JPS6037115A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS6037115A JPS6037115A JP14437583A JP14437583A JPS6037115A JP S6037115 A JPS6037115 A JP S6037115A JP 14437583 A JP14437583 A JP 14437583A JP 14437583 A JP14437583 A JP 14437583A JP S6037115 A JPS6037115 A JP S6037115A
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- poly
- electrolytic capacitor
- para
- carbon atoms
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子化合物にドーパントをドープして１！
７られる電導性高分子化合物を固体電解質とする固体電
解コンデンサ関する。
７られる電導性高分子化合物を固体電解質とする固体電
解コンデンサ関する。
固体電解コンデンサはＮ極酸化皮膜を有するアルミニウ
ム、タンタルなどの皮膜形成金属に固体電解質を付着し
た構造を有している。従来のこの種の固体コンデンサの
固体電解質には、主に硝酸マンガンの熱分解により形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮ Ｏｘガスの酸化
作用などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタ
ルなどの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧は
低下し、もれ電流が大きくなり、誘電特性を劣化さゼる
など極めて大きな欠点がある。また、再化成という工程
も必要である。
ム、タンタルなどの皮膜形成金属に固体電解質を付着し
た構造を有している。従来のこの種の固体コンデンサの
固体電解質には、主に硝酸マンガンの熱分解により形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮ Ｏｘガスの酸化
作用などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタ
ルなどの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧は
低下し、もれ電流が大きくなり、誘電特性を劣化さゼる
など極めて大きな欠点がある。また、再化成という工程
も必要である。
これらの欠点を補うため、高熱をイリ加せずに固体電解
質層を形成する方法、つまりへ電導性の有機半導体材料
を固体電解質とづる方法が試みられている。その例とし
ては、特開昭５２−７９２５５号公報が記載されている
７、７，８．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
）銘塩を含む電導性高重合体組成物を固体電解質として
含む固体電解コンデンサ、特開昭５８−１７６０９号公
報に記載されているＮ−ｎ−プロピルイソキノリンと
７．７，８．８−テトラシアノキノジメタンからなる１
１１塩を固体電解コンデンサが知られている。これらＴ
ＮＣＱＮＣ化合物は陽１ｆｉ酸化皮膜とのイ］看性に劣
り、電導度も１０−３〜１０４ ｓ −ｃ＋ｎ−電と不
十分であるため、フンデンサの容量値は小さく誘電損失
も大きい。また熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低い
。
質層を形成する方法、つまりへ電導性の有機半導体材料
