JPH04142468A - インテリジェントｉｃの過電流検出回路 - Google Patents
インテリジェントｉｃの過電流検出回路Info
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- JPH04142468A JPH04142468A JP26507390A JP26507390A JPH04142468A JP H04142468 A JPH04142468 A JP H04142468A JP 26507390 A JP26507390 A JP 26507390A JP 26507390 A JP26507390 A JP 26507390A JP H04142468 A JPH04142468 A JP H04142468A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はインテリジェントＩＣの過電流検出回路に関し
、特にトランジスタのターンオン時の過電流を検出する
技術に関する。
、特にトランジスタのターンオン時の過電流を検出する
技術に関する。
〈従来の技術〉
従来、例えばインテリジェントＩＣ等において、ハイサ
イドスイッチもしくはローサイドスイ・ンチとして出力
段が構成され、その出力段にはパワーＭＯ３ＦＥＴまた
はパワートランジスタを使用したものがある。ハイサイ
ドスイッチにはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、ＰＮＰトラ
ンジスタ、もしくはＮチャンネルとチャージポンプとに
よって構成されるものがあり、ローサイドスイッチには
、ＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴＳＮＰＮトランジスタで構
成されるものがある。
イドスイッチもしくはローサイドスイ・ンチとして出力
段が構成され、その出力段にはパワーＭＯ３ＦＥＴまた
はパワートランジスタを使用したものがある。ハイサイ
ドスイッチにはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、ＰＮＰトラ
ンジスタ、もしくはＮチャンネルとチャージポンプとに
よって構成されるものがあり、ローサイドスイッチには
、ＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴＳＮＰＮトランジスタで構
成されるものがある。
第３図の１点鎖線内は従来のインテリジェントＩＣを示
す回路図である。インテリジェントＩＣのＡＮＤゲート
１は駆動信号ＶＩＮと、後述する過電流検出回路２の出
力電圧と、トランジスタＱのベレットの温度の過熱検出
する過熱検出回路３の出力信号と、を入力してＡＮＤ出
力をチャージポンプ４に出力する。チャージポンプ４は
ＡＮＤゲート１のＡＮＤ出力を昇圧してＮチャンネルパ
ワーＭＯＳＦＥＴ （以後、トランジスタと記す）Ｑの
ゲート（Ｇ）に印加する。負荷５への通電回路は、供給
電圧ｖｌ）Ｄの電源からアースまで順次、トランジスタ
Ｑのドレイン（Ｄ）、ソース（Ｓ）、インテリジェント
ＩＣのＯＵＴ端子、負荷５か接続することにより形成さ
れている。またインテリジェントＩＣはＧＮＤ端子でア
ースされている。
す回路図である。インテリジェントＩＣのＡＮＤゲート
１は駆動信号ＶＩＮと、後述する過電流検出回路２の出
力電圧と、トランジスタＱのベレットの温度の過熱検出
する過熱検出回路３の出力信号と、を入力してＡＮＤ出
力をチャージポンプ４に出力する。チャージポンプ４は
ＡＮＤゲート１のＡＮＤ出力を昇圧してＮチャンネルパ
ワーＭＯＳＦＥＴ （以後、トランジスタと記す）Ｑの
ゲート（Ｇ）に印加する。負荷５への通電回路は、供給
電圧ｖｌ）Ｄの電源からアースまで順次、トランジスタ
Ｑのドレイン（Ｄ）、ソース（Ｓ）、インテリジェント
ＩＣのＯＵＴ端子、負荷５か接続することにより形成さ
れている。またインテリジェントＩＣはＧＮＤ端子でア
ースされている。
過電流検出回路２は、トランジスタＱの出力電圧である
