JPS5890741A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5890741A JPS5890741A JP19110481A JP19110481A JPS5890741A JP S5890741 A JPS5890741 A JP S5890741A JP 19110481 A JP19110481 A JP 19110481A JP 19110481 A JP19110481 A JP 19110481A JP S5890741 A JPS5890741 A JP S5890741A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- insulating film
- hole
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は半導体素子が形成された半導体層を複数積層し
た積層、構造の半導体装置に係り、特に各々の半導体層
上に形成された半導体素子間の接続に関するものである
。
た積層、構造の半導体装置に係り、特に各々の半導体層
上に形成された半導体素子間の接続に関するものである
。
従来この種の装置として第１図あるいは第２図に示すも
のがあった。
のがあった。
第１図に示すものは、半導体基板（１）上に半導体基板
（１）と異なる導電型の拡散領域（３）、配線分離絶縁
膜（２）、拡散領域（３）の電ｆｊＡ（５）、層間絶縁
膜（４）を形成する。そして眉間絶縁膜（４）上および
電極（５）上に半導体層（６）を形成し、電極（５）上
の半導体層（６）を除去する。半導体層（６）上に半導
体層（６）と異なる導電型の拡散領域（８）を形成した
後配線分離絶縁膜（７）、電極（９）、層間絶縁膜（１
０） ｔ−形成するものである。
（１）と異なる導電型の拡散領域（３）、配線分離絶縁
膜（２）、拡散領域（３）の電ｆｊＡ（５）、層間絶縁
膜（４）を形成する。そして眉間絶縁膜（４）上および
電極（５）上に半導体層（６）を形成し、電極（５）上
の半導体層（６）を除去する。半導体層（６）上に半導
体層（６）と異なる導電型の拡散領域（８）を形成した
後配線分離絶縁膜（７）、電極（９）、層間絶縁膜（１
０） ｔ−形成するものである。
また第２図に示すものけ、半導体基板（１）上に半導体
基板（１）と異なる導電型の拡散領域（３）、配線分離
絶縁膜（４）、拡散領域（３）の電極（５）、層間絶縁
膜（４）を形成する。そして層間絶縁膜（４）および電
極（５）上に半導体層（６）を形成した後半導体層（６
）に半導体り一（６）と異なる導電型の拡散領域（８）
、（１１）を形成する。
基板（１）と異なる導電型の拡散領域（３）、配線分離
絶縁膜（４）、拡散領域（３）の電極（５）、層間絶縁
膜（４）を形成する。そして層間絶縁膜（４）および電
極（５）上に半導体層（６）を形成した後半導体層（６
）に半導体り一（６）と異なる導電型の拡散領域（８）
、（１１）を形成する。
さらに、拡散領域（８）、（１１）、半導体層（６）上
に配線分離絶縁膜（７）、拡散領域（８）、（１１）の
電極（９）、眉間絶縁膜（１０） ｔ−形成するもので
ある。
に配線分離絶縁膜（７）、拡散領域（８）、（１１）の
電極（９）、眉間絶縁膜（１０） ｔ−形成するもので
ある。
しかるに上記従来の方法で形成された第１図に示す半導
体装置は、半導体層（６）の除去部の゛段差が大きいた
め、電極（９）の形成が困難であり、断線をひきおこし
やすいものであった。また、第２図に示す半導体装置は
、半導体層（６）の上面から底面にかけて拡散領域（１
１）の形成が長時間にわたって高温処理ｔはどこすため
、生産性の悪化と、結晶欠陥等を釦生させたものであっ
た。
体装置は、半導体層（６）の除去部の゛段差が大きいた
め、電極（９）の形成が困難であり、断線をひきおこし
やすいものであった。また、第２図に示す半導体装置は
、半導体層（６）の上面から底面にかけて拡散領域（１
１）の形成が長時間にわたって高温処理ｔはどこすため
、生産性の悪化と、結晶欠陥等を釦生させたものであっ
た。
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、半導
体系子が形成される半導体層を複数積層した半導体装置
において、半導体層の上面から底面に通じる大全形成し
、この穴のまわりの半導体層に半導体層と異なる導電型
の拡散領域を形成して、この拡散領域をＪ−間配線層と
することにより、層間配線の形成の簡略化および断線防
止を図ることを目的とするものである。
体系子が形成される半導体層を複数積層した半導体装置
において、半導体層の上面から底面に通じる大全形成し
、この穴のまわりの半導体層に半導体層と異なる導電型
の拡散領域を形成して、この拡散領域をＪ−間配線層と
することにより、層間配線の形成の簡略化および断線防
止を図ることを目的とするものである。
以下にこの発明の一実施例を第３図に基ついて説明する
。
。
まず半導体基板（１）上に、半導体基板（１）と異なる
４Ｉ電型の拡散領域（３）、配線分離絶縁膜（２）、拡
散領域（３）のｉ！億（５）、層間絶縁膜（４）を形成
する。
４Ｉ電型の拡散領域（３）、配線分離絶縁膜（２）、拡
散領域（３）のｉ！億（５）、層間絶縁膜（４）を形成
する。
次に層間絶縁膜（４）、電極（５）上に半導体層（６）
金形成し、電極（５）上の半導体層（６）の上面から底
面にかけて通じる穴（１２）を形成する。そして、この
穴（１２）のまわりの半導体層（６）及び半導体層（６
）上に、半導体層（６）と異なる導電型の拡散領域（１
１）、（８）を形成し、次いで配線分離絶縁膜（７）、
拡散領域（８）、（１１）の電極（９）、眉間絶縁膜（
１０）を形成したものである。
金形成し、電極（５）上の半導体層（６）の上面から底
