JPS6022311A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS6022311A JPS6022311A JP12942783A JP12942783A JPS6022311A JP S6022311 A JPS6022311 A JP S6022311A JP 12942783 A JP12942783 A JP 12942783A JP 12942783 A JP12942783 A JP 12942783A JP S6022311 A JPS6022311 A JP S6022311A
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- JP
- Japan
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- acetylene
- dielectric
- solid electrolytic
- carbon atoms
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔質誘電体に触媒溶液を塗布し、次いでアセ
チレンガスを導入して多孔質誘電体上に/7セチレン高
重合体を生成せしめ、次いで該アセチレン高重合体にド
ーパントをドープして10られる電導性アセチレン高重
合体を固体電解質として用いた1’L能の良りfな固体
電解コンアン4ノーに関りる。
チレンガスを導入して多孔質誘電体上に/7セチレン高
重合体を生成せしめ、次いで該アセチレン高重合体にド
ーパントをドープして10られる電導性アセチレン高重
合体を固体電解質として用いた1’L能の良りfな固体
電解コンアン4ノーに関りる。
従来固体電解コンデン1)、例えばアルミ電解コンデン
リはエッヂング処理した比表面積の大きい多孔質アルミ
はくの上に誘電体である酸化アルミニウム層をもうけ、
隘極はくとの間の電解紙に波状の電解液を含浸さlた構
造からなっているが、この電解、液が液状であることは
液もれ笠の問題を・惹起し好ましいものでは無く、この
電導層を固体電解質で代替りる試みがなされている。そ
れらの固体電解コンテン1ノ′は陽極酸化皮膜を右り−
るアルミニウム、タンタルなどの皮膜形成全屈に固体電
解質を付着した4に造を有したものであり、この種の固
体]ンデンリの固体電解71には土に硝酸マンノコンの
熱分解ににり形成される二酸化マンカンが用いられてい
る。しかしこの熱分解の際に要覆る高熱と発生するNO
xガスの酸化作用などにJ、って、誘電体であるアルミ
ニウム、クンタルなどの金属醇化皮膜の損1訪があり、
そのため114電1、fは低下し、もれ電流が人さくな
゛す、誘電性111を劣化さけるなど極めて大きな欠点
がある。J:だ、再化成という工程も必要である。
リはエッヂング処理した比表面積の大きい多孔質アルミ
はくの上に誘電体である酸化アルミニウム層をもうけ、
隘極はくとの間の電解紙に波状の電解液を含浸さlた構
造からなっているが、この電解、液が液状であることは
液もれ笠の問題を・惹起し好ましいものでは無く、この
電導層を固体電解質で代替りる試みがなされている。そ
れらの固体電解コンテン1ノ′は陽極酸化皮膜を右り−
るアルミニウム、タンタルなどの皮膜形成全屈に固体電
解質を付着した4に造を有したものであり、この種の固
体]ンデンリの固体電解71には土に硝酸マンノコンの
熱分解ににり形成される二酸化マンカンが用いられてい
る。しかしこの熱分解の際に要覆る高熱と発生するNO
xガスの酸化作用などにJ、って、誘電体であるアルミ
ニウム、クンタルなどの金属醇化皮膜の損1訪があり、
そのため114電1、fは低下し、もれ電流が人さくな
゛す、誘電性111を劣化さけるなど極めて大きな欠点
がある。J:だ、再化成という工程も必要である。
これらの欠点を補うため、高熱を(=I加せり゛に固体
電解質層を形成Jる方法、つまり高電39↑(1のイj
機半尋休体料を同体電解質と4る方法が試みられている
。その例としては特開昭52−79255号公報に記載