を固体電解質とづる方法が試みられている。その例とし
ては、特開昭５２−７９２５５号公報が記載されている
７、７，８．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
）銘塩を含む電導性高重合体組成物を固体電解質として
含む固体電解コンデンサ、特開昭５８−１７６０９号公
報に記載されているＮ−ｎ−プロピルイソキノリンと
７．７，８．８−テトラシアノキノジメタンからなる１
１１塩を固体電解コンデンサが知られている。これらＴ
ＮＣＱＮＣ化合物は陽１ｆｉ酸化皮膜とのイ］看性に劣
り、電導度も１０−３〜１０４ ｓ −ｃ＋ｎ−電と不
十分であるため、フンデンサの容量値は小さく誘電損失
も大きい。また熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低い
。
本発明の目的は上述した従来の欠点を解決するため、電
導度が高く、誘電体皮膜との付着性のよい有機半導体を
固体電解質に用いた固体電解コンデンサを提供すること
にある。
導度が高く、誘電体皮膜との付着性のよい有機半導体を
固体電解質に用いた固体電解コンデンサを提供すること
にある。
本発明は固体電解質に高電導度を有するドーパントをド
ープした高分子化合物を用いた固体電解コンデンサを特
徴どしており、本発明により得られる固体電解コンデン
サは従来の無機酸化半導体や有様半導体を用いた固体電
解コンデンサに比して容量、誘電損失、経時安定性にお
いて著しく優れた性能を有している。
ープした高分子化合物を用いた固体電解コンデンサを特
徴どしており、本発明により得られる固体電解コンデン
サは従来の無機酸化半導体や有様半導体を用いた固体電
解コンデンサに比して容量、誘電損失、経時安定性にお
いて著しく優れた性能を有している。
以下本発明について詳細に説明する。
本発明で用いられる高分子化合物は下記のくりこれらの
高分子化合物の製造方法は特に限定されるものではない
が、例えば、ポリ（パラ−フェニレン）については、Ｊ
、 ｃｈｅｍ、ｐｂｙｓ 、、７１１５０６（１９７
９）、Ｂｕｌｌ、ｃｈｅＩＩｌ、Ｓｏｃ、ＪＡＰＡＮ
５１２０９１ （１９７８） 、Ｊ 、ＤＯＩｙｍ、Ｓ
Ｃｉ、ｐｏｌｙｍ、ＣＣ１１ｅ。
高分子化合物の製造方法は特に限定されるものではない
が、例えば、ポリ（パラ−フェニレン）については、Ｊ
、 ｃｈｅｍ、ｐｂｙｓ 、、７１１５０６（１９７
９）、Ｂｕｌｌ、ｃｈｅＩＩｌ、Ｓｏｃ、ＪＡＰＡＮ
５１２０９１ （１９７８） 、Ｊ 、ＤＯＩｙｍ、Ｓ
Ｃｉ、ｐｏｌｙｍ、ＣＣ１１ｅ。
Ｅ ｄｉ、、旦３５７ （１９７４） 、ポリ（パラ−
フェニレンザルファイド）についてはＪ、Δｐｐｌ 、
ｐｏｌｙｍ。
フェニレンザルファイド）についてはＪ、Δｐｐｌ 、
ｐｏｌｙｍ。
Ｓｃｉ、、２０２５４１ （１９７６） 、ポリ（パラ
−フェニレンオキシド）についてはＭａｋｒｏｍｏｌ
ｃｌ＋ｅｍ、１２６１３０ （１９６９） 、ポリ（パ
ラ−フェニレンビニレン）についてはＪ 、 Ａｗｅ、
ｃｈｅｍ、ｓｏｃ、、８２４６６９ （１９６０）等の
方法によって製造することができる。
−フェニレンオキシド）についてはＭａｋｒｏｍｏｌ
ｃｌ＋ｅｍ、１２６１３０ （１９６９） 、ポリ（パ
ラ−フェニレンビニレン）についてはＪ 、 Ａｗｅ、
ｃｈｅｍ、ｓｏｃ、、８２４６６９ （１９６０）等の
方法によって製造することができる。
上記の高分子化合物にドーパン１−をドーピングしてお
くことが必要である。ドーピングは化学的ドーピング、
電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用してもよい
。
くことが必要である。ドーピングは化学的ドーピング、
