JPS60261206A - ミユ−テイング回路 - Google Patents
ミユ−テイング回路Info
- Publication number
- JPS60261206A JPS60261206A JP59117949A JP11794984A JPS60261206A JP S60261206 A JPS60261206 A JP S60261206A JP 59117949 A JP59117949 A JP 59117949A JP 11794984 A JP11794984 A JP 11794984A JP S60261206 A JPS60261206 A JP S60261206A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- capacitor
- voltage
- current
- potential
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/305—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、増幅器の電源投入時の過渡量の発生を防止
するミューティング回路に関する。
するミューティング回路に関する。
第２図は従来のミューティング回路を設置した増幅回路
を示している。
を示している。
電源供給端子２には、抵抗４およびコンデンサ６からな
るリップルフィルタ８を介して電源が供給され、Ｖｃｃ
はその電圧である。
るリップルフィルタ８を介して電源が供給され、Ｖｃｃ
はその電圧である。
ミューティング回路１０は、トランジスタ１２．１４．
１８．２０．２２．２４、抵抗２６および外部端子３０
．３２の間に接続されたコンデンサ３４で構成されてい
る６すなわち、コンデンサ３４は電源の供給開始から抵
抗２６を介して充電され、その充電電圧が一定の電圧に
到達するまでの一定時間、トランジスタ１２を導通状態
にする。
１８．２０．２２．２４、抵抗２６および外部端子３０
．３２の間に接続されたコンデンサ３４で構成されてい
る６すなわち、コンデンサ３４は電源の供給開始から抵
抗２６を介して充電され、その充電電圧が一定の電圧に
到達するまでの一定時間、トランジスタ１２を導通状態
にする。
このトランジスタ１２に流れる電流は、トランジスタ１
４．１８からなるカレントミラー回路を介して増幅器３
６の動作開始を遅延させるとともに、トランジスタ１４
．２０からなるカレントミラー回路によってトランジス
タ２０に流れる電流をトランジスタ２２．２４からなる
カレントミラー回路を介して反転させることにより、増
幅器３６の反転入力端子（−）側に形成された帰還回路
のコンデンサ３８に充電電流として供給し、コンデンサ
３８を増幅器３６の動作開始前に所定の電位に急速に充
電するようにしている。
４．１８からなるカレントミラー回路を介して増幅器３
６の動作開始を遅延させるとともに、トランジスタ１４
．２０からなるカレントミラー回路によってトランジス
タ２０に流れる電流をトランジスタ２２．２４からなる
カレントミラー回路を介して反転させることにより、増
幅器３６の反転入力端子（−）側に形成された帰還回路
のコンデンサ３８に充電電流として供給し、コンデンサ
３８を増幅器３６の動作開始前に所定の電位に急速に充
電するようにしている。
なお、増幅器３６の非反転入力端子（＋）に形成された
入力端子４０には、増幅すべき信号が加えられる。
入力端子４０には、増幅すべき信号が加えられる。
このようなミューティング回路によれば、電源の供給開
始から一定時間において、増幅器３６の動作を停止させ
、その帰″還回路におけるコンデンサ３８を急速に充電
するので、電源投入による過渡音の発生を防止すること
ができる。
始から一定時間において、増幅器３６の動作を停止させ
、その帰″還回路におけるコンデンサ３８を急速に充電
するので、電源投入による過渡音の発生を防止すること
ができる。
しかしながら、増幅器３６の動作停止時間およびコンデ
ンサ３８の充電時間の設定は、外付けされたコンデンサ
３４によって成されており、この回路を半導体集積回路
で構成しようとすれば、外付けのコンデンサ３４および
その外部接続用端子３０（ビン）を必要とするなどの欠
点がある。
ンサ３８の充電時間の設定は、外付けされたコンデンサ
３４によって成されており、この回路を半導体集積回路
で構成しようとすれば、外付けのコンデンサ３４および
その外部接続用端子３０（ビン）を必要とするなどの欠
点がある。
この発明は、外付けのコンデンサを除いて回路構成の簡
略化を図り、半導体集積回路化に適するミューティング
回路を提供するものである。
略化を図り、半導体集積回路化に適するミューティング
回路を提供するものである。
この発明は、コンデンサを含むリップルフィルタを介し
て電源が供給される電源供給端子の電位を検出する電位
検出回路を設置し、この電位検出回路の出力に応動し電
源の供給開始から電源供給端子の電位が所定電位に到達
するまでの期間中増幅器の動作を停止させるとともに、
その帰還回路のコンデンサを充電する電流出力回路を設
置したものである。
て電源が供給される電源供給端子の電位を検出する電位
検出回路を設置し、この電位検出回路の出力に応動し電
