JPH01138109A - ダイヤモンドの合成における炭素源 - Google Patents
ダイヤモンドの合成における炭素源Info
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- JPH01138109A JPH01138109A JP62296732A JP29673287A JPH01138109A JP H01138109 A JPH01138109 A JP H01138109A JP 62296732 A JP62296732 A JP 62296732A JP 29673287 A JP29673287 A JP 29673287A JP H01138109 A JPH01138109 A JP H01138109A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は気相合成によるダイヤモンドを合成するための
ダイヤモンドの炭素源に関する。
ダイヤモンドの炭素源に関する。
し従来の技術]
従来人工ダイヤモンドは高温高圧法により合成され、炭
素源として一般的には黒鉛を使用している。これに代わ
り気相からのダイヤモンドの合成が試みられている。こ
の場合炭素源としては、主に炭素と水素の化合物すなわ
ち炭化水素を対象にして研究および開発がなされている
。
素源として一般的には黒鉛を使用している。これに代わ
り気相からのダイヤモンドの合成が試みられている。こ
の場合炭素源としては、主に炭素と水素の化合物すなわ
ち炭化水素を対象にして研究および開発がなされている
。
[発明が解決しようとする問題点]
気相からのダイヤモンド合成において炭化水素を炭素源
とする研究がなされており、主として炭化水素を炭素源
としていたが、ダイヤモンドの成長速度が遅いという欠
点があった。また有機化合物すなわちアルコール類、ア
セ]〜ン類を炭素源とした場合、炭化水素より高速成長
が可能である。また水および酸素等のダイヤモンド合成
におよぼす影響が研究されており、気相からのダイヤモ
ンド合成において結晶成長および結晶性等に良好な影響
がある。しかしながら空気中においては炭素と水素の化
合物、例えばメタンおよびエタン等の炭化水素は希薄で
あり、合成も容易でない。
とする研究がなされており、主として炭化水素を炭素源
としていたが、ダイヤモンドの成長速度が遅いという欠
点があった。また有機化合物すなわちアルコール類、ア
セ]〜ン類を炭素源とした場合、炭化水素より高速成長
が可能である。また水および酸素等のダイヤモンド合成
におよぼす影響が研究されており、気相からのダイヤモ
ンド合成において結晶成長および結晶性等に良好な影響
がある。しかしながら空気中においては炭素と水素の化
合物、例えばメタンおよびエタン等の炭化水素は希薄で
あり、合成も容易でない。
本発明の目的は、空気中に多聞に存在する炭素と酸素の
化合物を炭素源として、ダイヤモンドを多聞に高速に合
成することにある。
化合物を炭素源として、ダイヤモンドを多聞に高速に合
成することにある。
[問題点を解決するための手段コ
本発明者等は、気相からのダイヤモンドの合成反応につ
いて、研究した結果、メチル基に基因した種および水素
分子、水素原子が核形成および成長に対して重要な働き
をすることを見出した。またある程度の水および酸素は
、ダイヤモンドの高速合成において重要な働きをし、水
および酸素の含有はダイヤモンド成長を促進することを
見出した。したがってプラズマ等を使用したダイヤモン
ド合成装置内において、メチルラジカル、水素分子、水
素原子および水もしくは酸素が、同時に存在する空間を
作り出すことが必要である。炭素源として一酸化炭素(
CO)を使用してプラズマの化学反応について研究した
結果、以下の化学反応が進行することを見出した。
いて、研究した結果、メチル基に基因した種および水素
分子、水素原子が核形成および成長に対して重要な働き
をすることを見出した。またある程度の水および酸素は
、ダイヤモンドの高速合成において重要な働きをし、水
および酸素の含有はダイヤモンド成長を促進することを
見出した。したがってプラズマ等を使用したダイヤモン
ド合成装置内において、メチルラジカル、水素分子、水
素原子および水もしくは酸素が、同時に存在する空間を
作り出すことが必要である。炭素源として一酸化炭素(
CO)を使用してプラズマの化学反応について研究した
結果、以下の化学反応が進行することを見出した。
CO+ H2−+ CH4,H2O,C,XH■、0
2etc。
2etc。
すなわち−酸化炭素と水素の混合ガスのプラズマを発生
させると、メタン、水、酸素の生成が同時に可能となる
のである。炭素源と水素の反応で生成する種は、全てダ
イヤモンド合成および生成において、核形成および成長
に良好な結果をもたらす。
させると、メタン、水、酸素の生成が同時に可能となる