されている7、7. 8. 8−テトラシアノキノジメ
タン(T CN Q ) tfi塩を含む重心性高重合
体組成物を固体電解質とし−C含む固体電解コンデンサ
、特開昭5817GO9号公報に記載されているN−n
−プロピルイソキノリンと 7. 7. 8. 8−テ
トラシアノキノジメタンからなる錯塩を固体電解]ンデ
ン()″が知られている。これらT CN Q 錯塩化
合物は陽極酸化皮膜との付着性に劣り、電導度も10−
3〜10−25− cn+−1ど不十分であるため、コ
ンデンサの容り値は小さく誘電損失も大きい。また熱的
経時的な安定性も劣り信頼性が低い。
電解質層を形成Jる方法、つまり高電39↑(1のイj
機半尋休体料を同体電解質と4る方法が試みられている
。その例としては特開昭52−79255号公報に記載
されている7、7. 8. 8−テトラシアノキノジメ
タン(T CN Q ) tfi塩を含む重心性高重合
体組成物を固体電解質とし−C含む固体電解コンデンサ
、特開昭5817GO9号公報に記載されているN−n
−プロピルイソキノリンと 7. 7. 8. 8−テ
トラシアノキノジメタンからなる錯塩を固体電解]ンデ
ン()″が知られている。これらT CN Q 錯塩化
合物は陽極酸化皮膜との付着性に劣り、電導度も10−
3〜10−25− cn+−1ど不十分であるため、コ
ンデンサの容り値は小さく誘電損失も大きい。また熱的
経時的な安定性も劣り信頼性が低い。
本発明の目的は上述した従来の欠点を解決するため、電
導度が高く誘電体皮膜とのイ」容性のよい有機半導体を
固体電解質に用いた固体電解コンデンサを1足1共覆る
ことにある。
導度が高く誘電体皮膜とのイ」容性のよい有機半導体を
固体電解質に用いた固体電解コンデンサを1足1共覆る
ことにある。
本発明は多孔Y1誘電体に触媒溶液を塗布し、次いでア
セチレンガスを導入してX Q体上にアセチレン高重合
体を生成けしめ、次いで該アセチレン高重合体にドーパ
ントをドープして得られる電導性アセチレン8手合fホ
をVA鉢電解貿として用いた固体電解フンテン勺に関り
るbのCある。
セチレンガスを導入してX Q体上にアセチレン高重合
体を生成けしめ、次いで該アセチレン高重合体にドーパ
ントをドープして得られる電導性アセチレン8手合fホ
をVA鉢電解貿として用いた固体電解フンテン勺に関り
るbのCある。
本発明により得られる固体電解」ンデンリは従来の無機
酸化半導体や0懇半導捧を用・・いた1−4)体雷解]
ンデンリ゛に比して容量、誘電11失、経11i安定性
において著しく優れた性能を右しCいる。
酸化半導体や0懇半導捧を用・・いた1−4)体雷解]
ンデンリ゛に比して容量、誘電11失、経11i安定性
において著しく優れた性能を右しCいる。
本発明においC用いられる多孔¥1誘電体はHに限定さ
れないが例えば公知のアルミ、クンタル、二Aブなどの
金F5酸化物を使用覆ることができる。
れないが例えば公知のアルミ、クンタル、二Aブなどの
金F5酸化物を使用覆ることができる。
本発明でアセチレンの重合に用いられる触W 1.、J
従来公知の均−系、不均一系のアレブレン手合触媒のい
ずれも用いることができるが、好ましいものは均一系触
媒である。これらの触媒の貝イホ例としては特公昭32
−10597号、U S P−4,200,71(iシ
弓、特開昭57−53509月、同町57−5707号
、同町57−70114号、A ngew、 C’he
m、’(nt、 E (+。
従来公知の均−系、不均一系のアレブレン手合触媒のい
ずれも用いることができるが、好ましいものは均一系触
媒である。これらの触媒の貝イホ例としては特公昭32
−10597号、U S P−4,200,71(iシ
弓、特開昭57−53509月、同町57−5707号
、同町57−70114号、A ngew、 C’he
m、’(nt、 E (+。
Engl、20.361 (1981) ; Poly
mer、 23.243(1982) ;Makrom
ol、Cltem、、 RapidCommun、、
1.621 (1980) 等に記載のアセチレン重合
触媒をあげることができるが、必ずしbこれらに限定さ
