JPS60257187A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS60257187A JPS60257187A JP59112376A JP11237684A JPS60257187A JP S60257187 A JPS60257187 A JP S60257187A JP 59112376 A JP59112376 A JP 59112376A JP 11237684 A JP11237684 A JP 11237684A JP S60257187 A JPS60257187 A JP S60257187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor material
- strong acid
- bonding agent
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の分野および従来技術〉
本発明め例えば磁電変換素子のような半導体素子の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来、磁電変換素子のような半導体素子を製造するには
、別の工程で製造された半導体ウェハの半導体素材の片
面を研磨、化学研磨（エツチング）等にて整面し、すな
がちモザイクのない而とし、この半導体素材の強度を保
持するためにフェライト、ガラス、セラミック等の号ブ
ストレー ト上にこの半導体素材を例えばエポキシ樹脂
のような適当な接着剤で接着し、次に半導体素材の反対
側の面、すなわち接着されていない側の面を研磨、化学
研磨（エツチング）等で整面し、および必要な厚みにす
る。その後、ホトエツチング等の所要の工程を経て多数
個の所定の半導体素子、例えば磁電変換素子に形成され
、その後備々の素子に切断している。
、別の工程で製造された半導体ウェハの半導体素材の片
面を研磨、化学研磨（エツチング）等にて整面し、すな
がちモザイクのない而とし、この半導体素材の強度を保
持するためにフェライト、ガラス、セラミック等の号ブ
ストレー ト上にこの半導体素材を例えばエポキシ樹脂
のような適当な接着剤で接着し、次に半導体素材の反対
側の面、すなわち接着されていない側の面を研磨、化学
研磨（エツチング）等で整面し、および必要な厚みにす
る。その後、ホトエツチング等の所要の工程を経て多数
個の所定の半導体素子、例えば磁電変換素子に形成され
、その後備々の素子に切断している。
このようにサブストレート上に接着した半導体素材は研
磨、エツチング等で必要な厚みにされるが、例えば、磁
電変換素子の厚みは数μ程度であり、厚みの均一性がそ
の性能を左右する。サブストレートと半導体素材間に介
在する接着剤の厚みが均一でないと、いくら研磨しても
半導体素材の厚みは均一となり難いから、接着剤の厚み
を均一にすることが重要な小インドとなる。接着剤を均
一な厚みにするには接着剤の厚みを極力薄くすることが
好ましく、従って、従来は半導体素材をサブストレート
−ヒに接着する際に、圧力とか回転力を加えながら接着
し、接着剤をできるだけ薄く延ばし、その厚みを均一に
している。その際に、半導体素材の面がサブストレート
の而に接触して半導体素材に傷がつく欠点があった。
磨、エツチング等で必要な厚みにされるが、例えば、磁
電変換素子の厚みは数μ程度であり、厚みの均一性がそ
の性能を左右する。サブストレートと半導体素材間に介
在する接着剤の厚みが均一でないと、いくら研磨しても
半導体素材の厚みは均一となり難いから、接着剤の厚み
を均一にすることが重要な小インドとなる。接着剤を均
一な厚みにするには接着剤の厚みを極力薄くすることが
好ましく、従って、従来は半導体素材をサブストレート
−ヒに接着する際に、圧力とか回転力を加えながら接着
し、接着剤をできるだけ薄く延ばし、その厚みを均一に
している。その際に、半導体素材の面がサブストレート
の而に接触して半導体素材に傷がつく欠点があった。
また、接着工程の後のホトエツチング処理工程において
、半導体素材に至近の接着剤はエツチング剤である強酸
に触れるから、接着剤がこの強酸を吸収してしまう。
、半導体素材に至近の接着剤はエツチング剤である強酸
に触れるから、接着剤がこの強酸を吸収してしまう。
エツチング剤を吸収しない接着側番ま現時点では存在し
ないから、どうしても長時間の洗浄と乾燥処理工程が必
要となり、従って作業性が悪い欠点があった。なお、洗
浄不足等で強酸が桟留したま＼製品化した場合には不適
格なイオン伝導、腐蝕が生じ、不良品になってしまう。
ないから、どうしても長時間の洗浄と乾燥処理工程が必
要となり、従って作業性が悪い欠点があった。なお、洗
浄不足等で強酸が桟留したま＼製品化した場合には不適
格なイオン伝導、腐蝕が生じ、不良品になってしまう。
さらに、強酸の吸収により接着剤が劣化する欠点、ある
いはサブストレートおよび接着剤の吸湿により半導体素
材が吸湿し、特性の劣化、故障等の原因となる欠点があ
った。
いはサブストレートおよび接着剤の吸湿により半導体素
材が吸湿し、特性の劣化、故障等の原因となる欠点があ
った。
〈発明の目的〉
本発明は上記欠点を除去するためになされたもので、半
導体素材の片面を整面仕上げした後、蒸着、スパッタリ
ング等により適当な硬膜材（不動態膜）をこの面にコー
ティングし、この硬膜材を介してサブストレート上に前
記半導体素材を加圧、あるいは回転力を与えながら接着
するようにした半導体素子の製造方法を提供するもので
ある。
導体素材の片面を整面仕上げした後、蒸着、スパッタリ
ング等により適当な硬膜材（不動態膜）をこの面にコー
ティングし、この硬膜材を介してサブストレート上に前
記半導体素材を加圧、あるいは回転力を与えながら接着
するようにした半導体素子の製造方法を提供するもので
ある。
〈実施例の説明〉
以下、本発明の一実施例につき添付図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
まず、第１図に示すように、別の工程で製造された半導
体ウェハの形式の半導体素材１０の片面１１を研磨、化
学研磨（エツチング）等の処理工程で整面仕上げする。
体ウェハの形式の半導体素材１０の片面１１を研磨、化
学研磨（エツチング）等の処理工程で整面仕上げする。