ドレイン−ソース間のドレイン電圧に基づいて増幅出力
する差動増幅器６と、非反転入力端子で入力した差動増
幅器６の増幅出力を反転入力端子で入力した抵抗Ｒ＋、
Ｒｔによる電圧ＶＯＯの分圧電圧Ｖ、と比較するコンパ
レータ７と、コンパレータ７の出力をトランジスタＱが
オンした時に所定の時間マスクするマスク回路８と、マ
スク回路８の出力信号を反転させるインバータ９と、に
よって構成され、トランジスタＱのドレイン電圧を検出
して通電回路の過電流を検出している。
ドレイン−ソース間のドレイン電圧に基づいて増幅出力
する差動増幅器６と、非反転入力端子で入力した差動増
幅器６の増幅出力を反転入力端子で入力した抵抗Ｒ＋、
Ｒｔによる電圧ＶＯＯの分圧電圧Ｖ、と比較するコンパ
レータ７と、コンパレータ７の出力をトランジスタＱが
オンした時に所定の時間マスクするマスク回路８と、マ
スク回路８の出力信号を反転させるインバータ９と、に
よって構成され、トランジスタＱのドレイン電圧を検出
して通電回路の過電流を検出している。
次に動作を説明する。
トランジスタＱをオンさせる場合、インテリジェントＩ
Ｃに「Ｈ」の駆動信号ｖ１Ｎが入力されると、過電流検
出回路２及び過熱検出回路３からＡＮＤゲート１に「Ｈ
Ｊ倍信号出力され、第４図ＡのようにＡＮＤゲート１か
ら「Ｈ」のＡＮＤ出力■、がチャージポンプ４に出力さ
れ、チャージポンプ４によりＡＮＤ出力ｖ１か昇圧され
る。パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間には浮遊容
量が有り、その為第４図ＡのようにトランジスタＱのゲ
ート電圧ｖＧか所定の電圧に達するまでこの浮遊容量に
よる時定数で除々に立ち上がっていく。
Ｃに「Ｈ」の駆動信号ｖ１Ｎが入力されると、過電流検
出回路２及び過熱検出回路３からＡＮＤゲート１に「Ｈ
Ｊ倍信号出力され、第４図ＡのようにＡＮＤゲート１か
ら「Ｈ」のＡＮＤ出力■、がチャージポンプ４に出力さ
れ、チャージポンプ４によりＡＮＤ出力ｖ１か昇圧され
る。パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間には浮遊容
量が有り、その為第４図ＡのようにトランジスタＱのゲ
ート電圧ｖＧか所定の電圧に達するまでこの浮遊容量に
よる時定数で除々に立ち上がっていく。
そしてトランジスタＱのドレイン電圧もこのゲート電圧
Ｖ。に基づいて除々に低下し、定常状態である飽和電圧
になるとトランジスタＱは完全にオン状態になる。した
がって駆動信号Ｖ１Ｎか入力されてトランジスタＱのド
レイン電圧が飽和電圧になるまでの時間がターンオン時
間である。そしてトランジスタＱがオンすると負荷５に
電圧ＶＤＤが供給され、負荷５は通電される。
Ｖ。に基づいて除々に低下し、定常状態である飽和電圧
になるとトランジスタＱは完全にオン状態になる。した
がって駆動信号Ｖ１Ｎか入力されてトランジスタＱのド
レイン電圧が飽和電圧になるまでの時間がターンオン時
間である。そしてトランジスタＱがオンすると負荷５に
電圧ＶＤＤが供給され、負荷５は通電される。
パワーＭＯ３ＦＥＴにはオン抵抗Ｒｄ ａがあり、過電
流検出回路２はこのオン抵抗Ｒｄ ａによるドレイン電
圧を検出して通電回路の過電流を検出する。
流検出回路２はこのオン抵抗Ｒｄ ａによるドレイン電
圧を検出して通電回路の過電流を検出する。
通電回路が正常である場合、第４図Ａのようにトランジ
スタＱのドレイン電圧Ｖ ｄ ａを差動増幅した差動増
幅器６の出力信号ｖ２はマスク時間ｔ１経過後、電圧Ｖ
０゜の分圧電圧Ｖｓよりも低くなり、コンパレータ７は
「Ｌ」の信号を出力し、インバータ９はコンパレータ７
の信号を反転させてＡＮＤゲートｌに「Ｈ」の信号ｖ０
を出力する。尚、過電流検出値があまり高くならないよ
うに過電流検出レベルを飽和電圧付近に設定しであるか
、ドレイン電圧Ｖ。がすぐには飽和電圧に達しない為、
ＡＮＤゲー） １（７）ＡＮＤ出力ｖ１が「Ｌ」から「
Ｈ」に立ち上がってから、差動増幅器６の出力信号Ｖ、
が電圧Ｖ、よりも低くなるまでの時間ｔ１の間、マスク