れるものではない。
mer、 23.243(1982) ;Makrom
ol、Cltem、、 RapidCommun、、
1.621 (1980) 等に記載のアセチレン重合
触媒をあげることができるが、必ずしbこれらに限定さ
れるものではない。
多孔質誘電体上に均一触媒を塗布する方法としては従来
公知の方法で塗布すれば良いが、多孔質誘電体と触媒溶
液の濡れを改良づるために、減圧下で触媒溶液を仕込む
専の方法を用いても良い。
公知の方法で塗布すれば良いが、多孔質誘電体と触媒溶
液の濡れを改良づるために、減圧下で触媒溶液を仕込む
専の方法を用いても良い。
また、塗布方法はバッチ方式でも連続方式のいずれの方
法も用いることができる。連続方式で触媒溶液を多孔質
誘電体に塗布りる方法の具体例のひとつとして、連続的
に移動り−る多孔質誘電体に触媒溶液を塗布する方法が
挙げられる。
法も用いることができる。連続方式で触媒溶液を多孔質
誘電体に塗布りる方法の具体例のひとつとして、連続的
に移動り−る多孔質誘電体に触媒溶液を塗布する方法が
挙げられる。
アセチレンの車台条件は特に制限【ユ無いが、重合温度
は通常−80℃〜100℃、好ましくはO℃〜80℃の
範囲の7fa IIであり、アセチレンのバカは通常1
0気圧以下、りIましくは5気圧以下である。重合時間
は特に制限は1(((い。
は通常−80℃〜100℃、好ましくはO℃〜80℃の
範囲の7fa IIであり、アセチレンのバカは通常1
0気圧以下、りIましくは5気圧以下である。重合時間
は特に制限は1(((い。
重合終了後、アセチレン高重合体中の残存触媒を除去し
ても良いが、1余去しなくても一向に差し支えない。残
存溶媒は真空1B2気等の通常の乾燥方法で除去してa
3 <ことが好ましい。
ても良いが、1余去しなくても一向に差し支えない。残
存溶媒は真空1B2気等の通常の乾燥方法で除去してa
3 <ことが好ましい。
この様にしてアセチレン高重合体で被覆された誘電体皮
膜が得られる。このアレチレンij’li重合1ホは電
気伝導度が1040〜10’ S/ cmの半導体であ
り、ドーパ、ン1〜をドーピングして−での電気伝導度
を10−2〜103S/cn+の範囲にしておくことが
必要ζある。ドーピングは化学的ドーピング、電気化学
的ドーピングのいずれの方法を採用しU ′1:)J:
い。
膜が得られる。このアレチレンij’li重合1ホは電
気伝導度が1040〜10’ S/ cmの半導体であ
り、ドーパ、ン1〜をドーピングして−での電気伝導度
を10−2〜103S/cn+の範囲にしておくことが
必要ζある。ドーピングは化学的ドーピング、電気化学
的ドーピングのいずれの方法を採用しU ′1:)J:
い。
化学的にドーピングするドーバン1−としく 1;L
。
。
従来知られている種々の電子受容性化合物J5゛よび電
子供与性化合物、即ち、(I ) 二lつ素、臭素(1
3よびヨウ化臭素の如きハロゲン、(n)五フッ化じ素
、五フッ化アンチモン、四フッ化すイ素、五塩化リン、
五フッ化リン、塩化アルミニウム、更生)アルミニウム
おj;びフッ化アルミニウムの如き金JM ハD クン
化物、(III ) l1i(i rl!i、Il’l
NQ、フルオ[)硫酸、1−リフルAロメタン(!l
!f酸J> J、びり【−1011iii酸の如きプロ
トン酸、(rV ) E MQ化イΔ゛つ、二酸化窒素
、ジフルオロスルホニルバー)f =1−シトの如き酸
化剤、(V)A(ICJ、04、(Vl ) テ1−
ラシ’j’ノエチレン、テトラシアノ4:ノシメタン、
りに」ラニール、2,3−ジクロル−5,6−シシアノ
バラベンゾキノン、2,3ジブロム−5,6−ジシアノ
パラベンゾ:1−ノン、(Vl) Li 、 Na 、
Kの如ぎアルカリ金属等をあげることができる。
子供与性化合物、即ち、(I ) 二lつ素、臭素(1
3よびヨウ化臭素の如きハロゲン、(n)五フッ化じ素
、五フッ化アンチモン、四フッ化すイ素、五塩化リン、
五フッ化リン、塩化アルミニウム、更生)アルミニウム
おj;びフッ化アルミニウムの如き金JM ハD クン
