JPWO2006129548A1 - 電力供給制御装置及び半導体装置 - Google Patents
電力供給制御装置及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006129548A1 JPWO2006129548A1 JP2007518937A JP2007518937A JPWO2006129548A1 JP WO2006129548 A1 JPWO2006129548 A1 JP WO2006129548A1 JP 2007518937 A JP2007518937 A JP 2007518937A JP 2007518937 A JP2007518937 A JP 2007518937A JP WO2006129548 A1 JPWO2006129548 A1 JP WO2006129548A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- current
- circuit
- power supply
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 49
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 46
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch
Abstract
Description
11…半導体装置
12…外付け抵抗(電流電圧変換回路)
15…パワーMOSFET(半導体スイッチ素子、パワーFET)
16…センスMOSFET(電流検出回路、センスFET)
50…負荷
60…分圧回路(電圧発生回路)
61…電源
62,64…コンパレータ(異常検出回路)
63…通電路
66…FET(バイアス回路)
68…バイアス用抵抗(バイアス回路)
70…FET(漏れ電流遮断回路)
Ip…負荷電流
Is…センス電流Is(検出信号)
Ith1、Ith2…閾値電流
P4…外部端子
S2…ハイレベルの出力信号(異常信号)
S4…ハイレベルの出力信号(異常信号)
Va,Vb…分圧電圧(発生電圧)
Vo…端子電圧(電流電圧変換回路の出力電圧)
Vs…ソース電位(半導体スイッチ素子の出力側電圧)
本発明の実施形態1を図1から図3及び図5を参照しつつ説明する。
(1)全体構成
図1は、本実施形態に係る電力供給制御装置10の全体構成を示すブロック図であり、同図に示すように、本実施形態の電力供給制御装置10は、それが備えるパワーMOSFET15(本発明の「半導体スイッチ素子、パワーFET」の一例)が電源61(車両用電源)と負荷50との間の通電路63に接続され、このパワーMOSFET15をオンオフさせることで電源61から負荷50への電力供給を制御するようになっている。なお、本実施形態では、電力供給制御装置10は図示しない車両に搭載され、負荷50として例えば車両用のランプ、クーリングファン用モータやデフォッガー用ヒータなどの駆動制御をするために使用される。
次に、過電流検知回路13について説明する。図2は、電力供給制御装置10の過電流検知回路13を主として示す回路図である。同図に示すように、過電流検知回路13は、パワーMOSFET15の電流量に応じたセンス電流が流れるセンスMOSFET16(本発明の「電流検出回路、センスFET」の一例)を備えている。パワーMOSFET15及びセンスMOSFET16については、ドレイン端子Dが共通接続されて電源端子P2に接続される複数のMOSFETが配列され、ほとんどのMOSFET群が、ソース端子Sを出力端子P3に共通接続することでパワーMOSFET15が構成され、残りのMOSFET群が、ソース端子Sを共通接続することでセンスMOSFET16が構成されている。なお、パワーMOSFET15を構成するMOSFET群の数と、センスMOSFET16を構成するMOSFET群の数との比が概ねセンス比kである。パワーMOSFET15のソース端子S及びセンスMOSFET16のソース端子Sは、オペアンプ18の各入力端子にそれぞれ接続されており、このオペアンプ18の出力側には、FET20のゲート端子が接続されている。
保護用論理回路40は、ローレベルの制御信号S1を受けることで起動し、正常時は、ローレベルの制御信号S5を出力してチャージポンプ回路41を駆動させ、このチャージポンプ回路41は昇圧した電圧をパワーMOSFET15及びセンスMOSFET16の各ゲート−ソース間に与えてオンして通電状態にさせるように動作する。一方、保護用論理回路40は、ローレベルの出力信号S2或いはローレベルの出力信号S4を受けた電流異常検出時には、ハイレベルの制御信号S5を出力して、チャージポンプ回路41をオフさせるとともにターンオフ回路42を駆動させる。これにより、パワーMOSFET15及びセンスMOSFET16の各ゲート−ソース間の電荷を放電し、遮断させるように動作する。
図3は、パワーMOSFET15のドレイン−ソース間電圧Vds及び閾値電流Ith1,Ith2と、パワーMOSFET15に流れる負荷電流Ip(=k・Is)との関係を示す図である。横軸は、センスMOSFET16のドレイン−ソース間電圧Vdsを示し、縦軸は、そのドレイン−ソース間電圧Vdsに応じた閾値電流Ith1,Ith2及び負荷電流Ipを示している。同図中、ラインL1は負荷50の負荷抵抗によって定まる負荷電流Ipの変化を示す負荷線であり、ラインL2はパワーMOSFET15のオン抵抗によって定まる負荷電流Ipの変化を示すオン抵抗線である。なお、センス電流Isは、負荷電流Ipに比例した変化を示す。以下の説明では、負荷電流Ipを例に挙げて説明する。
図4は実施形態2を示す。前記実施形態1との相違は、バイアス回路の構成にあり、その他の点は前記実施形態1と同様である。従って、実施形態1と同一符号を付して重複する説明を省略し、異なるところのみを次に説明する。
図4に示すように、本実施形態では、バイアス回路を分圧回路60の上流端側、即ち、電源端子P2と分圧回路60との間に設けた構成となっている。具体的には、前述したバイアス用抵抗68の下流端がパワーMOSFET15のソースSと分圧抵抗R1との接続点に接続されている。
以上の構成により、FET70は、入力端子P1にローレベルの制御信号S1が入力されることでオンして通電状態となって電源端子P2とバイアス用抵抗68との間の通電を許容する。これにより、電源端子P2と分圧抵抗R1との間には、バイアス用抵抗68の電圧降下分の電圧が付与され、各分圧電圧Va,Vbは電源電圧Vcc側にバイアスされる。このとき、バイアス用抵抗68が本発明の「バイアス回路」として機能し、FET70が本発明の「漏れ電流遮断回路」として機能する。このような構成であれば、FET66が不要となる分だけ上記実施形態1に比べてバイアス回路の構成が簡単になるというメリットがある。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記各実施形態では、分圧回路60を3つの分圧抵抗R1〜R3によって構成し、短絡異常と過電流異常の2段階の電流異常を検出する構成としたが、これに限らず、例えば2つの分圧抵抗によって1つの電流異常を検出する構成、或いは、4つ以上の分圧抵抗によって3つ以上の電流異常を検出する構成であってもよい。