源の供給開始から電源供給端子の電位が所定電位に到達
するまでの期間中増幅器の動作を停止させるとともに、
その帰還回路のコンデンサを充電する電流出力回路を設
置したものである。
リップルフィルタのコンデンサ電位の立ち上がりを検出
し、その電位が所定電位に到達するまでの期間、増幅器
の動作開始を遅延させるとともに、その帰還回路のコン
デンサを急速に充電させる。
し、その電位が所定電位に到達するまでの期間、増幅器
の動作開始を遅延させるとともに、その帰還回路のコン
デンサを急速に充電させる。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、この発明のミューティング回路の実施例を示
し、第２図の回路と同一部分には同一符号を付しである
。
し、第２図の回路と同一部分には同一符号を付しである
。
第１図において、このミューティング回路には、電源供
給端子２の電位を検出する電位検出回路４２が設置され
、この電位検出回路４２の出力側には、電位検出出力に
応動してミューティング電流およびコンデンサ３８の充
電電流を発生する電流出力回路４４が設置されている。
給端子２の電位を検出する電位検出回路４２が設置され
、この電位検出回路４２の出力側には、電位検出出力に
応動してミューティング電流およびコンデンサ３８の充
電電流を発生する電流出力回路４４が設置されている。
電位検出回路４２は、トランジスタ４６．４８．５０．
５２および定電流源５４からなる電圧比較器で構成され
、トランジスタ４６のベースには、電源供給端子２に加
えられる電圧の立ち上がりを。
５２および定電流源５４からなる電圧比較器で構成され
、トランジスタ４６のベースには、電源供給端子２に加
えられる電圧の立ち上がりを。
抵抗５６．５８およびダイオード６０で分圧して加えら
れ、また、トランジスタ４８のベースには、同様の電圧
の印加により抵抗６２を介してダイオード６４．６６．
６８．７０で発生させた基準電圧Ｖ５Ｈが印加されてい
る。
れ、また、トランジスタ４８のベースには、同様の電圧
の印加により抵抗６２を介してダイオード６４．６６．
６８．７０で発生させた基準電圧Ｖ５Ｈが印加されてい
る。
また、電流出力回路４４は、トランジスタ７２．７４．
７６．７８．８０、ダイオード８２．８４．８６．８８
および抵抗９０．９２で構成されている。すなわち、ト
ランジスタ７４．７６はカレントミラー回路を構成し、
ダイオード８２．８４．８６．８８はレベルシフトカレ
ントミラー回路を構成している。そして、トランジスタ
７８はコンデンサ３８に対して充電電流を供給し、トラ
ンジスタ８０は増幅器８６の動作を停止させるミューテ
ィング電流を供給する。
７６．７８．８０、ダイオード８２．８４．８６．８８
および抵抗９０．９２で構成されている。すなわち、ト
ランジスタ７４．７６はカレントミラー回路を構成し、
ダイオード８２．８４．８６．８８はレベルシフトカレ
ントミラー回路を構成している。そして、トランジスタ
７８はコンデンサ３８に対して充電電流を供給し、トラ
ンジスタ８０は増幅器８６の動作を停止させるミューテ
ィング電流を供給する。
以上の構成に基づき、その動作を第３図を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第３図に示す曲線は、電源の供給開始からリップルフィ
ルタ８のコンデンサ６の充電に伴う電源供給端子２の電
圧の立ち上がりを示し、比較基準電圧ＶＳＨはトランジ
スタ４８のベースに設定されている比較基準電圧、すな
わち、スレシュホールドレベルである。
ルタ８のコンデンサ６の充電に伴う電源供給端子２の電
圧の立ち上がりを示し、比較基準電圧ＶＳＨはトランジ
スタ４８のベースに設定されている比較基準電圧、すな
わち、スレシュホールドレベルである。
電源の供給開始から電源供給端子２の電圧が、比較基準
電圧Ｖ３Ｈより低い場合には、トラン、ジスタ４６が導
通し、トランジスタ４８は非導通状態となるので、定電
流源５４の定電流はトランジスタ４６に全面的に流れる
。この電圧比較による電流はトランジスタ７２のベース
に流れ、トランジスタ７２を導通状態にする。
電圧Ｖ３Ｈより低い場合には、トラン、ジスタ４６が導
通し、トランジスタ４８は非導通状態となるので、定電
流源５４の定電流はトランジスタ４６に全面的に流れる
。この電圧比較による電流はトランジスタ７２のベース
に流れ、トランジスタ７２を導通状態にする。
トランジスタ７２に流れる電流は、トランジスタ７４．
７６の電流反転作用によってダイオード８２．８４．８
６．８８に流れるとともに、トランジスタ７８のベース
に流れる。
７６の電流反転作用によってダイオード８２．８４．８
６．８８に流れるとともに、トランジスタ７８のベース
に流れる。
この結果、トランジスタ７８を介してコンデンサ３８に
充電電流が流れ込むため、コンデンサ３８は急速に充電
される。この場合、コンデンサ３８の充電電位は、ダイ
オード８２．８４．８６．８８のそれぞれの順方向降下
電圧■、の和の電圧４ＶＦからトランジスタ７８のベー
ス・エミッタ間電圧■、を減じた３Ｖｙの値に充電され
る。
充電電流が流れ込むため、コンデンサ３８は急速に充電
される。この場合、コンデンサ３８の充電電位は、ダイ
オード８２．８４．８６．８８のそれぞれの順方向降下