化物、(III ) l1i(i rl!i、Il’l
NQ、フルオ[)硫酸、1−リフルAロメタン(!l
!f酸J> J、びり【−1011iii酸の如きプロ
トン酸、(rV ) E MQ化イΔ゛つ、二酸化窒素
、ジフルオロスルホニルバー)f =1−シトの如き酸
化剤、(V)A(ICJ、04、(Vl ) テ1−
ラシ’j’ノエチレン、テトラシアノ4:ノシメタン、
りに」ラニール、2,3−ジクロル−5,6−シシアノ
バラベンゾキノン、2,3ジブロム−5,6−ジシアノ
パラベンゾ:1−ノン、(Vl) Li 、 Na 、
Kの如ぎアルカリ金属等をあげることができる。
一方、アヒヂレン高中合体に電気化学的にドーピングす
るドーパントとしては、(+)PF;l;、81)Fj
、As F& 、3b Cpsの如きVa族の元素の
ハロゲン化物)7二Aン、8F;の如ぎlla族の元素
のハロゲン化物アニオン、I−([3)、Br −、(
1!、−の如きハL1グンアニオン、CB、 O:の如
き過塩素酸アニオンなどの陰イオン・ドーバン1〜およ
び(ii) i、i ′I、 Na ” 、K”の如き
アルカリ金属イオン、R4N”(R:炭素数1〜20の
炭化水素基)の如き4級アンモニウムイオンなどの陰イ
オン・ビーパン1〜等をあげることができるが、必ずし
もこれ等に限定されるものではない。
るドーパントとしては、(+)PF;l;、81)Fj
、As F& 、3b Cpsの如きVa族の元素の
ハロゲン化物)7二Aン、8F;の如ぎlla族の元素
のハロゲン化物アニオン、I−([3)、Br −、(
1!、−の如きハL1グンアニオン、CB、 O:の如
き過塩素酸アニオンなどの陰イオン・ドーバン1〜およ
び(ii) i、i ′I、 Na ” 、K”の如き
アルカリ金属イオン、R4N”(R:炭素数1〜20の
炭化水素基)の如き4級アンモニウムイオンなどの陰イ
オン・ビーパン1〜等をあげることができるが、必ずし
もこれ等に限定されるものではない。
上述の隙イオン・ドーパン1へおよび陽イオン・ドーパ
ン1〜を与える化合物の具体例としてはLi PFo
、Li Sb Fo 、Li As Fe、Li Cf
LO4、Na I、Na PFs、Na Sb Fe
、Na AS Fa 、Na C’lO4、K I、K
PFa 、KSb Fa 、にΔSF6 、KC立q4
、 ((1’l 3u ) 4 N) I’(As F6
) −、((11−Bu )4N)” ・ (PF6
)−’ 、((11−’Bu )4 N)+ −Cu0
4 、LiA見C見4 、Li BF4 、No・ΔS
Fa 、NO2・AS F6 、No−81:II 、
NO2・BF4 、No−PFaをあげることがCぎる
が必ずしもこれ等に1114足されるしので1、エイに
い。
ン1〜を与える化合物の具体例としてはLi PFo
、Li Sb Fo 、Li As Fe、Li Cf
LO4、Na I、Na PFs、Na Sb Fe
、Na AS Fa 、Na C’lO4、K I、K
PFa 、KSb Fa 、にΔSF6 、KC立q4
、 ((1’l 3u ) 4 N) I’(As F6
) −、((11−Bu )4N)” ・ (PF6
)−’ 、((11−’Bu )4 N)+ −Cu0
4 、LiA見C見4 、Li BF4 、No・ΔS
Fa 、NO2・AS F6 、No−81:II 、
NO2・BF4 、No−PFaをあげることがCぎる
が必ずしもこれ等に1114足されるしので1、エイに
い。
これらのドーパントは−f!類、または二秤汀1以Fを
混合して使用し−C+3よい。
混合して使用し−C+3よい。
前記以外の陰イオン・ドーパンl−とじでは11F2ア
ーオンであり、また、前記以外の陰イオン・ドーパント
としては次式(I)で表ねされる(式中、Xは酸素原子
または窒晃IJλ子、R′は水素原子または炭素数が1
〜15のアルキル基、炭素数G−15のアリール(ar
yl)li、Rnはハロゲン原子または炭素数が1〜1
oのアルキル基、炭素数が6〜15のアリール(旧゛y
1)基、mはXが酸素原りのとさ0であり、Xが窒素原
子のとき1である。