回路８によりコンパレータ７の出力をマスクしている。
スタＱのドレイン電圧Ｖ ｄ ａを差動増幅した差動増
幅器６の出力信号ｖ２はマスク時間ｔ１経過後、電圧Ｖ
０゜の分圧電圧Ｖｓよりも低くなり、コンパレータ７は
「Ｌ」の信号を出力し、インバータ９はコンパレータ７
の信号を反転させてＡＮＤゲートｌに「Ｈ」の信号ｖ０
を出力する。尚、過電流検出値があまり高くならないよ
うに過電流検出レベルを飽和電圧付近に設定しであるか
、ドレイン電圧Ｖ。がすぐには飽和電圧に達しない為、
ＡＮＤゲー） １（７）ＡＮＤ出力ｖ１が「Ｌ」から「
Ｈ」に立ち上がってから、差動増幅器６の出力信号Ｖ、
が電圧Ｖ、よりも低くなるまでの時間ｔ１の間、マスク
回路８によりコンパレータ７の出力をマスクしている。
また通電回路の電流Ｉ。ｕ丁が過電流になった場合、差
動増幅器６の出力信号Ｖ、は電圧Ｖ、よりも高くなり、
過電流検出回路２はマスク時間ｔ、経過後、過電流検出
信号として「Ｌ」の信号をＡＮＤゲートｌに出力し、ト
ランジスタＱがオフして負荷５への通電が停止する。
動増幅器６の出力信号Ｖ、は電圧Ｖ、よりも高くなり、
過電流検出回路２はマスク時間ｔ、経過後、過電流検出
信号として「Ｌ」の信号をＡＮＤゲートｌに出力し、ト
ランジスタＱがオフして負荷５への通電が停止する。
過熱検出回路３はトランジスタＱのペレットの温度を検
出し、万が−トランジスタＱが過熱してペレットの温度
か一定値を越えた時には「Ｌ」信号をＡＮＤゲート１に
出力し、ＡＮＤゲート１の出力信号を「Ｌ」に立ち下げ
てトランジスタＱをオフさせる。
出し、万が−トランジスタＱが過熱してペレットの温度
か一定値を越えた時には「Ｌ」信号をＡＮＤゲート１に
出力し、ＡＮＤゲート１の出力信号を「Ｌ」に立ち下げ
てトランジスタＱをオフさせる。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、従来のインテリジェントＩＣの過電流検出回
路では、通電回路の電流値をトランジスタＱのドレイン
電圧で検出しているか、トランジスタＱのゲート−ソー
ス間に浮遊容量がある為、トランジスタＱのドレイン電
圧Ｖｄｓがすぐに低下せず、差動増幅器６の出力信号Ｖ
２もコンパレータ６の比較電圧以下に下がらない。した
がって過電流の誤検出をしないようにマスク回路８が設
けているのであるが、マスク回路８を設けると、第４図
Ｂのように万が−、マスク時間ｔ１内で通電回路の電流
Ｉ。Ｕ、が過電流になってもこのマスク時間ｔ１内では
過電流検出回路２は過電流を検出出来ず、この電流Ｉ。
路では、通電回路の電流値をトランジスタＱのドレイン
電圧で検出しているか、トランジスタＱのゲート−ソー
ス間に浮遊容量がある為、トランジスタＱのドレイン電
圧Ｖｄｓがすぐに低下せず、差動増幅器６の出力信号Ｖ
２もコンパレータ６の比較電圧以下に下がらない。した
がって過電流の誤検出をしないようにマスク回路８が設
けているのであるが、マスク回路８を設けると、第４図
Ｂのように万が−、マスク時間ｔ１内で通電回路の電流
Ｉ。Ｕ、が過電流になってもこのマスク時間ｔ１内では
過電流検出回路２は過電流を検出出来ず、この電流Ｉ。
ｕＴ通電回路に過大電流が流れてインテリジェントＩＣ
１電源等に悪影響をおよぼすおそれがあった。
１電源等に悪影響をおよぼすおそれがあった。
本発明ではこのような従来の課題に鑑みてなされたもの
で、トランジスタのターンオン時においても過電流を検
出することが出来るインテリジェントＩＣの過電流検出
回路を提供することを目的とする。
で、トランジスタのターンオン時においても過電流を検
出することが出来るインテリジェントＩＣの過電流検出
回路を提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
このため本発明は、駆動信号に基づいて負荷への通電回
路をオン・オフするトランジスタの出力電圧を所定の比
較電圧と比較して出力電圧が比較電圧を越えた時に過電
流検出信号を出力するインテリジェントＩＣの過電流検
出回路において、前記トランジスタの出力電圧に応じて
前記比較電圧を可変する可変手段を設けた。
