JPH0559485B2 - - Google Patents
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- JPH0559485B2 JPH0559485B2 JP23893184A JP23893184A JPH0559485B2 JP H0559485 B2 JPH0559485 B2 JP H0559485B2 JP 23893184 A JP23893184 A JP 23893184A JP 23893184 A JP23893184 A JP 23893184A JP H0559485 B2 JPH0559485 B2 JP H0559485B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気デイスク装置、磁気テープ装置等
の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘツドに関
するものである。
の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘツドに関
するものである。
（従来技術とその問題点）
この薄膜磁気ヘツドは周波数特性が優れてお
り、集積化薄膜技術に基づく製造プロセスが適用
される為、低価格化、高精度化が可能であるなど
種々の利点を有しており、今後の磁気ヘツドの主
流となると考えられる。第２図は、この様な薄膜
磁気ヘツドの構造を示す概略断面図である。第２
図において、Al2O3−TiC等のセラミツクないし
はガラスから成る基板１１上にAl2O3、SiO2等の
絶縁物１２がスパツタ法等により成膜される。つ
いでNiFe合金等の軟磁性体より成る下部磁性体
層１３が集積化薄膜技術により形成される。その
後、所定のギヤツプ長Ｇに等しい膜厚を有する絶
縁物１４が形成される。ついで、前記、下部磁性
体層１３の段差解消層となる有機物層１５が形成
され、Au、Cuなどの導体より成るコイル１６が
形成され、その後コイル１６の段差解消層となる
有機物層１７が再度形成される。最後に、NiFe
合金等の軟磁性体より成る上部磁性体層１８が下
部磁性体層１３と同様な技術を用いて形成され薄
膜磁気ヘツドのトランスデユーサーが完成され
る。
り、集積化薄膜技術に基づく製造プロセスが適用
される為、低価格化、高精度化が可能であるなど
種々の利点を有しており、今後の磁気ヘツドの主
流となると考えられる。第２図は、この様な薄膜
磁気ヘツドの構造を示す概略断面図である。第２
図において、Al2O3−TiC等のセラミツクないし
はガラスから成る基板１１上にAl2O3、SiO2等の
絶縁物１２がスパツタ法等により成膜される。つ
いでNiFe合金等の軟磁性体より成る下部磁性体
層１３が集積化薄膜技術により形成される。その
後、所定のギヤツプ長Ｇに等しい膜厚を有する絶
縁物１４が形成される。ついで、前記、下部磁性
体層１３の段差解消層となる有機物層１５が形成
され、Au、Cuなどの導体より成るコイル１６が
形成され、その後コイル１６の段差解消層となる
有機物層１７が再度形成される。最後に、NiFe
合金等の軟磁性体より成る上部磁性体層１８が下
部磁性体層１３と同様な技術を用いて形成され薄
膜磁気ヘツドのトランスデユーサーが完成され
る。
ところで、この様な薄膜磁気ヘツドにおいて従
来、段差解消層となる有機物層１５，１７として
フオトレジストを200℃〜300℃でベーキングした
ものを使用していた。これは、フオトレジストが
流動性のある液体であり、フオトレジストの塗布
により下部磁性体層１３、あるいはコイル１６に
よる段差を吸収し、その後熱処理を施こすことに
より、フオトレジストが重合硬化して、平坦な面
が得られ、しかもフロントギヤツプ部リアギヤツ
プ部（第２図中、矢印Ｃ，C′で示した箇所）が、
なだらかなテーパー角を持つ曲面状に形成される
からである。
来、段差解消層となる有機物層１５，１７として
フオトレジストを200℃〜300℃でベーキングした
ものを使用していた。これは、フオトレジストが
流動性のある液体であり、フオトレジストの塗布
により下部磁性体層１３、あるいはコイル１６に
よる段差を吸収し、その後熱処理を施こすことに
より、フオトレジストが重合硬化して、平坦な面
が得られ、しかもフロントギヤツプ部リアギヤツ
プ部（第２図中、矢印Ｃ，C′で示した箇所）が、
なだらかなテーパー角を持つ曲面状に形成される
からである。
しかしながら、このフオトレジストはガラス転
移点（以下、TGと略記する。）が130℃程度と小
さな値である為、ヘツド動作時の駆動電流による
発熱によつて、前記フオトレジストより成る有機
物層１５，１７が軟化・変形するという欠点があ
つた。このことは、とりもなおさず、磁気回路を
構成する上・下両磁性体層１８，１３、特に上部
磁性体層１８に応力を与えることとなり、前記応
力に基づく誘導磁気異方性が生じ、前記上・下両
磁性体層１８，１３に局所的な磁化のバラツキを
引き起こし、結果として磁気特性の劣化、特に透
磁率の減少を招き、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効
率、特に再生効率を著しく低下させるという問題
点があつた。
移点（以下、TGと略記する。）が130℃程度と小
さな値である為、ヘツド動作時の駆動電流による
発熱によつて、前記フオトレジストより成る有機
物層１５，１７が軟化・変形するという欠点があ