電圧■、の和の電圧４ＶＦからトランジスタ７８のベー
ス・エミッタ間電圧■、を減じた３Ｖｙの値に充電され
る。
また、トランジスタ７４．８０の電流反転作用により、
トランジスタ８０から増幅器３６にその動作を停止させ
るミューティング電流が供給され、電源供給端子２の電
圧が比較基準電圧■、Ｈに到達するまでの時間、増幅器
３６の動作開始が遅延され、ミューティング状態に置か
れる。
トランジスタ８０から増幅器３６にその動作を停止させ
るミューティング電流が供給され、電源供給端子２の電
圧が比較基準電圧■、Ｈに到達するまでの時間、増幅器
３６の動作開始が遅延され、ミューティング状態に置か
れる。
すなわち、電源供給端子２の電圧が比較基準電圧Ｖ、、
に到達すると、トランジスタ４Ｇ、４８の導通状態が反
転し、トランジスタ４８が導通状態になるので、電流出
力回路４４の電流出力が解除され、コンデンサ３８の充
電は停止されるとともに、増幅器３６は通常の動作状態
となる。
に到達すると、トランジスタ４Ｇ、４８の導通状態が反
転し、トランジスタ４８が導通状態になるので、電流出
力回路４４の電流出力が解除され、コンデンサ３８の充
電は停止されるとともに、増幅器３６は通常の動作状態
となる。
したがって、第２図に示す回路のように、コンデンサ３
４を外部接続してなる時定数回路を用いることなく、同
様のミューティング動作を実現できる。
４を外部接続してなる時定数回路を用いることなく、同
様のミューティング動作を実現できる。
第４図はこの発明の他の実施例を示し、この実施例は第
１図に示す回路に対してその動作の安定化を図るために
ヒステリシス回路を付加したものである。
１図に示す回路に対してその動作の安定化を図るために
ヒステリシス回路を付加したものである。
すなわち、トランジスタ４Ｇのベース側に、トランジス
タ９４および抵抗９６．９８．１００からなるヒステリ
シス回路を設置し、トランジスタ４６が導通状態にある
とき、トランジスタ９４も導通状態になり、抵抗９８を
短絡する。
タ９４および抵抗９６．９８．１００からなるヒステリ
シス回路を設置し、トランジスタ４６が導通状態にある
とき、トランジスタ９４も導通状態になり、抵抗９８を
短絡する。
したがって、ヒステリシス回路は、トランジスタ４６が
一旦非導通状態に移行すると、電源電圧がある程度変動
しても、トランジスタ４６の非導通状態によってトラン
ジスタ９４が非導通状態を維持するように機能する。す
なわち、トランジスタ９４が導通から非導通状態になる
と、トランジスタ４６のベースに加えられる電圧が、ト
ランジスタ９４の導通時の抵抗９６のみで発生ずる電圧
から、抵抗９Ｇ、９８の合成抵抗値で発生する電圧に移
行し、この場合、前者の電圧より後者の電圧の方が高く
なるので、一旦トランジスタ４６が非導通に移行すると
、トランジスタ４６に加えられる電圧が相当高くならな
い限り、導通状態へ移行が困難になる。
一旦非導通状態に移行すると、電源電圧がある程度変動
しても、トランジスタ４６の非導通状態によってトラン
ジスタ９４が非導通状態を維持するように機能する。す
なわち、トランジスタ９４が導通から非導通状態になる
と、トランジスタ４６のベースに加えられる電圧が、ト
ランジスタ９４の導通時の抵抗９６のみで発生ずる電圧
から、抵抗９Ｇ、９８の合成抵抗値で発生する電圧に移
行し、この場合、前者の電圧より後者の電圧の方が高く
なるので、一旦トランジスタ４６が非導通に移行すると
、トランジスタ４６に加えられる電圧が相当高くならな
い限り、導通状態へ移行が困難になる。
このように構成すれば、電源電圧の変動に起因する誤動
作を防止できる。
作を防止できる。
以上説明したように、この発明によれば、ミューティン
グ回路の時定数設定用のコンデンサを削減できるととも
に、そのための外部接続用端子を削減でき、回路構成の
簡略化とともに、半導体集積回路化に適する回路として
構成でき、しかも、時定数をコンデンサで設定しないで
直接電源供給端子の電位上昇を検出してミューティング
動作停止をするので、信頼性の高いミューティング動作
を実現できる。
グ回路の時定数設定用のコンデンサを削減できるととも
に、そのための外部接続用端子を削減でき、回路構成の
簡略化とともに、半導体集積回路化に適する回路として
構成でき、しかも、時定数をコンデンサで設定しないで
直接電源供給端子の電位上昇を検出してミューティング
動作停止をするので、信頼性の高いミューティング動作
を実現できる。
第１図はこの発明のミューティング回路の実施例を示す
回路図、第２図は従来のミューティング回路を示す回路
図、第３図は第１図に示すミューティング回路の動作を
示す説明図、第４図はこの発明のミューティング回路の
他の実施例を示す回路図である。 ２・・・電源供給端子、６・・・コンデンサ、８・・・
リップルフィルタ、４２・・・電位検出回路、４４・・
・電流出力回路。
回路図、第２図は従来のミューティング回路を示す回路
図、第３図は第１図に示すミューティング回路の動作を
示す説明図、第４図はこの発明のミューティング回路の
他の実施例を示す回路図である。 ２・・・電源供給端子、６・・・コンデンサ、８・・・
リップルフィルタ、４２・・・電位検出回路、４４・・
・電流出力回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌ） コンデンサを含むリップルフィルタを介して電
