JP2633122B2 - 接続端子への金パットの形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、接続端子への金パッ
トの形成方法、具体的には磁気ディスク装置で使用され
る薄膜磁気ヘッドのコイルに接続される接続端子の端面
に腐食防止用の金パットを形成する方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図３は従来一般の磁気ディスク装置で使
用される薄膜磁気ヘッドの組立体の斜視図であり、１は
薄膜磁気ヘッドで、弾性板２の先端部２ａに取付けられ
ており、この弾性板２の基端部２ｂは図示しないキャリ
ッジアームに取付けられるようになっている。３は薄膜
磁気ヘッド１の電磁変換素子部１ａを形成するコイルに
連設した接続端子１ｂに接続されたリード線である。

【０００３】図４はこの薄膜磁気ヘッド１の拡大斜視図
で、その大きさは、たとえば幅Ａが２．５ｍｍ程度、奥
行きＢが３ｍｍ程度、厚さＣが０．６ｍｍ程度の小さな
ものであり、１ａは後述するコイルと磁性膜と磁気ギャ
ップとからなる電磁変換素子部、１ｂはこの電磁変換素
子部１ａを形成するコイルに連設された接続端子であ
る。この接続端子１ｂの端面には後述するように腐食防
止用の金パットが形成されている。電磁変換素子部１ａ
および接続端子１ｂは二個形成されているが、そのうち
の一個を選択して使用するようにしている。

【０００４】図５はこのような薄膜磁気ヘッドの従来一
般の製造工程を示すものであり、ウエハ基板上に多数作
られる薄膜磁気ヘッドのうちの一つを拡大断面図で示し
たものである。

【０００５】すなわち、（１）はフォトリソグラフィ技
術、電解めっき技術、真空蒸着技術などの薄膜形成技術
を組み合わせることにより、セラミックのウエハ基板１
ｃの上に下地のアルミナ膜１ｄを形成し、この下地のア
ルミナ膜１ｄの上に、磁性膜１ｅ，１ｅ、磁気ギャップ
１ｆ、コイル１ｇおよび接続端子形成部１ｉ，１ｉ′を
それぞれ形成して、電磁変換素子部１ａを形成した工程
を示すものである。なお、前記接続端子形成部１ｉ，１
ｉ′は紙面に対し垂直方向の前後にずれており、互いに
非接触状態にある。

【０００６】（２）は銅めっきによってコイル１ｇに連
設した接続端子１ｂを形成した工程を示すものである。 （３）は前記のように形成した電磁変換素子部１ａと接
続端子１ｂとの上にアルミナ保護膜１ｈを形成した工程
を示すものである。 （４）はこのアルミナ保護膜１ｈの上を前記接続端子１
ｂが露出するまで平面化ラッピングした工程を示すもの
である。 （５）は前記接続端子１ｂの端面に腐食防止用の金パッ
ト１ｊを形成した工程を示すものである。

【０００７】このような薄膜磁気ヘッド１は、たとえば
直径約７６ｍｍ程度の円板状のセラミックのウエハ基板
１ｃ上に数百個形成されており、それを個別に切り出し
て、図４に示すような薄膜磁気ヘッド１が形成される。

【０００８】前記接続端子１ｂの端面に金パット１ｊを
形成するには、図６に示すようなリフトオフ技術によ
り、先ず、（１）に示す工程において、接続端子１ｂを
除く部分にレジスト１ｋを形成し、次に、（２）に示す
工程において、接続端子１ｂおよびレジスト１ｋの上に
金薄膜１ｊ₁ を形成し、最後に、（３）に示す工程にお
いて、金薄膜１ｊ₁ を形成したウエハ基板に、有機溶剤
の中で超音波をかけることによって、レジスト１ｋと共
にその上の金薄膜１ｊ₁ を除去すると、接続端子１ｂの
端面に金パット１ｊを形成することがでる。なお、接続
端子１ｂの端面と金パット１ｊとは密着性がよいので、
金パット１ｊが接続端子１ｂの端面から剥離することは
ない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
リフトオフ技術により、接続端子１ｂの端面に金パット
１ｊを形成する方法では、図６の工程（３）に示すよう
に、金パット１ｊの端にいわゆる金ばり１ｊ₂ や金欠け
が生じ、特に金パット１ｊの端に金ばり１ｊ₂ が生じる
と、微小な間隔で隣接した接続端子１ｂ同士がこの金ば
り１ｊ₂ によって短絡するおそれがあった。

【００１０】また、リフトオフ技術により、ウエハ基板
１ｃに有機溶剤の中で超音波をかけることによって、レ
ジスト１ｋと共にその上の金薄膜１ｊ₁ を除去し、さら
にウエハ基板を洗浄しているが、しかし、図７に示すよ
うに、一度除去された金薄膜片１ｊ₃ がウエハ基板１ｃ
の上に再付着して悪影響を及ぼす、といった問題があっ
た。