つた。このことは、とりもなおさず、磁気回路を
構成する上・下両磁性体層１８，１３、特に上部
磁性体層１８に応力を与えることとなり、前記応
力に基づく誘導磁気異方性が生じ、前記上・下両
磁性体層１８，１３に局所的な磁化のバラツキを
引き起こし、結果として磁気特性の劣化、特に透
磁率の減少を招き、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効
率、特に再生効率を著しく低下させるという問題
点があつた。
（発明の目的）
本発明は以上の点に鑑み、平坦化効果が大き
く、ベーキング後のフロントギヤツプ部、リアギ
ヤツプ部の形状がなだらかなテーパー角を有する
曲面状になつており、しかもコイル通電時の発熱
による有機物層の軟化変形を抑制し、電磁変換効
率の高い薄膜磁気ヘツドを提供せんとするもので
ある。
く、ベーキング後のフロントギヤツプ部、リアギ
ヤツプ部の形状がなだらかなテーパー角を有する
曲面状になつており、しかもコイル通電時の発熱
による有機物層の軟化変形を抑制し、電磁変換効
率の高い薄膜磁気ヘツドを提供せんとするもので
ある。
（発明の構成）
本発明によれば、軟磁性体より成る上部磁性体
層と下部磁性体層との間に、導体より成るコイ
ル、ギヤツプとなる絶縁層および有機物より成る
段差解消層を挾んで成る薄膜磁気ヘツドにおい
て、前記電差解消層が、高ガラス転移点を有する
第１の有機物層と、第１の有機物層のガラス転移
点より低いガラス転移点を有する第２の有機物層
との積層体により構成されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘツドが得られる。
層と下部磁性体層との間に、導体より成るコイ
ル、ギヤツプとなる絶縁層および有機物より成る
段差解消層を挾んで成る薄膜磁気ヘツドにおい
て、前記電差解消層が、高ガラス転移点を有する
第１の有機物層と、第１の有機物層のガラス転移
点より低いガラス転移点を有する第２の有機物層
との積層体により構成されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘツドが得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題を解決した。すなわち、下部磁性体層、
あるいはコイルによる段差を、高TGを有する第
１の有機物層で埋込み、ついで、前記第１の有機
物層上に、前記第１の有機物層のTGより低いTG
を有する第２の有機物層をうすく積層した段差解
消層を用いることにより、段差解消層の大半を
TGの大きな有機物、つまり、熱的安定性の高い
有機物層で構成し、コイル通電時の発熱による段
差解消層の軟化・変形を抑制し、その後TGの小
さな第２の有機物層すなわち流動性の高い有機物
層を前記第１の有機物層上に積層しベーキング処
理を施こすことにより、前記第１の有機物層表面
を完全に平坦化し、更に第１の有機物層の端部を
なだらかに被覆して、フロントギヤツプ部、リヤ
ギヤツプ部（第２図中矢印Ｃ，C′で示した箇所）
をなだらかなテーパー角を有する曲面状に形成す
ることを実現するものである。
術の問題を解決した。すなわち、下部磁性体層、
あるいはコイルによる段差を、高TGを有する第
１の有機物層で埋込み、ついで、前記第１の有機
物層上に、前記第１の有機物層のTGより低いTG
を有する第２の有機物層をうすく積層した段差解
消層を用いることにより、段差解消層の大半を
TGの大きな有機物、つまり、熱的安定性の高い
有機物層で構成し、コイル通電時の発熱による段
差解消層の軟化・変形を抑制し、その後TGの小
さな第２の有機物層すなわち流動性の高い有機物
層を前記第１の有機物層上に積層しベーキング処
理を施こすことにより、前記第１の有機物層表面
を完全に平坦化し、更に第１の有機物層の端部を
なだらかに被覆して、フロントギヤツプ部、リヤ
ギヤツプ部（第２図中矢印Ｃ，C′で示した箇所）
をなだらかなテーパー角を有する曲面状に形成す
ることを実現するものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例について第１図Ａ，Ｂ，
Ｃを参照しながら説明する。
Ｃを参照しながら説明する。
第１図Ａにおいてセラミツクス等より成る基板
２１上にAl2O3の絶縁層２２を成膜後、NiFeの
軟磁性体より成る下部磁性体層２３を形成し、つ
いでギヤツプとなる絶縁層２４を形成した。
２１上にAl2O3の絶縁層２２を成膜後、NiFeの
軟磁性体より成る下部磁性体層２３を形成し、つ
いでギヤツプとなる絶縁層２４を形成した。
その後、TGの高い第１の有機物層２５として
ポリイミド系樹脂、を形成し下部磁性体層２３の
段差をほぼ吸収させた。TGの高い材料でこの段
差を完全に解消することは無理なのでその後、
TGの小さな第２の有機物層２６としてシプレー
社製マイクロポジツトフオトレジストを前記第１
の有機物層２５上に積層し、ベーキング処理を施
して下部磁性体層２３の段差解消層を形成した。
このような第１及び第２の有機物層を用いること
により極めて滑らかな形で段差を解消できた。
ポリイミド系樹脂、を形成し下部磁性体層２３の
段差をほぼ吸収させた。TGの高い材料でこの段
差を完全に解消することは無理なのでその後、
TGの小さな第２の有機物層２６としてシプレー
社製マイクロポジツトフオトレジストを前記第１
の有機物層２５上に積層し、ベーキング処理を施