路をオン・オフするトランジスタの出力電圧を所定の比
較電圧と比較して出力電圧が比較電圧を越えた時に過電
流検出信号を出力するインテリジェントＩＣの過電流検
出回路において、前記トランジスタの出力電圧に応じて
前記比較電圧を可変する可変手段を設けた。
〈作用〉
上記の構成によれば、駆動信号に基づいてトランジスタ
は負荷への通電回路をオン・オフする。
は負荷への通電回路をオン・オフする。
一方、可変手段により出力電圧に応じて比較電圧か可変
する。これによりトランジスタのターンオン時のような
過渡期であっても過電流の検出レベルか変化するので、
すぐに過電流の検出を行うことか出来る。
する。これによりトランジスタのターンオン時のような
過渡期であっても過電流の検出レベルか変化するので、
すぐに過電流の検出を行うことか出来る。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づいて説
明する。尚、第３図と同一要素のものについては同一符
号を付して説明は省略する。
明する。尚、第３図と同一要素のものについては同一符
号を付して説明は省略する。
本実施例を示す第１図において、過電流検出回路１０は
、電圧Ｖ０゜の電源とアースとに接続して駆動信号であ
るＡＮＤ出力出力音１力するバッファ１１と、バッファ
１１の出力端とアースとの間に接続している分圧抵抗Ｒ
１，Ｒｔと、バッファ１１例の分圧抵抗である抵抗ＲＩ
と並列に接続されているコンデンサＣと、従来と同様の
差動増幅器６と、コンパレータ７と、コンパレータ７の
出力信号を反転させるインバータ９と、によって構成さ
れている。尚、バッファ１１と分圧抵抗Ｒ１，Ｒ１とコ
ンデンサＣとが可変手段に相当する。
、電圧Ｖ０゜の電源とアースとに接続して駆動信号であ
るＡＮＤ出力出力音１力するバッファ１１と、バッファ
１１の出力端とアースとの間に接続している分圧抵抗Ｒ
１，Ｒｔと、バッファ１１例の分圧抵抗である抵抗ＲＩ
と並列に接続されているコンデンサＣと、従来と同様の
差動増幅器６と、コンパレータ７と、コンパレータ７の
出力信号を反転させるインバータ９と、によって構成さ
れている。尚、バッファ１１と分圧抵抗Ｒ１，Ｒ１とコ
ンデンサＣとが可変手段に相当する。
次に過電流検出回路１０の動作を説明する。
通電回路が正常である場合、第２図Ａのように「Ｈ」の
駆動信号ＶＩＮがインテリジェントＩＣに入力されると
ゲート電圧ｖ０はトランジスタＱの＼ゲートーソース間
の浮遊容量で決定される時定数をもって所定の電圧まで
高くなり、それと共にトランジスタＱもターンオンして
飽和電圧に達する。
駆動信号ＶＩＮがインテリジェントＩＣに入力されると
ゲート電圧ｖ０はトランジスタＱの＼ゲートーソース間
の浮遊容量で決定される時定数をもって所定の電圧まで
高くなり、それと共にトランジスタＱもターンオンして
飽和電圧に達する。
一方、バッファ１１の出力電圧は分圧抵抗Ｒ２とコンデ
ンサＣとによりコンパレータ７の比較電圧も時定数をも
って低下してくる。このコンデンサＣの容量はトランジ
スタＱかチャージアップするまでの時定数をτ１とし、
電圧Ｖ、の立ち上がりの時定数をτ、とすると、τ１≦
τ２となるように決定される。尚、τ１は５０ＩＬＳ程
度であるのでコンデンサＣの容量はかなり小さくなる。
ンサＣとによりコンパレータ７の比較電圧も時定数をも
って低下してくる。このコンデンサＣの容量はトランジ
スタＱかチャージアップするまでの時定数をτ１とし、
電圧Ｖ、の立ち上がりの時定数をτ、とすると、τ１≦
τ２となるように決定される。尚、τ１は５０ＩＬＳ程
度であるのでコンデンサＣの容量はかなり小さくなる。
このようにコンデンサＣの容量が決定されるので、第２
図のように駆動信号ＶＩＮが入力されてトランジスタＱ
がターンオンしてから飽和電圧に達するまでの間、コン
パレータ７の比較電圧Ｖｓは差動増幅器６の出力信号ｖ
２を上回った電圧で低下し、コンパレータ７の出力信号
は「Ｌ」となりインバータ９により反転されて、「Ｈ」
の信号ｖ０がＡＮＤゲート１に出力され、トランジスタ
Ｑのオン状態が維持される。