【００１１】また、リフトオフ技術により、接続端子１
ｂの端面に金パット１ｊを形成する場合に、図８に示す
ように、イメージリバーサル法（画像反転用露光装置）
で、接続端子１ｂを除く部分に、レジスト１ｋを逆テー
パ状に形成する技術が従来あり、このようにレジスト１
ｋを形成した後に、金薄膜１ｊ₁ を蒸着すると、その金
パット１ｊの端に、いわゆる金ばりや金欠けが生じない
ようになるが、この技術を採用すると、製造コストが高
くなる、といった問題があった。

【００１２】この発明は、このような従来の問題点に鑑
みてなされたもので、接続端子の端面に腐食防止用の金
パットを、その端に金ばりや金欠けが生じないようにし
た接続端子への金パットの形成方法を提供することを目
的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明の接続端子への金パットの形成方法は、図
１に示すように、接続端子１ｂの端面を除く部分に、第
１のレジスト１ｋ₁ を形成する工程（１）と、この形成
された第１のレジスト１ｋ₁ および接続端子１ｂの端面
に金薄膜１ｊ₁ を形成する工程（２）と、この金薄膜１
ｊ₁ の上に第２のレジスト１ｋ₂ を形成する工程（３）
と、前記各工程によって形成された第１および第２のレ
ジスト１ｋ₁ ，１ｋ₂ をリフトオフ技術を用いて除去す
ると共に接続端子１ｂの端面に形成された金パット１ｊ
以外の金薄膜１ｊ₁ を除去する工程（４）とよりなるこ
とを特徴とするものである。また、前記第２のレジスト
１ｋ₂ を加熱による収縮性のレジストとしたことを特徴
とするものである。

【００１４】

【作用】この発明においては、リフトオフ技術を用い
て、接続端子１ｂの端面の金薄膜１ｊ₁ 以外の金薄膜を
除去する際に、その除去される金薄膜１ｊ₁ が、図１の
工程（４）で示すように、第１および第２のレジスト１
ｋ₁ ，１ｋ₂ でサンドイッチ状に挟まれた状態で除去さ
れるので、一度除去された金薄膜１ｊ₁ がウエハ基板上
に再付着して悪影響を及ぼす、といった問題がなくな
る。

【００１５】また、第１のレジスト１ｋ₁ および接続端
子１ｂの端面に形成された金薄膜１ｊ₁ の上に形成する
第２のレジスト１ｋ₂を、加熱による収縮性のレジスト
にすることにより、リフトオフ技術を用いて接続端子１
ｂの端面の金薄膜１ｊ₁ 以外の金薄膜１ｊ₁ を除去する
際に、前記第２のレジスト１ｋ₂ の収縮作用により、接
続端子１ｂの端面の金パット１ｊ以外の金薄膜１ｊ
₁ を、金パット１ｊの端に金ばりや金欠けが生じないよ
うに除去することができる。

【００１６】

【実施例】以下、図１を参照してこの発明の接続端子へ
の金パットの形成方法について詳細に説明すると、先
ず、工程（１）に示すように、接続端子１ｂの端面を除
く部分に、第１のレジスト１ｋ₁ を形成する。次に工程
（２）に示すように、この形成された第１のレジスト１
ｋ₁ および接続端子１ｂの端面に金薄膜１ｊ₁ を真空蒸
着法によって形成する。

【００１７】次に工程（３）に示すように、この金薄膜
１ｊ₁ の上に第２のレジスト１ｋ₂ を前記第１のレジス
ト１ｋ₁ より厚く形成する。この第２のレジスト１ｋ₂
は加熱による収縮性のレジストにする。最後に、工程
（４）に示すように、前記各工程によって形成された第
１および第２のレジスト１ｋ₁ ，１ｋ₂ をリフトオフ技
術を用いて除去すると共に接続端子１ｂの端面に形成さ
れた金パット１ｊ以外の金薄膜１ｊ₁ を除去する。な
お、１ｈは接続端子１ｂ，１ｂを絶縁したアルミナ保護
膜である。

【００１８】さらに、図２を参照してこの発明の接続端
子への金パットの形成方法について詳細に説明すると、
（１）は前工程すなわち図５の工程（４）に示すアルミ
ナ保護膜１ｈの上を前記接続端子１ｂが露出するまで平
面化ラッピングする工程である。 （２）は前記アルミナ保護膜１ｈの上を接続端子１ｂが
露出するまで平面化ラッピングしたウエハを洗浄する洗
浄工程である。

【００１９】（３）は前記洗浄したウエハを加熱して水
分を除去するプリ・プリ・ベーク工程である。 （４）はウエハの上面すなわち前記接続端子１ｂの端面
およびアルミナ保護膜１ｈの上に第１のレジスト１ｋ₁
を塗布するレジスト塗布工程である。 （５）は前記塗布された第１のレジスト１ｋ₁ を少し加
熱するプリ・ベーク工程である。

【００２０】（６）は前記接続端子１ｂの端面の前記第
１のレジスト１ｋ₁を除去するための露光工程である。 （７）は露光された前記接続端子１ｂの端面上の前記第
１のレジスト１ｋ₁を除去する現像工程である。 （８）は前記ウエハのアルミナ保護膜１ｈの上に残った
前記第１のレジスト１ｋ₁ に紫外線を照射してこれを適
宜加熱硬化させ、第１のレジスト１ｋ₁ の角をとる紫外
線（ＵＶ）照射工程である。

