JPS6025031A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6025031A JPS6025031A JP13396283A JP13396283A JPS6025031A JP S6025031 A JPS6025031 A JP S6025031A JP 13396283 A JP13396283 A JP 13396283A JP 13396283 A JP13396283 A JP 13396283A JP S6025031 A JPS6025031 A JP S6025031A
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- Japan
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- film
- thin film
- thin
- tensile stress
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- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビ画像の記録再生やコンピュータの外部
メモリー、あるいは各種電気信号の記録再生に用いるこ
とができる磁気記録媒体の製造方法に関する。
メモリー、あるいは各種電気信号の記録再生に用いるこ
とができる磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、磁気記録の分野において詩密度化が進んでおり、
コバルト−クロム（Ｃｏ−Ｃｒ ）系あるいは：ｌ ハ
／Ｌ／ ）−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）系の金属薄膜をポリエチ
レンテレフタレー） ＣＰＥＴ ）等の有機フィルムか
ら成る基板上に付着させて作製した磁気記録媒体を用い
て高密度の記録再生を実現しようとしている。
コバルト−クロム（Ｃｏ−Ｃｒ ）系あるいは：ｌ ハ
／Ｌ／ ）−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）系の金属薄膜をポリエチ
レンテレフタレー） ＣＰＥＴ ）等の有機フィルムか
ら成る基板上に付着させて作製した磁気記録媒体を用い
て高密度の記録再生を実現しようとしている。
例えば、ｃｏ−Ｃｒ系の従来の磁気記録媒体は、第１図
に示すように、 ＰＥＴフィルムの基板（１）上にＣ０
−Ｃｒ系薄膜（２）をスパッタリング法により形成しで
構成しである。しかしながら、このように構成された従
来の磁気記録媒体では、ｃｏ−ｃｒ系合金をアルゴン（
Ａｒ ）ガス中でスパッタするため形成される薄膜ζ２
Ｊ中にＡｒが取り込まれ、その結果−ｃｏ−Ｃｒ系薄膜
（２）には大きな圧縮応力が発生してＰＥＴフィルムか
ら成る基板（１）がそってしまうという欠点を有してい
た。基板（１）がそってしまっては１例えば高密度の記
録再生を必要とするフロッピーディスク等としてこの磁
気記録媒体を使用することは困難である。
に示すように、 ＰＥＴフィルムの基板（１）上にＣ０
−Ｃｒ系薄膜（２）をスパッタリング法により形成しで
構成しである。しかしながら、このように構成された従
来の磁気記録媒体では、ｃｏ−ｃｒ系合金をアルゴン（
Ａｒ ）ガス中でスパッタするため形成される薄膜ζ２
Ｊ中にＡｒが取り込まれ、その結果−ｃｏ−Ｃｒ系薄膜
（２）には大きな圧縮応力が発生してＰＥＴフィルムか
ら成る基板（１）がそってしまうという欠点を有してい
た。基板（１）がそってしまっては１例えば高密度の記
録再生を必要とするフロッピーディスク等としてこの磁
気記録媒体を使用することは困難である。
一万、スパッタリング法により形成されたＣｏ（ｒ系薄
膜（２）は垂直磁化膜であるという性質上、第１図のご
とく、基板（１ン上に粒子が柱状に成長しており、Ｃ０
−Ｃｒ系薄膜（２）の表面は少し凹凸をなしており、磁
気ヘッドで媒体面上をこすって記録再生する時に媒体を
損傷してしまうという欠点も有していた。
膜（２）は垂直磁化膜であるという性質上、第１図のご
とく、基板（１ン上に粒子が柱状に成長しており、Ｃ０
−Ｃｒ系薄膜（２）の表面は少し凹凸をなしており、磁
気ヘッドで媒体面上をこすって記録再生する時に媒体を
損傷してしまうという欠点も有していた。
発明の目的
本発明は、上記従来の欠点を解消するもので。
基板上に形成されたＣｏ −Ｃｒ系薄膜の圧縮応力にも
め 拘。らず基板のそりを許容できる範囲までおさえること
ができると共に、記録媒体全体としての耐摩耗性を高め
ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
め 拘。らず基板のそりを許容できる範囲までおさえること
ができると共に、記録媒体全体としての耐摩耗性を高め
ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
発明の構成
本発明は、上記目的を］達成するために、基板上にスパ
ッタリング法により形成されたｃｏ−Ｃｒ系薄膜上に、
厚さ２０〜ａＯＯ人の引張り応力を誘起する薄膜を形成
することより成る磁気記録媒体の製造方法を提供する。
ッタリング法により形成されたｃｏ−Ｃｒ系薄膜上に、
厚さ２０〜ａＯＯ人の引張り応力を誘起する薄膜を形成
することより成る磁気記録媒体の製造方法を提供する。
＝ｆｆにスパッタリング法あるいは真空蒸着法にてＣ０
−Ｃｒ系薄膜上に形成される厚さ２０〜８００人の薄膜
は、島状構造（連続膜となっていない）になるため、ス
パッタにより付着された粒子どうしが互いに引張り合う
性質を有しており、全体的に見れば薄膜に引張り応力を
誘起していることになる。
−Ｃｒ系薄膜上に形成される厚さ２０〜８００人の薄膜
は、島状構造（連続膜となっていない）になるため、ス
パッタにより付着された粒子どうしが互いに引張り合う
性質を有しており、全体的に見れば薄膜に引張り応力を
誘起していることになる。
この引張り応力を誘起する薄膜が、ｃｏ−Ｃｒ系薄膜に
発生した圧縮応力を少なくとも許容できるレベルまで相
殺すると共に、記録再生に一番重要なＣｏ−Ｃｒ系薄膜
の保護膜として機能することにより−例えばＰＥＴフィ
ルムから成る基板のそりを許容でｌ二 きる範囲まで声さえ、かつ記録媒体全体としての耐摩耗
性を高めることができるものである。
発生した圧縮応力を少なくとも許容できるレベルまで相
殺すると共に、記録再生に一番重要なＣｏ−Ｃｒ系薄膜
の保護膜として機能することにより−例えばＰＥＴフィ
ルムから成る基板のそりを許容でｌ二 きる範囲まで声さえ、かつ記録媒体全体としての耐摩耗
性を高めることができるものである。
本発明の好適な実施例によれば、引張り応力を誘起する
薄膜を、アモルファス窒化シリコン（ｑ−５ｉＮ ）
、アモルファス窒化チタン（＆−ＴｉＮ ）あるいはア
モルファス窒化硼素（α−ＢＮ）から形成するようにし
である。これらいずれかの材料から形成された薄膜は弾
性率が大きく、Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の圧縮応力を充分補償
するだけの強い引張り応力を誘起することができるので
１両薄膜の合計の応力をほぼゼロにして、基板のそりを
なくすことが可能となる。また、アモルファスの窒化物
薄膜は、そ、の材料の性質上表面がなめシかで耐摩耗性
にも侵れているので、記録再生時に、記録ヘッドによる
Ｃ０−Ｃｒ系薄膜の摩耗を特に効果的におさえることが
できる。
薄膜を、アモルファス窒化シリコン（ｑ−５ｉＮ ）
、アモルファス窒化チタン（＆−ＴｉＮ ）あるいはア
モルファス窒化硼素（α−ＢＮ）から形成するようにし
である。これらいずれかの材料から形成された薄膜は弾
性率が大きく、Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の圧縮応力を充分補償
するだけの強い引張り応力を誘起することができるので
１両薄膜の合計の応力をほぼゼロにして、基板のそりを
なくすことが可能となる。また、アモルファスの窒化物
薄膜は、そ、の材料の性質上表面がなめシかで耐摩耗性
にも侵れているので、記録再生時に、記録ヘッドによる
Ｃ０−Ｃｒ系薄膜の摩耗を特に効果的におさえることが
できる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を第２図を参照しながら詳細に説
明する。
明する。
本発明の実施例にかかる磁気記録媒体を示す第２図にお
いて、（１）はＰＥＴフィルムから成る基板で、この基
板（１）上に記録再生用のＣｏ−Ｃｒ系＃４Ｍ（垂直磁
化膜）（２）がスパッタリング法により形成されており
１さらにこのＣｏ−Ｃｒ系薄膜（２）上にａ−５ｉＮ。
いて、（１）はＰＥＴフィルムから成る基板で、この基
板（１）上に記録再生用のＣｏ−Ｃｒ系＃４Ｍ（垂直磁
化膜）（２）がスパッタリング法により形成されており
１さらにこのＣｏ−Ｃｒ系薄膜（２）上にａ−５ｉＮ。
α−ＴｉＮあるいはα−ＢＮから成る引張り応力を誘起
起する２０′−８００人の犀、さの薄膜（３）をスパッ
タリング法または真空蒸着法にて形成されている。
起する２０′−８００人の犀、さの薄膜（３）をスパッ
タリング法または真空蒸着法にて形成されている。
一般に薄膜の平均内部応力は、薄い基板にその薄膜を付
着させた時の基板のたわみ〔そり）の量からめられるｏ
Ｃｏ ＜ｒ系ＩＪｆｌＱの場合、実験から１μｍ程度
の膜厚であれば、約８ ｘ １０９ｄｙｎ／ｃｍ” の
圧縮応力が存在していることが分っている。このため、
フロッピーディスクの基板として用いられるＰＥＴフィ
ルム製基板基板、厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ系薄膜をス〈
（ツタリング法で付着させるとｂ ＣＯ”Ｃｒ系薄膜の
圧縮応力をささえきれず基板がそってし 。
着させた時の基板のたわみ〔そり）の量からめられるｏ
Ｃｏ ＜ｒ系ＩＪｆｌＱの場合、実験から１μｍ程度
の膜厚であれば、約８ ｘ １０９ｄｙｎ／ｃｍ” の
圧縮応力が存在していることが分っている。このため、
フロッピーディスクの基板として用いられるＰＥＴフィ
ルム製基板基板、厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ系薄膜をス〈
（ツタリング法で付着させるとｂ ＣＯ”Ｃｒ系薄膜の
圧縮応力をささえきれず基板がそってし 。
まり。この大きな圧縮応力を袖偶するためには、Ｃｏ−
Ｃｒ薄股上に大きな引張り応力を誘起する薄膜を付着さ
せてやる必要がある。しかし、この引張り応力を誘起す
る薄膜の膜厚を太き（すると、フロッピーディスクと磁
気ヘッドとのスペーシングロスが大きくなってしまい、
磁気ヘッドの出力低下をきたす。また、スパッタリング
法では、薄膜の膜厚をあまり大きくすると引張り応力か
ら圧縮応力に変化してしまうし、膜厚が小さすぎると充
分な引張り応力を誘起できない。これらのことを考慮し
て本発明者が実験および検討した結果、薄膜（３）の膜
厚は２０〜８００人が適当であることを発見した。
Ｃｒ薄股上に大きな引張り応力を誘起する薄膜を付着さ
せてやる必要がある。しかし、この引張り応力を誘起す
る薄膜の膜厚を太き（すると、フロッピーディスクと磁
気ヘッドとのスペーシングロスが大きくなってしまい、
磁気ヘッドの出力低下をきたす。また、スパッタリング
法では、薄膜の膜厚をあまり大きくすると引張り応力か
ら圧縮応力に変化してしまうし、膜厚が小さすぎると充
分な引張り応力を誘起できない。これらのことを考慮し
て本発明者が実験および検討した結果、薄膜（３）の膜
厚は２０〜８００人が適当であることを発見した。
以下に本発明のより具体的な実施例を示す。
具体的実施例
直径１０ｃｍで厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムからなる
円板状基板上に、厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ光薄膜をスパ
ッタリング法により付着形成させた。この時の基板のそ
り（たわみ）の最大値はｉｃｍであった。
円板状基板上に、厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ光薄膜をスパ
ッタリング法により付着形成させた。この時の基板のそ
り（たわみ）の最大値はｉｃｍであった。
次にＩＣ０−Ｃｒ系Ｍり上に厚さ２０人のα−３ｉＮ
薄膜をスパッタリング法により付着形成させ、基板のそ
りを測定した結果、最大値は０．５ｃｍであった。
薄膜をスパッタリング法により付着形成させ、基板のそ
りを測定した結果、最大値は０．５ｃｍであった。
なお、α−５ｉＮ薄Ｕのスパッタ形成の際に、このアモ
ルファスの薄膜が形成されやすいように、６％の水素を
含有したＡｒガス中で行なった。最後に、このように作
製した磁気記録媒体を、 ５００ｒｐｍで回転する台の
上に載置し、曲率半径が２（ｍの鉄製の半円球を全体で
２０ ｇｒの荷重になるように媒体表面に押圧させた状
態で、台を１分間回転させて媒体表面を半円球でこすっ
た結果＊ Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の損傷は認められなかった
。
ルファスの薄膜が形成されやすいように、６％の水素を
含有したＡｒガス中で行なった。最後に、このように作
製した磁気記録媒体を、 ５００ｒｐｍで回転する台の
上に載置し、曲率半径が２（ｍの鉄製の半円球を全体で
２０ ｇｒの荷重になるように媒体表面に押圧させた状
態で、台を１分間回転させて媒体表面を半円球でこすっ
た結果＊ Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の損傷は認められなかった
。
この結果を第１表において試料Ａ１に示す。以下同様に
して、直径１０ｃｍで厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムか
ら成る円板状基板上に厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ光薄膜を
スンでツタリング法により付着形成し、さらにＣ０−Ｃ
ｒ系薄膜上に種々な材料（具体的にはα−５ｉＮ ＊α
−ＴｉＮ、α−ＢＮ ）からなる種々な厚さの引張り応
力を誘起する薄膜をスパッタリング法により付着形成す
ることにより複数の磁気記録媒体を作製し、それぞれに
ついて基板のそりの最大値および耐摩耗性を測定した。
して、直径１０ｃｍで厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムか
ら成る円板状基板上に厚さ１μｍのＣｏ−Ｃｒ光薄膜を
スンでツタリング法により付着形成し、さらにＣ０−Ｃ
ｒ系薄膜上に種々な材料（具体的にはα−５ｉＮ ＊α
−ＴｉＮ、α−ＢＮ ）からなる種々な厚さの引張り応
力を誘起する薄膜をスパッタリング法により付着形成す
ることにより複数の磁気記録媒体を作製し、それぞれに
ついて基板のそりの最大値および耐摩耗性を測定した。
その結果も、第１表の試料Ａ２〜Ａ１６に示した。
（以 下 余 白）
第 １ 表
Ａ１０半〜ム１６牢は比較例
第１表において試料Ａ１０＊〜７に１６＊は本発明の対
象外の比較例で、そのうち試料ＡＩＯは引張り応力を誘
起する膜のない従来例に相当している。
象外の比較例で、そのうち試料ＡＩＯは引張り応力を誘
起する膜のない従来例に相当している。
第１表から明らかなように、α−５ｉＮ 、α−ＴｉＮ
。
。
α−ＢＮのそれぞれのＮ膜について、その厚みを２０〜
８００人にした時に基板のそりを許容できる範囲までに
おさえることができると共に、記録媒体としての耐摩耗
性を充分に向上させることができる。特に、それぞれの
薄膜について、その厚みを１００人にした時に、極めて
効果的に基板のそりをおさえることができることが分る
。
８００人にした時に基板のそりを許容できる範囲までに
おさえることができると共に、記録媒体としての耐摩耗
性を充分に向上させることができる。特に、それぞれの
薄膜について、その厚みを１００人にした時に、極めて
効果的に基板のそりをおさえることができることが分る
。
発明の詳細
な説明したように：本発明の製造方法によれば、基板上
に形成されたＣｏ−Ｃｒ光薄膜上に、厚さ２０〜８００
人の引張り応力を誘起する薄膜を形成するようにしであ
るのでｈ Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の圧縮応力が相殺されて、
基板のそりを許容範囲内におさえると共に、Ｃ０−Ｃｒ
系薄膜を保護して、記録媒体としての寿命を長くできる
という効果が得られるものである。
に形成されたＣｏ−Ｃｒ光薄膜上に、厚さ２０〜８００
人の引張り応力を誘起する薄膜を形成するようにしであ
るのでｈ Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜の圧縮応力が相殺されて、
基板のそりを許容範囲内におさえると共に、Ｃ０−Ｃｒ
系薄膜を保護して、記録媒体としての寿命を長くできる
という効果が得られるものである。
第１図は従来の磁気記録媒体を示す断面図、第２図は本
発明の実施例にかかる磁気記録媒体を示す断面図である
。 （１） ・・・基板、（２Ｊ ＝−Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜、
（３１−・・引張り応力を誘起する薄膜 代理人 森本義弘
発明の実施例にかかる磁気記録媒体を示す断面図である
。 （１） ・・・基板、（２Ｊ ＝−Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜、
（３１−・・引張り応力を誘起する薄膜 代理人 森本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板上にスパッタリング法により形成されたコバ
ルト−クロム系薄膜上に、厚さ２０〜８００人の引張り
応力を誘起する薄膜を形成することより成る磁気記録媒
体の製造方法。 ２、 引張り応力を誘起する薄膜を、スパッタリング法
によりコバルト−クロム膜上に付着させるようにした特
許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 ８、 引張り応力を誘起する薄膜を、アモルファス窒化
シリコン、アモルファス窒化チタンあるいはアモルファ
ス窒化硼素から形成するようにした特許請求の範囲第１
項または第２項１こ記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13396283A JPS6025031A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13396283A JPS6025031A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025031A true JPS6025031A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15117147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13396283A Pending JPS6025031A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025031A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194624A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Nec Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH01261421A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Teijin Ltd | ポリイミド繊維 |
| JPH04112191U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-09-29 | 川崎重工業株式会社 | 小型滑走艇の船底構造 |
| EP1049544A1 (en) * | 1998-01-19 | 2000-11-08 | Medquest Products, Inc. | Method and apparatus for providing a conductive, amorphous non-stick coating |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP13396283A patent/JPS6025031A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194624A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Nec Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH01261421A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Teijin Ltd | ポリイミド繊維 |
| JPH04112191U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-09-29 | 川崎重工業株式会社 | 小型滑走艇の船底構造 |
| EP1049544A1 (en) * | 1998-01-19 | 2000-11-08 | Medquest Products, Inc. | Method and apparatus for providing a conductive, amorphous non-stick coating |
| EP1049544A4 (en) * | 1998-01-19 | 2004-08-25 | Medquest Products Inc | METHOD AND APPARATUS FOR FORMING AN AMORPHOUS AND CONDUCTIVE NON-STICK COATING |
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