図のように駆動信号ＶＩＮが入力されてトランジスタＱ
がターンオンしてから飽和電圧に達するまでの間、コン
パレータ７の比較電圧Ｖｓは差動増幅器６の出力信号ｖ
２を上回った電圧で低下し、コンパレータ７の出力信号
は「Ｌ」となりインバータ９により反転されて、「Ｈ」
の信号ｖ０がＡＮＤゲート１に出力され、トランジスタ
Ｑのオン状態が維持される。
万か−、通電回路に過電流か流れた場合、第２図Ｂのよ
うにドレイン電圧Ｖ、８はオン抵抗Ｒ４ｍにより大きく
なり、差動増幅器６の出力信号■、がコンパレータ７の
比較電圧Ｖ８を越えた時間ｔ２でコンパレータ７の出力
信号は「Ｈ」から「Ｌ」に反転してＡＮＤゲート１に出
力され、ＡＮＤゲートｌは「Ｌ」となってトランジスタ
Ｑはオフし、通電回路の通電か停止する。
うにドレイン電圧Ｖ、８はオン抵抗Ｒ４ｍにより大きく
なり、差動増幅器６の出力信号■、がコンパレータ７の
比較電圧Ｖ８を越えた時間ｔ２でコンパレータ７の出力
信号は「Ｈ」から「Ｌ」に反転してＡＮＤゲート１に出
力され、ＡＮＤゲートｌは「Ｌ」となってトランジスタ
Ｑはオフし、通電回路の通電か停止する。
かかる構成によれば、コンパレータ７の比較電圧をトラ
ンジスタＱの出力であるドレイン電圧に応じて可変とす
ることにより、トランジスタＱのターンオン時のような
過渡期であっても、過電流の検出レベルが変化するので
、駆動信号ＶＩＮが入力されてからすぐに過電流の検出
を行うことが出来る。したがってトランジスタＱのター
ンオン時間内に万が一負荷がショートしてもすぐに過電
流を検出してトランジスタＱをオフさせるので、ＩＣ１
電源への悪影響を軽減することが出来、インテリジェン
トＩＣの過電流検出回路の信頼性を向上させることが出
来る。
ンジスタＱの出力であるドレイン電圧に応じて可変とす
ることにより、トランジスタＱのターンオン時のような
過渡期であっても、過電流の検出レベルが変化するので
、駆動信号ＶＩＮが入力されてからすぐに過電流の検出
を行うことが出来る。したがってトランジスタＱのター
ンオン時間内に万が一負荷がショートしてもすぐに過電
流を検出してトランジスタＱをオフさせるので、ＩＣ１
電源への悪影響を軽減することが出来、インテリジェン
トＩＣの過電流検出回路の信頼性を向上させることが出
来る。
尚、本実施例では、トランジスタＱにＮチャンネルパワ
ーＭＯ３ＦＥＴを用いたが、これに限らず、バイポーラ
トランジスタのＮＰＮ）ランジスタを用いても構わない
。
ーＭＯ３ＦＥＴを用いたが、これに限らず、バイポーラ
トランジスタのＮＰＮ）ランジスタを用いても構わない
。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明によれば、可変手段によりト
ランジスタの出力電圧に応じて出力電圧に対する比較電
圧を可変することにより、トランジスタのターンオン時
のような過渡期であっても、過電流の検出レベルが変化
するので、駆動信号が入力されてからすぐに過電流の検
出を行うことが出来、過電流によるインテリジェントＩ
Ｃ１電源への悪影響を軽減することが出来、インテリジ
ェントＩＣの過電流検出回路の信頼性を向上させること
が出来る。
ランジスタの出力電圧に応じて出力電圧に対する比較電
圧を可変することにより、トランジスタのターンオン時
のような過渡期であっても、過電流の検出レベルが変化
するので、駆動信号が入力されてからすぐに過電流の検
出を行うことが出来、過電流によるインテリジェントＩ
Ｃ１電源への悪影響を軽減することが出来、インテリジ
ェントＩＣの過電流検出回路の信頼性を向上させること
が出来る。
第１図は本発明の構成を示す回路図、第２図は第１図の
信号波形図、第３図は従来の回路図、第４図は第３図の
信号波形図である。 １・・・ＡＮＤゲート ５・・・負荷 ７・・・コ
ンパレータ １０・・・過電流検出回路 １１・・・バッファ ・・・抵抗 Ｃ・・・コンデンサ ・・・トランジスタ
信号波形図、第３図は従来の回路図、第４図は第３図の
信号波形図である。 １・・・ＡＮＤゲート ５・・・負荷 ７・・・コ