電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用してもよい
。
例えばポリパラフェニレンを化学的ドーピングするドー
パントとしては、従来知られている種々の電子受容性化
合物および電子供与性化合物、即ち、（Ｉ）ヨウ素、臭
素Ｊ３よびヨウ化臭素の如きハロゲン、（■）五フッ化
ヒ素、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ムおよびフッ化アルミニウムの如き金属ハロゲン化物、
（ＩＩＩ）硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメ
タン硫酸およびクロロ硫酸の如きプロトン酸、（ＩＶ）
三酸化イオウ、二酸化窒素、ジフルオロスルホニルパー
オキシドの如き酸化剤、 （Ｖ）ＡＵ ＣｌＯ４、（Ｖｌ）７トラシ７／エチレン
、テ１〜ラシアノキノジメタン、フロラニール、２．３
−ジクロル−５，６−ジシアツバラベンゾキノン、２．
３ジブロム−５，６−ジシアツパラベンゾキノン、（ｌ
Ｌｉ 、Ｎａ ＳＫの如きアルカリ金属等をあげるこ
とができる。
パントとしては、従来知られている種々の電子受容性化
合物および電子供与性化合物、即ち、（Ｉ）ヨウ素、臭
素Ｊ３よびヨウ化臭素の如きハロゲン、（■）五フッ化
ヒ素、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ムおよびフッ化アルミニウムの如き金属ハロゲン化物、
（ＩＩＩ）硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメ
タン硫酸およびクロロ硫酸の如きプロトン酸、（ＩＶ）
三酸化イオウ、二酸化窒素、ジフルオロスルホニルパー
オキシドの如き酸化剤、 （Ｖ）ＡＵ ＣｌＯ４、（Ｖｌ）７トラシ７／エチレン
、テ１〜ラシアノキノジメタン、フロラニール、２．３
−ジクロル−５，６−ジシアツバラベンゾキノン、２．
３ジブロム−５，６−ジシアツパラベンゾキノン、（ｌ
Ｌｉ 、Ｎａ ＳＫの如きアルカリ金属等をあげるこ
とができる。
一方、電気化学的にドーピングするドーパントとしては
、（ｆ）ＰＦｅ、ＳｂＦ二、ＡＳ Ｆａ、３ｂ ＣＪＬ
；の如きＶａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦ：
の如きｌ［ａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ−（
Ｉｉ ＞、Ｂｒ 、ＧｆＬ−の如きハロゲンアニオン、
Ｃ吏Ｏ′４の如き過塩素酸アニオンなどの陰イオン・ド
ーパントおよび（ｉｉ）Ｌｉ”、Ｎａ”、Ｋ＋の如きア
ルカリ金属イオン、Ｒ４Ｎ”（Ｒ：炭素数１〜２０の炭
化水素基）の如き４級アンモニウムイオンなどの陽イオ
ン・ドーパント等をあげることができるが、必ずしもこ
れ等に限定されるものでは゛ない。
、（ｆ）ＰＦｅ、ＳｂＦ二、ＡＳ Ｆａ、３ｂ ＣＪＬ
；の如きＶａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦ：
の如きｌ［ａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ−（
Ｉｉ ＞、Ｂｒ 、ＧｆＬ−の如きハロゲンアニオン、
Ｃ吏Ｏ′４の如き過塩素酸アニオンなどの陰イオン・ド
ーパントおよび（ｉｉ）Ｌｉ”、Ｎａ”、Ｋ＋の如きア
ルカリ金属イオン、Ｒ４Ｎ”（Ｒ：炭素数１〜２０の炭
化水素基）の如き４級アンモニウムイオンなどの陽イオ
ン・ドーパント等をあげることができるが、必ずしもこ
れ等に限定されるものでは゛ない。
上述の陰イオン・ドーパンｈ ８３よび陽イオン・ドー
パントを与える化合物の具体例としてはＬｉ ＰＦａ
