JPS60227445A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60227445A JPS60227445A JP8532584A JP8532584A JPS60227445A JP S60227445 A JPS60227445 A JP S60227445A JP 8532584 A JP8532584 A JP 8532584A JP 8532584 A JP8532584 A JP 8532584A JP S60227445 A JPS60227445 A JP S60227445A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- wiring layer
- layer wiring
- insulation film
- contact hole
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体基板上の下層配線に、層間絶縁膜に
設けたコンタクトホール部で上層配線を結合接続する半
導体装置の製造方法に関する。
設けたコンタクトホール部で上層配線を結合接続する半
導体装置の製造方法に関する。
従来のこの種の半導体装置の製造方法は、第１図ないし
第４図に工程順に示す要部断面図のように１行われてい
た。まず、第１図に示すように。
第４図に工程順に示す要部断面図のように１行われてい
た。まず、第１図に示すように。
半導体基板（以下「基板」と称する）（１）上に絶縁膜
（２）を形成し、この上に導電材からなる一層目配す 線（３）を写真製版手段などにより形成上平←る。通常
、この一層目配線（３）は、上記絶縁膜（２）にあけら
れたコンタクトホール（図示は略す）を通じて下の基板
（１）上に形成されである要素領域に電気的接続されで
ある。つぎに、第２図のように、絶縁膜（２）及び一層
目配線（３）上に層間絶縁膜（４）を形成している。つ
づ匹て、第３図のように１層間絶縁膜（４）にエツチン
グによりコンタクトホール（５）をあける。
（２）を形成し、この上に導電材からなる一層目配す 線（３）を写真製版手段などにより形成上平←る。通常
、この一層目配線（３）は、上記絶縁膜（２）にあけら
れたコンタクトホール（図示は略す）を通じて下の基板
（１）上に形成されである要素領域に電気的接続されで
ある。つぎに、第２図のように、絶縁膜（２）及び一層
目配線（３）上に層間絶縁膜（４）を形成している。つ
づ匹て、第３図のように１層間絶縁膜（４）にエツチン
グによりコンタクトホール（５）をあける。
さらに、第４図のように１層間絶縁［（４）上に二層目
配線（６）を微細加工により形成し、コンタクトホール
（５）部で一層目配線（３）に結合接続している。
配線（６）を微細加工により形成し、コンタクトホール
（５）部で一層目配線（３）に結合接続している。
上記従来方法では、層間絶縁＠（４）は−、二層目配線
（３１、（６）間の絶縁を保つため、相当模写を厚くし
であるが、これにより、コンタクトホール（５）が深く
なっている。このため、二層目配線（６）が形成時に、
コンタクトホール（５）部で中央が深く落込み、導電材
厚さにくびれが生じ、エレクトロマイグレーションによ
る断線などの不良の原因となっていた。
（３１、（６）間の絶縁を保つため、相当模写を厚くし
であるが、これにより、コンタクトホール（５）が深く
なっている。このため、二層目配線（６）が形成時に、
コンタクトホール（５）部で中央が深く落込み、導電材
厚さにくびれが生じ、エレクトロマイグレーションによ
る断線などの不良の原因となっていた。
この発明は、半導体基板上部側の下層配線下に、この下
層配線とに形成される層間絶縁膜に設けられるコンタク
トホールに対応する位置に、あらかじめスペーサを形成
しておき、形成された層間絶縁膜のスペーサ上方に対す
る部分を突出させ、この突出部をエツチング処理で除去
し、この状態で層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し
、この層間絶縁膜上に上層配線を形成し、コンタクトホ
ール部で下層配線に結合接続するようにし、コンタクト
ホールが浅くされ、この部分の導電材の落ち込みが浅く
なり、くびれを減少し、信頼性を向上する半導体装置の
製造方法を提供するものである。
層配線とに形成される層間絶縁膜に設けられるコンタク
トホールに対応する位置に、あらかじめスペーサを形成
しておき、形成された層間絶縁膜のスペーサ上方に対す
る部分を突出させ、この突出部をエツチング処理で除去
し、この状態で層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し
、この層間絶縁膜上に上層配線を形成し、コンタクトホ
ール部で下層配線に結合接続するようにし、コンタクト
ホールが浅くされ、この部分の導電材の落ち込みが浅く
なり、くびれを減少し、信頼性を向上する半導体装置の
製造方法を提供するものである。
以下、この発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を、第５図ないし第１０回に工程順に示す要部断面図に
より説明する。まず、第５図に示すように、半導体基板