次に、この整面仕上げした半導体素材１０を洗浄、乾燥
した後、第２図に示すように、整面仕上げ而１１に蒸着
、スパッタリング等の処理工程で適当な硬膜材（不動態
膜）１２を被着する。適当な硬膜材１２としては強酸、
湿気等を吸収しないＳ ＋ ０．８ ＩＯいパリ レン
等が適当しており、硬膜材１２の厚さは１μ〜１０μで
よい。次に、第６図に示すように、この硬膜材１２をコ
ーティングした半導体素材１０をフェライト、ガラス、
セラミック等のサブストレート１６上に、エポキシ樹脂
のような適当な接着剤１４により硬膜材１２を介して接
着する。接着する際に圧力あるいは回転力あるいは両方
を加え、接着剤１４の厚みを極力薄くしかつ均一にする
。次に、半導体素材１０の反対側の面１５、すなわち硬
膜材１２の被着されていない側の面を研磨、化学研磨等
により整面仕上げしく第４図）、洗浄、乾燥した後、ホ
トエツチング等の所要の処理工程を施こし、第５図に示
すように、多数個の半導体素子１６を形成する。各半導
体素子はその後の工程で所定の電極等が形成された後、
個々の素子に切断されるが、この点は本発明の要旨では
ないのでその説明を省略する。
した後、第２図に示すように、整面仕上げ而１１に蒸着
、スパッタリング等の処理工程で適当な硬膜材（不動態
膜）１２を被着する。適当な硬膜材１２としては強酸、
湿気等を吸収しないＳ ＋ ０．８ ＩＯいパリ レン
等が適当しており、硬膜材１２の厚さは１μ〜１０μで
よい。次に、第６図に示すように、この硬膜材１２をコ
ーティングした半導体素材１０をフェライト、ガラス、
セラミック等のサブストレート１６上に、エポキシ樹脂
のような適当な接着剤１４により硬膜材１２を介して接
着する。接着する際に圧力あるいは回転力あるいは両方
を加え、接着剤１４の厚みを極力薄くしかつ均一にする
。次に、半導体素材１０の反対側の面１５、すなわち硬
膜材１２の被着されていない側の面を研磨、化学研磨等
により整面仕上げしく第４図）、洗浄、乾燥した後、ホ
トエツチング等の所要の処理工程を施こし、第５図に示
すように、多数個の半導体素子１６を形成する。各半導
体素子はその後の工程で所定の電極等が形成された後、
個々の素子に切断されるが、この点は本発明の要旨では
ないのでその説明を省略する。
なお、上記実施例は本発明の単なる例示にすぎず、必要
に応じて種々の変形、変更がなし得ることはいうまでも
ない。例えば、硬膜材としては上５− 記した８Ｉ□、ＳｉＯ！、パリレンだけでなく、酸に強
くかつ耐湿性を有する物質であればよい。また、サブス
トレートの材料も例示のものに限定されるものではない
。さらに、磁電変換素子を一例としてあげたが、他の半
導体素子の製造にも本発明が適用できることは勿論であ
る。
に応じて種々の変形、変更がなし得ることはいうまでも
ない。例えば、硬膜材としては上５− 記した８Ｉ□、ＳｉＯ！、パリレンだけでなく、酸に強
くかつ耐湿性を有する物質であればよい。また、サブス
トレートの材料も例示のものに限定されるものではない
。さらに、磁電変換素子を一例としてあげたが、他の半
導体素子の製造にも本発明が適用できることは勿論であ
る。
〈発明の詳細な説明〉
このように、本発明では半導体素材１０をサブストレー
ト１６上に接着する際に、その接着面に強酸、湿気等を
吸収しない硬膜材１２をコーティングしたので・接着の
際に加圧、回転力を加えても、硬膜材１２がサブストレ
ート１３と接触するだけであるので、半導体素材１０に
は全く傷がつかない。従って、接着工程での不良品は皆
無となり、歩留りが向上するとともに、接着作業が容易
に行なえる利点がある。また、ホトエツチング処理工程
においてエツチング剤である強酸が半導体素材の至近距
離に硬膜材１２があるため、Ｗ゛ この硬膜材１２を透
過する ことを阻止され、従ってその下側にある接着剤１６− ４には強酸が達しない。
ト１６上に接着する際に、その接着面に強酸、湿気等を
吸収しない硬膜材１２をコーティングしたので・接着の
際に加圧、回転力を加えても、硬膜材１２がサブストレ
ート１３と接触するだけであるので、半導体素材１０に
は全く傷がつかない。従って、接着工程での不良品は皆
無となり、歩留りが向上するとともに、接着作業が容易
に行なえる利点がある。また、ホトエツチング処理工程
においてエツチング剤である強酸が半導体素材の至近距
離に硬膜材１２があるため、Ｗ゛ この硬膜材１２を透
過する ことを阻止され、従ってその下側にある接着剤１６− ４には強酸が達しない。
このため、長時間の洗浄、乾燥処理工程が大＋１−Ｊに
短かくでき、作業性が向上する。また、強酸の吸収にと
もなう接着剤の劣化もない。さらに、サブストレートお
よび接着剤が湿気を吸収してもこの湿気は硬膜材１２に
よって半導体素材に伝達することを阻止されるので半導
体素材の吸湿による性能の吐下、故障等も防止される。
短かくでき、作業性が向上する。また、強酸の吸収にと
もなう接着剤の劣化もない。さらに、サブストレートお
よび接着剤が湿気を吸収してもこの湿気は硬膜材１２に
よって半導体素材に伝達することを阻止されるので半導
体素材の吸湿による性能の吐下、故障等も防止される。
その−Ｆ、エポキシ等の接着剤が空気に触れることはな
く経年変化が少なくなる等の多くのすぐれた利点がある
。
く経年変化が少なくなる等の多くのすぐれた利点がある
。
かくして、本発明によれば、信頼性の大巾に向上した半
導体素子が製造でき、その作用効果は顕著なものがある
。
導体素子が製造でき、その作用効果は顕著なものがある
。
第１図ないし第５図は本発明による製造方法の一実施例
を工程順に説明するための概略断面図である。 １０：半導体素材、１２：硬膜材、１３：サブストレー
ト、１４：接着剤 特許用願人 電気音響株式会社 ７−
を工程順に説明するための概略断面図である。 １０：半導体素材、１２：硬膜材、１３：サブストレー
ト、１４：接着剤 特許用願人 電気音響株式会社 ７−
Claims (1)
- 半導体素材の片面を整面仕上げする段階と、該整面仕上
げされた半導体素材の片面に耐酸性および耐湿性の硬膜
材を被着する段階と、該硬膜材の被着された半導体素材
を該硬膜材を介してサブストレート上に接着する段階と
、前記半導体素材の反対側の面を整面仕上げするととも
に前記半導体素材の厚みを所定の厚さにする段階と、前