のである。炭素源と水素の反応で生成する種は、全てダ
イヤモンド合成および生成において、核形成および成長
に良好な結果をもたらす。
本発明の要旨は気相からのダイヤモンドの合成において
、炭素源として炭素と酸素の化合物を使用することであ
り、特に−酸化炭素、二酸化炭素が好ましい。
、炭素源として炭素と酸素の化合物を使用することであ
り、特に−酸化炭素、二酸化炭素が好ましい。
[実施例1]
本発明に使用したマイクロ波放電装置の概略図を第1図
に示す。基板1は放電管2内部の導波管中心部mおよび
電気炉加熱部分nに設置した。炭素源として一酸化炭素
を、希釈ガスとして水素ガスを使用した。−酸化炭素(
5volχ)−水素混合ガスを放電管に供給し、圧力2
0TOrr。
に示す。基板1は放電管2内部の導波管中心部mおよび
電気炉加熱部分nに設置した。炭素源として一酸化炭素
を、希釈ガスとして水素ガスを使用した。−酸化炭素(
5volχ)−水素混合ガスを放電管に供給し、圧力2
0TOrr。
放電出力30叶において放電を発生させた。基板表面を
走査型電子顕微鏡により観察した結果、粒子状の生成物
が認められた。X線回折、ラマン分光およびESCA測
定の結果、生成粒子はダイヤモンドであった。
走査型電子顕微鏡により観察した結果、粒子状の生成物
が認められた。X線回折、ラマン分光およびESCA測
定の結果、生成粒子はダイヤモンドであった。
[実施例2]
本発明に使用したプラズマジェット装置の概略図を第2
図に示す。基板1は水冷された基板ホルダー3に設置し
た。炭素源として一酸化炭素を、希釈ガスとして水素ガ
スを、放電安定用にアルゴンガスを使用した。−酸化炭
素(5vo1%)−水素(55volχ)−アルゴン混
合ガスを使用してプラズマジェットを発生させた。基板
表面を走査型電子顕微鏡により観察した結果、粒子状の
生成物が認められた。X線回折、ラマン分光およびES
CA測定の結果、生成粒子はダイヤモンドであった。
図に示す。基板1は水冷された基板ホルダー3に設置し
た。炭素源として一酸化炭素を、希釈ガスとして水素ガ
スを、放電安定用にアルゴンガスを使用した。−酸化炭
素(5vo1%)−水素(55volχ)−アルゴン混
合ガスを使用してプラズマジェットを発生させた。基板
表面を走査型電子顕微鏡により観察した結果、粒子状の
生成物が認められた。X線回折、ラマン分光およびES
CA測定の結果、生成粒子はダイヤモンドであった。
[実施例3]
実施例2に使用したプラズマジェット装置において、基
板を水冷された基板ホルダーに設置した。炭素源として
二酸化炭素を、希釈ガスとして水素ガスを、放電安定用
にアルゴンガスを使用した。二酸化炭素(5VO1%)
−水素(55vo1%)−アルゴン混合ガスを使用して
プラズマジェットを発生させた。基板表面を走査型電子
顕微鏡により観察した結果、粒子状の生成物が認められ
た。X線回折、ラマン分光およびESCA測定の結果、
生成粒子はダイヤモンドであった。
板を水冷された基板ホルダーに設置した。炭素源として
二酸化炭素を、希釈ガスとして水素ガスを、放電安定用
にアルゴンガスを使用した。二酸化炭素(5VO1%)
−水素(55vo1%)−アルゴン混合ガスを使用して
プラズマジェットを発生させた。基板表面を走査型電子
顕微鏡により観察した結果、粒子状の生成物が認められ
た。X線回折、ラマン分光およびESCA測定の結果、
生成粒子はダイヤモンドであった。
[実施例4]
本発明に使用したホロー熱陰極放電装置の概略図を第3
図に示す。基板1は水冷されたハース4上およびプラズ
マ中の基板ホルダー5に設置した。炭素源として一酸化
炭素を、希釈ガスとして水素ガスを使用した。−酸化炭
素(5vo1%)−水素混合ガスを使用しプラズマを発
生させた。両部板表面を走査型電子顕微鏡により観察し
た結果、粒子状の生成物が認められた。X線回折、ラマ
ン分光およびESCA測定の結果、生成粒子はダイヤモ
ンドであった。
図に示す。基板1は水冷されたハース4上およびプラズ
マ中の基板ホルダー5に設置した。炭素源として一酸化
炭素を、希釈ガスとして水素ガスを使用した。−酸化炭
素(5vo1%)−水素混合ガスを使用しプラズマを発
生させた。両部板表面を走査型電子顕微鏡により観察し
た結果、粒子状の生成物が認められた。X線回折、ラマ
ン分光およびESCA測定の結果、生成粒子はダイヤモ
ンドであった。
し発明の効果コ
本発明により、有機化合物のみならず、無機化合物を炭
素源としてダイヤモンド合成および生成を可能としただ
けではなく、炭素源を炭化水素あるいは有機化合物とし
ていた従来の場合、水および酸素の添加を必要としてい
たが、プラズマの発生において化学反応種として生成す
るため、わざわざ添加する必要がなく工程的にも簡略化
される。
素源としてダイヤモンド合成および生成を可能としただ
けではなく、炭素源を炭化水素あるいは有機化合物とし
ていた従来の場合、水および酸素の添加を必要としてい
たが、プラズマの発生において化学反応種として生成す
るため、わざわざ添加する必要がなく工程的にも簡略化
される。
従来の有機化合物を炭素源として、気相からダイヤモン
ドを合成する方法においては、・炭素源と水素希釈ガス
の容量比により、生成するダイヤモンドの成長速度、結
晶性が変化するが、本発明においては炭素源と希釈ガス
との比により、生成するダイヤモンドの成長速度、結晶
性がシビアに変化することがないため、合成プロセスに
おいての生成条件をそれほど厳密にする必要がなく、気
相合成が容易に可能となった。
ドを合成する方法においては、・炭素源と水素希釈ガス
の容量比により、生成するダイヤモンドの成長速度、結
晶性が変化するが、本発明においては炭素源と希釈ガス
との比により、生成するダイヤモンドの成長速度、結晶
性がシビアに変化することがないため、合成プロセスに
おいての生成条件をそれほど厳密にする必要がなく、気
相合成が容易に可能となった。
また合成ダイヤモンドにおいても、成長速度を速くする
ことを可能とした。種々のダイヤモンドコーティングに
適用した場合、広範囲な条件下でのコーティングを可能
とした。
ことを可能とした。種々のダイヤモンドコーティングに
適用した場合、広範囲な条件下でのコーティングを可能
とした。
第1図は本発明に使用したマイクロ波放電装置の概略図
。 第2図は本発明に使用したプラズマジェット装置の概略
図。 第3図は本発明に使用したホロー熱陰極放電装置の概略
図。 特許出願人 並木精密宝石株式会社 第1図 第2図
。 第2図は本発明に使用したプラズマジェット装置の概略
図。 第3図は本発明に使用したホロー熱陰極放電装置の概略
図。 特許出願人 並木精密宝石株式会社 第1図 第2図
Claims (1)
- 気相からのダイヤモンドの合成において、炭素源を炭
素と酸素との化合物を使用することを特徴としたダイヤ
モンド合成における炭素源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62296732A JPH01138109A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ダイヤモンドの合成における炭素源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62296732A JPH01138109A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ダイヤモンドの合成における炭素源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01138109A true JPH01138109A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17837378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62296732A Pending JPH01138109A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ダイヤモンドの合成における炭素源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01138109A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6333784B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-12-25 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | ESCA/Raman spectroscopy system for the analysis of metal corrosion products |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296732A patent/JPH01138109A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6333784B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-12-25 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | ESCA/Raman spectroscopy system for the analysis of metal corrosion products |
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