（１）上に形成された絶縁＠（２）上に、一層目の配線
上に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールに対応す
る位置に、スペーサαＯを形成する。このスペーサαＯ
は１例えば導電材をスパッタ法などにより絶縁膜（２）
上に導電膜を付着し、この導電膜をエツチングすること
により形成する。
を、第５図ないし第１０回に工程順に示す要部断面図に
より説明する。まず、第５図に示すように、半導体基板
（１）上に形成された絶縁＠（２）上に、一層目の配線
上に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールに対応す
る位置に、スペーサαＯを形成する。このスペーサαＯ
は１例えば導電材をスパッタ法などにより絶縁膜（２）
上に導電膜を付着し、この導電膜をエツチングすること
により形成する。
つぎに、第６図のように、絶縁膜（２）及びスペーサ上
方上に導電材からなる一層目配線αυを、写真製版手段
などにより形成する。つづいて、第マ図のように、絶縁
膜（２）、スペーサαＯの露出した部分上及び配線α力
士に、比較的厚い眉間絶縁膜（２）を形成する。この層
間絶縁膜（２）は、スペーサ（１１の位置上部が高く突
出している。ついで、第８図に示すように、層間絶縁膜
（２）上にレジストα［有］を塗布すると。
方上に導電材からなる一層目配線αυを、写真製版手段
などにより形成する。つづいて、第マ図のように、絶縁
膜（２）、スペーサαＯの露出した部分上及び配線α力
士に、比較的厚い眉間絶縁膜（２）を形成する。この層
間絶縁膜（２）は、スペーサ（１１の位置上部が高く突
出している。ついで、第８図に示すように、層間絶縁膜
（２）上にレジストα［有］を塗布すると。
スペーサ０υの上方位置のレジスト（至）は厚さが薄く
なる。この状態でレジスト（至）と層間絶縁膜（２）と
のエツチング速度が近い条件でエツチングする。すると
、レジスト（至）が除去されるとともに、スペーサ上方
上方の層間絶縁膜（２）の突出した部分も除去される。
なる。この状態でレジスト（至）と層間絶縁膜（２）と
のエツチング速度が近い条件でエツチングする。すると
、レジスト（至）が除去されるとともに、スペーサ上方
上方の層間絶縁膜（２）の突出した部分も除去される。
さらに、第９図のように１層間絶縁膜（２）に写真製版
手段でエツチングによりコンタクトホールＱ４を形成す
る。この状態から第１０図のように。
手段でエツチングによりコンタクトホールＱ４を形成す
る。この状態から第１０図のように。
眉間絶縁＠（２）上に導電材からなる二層目配線ａ９を
微細加工により形成し、コンタクトホールα４部も埋め
て一層目配線ａηに結合接続する。
微細加工により形成し、コンタクトホールα４部も埋め
て一層目配線ａηに結合接続する。
このように、コンタクトホールα荀が形成される位置で
、形成しようとする一層目配線αη下にあらかじめスペ
ーサαＯを形成しておくことにより、このスペーサα０
上方部の一層目配線αＤ及び層間絶縁膜（２）が高くな
り、この部分の層間絶縁膜（２）を薄くエツチング加工
している。これにより、コンタクトホールＱ４が浅くな
り、このホールα金を埋めたこの部分の二層目配線ａＯ
の中央部の落込みが浅くされ、導電材のくびれが減少さ
れる。また１層間絶縁膜（２）はエツチングに際し、コ
ンタクトホールα→が形成される位置部が突出していて
、この突出部がまずエツチングされ、他の部分はエツチ
ングされず厚さを保っており、絶縁性を低下することは
ない。
、形成しようとする一層目配線αη下にあらかじめスペ
ーサαＯを形成しておくことにより、このスペーサα０
上方部の一層目配線αＤ及び層間絶縁膜（２）が高くな
り、この部分の層間絶縁膜（２）を薄くエツチング加工
している。これにより、コンタクトホールＱ４が浅くな
り、このホールα金を埋めたこの部分の二層目配線ａＯ
の中央部の落込みが浅くされ、導電材のくびれが減少さ
れる。また１層間絶縁膜（２）はエツチングに際し、コ
ンタクトホールα→が形成される位置部が突出していて
、この突出部がまずエツチングされ、他の部分はエツチ
ングされず厚さを保っており、絶縁性を低下することは
ない。
なお、上記実施例では二層配線の場合について説明した
が、三層以上の多層配線の場合にも適用でき、形成され
る層間絶縁膜のコンタクトホール位置の下方に、あらか
じめ下層配線下にスペーサを形成しておく。
が、三層以上の多層配線の場合にも適用でき、形成され
る層間絶縁膜のコンタクトホール位置の下方に、あらか
じめ下層配線下にスペーサを形成しておく。
また、上記実施例では眉間絶縁膜（イ）のコンタクトホ
ール形成前に、この突出部をエツチング除去するため、
レジスト（至）を塗布したが、レジストの代わりに液状
ガラスを塗布してもよい。
ール形成前に、この突出部をエツチング除去するため、
レジスト（至）を塗布したが、レジストの代わりに液状
ガラスを塗布してもよい。
以上のように、この発明の方法によれば、半導体基板上
部側に形成する下層配線下に、この下層配線とに形成さ
れる層間絶縁１１１Ｋ設けられるコンタクトホールに対
応する位置に、あらかじめスペーサを形成しておき、形
成された層間絶縁膜のスペーサ上方に対する部分を突出
させ、この突出部をエツチングで除去し、この層間絶縁