ーオンであり、また、前記以外の陰イオン・ドーパント
としては次式(I)で表ねされる(式中、Xは酸素原子
または窒晃IJλ子、R′は水素原子または炭素数が1
〜15のアルキル基、炭素数G−15のアリール(ar
yl)li、Rnはハロゲン原子または炭素数が1〜1
oのアルキル基、炭素数が6〜15のアリール(旧゛y
1)基、mはXが酸素原りのとさ0であり、Xが窒素原
子のとき1である。
11は0よたは1〜5cある。)
または次式(II)bl、<は(I[[)で表わされる
カルボニウム・カヂAン: 、+3 J:び r< 4− C’ (III ) 1 r上”j、’y rl+、R’ 、R2、R” IJ
水素)m 子(R’ %R2、R3は同時に水素原子で
あることはない)、炭素数1〜15の)フル:1.ル基
、アリル(allyl >基、炭素数6〜15のツノリ
ール(aryl)基または−OR”基、但しR5は炭素
数が1〜1oのアルキル基または炭素数6〜15のアリ
ール(a+’y+)基を示し、R1は水素原素、炭素数
が1〜15のアルキル基、炭素数6〜15のアリール2
A Fある。、〕である。
カルボニウム・カヂAン: 、+3 J:び r< 4− C’ (III ) 1 r上”j、’y rl+、R’ 、R2、R” IJ
水素)m 子(R’ %R2、R3は同時に水素原子で
あることはない)、炭素数1〜15の)フル:1.ル基
、アリル(allyl >基、炭素数6〜15のツノリ
ール(aryl)基または−OR”基、但しR5は炭素
数が1〜1oのアルキル基または炭素数6〜15のアリ
ール(a+’y+)基を示し、R1は水素原素、炭素数
が1〜15のアルキル基、炭素数6〜15のアリール2
A Fある。、〕である。
用いら、れるト1]:2アニAンは通常、下記の一般式
(IV)、(V’)または(Vl):R’ 4 N ・
LI F2 KV )M・HF 2 (V ) 〔但し、上式中R′、R″は水素原子2したけ炭yh数
が 1〜15のアル4ニル基、炭素数6〜15のアリー
ル(aryl)基、[テ′は炭素数が1・〜・10のア
ルキル基、炭素数6〜15のアリール(a+・yl)基
、Xは酸素原子または窒素原子、+1は叩したは5以下
のiJ−の整数である。Mはアルカリ金属である〕で表
わされる化合物(フッ化水素塩)を適当な有機溶媒に溶
解することによって得られる。−1式%式% の具体例としては114N・ト+F2、n −Bu4N
41F 2 、Na 1−11T 2 、K・1−IF
2、L−i・11「2および■ ピリジニウム力チAン(、i、式(I)で表わされるカ
チオンとC見Oa1、B[;、△J、 C見;、Fc
C1s 、Sll CQs 、PF6 、PCJLs、
Sb Fs 、AS Fs 、’ CF3803 、H
F2等のア二Aンとの塩を適当な有機溶媒に溶解するこ
とによって得られる。そのような塩の具体例としては 目 秀をあげることができる。
(IV)、(V’)または(Vl):R’ 4 N ・
LI F2 KV )M・HF 2 (V ) 〔但し、上式中R′、R″は水素原子2したけ炭yh数
が 1〜15のアル4ニル基、炭素数6〜15のアリー
ル(aryl)基、[テ′は炭素数が1・〜・10のア
ルキル基、炭素数6〜15のアリール(a+・yl)基
、Xは酸素原子または窒素原子、+1は叩したは5以下
のiJ−の整数である。Mはアルカリ金属である〕で表
わされる化合物(フッ化水素塩)を適当な有機溶媒に溶
解することによって得られる。−1式%式% の具体例としては114N・ト+F2、n −Bu4N
41F 2 、Na 1−11T 2 、K・1−IF
2、L−i・11「2および■ ピリジニウム力チAン(、i、式(I)で表わされるカ
チオンとC見Oa1、B[;、△J、 C見;、Fc
C1s 、Sll CQs 、PF6 、PCJLs、
Sb Fs 、AS Fs 、’ CF3803 、H
F2等のア二Aンとの塩を適当な有機溶媒に溶解するこ
とによって得られる。そのような塩の具体例としては 目 秀をあげることができる。
上記式(■)または(I[[)で表わされるカルボニウ
ム・カチオンの具体例としてtよ (Ce H5) 30”、(Cl(3)ac”、これら