記半導体素材にエツチング処理などの所要の処理を施こ
して所定の半導体素子を形成する段階とからなることを
特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112376A JPS60257187A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112376A JPS60257187A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257187A true JPS60257187A (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=14585129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112376A Pending JPS60257187A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015182370A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522849A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Manufacturing method of material for magnetic- electrical conversion element |
| JPS55118683A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-11 | Toshiba Corp | Manufacture of pellet |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP59112376A patent/JPS60257187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522849A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Manufacturing method of material for magnetic- electrical conversion element |
| JPS55118683A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-11 | Toshiba Corp | Manufacture of pellet |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015182370A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| CN106463614A (zh) * | 2014-05-30 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法 |
| JPWO2015182370A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| CN106463614B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-02-22 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4406497B2 (ja) | スタックドチップサイズパッケージの製造方法 | |
| WO1996036992A1 (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| JPH05509445A (ja) | 直接基板結合方法 | |
| JPS60183156A (ja) | インクジエツト記録ヘツド | |
| JPS6317338B2 (ja) | ||
| KR100580977B1 (ko) | 반도체 집적 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH0466096B2 (ja) | ||
| US20100269319A1 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device | |
| JPS60257187A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US4676864A (en) | Bonding method of semiconductor device | |
| US20080096322A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor chip | |
| JP2003174698A (ja) | 複合圧電体およびその製造方法 | |
| JPS607139A (ja) | ボンデイング方法 | |
| JPS6222634A (ja) | 超音波探触子 | |
| JP2633122B2 (ja) | 接続端子への金パットの形成方法 | |
| JPS6311934Y2 (ja) | ||
| JPH0211079B2 (ja) | ||
| KR100513412B1 (ko) | 지지체에접착된기판을구비하는반도체장치 | |
| JPS6187863A (ja) | スパツタコ−テイング法 | |
| JP3197884B2 (ja) | 実装方法 | |
| JPH09139394A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100256066B1 (ko) | 박막 자기헤드 및 이의 제조방법 | |
| JPS59117219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS583394A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JPH04369109A (ja) | 超音波遅延線のリード線接続方法 |