源が供給される電源供給端子の電位を検出する電位検出
回路を設置し、この電位検出回路の出力に応動し電源の
供給開始から電源供給端子の電位が所定電位に到達する
までの期間中増幅器の動作を停止させるとともに、その
帰還回路のコンデンサを充電する電流出力回路を設置し
たことを特徴とするミューティング回路。 （２）前記電位検出回路は、電源供給端子の電圧によっ
て駆動される電圧比較器で構成し、電源の供給によって
電源供給端子が一旦所定電位に到達した場合、その出力
の反転の検出レベルを高くするヒステリシス回路を付加
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のミ
ューティング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117949A JPS60261206A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | ミユ−テイング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117949A JPS60261206A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | ミユ−テイング回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261206A true JPS60261206A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0467365B2 JPH0467365B2 (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=14724218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117949A Granted JPS60261206A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | ミユ−テイング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261206A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381514U (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-28 | ||
| US6876180B2 (en) | 2001-11-12 | 2005-04-05 | Denso Corporation | Power supply circuit having a start up circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367333A (en) * | 1976-11-27 | 1978-06-15 | Nec Corp | Shock noise reduction circuit for amplifier |
| JPS5531324A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-05 | Fujitsu Ltd | Transient noise preventing circuit |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP59117949A patent/JPS60261206A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367333A (en) * | 1976-11-27 | 1978-06-15 | Nec Corp | Shock noise reduction circuit for amplifier |
| JPS5531324A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-05 | Fujitsu Ltd | Transient noise preventing circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381514U (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-28 | ||
| JPH0513046Y2 (ja) * | 1986-11-17 | 1993-04-06 | ||
| US6876180B2 (en) | 2001-11-12 | 2005-04-05 | Denso Corporation | Power supply circuit having a start up circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467365B2 (ja) | 1992-10-28 |
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