のカルボニウムカチAンは、それらど陰イオンの塩(カ
ルボニウム塩)を適当なイ看大溶奴に溶解することにに
って1りられる。ここで用いられる陰イオンの代表例と
しては、[’jFλ、AuCjj< 、/’1JjBr
3 ci+、[OCga、3n C1a 1P F6
、P CJjr、 、 811 、C16、SbFこ
、Cn 04’ 、 C[3S O’x等をあげること
ができ、また、カルボニウム塩の具体例とじては、例え
ば(Ce l−15) 3 C−BF4、(CI−13
)3C・13F 4 、I−I G O−A立C旦4
、HCO−B F4 、Co l−15Co−8n C
fL5等をあげることがぐきる。
ム・カチオンの具体例としてtよ (Ce H5) 30”、(Cl(3)ac”、これら
のカルボニウムカチAンは、それらど陰イオンの塩(カ
ルボニウム塩)を適当なイ看大溶奴に溶解することにに
って1りられる。ここで用いられる陰イオンの代表例と
しては、[’jFλ、AuCjj< 、/’1JjBr
3 ci+、[OCga、3n C1a 1P F6
、P CJjr、 、 811 、C16、SbFこ
、Cn 04’ 、 C[3S O’x等をあげること
ができ、また、カルボニウム塩の具体例とじては、例え
ば(Ce l−15) 3 C−BF4、(CI−13
)3C・13F 4 、I−I G O−A立C旦4
、HCO−B F4 、Co l−15Co−8n C
fL5等をあげることがぐきる。
本発明の固体電解コンデンサは従来公知のし1体電解コ
ンデンザに比較して下記の利点を有している。
ンデンザに比較して下記の利点を有している。
■ 高湿加熱り゛ることなしに電解質層を形成できるの
で陽極の酸化液B9の損傷がなく、補修のための陽極酸
化(再化成)をね41つ必要がない。そのため、定格電
圧を従来の数倍にでき、同容ω、同定格電圧の:」ンデ
ンリ−をfj7るのに、形状を小型化できる。
で陽極の酸化液B9の損傷がなく、補修のための陽極酸
化(再化成)をね41つ必要がない。そのため、定格電
圧を従来の数倍にでき、同容ω、同定格電圧の:」ンデ
ンリ−をfj7るのに、形状を小型化できる。
■ もれ電流が小さい。
■ 高耐圧のコンデンサを作製できる。
■ 電解ヱ1の電導瓜が102〜103S−CIIl−
1と十分に商いため、グラファイトなどの導電層を設c
プる必要がない。そのため工程が簡略化され、コスト的
にも右利となる。
1と十分に商いため、グラファイトなどの導電層を設c
プる必要がない。そのため工程が簡略化され、コスト的
にも右利となる。
実施例
厚さ100μmのアルミニウム1よく(錬磨99.99
%)を陽極とし、直流、交流の交々使用しく゛、はくの
表面を電気化学的に1ツヂングして平均細孔径2μIl
+で、比表面積が121di(Jどした。次いでこのエ
ツヂング処理したアルミニウムはくにホウ酸アンモニウ
ムの液中で電気化学的に誘電体の薄層を形成した。
%)を陽極とし、直流、交流の交々使用しく゛、はくの
表面を電気化学的に1ツヂングして平均細孔径2μIl
+で、比表面積が121di(Jどした。次いでこのエ
ツヂング処理したアルミニウムはくにホウ酸アンモニウ
ムの液中で電気化学的に誘電体の薄層を形成した。
別途調製した゛ア1〜ラブ1−二1シヂタニ・り11ど
1−リエチルアルミニウムのトルエンンfj iB!(
Δ1/−1N −2,[’−I’ i ]−== 0.
005Lル/Q、)を上記誘電体層に塗布し、次いl’
0.5気圧のアレヂレン圧で1!1分聞重合した。重
合終了後、大過剰の1−ルエンで2回洗滌し、次いで真
空脱気した。
1−リエチルアルミニウムのトルエンンfj iB!(
Δ1/−1N −2,[’−I’ i ]−== 0.
005Lル/Q、)を上記誘電体層に塗布し、次いl’
0.5気圧のアレヂレン圧で1!1分聞重合した。重
合終了後、大過剰の1−ルエンで2回洗滌し、次いで真
空脱気した。
次いでこの素子をNo”−BF;の−1へ[1メタン溶
液に浸しC、アセチレン高重合体Br:;をドープし、
アレヂレン高千合44Yの市気1バ尋1哀を2.58/