、Ｌｉ Ｓｂ Ｆｏ 、Ｌｉ ＡＳ Ｆａ、Ｌｉ ＣＬ
Ｃ）＋ 、Ｎａ Ｉ、Ｎａ ＰＦｅ、Ｎａ Ｓｂ Ｆｅ
、Ｎａ Ａｓ Ｆｅ 、 Ｎａ ０１０４、Ｋ Ｉ、
ＫＰＦａ 、ＫＳｂ Ｆａ 、ＫＡｓ Ｆａ、Ｋ Ｃ斐
０４ 、 （（ｎ −３ｕ ）４ Ｎ）十・（Ａｓ Ｆａ ）−１
（（ｎ −ＢＬＩ ）４ Ｎ）” ・（ＰＦｅ ）−１
（（ｎ −Ｂｕ ）４ Ｎ）” ・ＣｌＯ４、Ｌｉ Ａ
ｎ（，１４、Ｌｉ ＢＦ４ 、Ｎｏ−Ａｓ Ｆｅ、ＮＯ
２・ＡＳ Ｆａ 、Ｎｏ−ＢＦ４、ＮＯ２・ＢＦ４、Ｎ
ｏ−ＰＦ６をあげることができるが必ずしもこれ等に限
定されるものではない。
パントを与える化合物の具体例としてはＬｉ ＰＦａ
、Ｌｉ Ｓｂ Ｆｏ 、Ｌｉ ＡＳ Ｆａ、Ｌｉ ＣＬ
Ｃ）＋ 、Ｎａ Ｉ、Ｎａ ＰＦｅ、Ｎａ Ｓｂ Ｆｅ
、Ｎａ Ａｓ Ｆｅ 、 Ｎａ ０１０４、Ｋ Ｉ、
ＫＰＦａ 、ＫＳｂ Ｆａ 、ＫＡｓ Ｆａ、Ｋ Ｃ斐
０４ 、 （（ｎ −３ｕ ）４ Ｎ）十・（Ａｓ Ｆａ ）−１
（（ｎ −ＢＬＩ ）４ Ｎ）” ・（ＰＦｅ ）−１
（（ｎ −Ｂｕ ）４ Ｎ）” ・ＣｌＯ４、Ｌｉ Ａ
ｎ（，１４、Ｌｉ ＢＦ４ 、Ｎｏ−Ａｓ Ｆｅ、ＮＯ
２・ＡＳ Ｆａ 、Ｎｏ−ＢＦ４、ＮＯ２・ＢＦ４、Ｎ
ｏ−ＰＦ６をあげることができるが必ずしもこれ等に限
定されるものではない。
これらのドーパントは一種類、または二種類以上を混合
して使用してもよい。
して使用してもよい。
前記以外の陰イオン・ドーパントとしては１４Ｆ２アニ
オンであり、また、前記以外の陽イオン・ドーパントと
しては次式（ＩＩ）で表わされる（式中、Ｘは酸素原子
またはＭ素原子、Ｒ″は水素原子または炭素数が１〜１
５のアルキル曇、炭素数６〜１５のアリール（ａｒｙｌ
）基、ＲＬｌはハＤゲン原子または炭素数が１〜１ｏの
アルキル基、炭素数が６〜１５のアリール（ａｒｙｌ）
基、ｍはＸ ／ｆｉＭ素原子のとき０であり、Ｘが窒素
原子のとぎ１である。
オンであり、また、前記以外の陽イオン・ドーパントと
しては次式（ＩＩ）で表わされる（式中、Ｘは酸素原子
またはＭ素原子、Ｒ″は水素原子または炭素数が１〜１
５のアルキル曇、炭素数６〜１５のアリール（ａｒｙｌ
）基、ＲＬｌはハＤゲン原子または炭素数が１〜１ｏの
アルキル基、炭素数が６〜１５のアリール（ａｒｙｌ）
基、ｍはＸ ／ｆｉＭ素原子のとき０であり、Ｘが窒素
原子のとぎ１である。
ｎは０または１〜５である。）
または次式（［［Ｉ）もしくは（ＩＶ ）で表わされる
カルボニウム・カチオン： および Ｒ’ Ｃ” （ＩＶ） １ 〔上式中、ＲＩ％Ｒ２、Ｒ３は水素原子（ＲＩ、Ｒ２、
Ｒ３は同時に水素原子であることはない）、炭素数１〜
１５のアルキル基、アリル（ａｌｌｙｌ ）基、炭素数
６〜１５のアリール（ａｒｙｌ） Ｍまたは一０Ｒ５基
、但しＲ５は炭素数が１〜１０のアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール（ａｒｙり基を示し、Ｒ４は水素
原素、炭素数が１へ・１５のアルキル基、炭素数６〜１
５のアリール基である。〕である。
カルボニウム・カチオン： および Ｒ’ Ｃ” （ＩＶ） １ 〔上式中、ＲＩ％Ｒ２、Ｒ３は水素原子（ＲＩ、Ｒ２、
Ｒ３は同時に水素原子であることはない）、炭素数１〜
１５のアルキル基、アリル（ａｌｌｙｌ ）基、炭素数
６〜１５のアリール（ａｒｙｌ） Ｍまたは一０Ｒ５基
、但しＲ５は炭素数が１〜１０のアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール（ａｒｙり基を示し、Ｒ４は水素
原素、炭素数が１へ・１５のアルキル基、炭素数６〜１
５のアリール基である。〕である。
用いられるＨＦ２アニオンは通常、下記の一般式（１、