要するに、電力供給制御装置は、半導体スイッチ素子に連なる外部回路(例えば配線部材(電線))に高いレベルの異常電流が流れたときには即時的に異常信号を出力し、比較的に低いレベルの異常電流が流れたときにはある程度の通電時間を経過した後に異常信号を出力するように動作する。これにより、外部回路に大電流が流れて焼損などすることを抑制することが可能となる。また、RC並列回路の回路定数(各抵抗素子の抵抗値、コンデンサの容量)を変更することで、その出力電圧が閾値電圧を超えるまでの検出電流−通電時間の関係曲線を適切なものに調整することができる。また、RC並列回路に流れる検出電流の最大電流量が有限となるため、この最大電流量を、第1抵抗素子、第2抵抗素子のうち少なくともいずれか一方の抵抗値を調整することにより半導体スイッチ素子の最大許容電流値に対応した値に設定することができる。また、第2抵抗素子の抵抗値を調整することにより過電流状態が長時間継続した場合における検出電流の収束値を調整することができる。更に、第1及び第2の抵抗素子及びコンデンサの値を調整することにより検出電流−通電時間の関係曲線の経時的な収束度合いを調整することができる。
Claims (10)
- 電源と負荷との間に設けられて前記電源から前記負荷への電力供給を制御する電力供給制御装置であって、
前記電源から前記負荷への通電路に配される半導体スイッチ素子と、
前記半導体スイッチ素子に流れる負荷電流を検出する電流検出回路と、
前記半導体スイッチ素子の出力側電圧に応じた電圧を発生する電圧発生回路と、
前記電流検出回路からの検出信号と前記電圧発生回路の発生電圧とに基づき、前記半導体スイッチ素子に流れる負荷電流が前記発生電圧に応じた閾値電流を超える場合に異常信号を出力する異常検出回路とを備えることを特徴とする電力供給制御装置。 - 前記電圧発生回路は、前記半導体スイッチ素子の出力側電圧を分圧する分圧回路であり、この分圧電圧が前記発生電圧とされることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の電力供給制御装置。
- 前記半導体スイッチ素子はパワーFETであると共に、前記電流検出回路は前記パワーFETに流れる負荷電流に対し所定関係のセンス電流が流れるセンスFETを有して構成され、
前記センスFETに流れるセンス電流を電圧に変換する電流電圧変換回路を備え、
前記異常検出回路は、当該電流電圧変換回路の出力電圧が前記発生電圧を超えた場合に前記異常信号を出力する構成とされていることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の電力供給制御装置。 - 前記パワーFET、前記センスFET及び前記異常検出回路は、ワンチップ化された、或いは、複数のチップで構成されてワンパッケージ内に収容された半導体装置とされ、
前記分圧回路は前記半導体装置の内部に設けられ、
前記電流電圧変換回路は前記半導体装置の外部に設けられる外付け抵抗であることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の電力供給制御装置。 - 前記分圧回路は、複数の分圧電圧を生成する構成とされ、
前記異常検出回路は、前記電流電圧変換回路の出力電圧と、前記複数の分圧電圧との比較に基づき異常電流レベルに応じた複数の異常信号を出力することを特徴とする請求の範囲第4項に記載の電力供給制御装置。 - 前記分圧回路の上流端側または下流端側に、バイアス回路が設けられていることを特徴とする請求の範囲第2項から請求の範囲第5項のいずれかに記載の電力供給制御装置。
- 前記バイアス回路は、前記分圧回路の下流端側にダイオード接続されたFETと、そのFETのゲートと前記電源との間に接続されるバイアス用抵抗と、を備えて構成されていることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の電力供給制御装置。
- 前記バイアス回路は、前記電源と前記分圧回路の上流端との間に接続されたバイアス用抵抗を備えて構成されていることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の電力供給制御装置。
- 前記バイアス用抵抗に流れる電流の電流路には、常には当該電流を遮断し、前記半導体スイッチ素子への入力信号がアクティブのときに当該電流の通電を許容する漏れ電流遮断回路が設けられていることを特徴とする請求の範囲第7項または請求の範囲第8項に記載の電力供給制御装置。
- パワーFETを用いて電力供給制御を行う半導体装置であって、
前記パワーFETと、前記パワーFETの電流量に応じたセンス電流が流れるセンスFETと、前記センス電流レベルに基づいて、前記パワーFETに流れる電流の異常検出を行う異常検出回路と、前記パワーFETのソース電圧を分圧する分圧回路と、がワンチップ化された状態、或いは、複数のチップで構成されてワンパッケージ化された状態で設けられており、
前記センス電流の電流経路に連なるとともに外部から外付け抵抗を接続可能な外部端子を備え、前記センス電流が前記外部端子を通して前記外付け抵抗に流す構成とされ、
前記異常検出回路は、前記外付け抵抗の端子電圧と、前記分圧回路による分圧電圧との比較に基づき異常信号を出力することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005163967 | 2005-06-03 | ||
JP2005163967 | 2005-06-03 | ||
PCT/JP2006/310456 WO2006129548A1 (ja) | 2005-06-03 | 2006-05-25 | 電力供給制御装置及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006129548A1 true JPWO2006129548A1 (ja) | 2008-12-25 |
JP4589966B2 JP4589966B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=37481477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007518937A Active JP4589966B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-05-25 | 電力供給制御装置及び半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7924542B2 (ja) |
JP (1) | JP4589966B2 (ja) |
CN (1) | CN101189795B (ja) |
DE (1) | DE112006001377B4 (ja) |
WO (1) | WO2006129548A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019728A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電力供給制御装置 |
JP5054928B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-10-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給制御装置 |
WO2007138929A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Autonetworks Technologies, Ltd. | 電力供給制御装置 |
JP4836694B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2011-12-14 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給制御装置 |
US7960997B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-06-14 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices |
JP5037414B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2012-09-26 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給制御装置 |
JP2011124269A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | イグナイタ用電力半導体装置 |
JP5408352B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-02-05 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電源制御回路及び電源制御装置 |
US8634211B2 (en) * | 2010-07-21 | 2014-01-21 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Switch control device, power supply device comprising the same and switch control method |
US9000744B2 (en) | 2010-07-21 | 2015-04-07 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Switch control device with zero-cross point estimation by edge detection, power supply device comprising the same, and switch control method with zero-cross point estimation by edge detection |
US8610415B2 (en) * | 2011-03-07 | 2013-12-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Lambda correction for current foldback |
US8941404B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-01-27 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for testing a power supply controller |
JP6110133B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-04-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子制御装置 |
JP6201366B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-09-27 | 株式会社ジェイテクト | 電気負荷制御装置の過電流異常判定装置、駆動力配分制御装置、および過電流異常判定方法ならびに過電流異常判定プログラム |
US9142248B2 (en) * | 2013-04-05 | 2015-09-22 | Rohm Co., Ltd. | Motor drive device, magnetic disk storage device, and electronic device |
JP6260552B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2018-01-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給装置 |
JP6531941B2 (ja) * | 2015-07-08 | 2019-06-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 回路装置、点灯装置、及びそれを用いた車両 |
US10254327B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-04-09 | Infineon Technologies Ag | Method and device for short circuit detection in power semiconductor switches |
US20170248645A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Infineon Technologies Ag | Method and Device for Short Circuit Detection in Power Semiconductor Switches |
CN108450045A (zh) * | 2016-06-03 | 2018-08-24 | 富士电机株式会社 | 半导体元件的驱动装置 |
DE102016210798B3 (de) * | 2016-06-16 | 2017-11-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleiterschaltung |
JP6784918B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-11-18 | ミツミ電機株式会社 | レギュレータ用半導体集積回路 |
TWI630591B (zh) * | 2017-05-11 | 2018-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其保護電路 |
US11239837B2 (en) | 2017-12-15 | 2022-02-01 | Rohm Co., Ltd. | Switch device |
JP7014138B2 (ja) | 2018-11-26 | 2022-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2020167612A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 住友電装株式会社 | 給電制御装置 |
CN112448568B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-11-05 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 一种过压钳位电路 |
DE102019126953B3 (de) * | 2019-10-08 | 2020-10-08 | Eberspächer Controls Landau Gmbh & Co. Kg | Steuergerät für ein Fahrzeug |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04142468A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Japan Electron Control Syst Co Ltd | インテリジェントicの過電流検出回路 |
JP2000235424A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Yazaki Corp | カレントミラー回路、電流センサ及びこれを具備したスイッチング回路並びにスイッチングデバイス |
JP2003087959A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Yazaki Corp | スイッチングデバイス |