cmどした。
液に浸しC、アセチレン高重合体Br:;をドープし、
アレヂレン高千合44Yの市気1バ尋1哀を2.58/
cmどした。
陰極にアルミニウムはくを用い(ゴムC月]1−シて特
性を測定した。結果を表に示した。
性を測定した。結果を表に示した。
比較例として従来の二酸化マン刀ンを固f4、電解質と
した固体電解コンデンサの特性を表に示した。
した固体電解コンデンサの特性を表に示した。
表 固体電解コンデンサ性能
Claims (1)
- 多孔Y1誘電体に触媒溶液を塗布し、次いでアセチレン
カスを導入して誘電体上にアセチレン高重合体を生成せ
しめ、次いで該アセチレン高重合体にドーパン1〜をド
ープして得られる電心性アセヂレン高重合体を固体電!
!1′貿どじ−(用いた固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12942783A JPH0228886B2 (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | Kotaidenkaikondensa |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12942783A JPH0228886B2 (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | Kotaidenkaikondensa |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6022311A true JPS6022311A (ja) | 1985-02-04 |
JPH0228886B2 JPH0228886B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=15009221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12942783A Expired - Lifetime JPH0228886B2 (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | Kotaidenkaikondensa |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228886B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624312A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPS6370544A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Canon Inc | 有機導電媒体およびその製造方法 |
US5019949A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP12942783A patent/JPH0228886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624312A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPS6370544A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Canon Inc | 有機導電媒体およびその製造方法 |
JPH0638415B2 (ja) * | 1986-09-12 | 1994-05-18 | キヤノン株式会社 | 有機導電媒体およびその製造方法 |
US5019949A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0228886B2 (ja) | 1990-06-27 |
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