JPS60262474A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS60262474A
JPS60262474A JP59117769A JP11776984A JPS60262474A JP S60262474 A JPS60262474 A JP S60262474A JP 59117769 A JP59117769 A JP 59117769A JP 11776984 A JP11776984 A JP 11776984A JP S60262474 A JPS60262474 A JP S60262474A
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JP
Japan
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light
side lead
bed
emitting
resin layer
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Application number
JP59117769A
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English (en)
Inventor
Shigeki Tanaka
茂樹 田中
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は光半導体装置（＝関し、特に２ケの発光素子と
１ケの受光素子を有しこれらの素子を樹脂封止した交流
入力カプラーに係わる。
〔発明の技術的背景〕
周知の如く、光半導体装置例えば交流入力カプラーは、
論理回路結合、アナログリレー、モータ・コントロール
等に用いられ、その用途は拡大化されつつある。従来、
交流入力カプラーとしては、第３図及び第４図に示すも
のが知られている。ここで、第４図は第３図のＸ−Ｘ線
に示す断面図を示す。
図中の１ｍ、ｌｂは、夫々第１．第２の発光側リードフ
レームである。これら発光側リードフレームＩｓ、Ｉｂ
の形状の貞なる夫々のベッド部ｊａ、ＪｂＥは、夫々Ｑ
ａＡｉからなる第１゜第２の発光ペレッ）　３ａ　、３
ｂが夫々銀ペース）層４ｍ、４ｂを介してマウントされ
ている・前記第１の発光ペレット３直と第２の発光側リ
ードフレーム１ｂのベッド部２ｂ間にはがンデイングワ
イヤ５が設けられ、第２の発光ベレン）Ｊｂと第１の発
光側リードフレーム１ａのベッド部２ａ間には？ンデイ
ングヮイヤ６が設けられている。また、前記ベッド部２
ａ、２ｂの上方には、受光側リードフレーム７が対向し
て設けられている。この受光側リードフレーム７のベッ
ド部２Ｃｊ二は、銀ペースト層４Ｃを介してシリコンか
らなる受光ペレット８がマウントされている。前記ベッ
ド部２ｍ、２ｂと２ｃ間には、発光ベレン）３ｍ　、３
ｂ及び受光ペレット８を封止するように例えばシリコン
からなる樹脂層９が設けられている。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、従来の交流入力カプラーによれば、第１
．第２の発光側リードフレーム１ｍ。
１ｂの夫々のベッド部Ｊｊａ、Ｊｊｂの形状が異なるた
め、樹脂層９を形成する際、この樹脂層９が大きな面積
を有したベッド部（例えばＪａ）の方（＝引張られる。
従って、図に示すようにベッド部２ｂ上に形成された第
２の発光ペレット３ｂの一部が露出し発光ペレツ）Ｊｂ
が劣化するという問題を有する。なお、この問題は、第
５図のフィルム入りカプラーの場合に特Ｃ；顕著である
。同図において、１１は第２の発光ペレツ）Ｊｂと受光
ペレット８側の中間に設けられた高絶縁耐圧用のフィル
ムである。
また、前記と同様な理由より、？ンディング位置が遠く
なり、がンデイングワイヤ５，６の長さが長くなる。更
Ｃ二、第２の発光ペレツ）　３ｂが露出して形成される
ため、この発光ペレット３ｂの下部の銀ペースト層４ｂ
がしみ出し、ベッド部１ｂに接続されたメンディングワ
イヤ５との間に短絡が生じ易い。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情Ｃ：鑑みてなされたもので、２個の発
光ペレットを樹脂層で十分に封止して素子特性を向上す
るとともに、メンディングワイヤ等の短絡を回避し得る
光半導体装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、発光ペレットを夫々マウントされ　また一対
の発光側リードフレームと、このリードフレームの上方
に対向して設けられ、下部に受光ペレットをマウントさ
れた受光側リードフレームと、前記発光側リードフレー
ム及び受光側リードフレーム間に設けられ、上記各ペレ
ットを封止する樹脂層とを具備し、一対の発光側リード
フレームの夫々のベッド部が発光ペレット間の中心点を
基準として略点対称であることを特徴とするもので、発
光ペレットを樹脂層で十分に封止して素子特性の向上を
図るとともに、メンディングワイヤ等の短絡の阻止を図
るものである。
［発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例に係る交流入力カプラーを第１
図及び第２図を参照して説明する。
ここで、第２図は第１図のＹ−Ｙ線に沿う断面図を示す
。なお、従来と同部材のものは同符号を付して説明を省
略する。
図中の２１８．２１ｂは、夫々第１．第２の発光側リー
ドフレームであり、対をなしている。