ンパレータ １０・・・過電流検出回路 １１・・・バッファ ・・・抵抗 Ｃ・・・コンデンサ ・・・トランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 駆動信号に基づいて負荷への通電回路をオン・オフする
トランジスタの出力電圧を所定の比較電圧と比較して出
力電圧が比較電圧を越えた時に過電流検出信号を出力す
るインテリジェントＩＣの過電流検出回路において、 前記トランジスタの出力電圧に応じて前記比較電圧を可
変する可変手段を設けたことを特徴とするインテリジェ
ントＩＣの過電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26507390A JPH04142468A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | インテリジェントｉｃの過電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26507390A JPH04142468A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | インテリジェントｉｃの過電流検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142468A true JPH04142468A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17412220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26507390A Pending JPH04142468A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | インテリジェントｉｃの過電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142468A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07191766A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-07-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路カードの接続用電力制御回路 |
| JP2006100895A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Nec Electronics Corp | 負荷駆動回路 |
| WO2006129548A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Autonetworks Technologies, Ltd. | 電力供給制御装置及び半導体装置 |
| JP2007017262A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Yazaki Corp | 過電流検出装置 |
| WO2009116589A1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 矢崎総業株式会社 | 電力供給装置 |
| JP2010233252A (ja) * | 2010-06-24 | 2010-10-14 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 内燃機関制御装置 |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26507390A patent/JPH04142468A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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