面にかけて通じる穴（１２）を形成する。そして、この
穴（１２）のまわりの半導体層（６）及び半導体層（６
）上に、半導体層（６）と異なる導電型の拡散領域（１
１）、（８）を形成し、次いで配線分離絶縁膜（７）、
拡散領域（８）、（１１）の電極（９）、眉間絶縁膜（
１０）を形成したものである。
上記のごとく形成した装置の一層目の拡散領域（３）と
二層目の拡散領域（８）は、電極（５）、拡散領域（１
１）、電極（９）を介して接続できるものである。
二層目の拡散領域（８）は、電極（５）、拡散領域（１
１）、電極（９）を介して接続できるものである。
なお上記実施例では、半導体基板（１）と半導体層（６
）に形成された拡散領域（３）、（８）間の接続につい
て述べたが、半導体層をさらに積層し、半導体層同士の
接結であってもよい。
）に形成された拡散領域（３）、（８）間の接続につい
て述べたが、半導体層をさらに積層し、半導体層同士の
接結であってもよい。
また、拡散領域（３）、（８）は配線分離絶縁膜上の多
結晶シリコン領域であってもよい。
結晶シリコン領域であってもよい。
また、半導体基板（１）と半導体層の二層構造のみにつ
いて述べたが、多層構造であってもよい。
いて述べたが、多層構造であってもよい。
この発明は以上に述べたように半導体素子が形成された
半導体層を複数積層した積層構造の半導体装置において
、半導体層の上面から底面に通じる穴を形成し、この穴
の半導体層に半導体と異なる導電型の拡散領域を形成し
、この拡散領域を層間配線層としたので、層間配線の簡
略化および断線防止が図れるという効果がある。
半導体層を複数積層した積層構造の半導体装置において
、半導体層の上面から底面に通じる穴を形成し、この穴
の半導体層に半導体と異なる導電型の拡散領域を形成し
、この拡散領域を層間配線層としたので、層間配線の簡
略化および断線防止が図れるという効果がある。
第１図、粥２図は従来の半導体装置を示す断面図、第３
図は本発明における半導体装置の一実施例の断面図であ
る。 （１）ｆ′ｉ半導体基板、（２）、（７）は配線分離絶
縁膜、（３）（８）、（１１）は拡散領域、（４）、（
１０）は層間絶縁膜、（５）（９）は電極、（６）は半
導体層、（１２）は穴である。 なお、各図中同−符′８は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −ト続補正書（
自発） ５・ ６゜ 特許庁艮信殿 １、事件の表示 特願昭５６−１９１１０４号２
、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 （１）明細書中筒４頁第１８行に「拡散領域（３） 、
（８）は」とあるのを「拡散領域（３） 、 （８）
はイオン注入領域又は」と訂正する。 （２）同第４頁第１５行に「半導体層」とあるのを「半
導体層（６）」と訂正する。 以上
図は本発明における半導体装置の一実施例の断面図であ
る。 （１）ｆ′ｉ半導体基板、（２）、（７）は配線分離絶
縁膜、（３）（８）、（１１）は拡散領域、（４）、（
１０）は層間絶縁膜、（５）（９）は電極、（６）は半
導体層、（１２）は穴である。 なお、各図中同−符′８は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −ト続補正書（
自発） ５・ ６゜ 特許庁艮信殿 １、事件の表示 特願昭５６−１９１１０４号２
、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 （１）明細書中筒４頁第１８行に「拡散領域（３） 、
（８）は」とあるのを「拡散領域（３） 、 （８）
はイオン注入領域又は」と訂正する。 （２）同第４頁第１５行に「半導体層」とあるのを「半
導体層（６）」と訂正する。 以上
Claims (1)
- 半導体基板上に半導体素子、絶縁膜を形成し、前−記絶
縁膜上に半導体層、該半導体層上に半導体素子、絶＃膜
形成をくり返して形成した積層構造の半導体装置におい
て、半導体層の上面から底面に通じる穴を形成上、この
穴のまわりの半導体層に、半導体層と異なる導電型領域
を形成し、この導電型領域を半導体基板上あるいは半導
体層上に形成した半導体素子間の接続を行う層間配線層
としたことを荷徴とする半導体装置っ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19110481A JPS5890741A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19110481A JPS5890741A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890741A true JPS5890741A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16268917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19110481A Pending JPS5890741A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175758A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP19110481A patent/JPS5890741A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175758A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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