JP2005027380A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0651314A1 (en) * | 1993-10-27 | 1995-05-03 | International Business Machines Corporation | An apparatus and method for thermally protecting a processing device |
CN2247393Y (zh) * | 1995-07-04 | 1997-02-12 | 周亚力 | 双向可控硅静态开关控制装置 |
JP2001217696A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流検出回路 |
DE112005002954B4 (de) * | 2004-11-30 | 2013-03-07 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Energieversorgungssteuerung |
US20070127180A1 (en) | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Yingjie Lin | Short circuit protection for vehicle driver circuit |
-
2006
- 2006-05-25 US US11/920,533 patent/US7924542B2/en active Active
- 2006-05-25 WO PCT/JP2006/310456 patent/WO2006129548A1/ja active Application Filing
- 2006-05-25 CN CN2006800192289A patent/CN101189795B/zh active Active
- 2006-05-25 DE DE112006001377T patent/DE112006001377B4/de active Active
- 2006-05-25 JP JP2007518937A patent/JP4589966B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04142468A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Japan Electron Control Syst Co Ltd | インテリジェントicの過電流検出回路 |
JP2000235424A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Yazaki Corp | カレントミラー回路、電流センサ及びこれを具備したスイッチング回路並びにスイッチングデバイス |
JP2003087959A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Yazaki Corp | スイッチングデバイス |
JP2005027380A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101189795A (zh) | 2008-05-28 |
CN101189795B (zh) | 2010-06-09 |
US7924542B2 (en) | 2011-04-12 |
JP4589966B2 (ja) | 2010-12-01 |
DE112006001377T5 (de) | 2008-04-30 |
US20090128106A1 (en) | 2009-05-21 |
WO2006129548A1 (ja) | 2006-12-07 |
DE112006001377B4 (de) | 2013-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4589966B2 (ja) | 電力供給制御装置及び半導体装置 | |
US8054605B2 (en) | Power supply controller | |
JP4836694B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP4579293B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP5889723B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4570173B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP4755197B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP4278572B2 (ja) | 半導体スイッチの制御装置 | |
JP2011071174A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 | |
US20080030174A1 (en) | Load driving circuit and protection method | |
US6369556B2 (en) | Power supply control device and method | |
US9722594B2 (en) | Drive device | |
US9660636B2 (en) | Drive device | |
JP4229656B2 (ja) | 電流制限回路およびそれを備えた出力回路 | |
JP4398312B2 (ja) | 半導体スイッチの制御装置 | |
JP5006791B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP2007288356A (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP2007135274A (ja) | 電流異常検出回路及びその異常検出時電流値調整方法 | |
JP4479570B2 (ja) | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 | |
JP3964833B2 (ja) | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 | |
JP2007019728A (ja) | 電力供給制御装置 | |
US20070086530A1 (en) | Circuit arrangement for connecting a first circuit node to a second circuit node and for protecting the first circuit node for overvoltage | |
JP4651100B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP3676168B2 (ja) | 電源供給制御装置 | |
JP2005312099A (ja) | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090914 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100907 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4589966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |