JPS60234321A - 半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理装置Info
- Publication number
- JPS60234321A JPS60234321A JP9041184A JP9041184A JPS60234321A JP S60234321 A JPS60234321 A JP S60234321A JP 9041184 A JP9041184 A JP 9041184A JP 9041184 A JP9041184 A JP 9041184A JP S60234321 A JPS60234321 A JP S60234321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- cup
- processing apparatus
- photo resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハにレジストを塗布したり、現像を
行なう際に用いられる半導体ウェハ処理装置の改良に関
する。
行なう際に用いられる半導体ウェハ処理装置の改良に関
する。
従来、半導体ウェハに例えばホトレジストを塗布する場
合、第１図に示すように半導体ウェハ処理装置（レジス
トコーター）が用いられている。第１図において、排液
、排気筒ＩＩＬを有するカップ１の下面中央開口にはウ
ェハチャック２が回転自在に挿入されている。このウェ
ノ・チャック２の上面には半導体ウェハ３が保持される
。更に、半導体ウェハ３上方にはホトレノストを流下さ
せるノズル４が設けられている。
合、第１図に示すように半導体ウェハ処理装置（レジス
トコーター）が用いられている。第１図において、排液
、排気筒ＩＩＬを有するカップ１の下面中央開口にはウ
ェハチャック２が回転自在に挿入されている。このウェ
ノ・チャック２の上面には半導体ウェハ３が保持される
。更に、半導体ウェハ３上方にはホトレノストを流下さ
せるノズル４が設けられている。
上記レジストコーターを用いて半導体ウェノ・３の表面
にホトレジストを塗布した場合、半導体ウェハ３の裏面
にホトレジストの飛沫が付着することがある。ところで
、最近のＬＳＩの微細／ぐターニングにはアライナ−と
してステソゲアンドリピート方式のステラ・ぞ−が使用
されているが、上述したように半導体ウェハの裏面にホ
トレジストの飛沫が付着していると、半導体ウェハが傾
くことがあるため焦点ぼけが発生する。
にホトレジストを塗布した場合、半導体ウェハ３の裏面
にホトレジストの飛沫が付着することがある。ところで
、最近のＬＳＩの微細／ぐターニングにはアライナ−と
してステソゲアンドリピート方式のステラ・ぞ−が使用
されているが、上述したように半導体ウェハの裏面にホ
トレジストの飛沫が付着していると、半導体ウェハが傾
くことがあるため焦点ぼけが発生する。
この結果、半導体装置に不良が生じ、製品歩留りを低下
させる原因となっている。
させる原因となっている。
また、現像装置も第１図図示のレジストコーターとはぼ
同様な構造を有しており、現像時に半導体ウェノ・の表
面〈現像液の飛沫が付着することがある。最近のＬＳＩ
のエツチング工程ではドライエツチング方式の反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ ）装置が使用されているが、
上述したように半導体ウェハの裏面に現像液の飛沫が付
着した場合、異常放電が起るためエツチング異常が発生
し、やはシ製品歩留シを低下させる原因となる。
同様な構造を有しており、現像時に半導体ウェノ・の表
面〈現像液の飛沫が付着することがある。最近のＬＳＩ
のエツチング工程ではドライエツチング方式の反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ ）装置が使用されているが、
上述したように半導体ウェハの裏面に現像液の飛沫が付
着した場合、異常放電が起るためエツチング異常が発生
し、やはシ製品歩留シを低下させる原因となる。
本発明は上記欠点を解消するために外されたものであり
、ウェハ裏面へのホトレジストあるいは現像液の飛沫の
付着を防止し、アライナ−での焦点はけあるいはＲＩＥ
装置の異常放電による製品歩留υの低下を防止し得る半
導体ウェハ処理装置を提供しようとするものである。
、ウェハ裏面へのホトレジストあるいは現像液の飛沫の
付着を防止し、アライナ−での焦点はけあるいはＲＩＥ
装置の異常放電による製品歩留υの低下を防止し得る半
導体ウェハ処理装置を提供しようとするものである。
本発明の半導体ウェハ処理装置は、カップ内の半導体ウ
ェハの下方に半導体ウェハの径よりも径の大きい円筒面
を有する液体（ホトレジストあるいは現像液）はね返り
防止部品を設けたことを特徴とするものである。
ェハの下方に半導体ウェハの径よりも径の大きい円筒面
を有する液体（ホトレジストあるいは現像液）はね返り
防止部品を設けたことを特徴とするものである。
このように液体はね返シ防止部品を設けた半導体ウェハ
処理装置によれば、ウェハ裏面へのホトレジス）６るい
は現像液の飛沫の付着を有効に防止してアライナ−での
焦点はけあるいはＲＩＥ装置の異常放電による製品歩留
りの低下を防止することができる。
処理装置によれば、ウェハ裏面へのホトレジス）６るい
は現像液の飛沫の付着を有効に防止してアライナ−での
焦点はけあるいはＲＩＥ装置の異常放電による製品歩留
りの低下を防止することができる。
以下、本発明の実施例を第２図、第３図（、）及び（ｂ
）を参照して説明する。
）を参照して説明する。
第２図において、排液、排気筒１１ａを有するカップ１
ノの下面中央開口にはウェハチャック１２が回転自在に
挿入されている。このウェハチャック１２の上面には半
導体ウェハ１３が保持される。また、半導体ウェハ１３
の上方にはホトレジストを流下させるノズル１４が設け
られている。更に、カッｆ１１内の半導体ウェハ１３の
下方には半導体ウェハ１３の径よシも径の大きい円筒面
１５ａを有する環状のはね返り防止部品１５が設けられ
ている。
ノの下面中央開口にはウェハチャック１２が回転自在に
挿入されている。このウェハチャック１２の上面には半
導体ウェハ１３が保持される。また、半導体ウェハ１３
の上方にはホトレジストを流下させるノズル１４が設け
られている。更に、カッｆ１１内の半導体ウェハ１３の
下方には半導体ウェハ１３の径よシも径の大きい円筒面
１５ａを有する環状のはね返り防止部品１５が設けられ
ている。
このはね返シ防止部品１５は第３図（、）及び（ｂ）に
示すように環状となっており、その直径りはウェハ径よ
り２１＋ＩＩ＋＋大きく、高さｈはウェハチャック１２
の上面に保持されたウェノ・１３裏面の高さより１問低
くしている。
示すように環状となっており、その直径りはウェハ径よ
り２１＋ＩＩ＋＋大きく、高さｈはウェハチャック１２
の上面に保持されたウェノ・１３裏面の高さより１問低
くしている。
しかして上記レジストコーターによれば、従来のレジス
トコーターではホトレジストの飛沫のウェハ裏面への付
着が１０枚の平均で１枚当９２７個であったのに対し、
ホトレジストの飛沫のウェハ裏面への付着は全くなくな
った。また、これに伴いアライナ−の焦点はけに起因す
る不良の発生率（１ケ月間）は従来の０９２％から０．
０２％へと著しく低下した。
トコーターではホトレジストの飛沫のウェハ裏面への付
着が１０枚の平均で１枚当９２７個であったのに対し、
ホトレジストの飛沫のウェハ裏面への付着は全くなくな
った。また、これに伴いアライナ−の焦点はけに起因す
る不良の発生率（１ケ月間）は従来の０９２％から０．
０２％へと著しく低下した。
なお、本発明における液体はね返り防止部品の形状は上
記実施例で用いたものに限らず、例えば第４図（−）及
び（ｂ）に示すように外周の円筒面１６ｇと内周の円筒
面１６ｂとの間に隔壁１６ｃ・・・を設けたはね返り防
止部品１６でもよい。
記実施例で用いたものに限らず、例えば第４図（−）及
び（ｂ）に示すように外周の円筒面１６ｇと内周の円筒
面１６ｂとの間に隔壁１６ｃ・・・を設けたはね返り防
止部品１６でもよい。
壕だ、はね返り防止部品の径はウェハ径よりも大きいが
、ウェハ径に近づけるほどレジストの付着を防止する効
果が大きく、同様に高さはウェハチャックに保持された
ウェハの裏面の高さよシ低いが、ウェハ裏面の高さに近
づけるほど効果が大きい。
、ウェハ径に近づけるほどレジストの付着を防止する効
果が大きく、同様に高さはウェハチャックに保持された
ウェハの裏面の高さよシ低いが、ウェハ裏面の高さに近
づけるほど効果が大きい。
更に、上記実施例ではレジストコーターにつ勿論である
。
。
以上詳述した如く本発明の半導体ウェハ処理装置によれ
ば、半導体ウニ・・の裏面へのレジストや現像液の飛沫
の付着を防止し、アライナ−での焦点ぼけあるいはＲＩ
Ｅ装置の異常放電による製品歩留りの低下を防止できる
等顕著な効果を奏するものである。
ば、半導体ウニ・・の裏面へのレジストや現像液の飛沫
の付着を防止し、アライナ−での焦点ぼけあるいはＲＩ
Ｅ装置の異常放電による製品歩留りの低下を防止できる
等顕著な効果を奏するものである。
第１図は従来のレジストコーターの断面図、第２図は本
発明の実施例におけるレジストコーターの断面図、第３
図（、）は同レジストコーター、に用いられる液体はね
返り防止部品の平面図、同図（′ｂ）は同図（ａ）の■
−■線に沿う断面図、第４図（、）は本発明の他の実施
例のレジストコーターに用いられる液体はね返り防止部
品の平面図、同図（ｂ）は同図（ＩＬ）の■−■線ＫＧ
う断面図である。 １１・・・力、ｆ、ｌｌｈ・・・排液、排気筒、１２・
・・ウェハチャック、１３・・・半導体ウェハ、１４・
・・ノズル、１．５ 、１６・・・液体はね返り防止部
品、１５ ａ 、 １６ ａ 、 １６ ｂ−円筒面、
１６ ｃ −隔壁０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
発明の実施例におけるレジストコーターの断面図、第３
図（、）は同レジストコーター、に用いられる液体はね
返り防止部品の平面図、同図（′ｂ）は同図（ａ）の■
−■線に沿う断面図、第４図（、）は本発明の他の実施
例のレジストコーターに用いられる液体はね返り防止部
品の平面図、同図（ｂ）は同図（ＩＬ）の■−■線ＫＧ
う断面図である。 １１・・・力、ｆ、ｌｌｈ・・・排液、排気筒、１２・
・・ウェハチャック、１３・・・半導体ウェハ、１４・
・・ノズル、１．５ 、１６・・・液体はね返り防止部
品、１５ ａ 、 １６ ａ 、 １６ ｂ−円筒面、
１６ ｃ −隔壁０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 力、グ内に半導体ウェノ・を回転自在に支持し、半導体
ウェハの上方に設けられたノズルから液体を流下させて
半導体ウェハの処理を行なう装置において、前記カツグ
内の半導体ウェハの下方に半導体ウェハの径よりも径の
大きい円筒面を有する液体はね返υ防止部品を設けたこ
とを特徴とする半導体ウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041184A JPS60234321A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041184A JPS60234321A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234321A true JPS60234321A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=13997839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9041184A Pending JPS60234321A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0576814A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| TWI419212B (zh) * | 2010-06-10 | 2013-12-11 | Grand Plastic Technology Co Ltd | 晶圓高壓洗淨設備之防止反濺構造 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9041184A patent/JPS60234321A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0576814A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| TWI419212B (zh) * | 2010-06-10 | 2013-12-11 | Grand Plastic Technology Co Ltd | 晶圓高壓洗淨設備之防止反濺構造 |
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