して下部磁性体層２３の段差解消層を形成した。
このような第１及び第２の有機物層を用いること
により極めて滑らかな形で段差を解消できた。
その後、第１図Ｂに示した様にコイル２７を形
成した後、同様にして、第１の有機物層２５と第
２の有機物層２６とを積層させ、コイル２７の段
差解消層が形成した。
成した後、同様にして、第１の有機物層２５と第
２の有機物層２６とを積層させ、コイル２７の段
差解消層が形成した。
ついで、軟磁性体より成る上部磁性体層２８を
形成し、薄膜磁気ヘツドのトランスデユーサーと
して完成した（第１図Ｃ）。
形成し、薄膜磁気ヘツドのトランスデユーサーと
して完成した（第１図Ｃ）。
以上の如き本発明による段差解消層を用いるこ
とにより、段差解消層の大半がTGの大きな有機
物によつて構成される為コイル通電時の発熱によ
る有機物層の軟化・変形が抑制され、約350℃の
温度まで安全な段差解消層が得られた。その為、
上・下両磁性体層に加わる応力が激減し前記、
上・下両磁性体層の磁気特性の劣化を回避するこ
とが出来る。しかもベーキング処理を施こした第
２の有機物層により、第１の有機物層表面を完全
に平坦化でき、更に、第１の有機物層の端部を、
なだらかに被覆してフロントギヤツプ部、リヤギ
ヤツプ部をなだらかなテーパー角を有する曲面状
に形成することが可能となる。
とにより、段差解消層の大半がTGの大きな有機
物によつて構成される為コイル通電時の発熱によ
る有機物層の軟化・変形が抑制され、約350℃の
温度まで安全な段差解消層が得られた。その為、
上・下両磁性体層に加わる応力が激減し前記、
上・下両磁性体層の磁気特性の劣化を回避するこ
とが出来る。しかもベーキング処理を施こした第
２の有機物層により、第１の有機物層表面を完全
に平坦化でき、更に、第１の有機物層の端部を、
なだらかに被覆してフロントギヤツプ部、リヤギ
ヤツプ部をなだらかなテーパー角を有する曲面状
に形成することが可能となる。
（発明の効果）
この様に、本発明による段差解消を有する薄膜
磁気ヘツドにおいては、段差解消層の軟化・変形
を抑制でき、又、フロントギヤツプ部、リアギヤ
ツプ部がなだらかに形成される為、優れた電磁変
換効率を有する薄膜磁気ヘツドが実現されること
となる。
磁気ヘツドにおいては、段差解消層の軟化・変形
を抑制でき、又、フロントギヤツプ部、リアギヤ
ツプ部がなだらかに形成される為、優れた電磁変
換効率を有する薄膜磁気ヘツドが実現されること
となる。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の薄膜磁気ヘツドの
製造方法及び構造の実施例を示す図。第２図は従
来の薄膜磁気ヘツドの概略図。 図で１１，２１は基板、１２，１４，２２，２
４は絶縁層、１３，２３は下部磁性体層、１６，
１７は有機物層、２５は第１の有機物層、２６は
第２の有機物層、１７，２７はコイルである。
製造方法及び構造の実施例を示す図。第２図は従
来の薄膜磁気ヘツドの概略図。 図で１１，２１は基板、１２，１４，２２，２
４は絶縁層、１３，２３は下部磁性体層、１６，
１７は有機物層、２５は第１の有機物層、２６は
第２の有機物層、１７，２７はコイルである。
Claims (1)
- １ 軟磁性体より成る上部磁性体層と下部磁性体
層との間に、導体より成るコイル、ギヤツプとな
る絶縁層および有機物より成る段差解消層を挾ん
で成る薄膜磁気ヘツドにおいて、前記段差解消層
が、高ガラス転移点を有する第１の有機物層と、
第１の有機物層のガラス転移点より低いガラス転
移点を有する第２の有機物層との積層体により構
成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23893184A JPS61117716A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23893184A JPS61117716A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117716A JPS61117716A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0559485B2 true JPH0559485B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=17037405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23893184A Granted JPS61117716A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117716A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW273618B (ja) * | 1994-08-25 | 1996-04-01 | Ibm |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23893184A patent/JPS61117716A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117716A (ja) | 1986-06-05 |
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