によって
下記のように区分した。
ｃｍ’に現われる非ダイヤモンド炭素のブロードなピー
クの最大高さを、１３３３ｃｒｒｒ１付近のダイヤモン
ドのピーク高さで除したとき、その得られた値によって
下記のように区分した。
○：０．２以下
△：０．２〜０．６
×・０．６以上
メタン濃度が低くプラズマ分光により陽光柱がＨα＜Ｃ
Ｈとなる条件下で成膜した場合（Ｎｏ。
Ｈとなる条件下で成膜した場合（Ｎｏ。
１およびＮｏ、２）に比べ、Ｈα＞ＣＨとなる条件とな
るようにメタン濃度を増加させた場合（Ｎｏ、３）の方
か、膜質良好で、かつ、成膜速度が速いことが認められ
た。さらに、Ｈα＞ＣＨなる陽光柱が発生するまでメタ
ン濃度を一旦増加させ、その後その濃度を減少させてＨ
α＞ＣＨなる条件を維持してダイヤモンドの合成を行な
うと（ＮＯ２４およびＮｏ、５）、アモルファスカーボ
ンおよびグラファイト等の非ダイヤモンド炭素をほとん
ど含まない高品質なダイヤモンドの合成が可能であるこ
とが認められた。Ｎｏ、１とＮ０１４とを比較し、さら
にＮ００２とＮ０９５とを比較すれば明らかなように、
メタンの濃度が同様な条件であっても、陽光柱内のＨα
の発光強度がＣＨの発光強度よりも強い場合には、膜質
および成膜速度において著しい向上が認められる。この
場合には、ＨαおよびＣＨの発光強度自体も急激に増加
し、Ｈαで１００倍程程度ＣＨで数倍程度の発光強度と
なった。
るようにメタン濃度を増加させた場合（Ｎｏ、３）の方
か、膜質良好で、かつ、成膜速度が速いことが認められ
た。さらに、Ｈα＞ＣＨなる陽光柱が発生するまでメタ
ン濃度を一旦増加させ、その後その濃度を減少させてＨ
α＞ＣＨなる条件を維持してダイヤモンドの合成を行な
うと（ＮＯ２４およびＮｏ、５）、アモルファスカーボ
ンおよびグラファイト等の非ダイヤモンド炭素をほとん
ど含まない高品質なダイヤモンドの合成が可能であるこ
とが認められた。Ｎｏ、１とＮ０１４とを比較し、さら
にＮ００２とＮ０９５とを比較すれば明らかなように、
メタンの濃度が同様な条件であっても、陽光柱内のＨα
の発光強度がＣＨの発光強度よりも強い場合には、膜質
および成膜速度において著しい向上が認められる。この
場合には、ＨαおよびＣＨの発光強度自体も急激に増加
し、Ｈαで１００倍程程度ＣＨで数倍程度の発光強度と
なった。
圧力に関しては、ＩＴｏ ｒ ｒ以下ではアモルファス
カーボンの生成が起こりダイヤモンドの生成は認められ
なかった。また、１００Ｔｏｒｒ以上の圧力では、放電
を安定に維持することができなかった。
カーボンの生成が起こりダイヤモンドの生成は認められ
なかった。また、１００Ｔｏｒｒ以上の圧力では、放電
を安定に維持することができなかった。
［発明の効果］
以上述べたように、この発明では、原子状水素の生成率
が高く炭化水素ガスの分解か促進されるＨα＞ＣＨなる
陽光柱を発生させ、さらにその条件を維持した状態で炭
化水素の濃度を減少させている。この方法によって、約
１μｍ／ｈの成膜速度で、アモルファスカーボンおよび
グラファイト等の非ダイヤモンド炭素をほとんど含まな
い高品質なダイヤモンドの合成が可能となった。
が高く炭化水素ガスの分解か促進されるＨα＞ＣＨなる
陽光柱を発生させ、さらにその条件を維持した状態で炭
化水素の濃度を減少させている。この方法によって、約
１μｍ／ｈの成膜速度で、アモルファスカーボンおよび
グラファイト等の非ダイヤモンド炭素をほとんど含まな
い高品質なダイヤモンドの合成が可能となった。
第１図は、ダイヤモンド合成装置の一例を示す図解図で
ある。 図において、１は陰極、２は陽極、３は基体、４はヒー
タ、５は直流電源、６は排気系、７は原料ガス供給系、
９は真空容器、１０は遮蔽板、１１は分光器を示す。
ある。 図において、１は陰極、２は陽極、３は基体、４はヒー
タ、５は直流電源、６は排気系、７は原料ガス供給系、
９は真空容器、１０は遮蔽板、１１は分光器を示す。
Claims (1)
- １〜１００Ｔｏｒｒの圧力下に保たれた反応容器内に炭
化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを導入し、陰極と陽
極との間で直流放電を起こさせることによって陽極上に
置かれた基体上にダイヤモンドを析出させるダイヤモン
ド合成方法であって、放電時に発生する陽光柱の領域の
発光スペクトルにおけるＨα（６５６．３ｎｍ）および
ＣＨ（４３１．４ｎｍ）の発光強度が、Ｈα＞ＣＨなる
条件を満たすようになるまで水素ガスに対する炭化水素
ガスの濃度を増加させ、上記条件を満たす陽光柱が発生
した後、炭化水素ガスの濃度を減少させることを特徴と
する、ダイヤモンド合成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21002190A JPH0492890A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | ダイヤモンド合成方法 |
| US07/739,995 US5201986A (en) | 1990-08-07 | 1991-08-02 | Diamond synthesizing method |
| EP91113071A EP0470531B1 (en) | 1990-08-07 | 1991-08-02 | Diamond synthesizing method |
| DE69101756T DE69101756T2 (de) | 1990-08-07 | 1991-08-02 | Verfahren zur Diamantenherstellung. |
| ZA916179A ZA916179B (en) | 1990-08-07 | 1991-08-06 | Diamond synthesizing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21002190A JPH0492890A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | ダイヤモンド合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492890A true JPH0492890A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16582512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21002190A Pending JPH0492890A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | ダイヤモンド合成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492890A (ja) |
| ZA (1) | ZA916179B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587013A (en) * | 1994-01-27 | 1996-12-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Methods of synthesizing and polishing a flat diamond film and free-standing diamond film |
| US6458415B2 (en) | 2000-06-07 | 2002-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of forming diamond film and film-forming apparatus |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP21002190A patent/JPH0492890A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-06 ZA ZA916179A patent/ZA916179B/xx unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587013A (en) * | 1994-01-27 | 1996-12-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Methods of synthesizing and polishing a flat diamond film and free-standing diamond film |
| US6458415B2 (en) | 2000-06-07 | 2002-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of forming diamond film and film-forming apparatus |
| US6837935B2 (en) | 2000-06-07 | 2005-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microwave plasma film-forming apparatus for forming diamond film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA916179B (en) | 1992-08-26 |
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