膜にコンタクトホールを形成し、眉間絶縁膜上に上層配
線を形成し、コンタクトホ −ル部で下層配線に結合接
続するようにし、コンタクトホールが浅くされてこの部
分の導電材の落ち込みを小さくシ、くびれを減少し、エ
レクトロマイグレーションなどによる不良をなくシ、信
頼性が向上される。
部側に形成する下層配線下に、この下層配線とに形成さ
れる層間絶縁１１１Ｋ設けられるコンタクトホールに対
応する位置に、あらかじめスペーサを形成しておき、形
成された層間絶縁膜のスペーサ上方に対する部分を突出
させ、この突出部をエツチングで除去し、この層間絶縁
膜にコンタクトホールを形成し、眉間絶縁膜上に上層配
線を形成し、コンタクトホ −ル部で下層配線に結合接
続するようにし、コンタクトホールが浅くされてこの部
分の導電材の落ち込みを小さくシ、くびれを減少し、エ
レクトロマイグレーションなどによる不良をなくシ、信
頼性が向上される。
第１図ないし第４図は従来の半導体装置の製造方法を工
程順に示す要部断面図、第５図ないし第１０図はこの発
明の一実施例による半導体装置の製造方法を工程順に示
す要部断面図である。 １・・半導体基板、２・・・絶縁膜、１０・・・スペー
サ。 １１・・・一層目配線、１２・・・層間絶縁膜、１３・
・・レジスト、１４・・・コンタクトホール、１５・・
・二層目配線なお１図中同一符号は同−又は相当部分を
示す。 代理人 大岩増雄 第２図 １７１ 第４１：／ｌ 第９１４ 第１０１’ノ１ ３、補正をする者 、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ３、補正の内容 （１）明細書第２ページ第１４〜１５行の「形成してい
る。」を「形成する。」に補正する。 （２） 明細書第２ページ第１９行の「接続している。 」を「接続する。」に補正する。 （３）明細書第４ページ第１６行の「比較的厚い」を削
除する０ （４）明細書第５ページ第１６行の「加工してい乙。」
を「加工できる。」に補正する。 （５）明細書第６ページ第４行の「ない０」を「なく、
また、配線間の容量を増加させることもなハ。」に補正
する。 以上
程順に示す要部断面図、第５図ないし第１０図はこの発
明の一実施例による半導体装置の製造方法を工程順に示
す要部断面図である。 １・・半導体基板、２・・・絶縁膜、１０・・・スペー
サ。 １１・・・一層目配線、１２・・・層間絶縁膜、１３・
・・レジスト、１４・・・コンタクトホール、１５・・
・二層目配線なお１図中同一符号は同−又は相当部分を
示す。 代理人 大岩増雄 第２図 １７１ 第４１：／ｌ 第９１４ 第１０１’ノ１ ３、補正をする者 、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ３、補正の内容 （１）明細書第２ページ第１４〜１５行の「形成してい
る。」を「形成する。」に補正する。 （２） 明細書第２ページ第１９行の「接続している。 」を「接続する。」に補正する。 （３）明細書第４ページ第１６行の「比較的厚い」を削
除する０ （４）明細書第５ページ第１６行の「加工してい乙。」
を「加工できる。」に補正する。 （５）明細書第６ページ第４行の「ない０」を「なく、
また、配線間の容量を増加させることもなハ。」に補正
する。 以上
Claims (1)
- 半導体基板面の絶縁膜上に複数層配線を相互間に層間絶
縁膜を介し形成し、この層間絶縁膜にはコンタクトホー
ルを形成し上記上層配線を下層配線に結合接続するよう
にする半導体装置の製造方法において、形成する上記層
間絶縁膜のコンタクトホールに対する下方位置に、あら
かじめ上記下層配線下にスペーサを形成しておき、この
部分上の上記層間絶縁膜を突出させ、この突出部をエツ
チングにより除去して膜厚を薄くシ、つづいて形成する
コンタクトホールが浅くなり、上記１間絶縁膜上に形成
する上記上層配線のコンタクトホール部でのくびれが小
さくなるようにする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8532584A JPS60227445A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8532584A JPS60227445A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227445A true JPS60227445A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13855471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8532584A Pending JPS60227445A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227445A (ja) |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8532584A patent/JPS60227445A/ja active Pending
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