これら発光側リードフレーム２１ｍ、！Ｉｂの先端部は
、夫々ベッド部２２ｍ、２２ｂとなっている。これらベ
ッド部２２ａ、２：８ｂは図中破線で境界を示したよう
に第１．第２の発光ペレツ）３ｍ、Ｓｂ間の中心点を基
準として略点対称になっており、ベッド部２２ａ、２２
ｂ全体の平面形状はほぼ正方形である。このため、ベッ
ト部２２ａ、２２ｂの面積は略同じとなる。
前記一対の第１．第２の発光側リードフレーム２１ａ、
２１ｂのペット部２２ａ、２２ｂと、受光側リードフレ
ーム７のベット部２Ｃ間には、発光ペレツ）Ｊａ、、９
ｂ及び受光ペレット８を封止するシリコン樹脂層２３が
設けられている。
なお、この樹脂層２３により、銀ペースト層４ａ〜４Ｃ
も完全に封止されている。
しかして、本発明によれば、第１．第２の発光側リード
フレーム；！　１　ａ　＃　２　Ｊ　ｂのベッド部２２
ａ、２２ｂを第１．第２の発光ペレット３ｍ、３ｂ間の
中心点を基準として略点対称とした構造となっているた
め、前記ベッド部２２ｍ、２２ｂの夫々の面積が略同じ
になる。
従って、ベッド部２２Ｂ、２２ｂとベッド部２Ｃ間に樹
脂層２３を形成した際、樹脂層２３が両方のベッド部２
２ａ、２２ｂを略均−に封止することができ、光量のバ
ラツキを軽減する等素子特性を向上できる。
また、上記と同様の理由より、がンディングワイヤ５，
６を短縮できる。更に、発光ペレッ）Ｊａ　、３ｂの外
銀ペースト層４ｍ　、＃ｂも完全に封止できることから
、従来の如く銀ペースト層のしみ出しに起因するがンデ
インワイヤとの短絡を回避できる。
なお、上記実施例では、発光側リードフレームのベッド
部を第１．第２の発光ペレット間の中心点を基準として
略点対称にし、両ベッド部全体の平面形状が正方形であ
る場合について述べたが、これに限らない。前記ベッド
部が略点対称であれば、両ベッド部全体の平面形状は例
えば長方形でも第６図のように円形でもよい。
なお、図中の２４ｍ、２４ｂはベッド部を示す。
また、上記実施例では、交流入力カプラーに適用した場
合について述べたが、これに限らなし八〇 〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、２個の発光ペレット
を樹脂層で十分に封止して光量のバラツキを軽減する等
素子特性を向上するとともに、ボンディングワイヤ等の
短絡を回避し得る交入力カプラー等の光半導体装置を提
供できる９
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る交入力カプラーの平面
図、第２図は第１図のＹｌ−Ｙ線に沿う断面図、第３図
は従来の交入力カプラーの平面図、第４図は第３図のＸ
−）ｉ’線≦二清う断面図、第５図はフィルム入りカプ
ラーの側面図、第６図は本発明の他の実施例に係る交入
力カノラーの平面図である。 ２ｃ、２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ−・ベッド部、
ｓａ、ｓｂ・・・発光ペレット、４８〜４Ｃ・・・銀−
ｅ−スト層、ｓ　、ｅ・・・がンディングヮ自 イヤ、７・・・受光側リードフレーム、２１ａ。 ２１ｂ・・・発光側リードフレーム、２３・・・シリコ
ン樹脂層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光ペレットが夫々マウントされた一対の発光側リード
    フレームと、このリードフレームの上方（二対向して設
    けられ、下部に受光ペレットがマウントされた受光側リ
    ードフレームと、前記発光側リードフレーム及び受光側
    リードフレーム間に設けられ上記各ペレットを封止する
    樹脂層とを具備し、一対の発光側リードフレームの夫々
    のベッド部が、発光ペレット間の中心点を基準として略
    点対称であることを特徴とする光半導体装置。
JP59117769A 1984-06-08 1984-06-08 光半導体装置 Pending JPS60262474A (ja)

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JP59117769A JPS60262474A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 光半導体装置

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JP59117769A Pending JPS60262474A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 光半導体装置

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JP (1) JPS60262474A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621265U (ja) * 1992-08-13 1994-03-18 松下電工株式会社 リードフレームのカップリング構造
EP1249874A3 (en) * 2001-04-09 2008-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621265U (ja) * 1992-08-13 1994-03-18 松下電工株式会社 リードフレームのカップリング構造
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