【００２１】（９）はこの紫外線照射によって少し硬化
した前記第１のレジスト１ｋ₁ をさらに適宜に加熱する
ポスト・ベーク工程である。 （１０）は次の工程で被膜する金薄膜の密着性を良くす
るために前記接続端子１ｂの端面を適宜に荒らすイオン
ミーリング工程である。 （１１）はイオンミーリング工程によって適宜に荒らさ
れた前記接続端子１ｂの端面および前記第１のレジスト
１ｋ₁ の上に金薄膜を真空蒸着法によって形成する金蒸
着工程である。

【００２２】（１２）は前工程で形成された金薄膜の上
に加熱による収縮性の第２のレジスト１ｋ₂ を塗布する
レジスト塗布工程である。 （１３）はこの塗布された第２のレジスト１ｋ₂ に紫外
線を照射して加熱し、この第２のレジスト１ｋ₂ を収縮
させるためのプリ・ベーク工程である。

【００２３】（１４）はこのような工程を経たウエハに
有機溶剤の中で超音波をかけて、前記各工程によって形
成された第１および第２のレジスト１ｋ₁ ，１ｋ₂ を除
去すると共に接続端子１ｂの端面に形成された金パット
１ｊ以外の金薄膜１ｊ₁ を除去するリフトオフ工程であ
る。 （１５）は以上のような各工程によって接続端子１ｂの
端面に金パット１ｊが形成されたウエハを、各薄膜磁気
ヘッドに分割切断する次工程である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の接続端
子への金パットの形成方法は、接続端子の端面を除く部
分に、第１のレジストを形成する工程と、この形成され
た第１のレジストおよび接続端子の端面に金薄膜を形成
する工程と、この金薄膜の上に第２のレジストを形成す
る工程と、前記各工程によって形成された第１および第
２のレジストをリフトオフ技術を用いて除去すると共に
接続端子の端面に形成された金パット以外の金薄膜を除
去する工程とよりなり、接続端子の端面の金薄膜以外の
金薄膜を除去する際に、その除去される金薄膜が、第１
および第２のレジストでサンドイッチ状に挟まれた状態
で除去されるので、一度除去された金薄膜がウエハ上に
再付着して悪影響を及ぼす、といった問題がなくなる。

【００２５】また、第１のレジストおよび接続端子の端
面に形成された金薄膜の上に形成する第２のレジスト
を、加熱による収縮性のレジストにすることにより、リ
フトオフ技術を用いて接続端子の端面の金薄膜以外の金
薄膜を除去する際に、前記第２のレジストの収縮作用に
より、接続端子の端面の金薄膜以外の金薄膜を、金ばり
や金欠けが生じないように除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の接続端子への金パットの形成方法の
各製造工程を示す図である。

【図２】この発明を説明するためのさらに具体的な各製
造工程を示す図である。

【図３】従来一般の薄膜磁気ヘッドの組立体の斜視図で
ある。

【図４】従来一般の薄膜磁気ヘッドの拡大斜視図であ
る。

【図５】薄膜磁気ヘッドの従来一般の製造工程を示す図
である。

【図６】従来の接続端子への金パットの形成方法の各製
造工程を示す図である。

【図７】従来の接続端子への金パットの形成方法の問題
点を示す図である。

【図８】従来の接続端子への金パットの形成方法の他の
例を示す図である。

【符号の説明】

１ 薄膜磁気ヘッド １ａ 電磁変換素子部 １ｂ 接続端子 １ｃ ウエハ基板 １ｄ アルミナ膜 １ｅ 磁性膜 １ｆ 磁気ギャップ １ｇ コイル １ｉ 接続端子形成部 １ｈ アルミナ保護膜 １ｊ 金パット １ｊ₁ 金薄膜 １ｊ₂ 金ばり １ｊ₃ 金薄膜片 １ｋ レジスト １ｋ₁ 第１のレジスト １ｋ₂ 第２のレジスト ２ 弾性板 ２ａ 先端部 ２ｂ 基端部 ３ リード線

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接続端子（１ｂ）の端面を除く部分に第
   １のレジスト（１ｋ₁ ）を形成する工程（１）と、この
   形成された第１のレジスト（１ｋ₁ ）および接続端子
   （１ｂ）の端面に金薄膜（１ｊ₁ ）を形成する工程
   （２）と、この金薄膜（１ｊ₁ ）の上に第２のレジスト
   （１ｋ₂ ）を形成する工程（３）と、前記各工程によっ
   て形成された第１および第２のレジスト（１ｋ₁ ，１ｋ
   ₂ ）をリフトオフ技術を用いて除去すると共に接続端子
   （１ｂ）の端面に形成された金パット（１ｊ）以外の金
   薄膜（１ｊ₁ ）を除去する工程（４）とよりなることを
   特徴とする接続端子への金パットの形成方法。
2. 【請求項２】 前記第２のレジスト（１ｋ₂ ）を加熱に
   よる収縮性のレジストとしたことを特徴とする請求項１
   に記載の接続端子への金パットの形成方法。