（Ｖｌ ）または（■）： Ｒ’ ４ Ｎ−ＨＦ２ （Ｖ） Ｍ−ＨＦ２ （ｖＩ） ｎ 〔但し、上式中Ｒ′、Ｒ″は水素原子または炭素数が１
〜１５のアルキル基、炭素数６〜１５のアリール（ａｒ
ｙｌ ）基、Ｒ’は炭素数が１〜１０のアルキル基、炭
素数６〜１５のアリール（ａｒｙｌ）ａ、Ｘは酸素原子
または窒素原子、１１はＯまたは５以下の正の整数であ
る。Ｍはアルカリ金属である〕で表わされる化合物（フ
ッ化水素塩）を適当な有機溶媒に溶解することによって
得られる。上式（Ｖ）、（Ｖｌ ）および（Ｖｌ）で表
わされる化合物の具体例としてはＨｑＮ−ＨＦ２、 ｎ −Ｂｕ ４’Ｎ−ＨＦ２ 、Ｎａ ・１−ＩＩ２、
ｌく・ＨＦ２、Ｌｉ −ＨＦ２および 日 上記式（ｎ）で表わされるピリリウムもしくはごリジニ
ウムカチオンは、式（ＩＩ）で表わされるカチオンとＣ
史０４ 、ＢＦ２ 、Ａ吏Ｃ愛：、Ｆｅ Ｃ０＜ 、
Ｓｎ Ｃｐｓ ５ＰＦｓ 、ＰＣＩＬｇ、Ｓｂ Ｆｓ
、Ａｓ Ｆｓ 、Ｃ’、Ｒ３ＳＯｉ 、ＨＦ′２等のア
ニオンどの塩を適当な有機溶媒に溶解することによって
得られる。そのような塩の具体例としては く以下余白） 等をあげることができる。
（Ｖｌ ）または（■）： Ｒ’ ４ Ｎ−ＨＦ２ （Ｖ） Ｍ−ＨＦ２ （ｖＩ） ｎ 〔但し、上式中Ｒ′、Ｒ″は水素原子または炭素数が１
〜１５のアルキル基、炭素数６〜１５のアリール（ａｒ
ｙｌ ）基、Ｒ’は炭素数が１〜１０のアルキル基、炭
素数６〜１５のアリール（ａｒｙｌ）ａ、Ｘは酸素原子
または窒素原子、１１はＯまたは５以下の正の整数であ
る。Ｍはアルカリ金属である〕で表わされる化合物（フ
ッ化水素塩）を適当な有機溶媒に溶解することによって
得られる。上式（Ｖ）、（Ｖｌ ）および（Ｖｌ）で表
わされる化合物の具体例としてはＨｑＮ−ＨＦ２、 ｎ −Ｂｕ ４’Ｎ−ＨＦ２ 、Ｎａ ・１−ＩＩ２、
ｌく・ＨＦ２、Ｌｉ −ＨＦ２および 日 上記式（ｎ）で表わされるピリリウムもしくはごリジニ
ウムカチオンは、式（ＩＩ）で表わされるカチオンとＣ
史０４ 、ＢＦ２ 、Ａ吏Ｃ愛：、Ｆｅ Ｃ０＜ 、
Ｓｎ Ｃｐｓ ５ＰＦｓ 、ＰＣＩＬｇ、Ｓｂ Ｆｓ
、Ａｓ Ｆｓ 、Ｃ’、Ｒ３ＳＯｉ 、ＨＦ′２等のア
ニオンどの塩を適当な有機溶媒に溶解することによって
得られる。そのような塩の具体例としては く以下余白） 等をあげることができる。
上記式（Ｉ［［）または（ＩＶ ）で表わされるカルボ
ニウム・カチオンの具体例としては （Ｃｏ Ｒ５）３ Ｇ” 、 （ＣＩ−１３）３．’ｃ
＋、これらのカルボニウムカチオンは、それらと陰イオ
ンの塩（カルボニウム塩）を適当な有機溶媒に溶解する
ことによって得られる。ここで用いられる陰イオンの代
表例としては、ＢＦ；、へＩ）−Ｃ（Ｌ； 、ＡｌＢｒ
３ ＣＩ−、Ｆｅ Ｃ（Ｌ：、３ｎ Ｃｆ１ｘ 、Ｐ
Ｆ； 、ＰＣｌ； 、８１１ＣＩ；、３１）Ｆ；、Ｃ１
冗、ＣＦ３ ＳＯｉ等をあげることができ、また、カル
ボニウム塩の具体例としては、例えば（Ｃｏ １−１５
） ３ Ｃ−ＢＦ４、（ＣＩ−１３＞３ Ｃ−ＢＦ４
、ＨＣＯ・Ａ愛Ｃ１＋、ＨＣＯ−ＢＦ４ 、Ｃｏ Ｈ５
Ｃｏ−８ｎ Ｃ１１５等をあげることができる。
ニウム・カチオンの具体例としては （Ｃｏ Ｒ５）３ Ｇ” 、 （ＣＩ−１３）３．’ｃ
＋、これらのカルボニウムカチオンは、それらと陰イオ
ンの塩（カルボニウム塩）を適当な有機溶媒に溶解する
ことによって得られる。ここで用いられる陰イオンの代
表例としては、ＢＦ；、へＩ）−Ｃ（Ｌ； 、ＡｌＢｒ
３ ＣＩ−、Ｆｅ Ｃ（Ｌ：、３ｎ Ｃｆ１ｘ 、Ｐ
Ｆ； 、ＰＣｌ； 、８１１ＣＩ；、３１）Ｆ；、Ｃ１
冗、ＣＦ３ ＳＯｉ等をあげることができ、また、カル
ボニウム塩の具体例としては、例えば（Ｃｏ １−１５
） ３ Ｃ−ＢＦ４、（ＣＩ−１３＞３ Ｃ−ＢＦ４
、ＨＣＯ・Ａ愛Ｃ１＋、ＨＣＯ−ＢＦ４ 、Ｃｏ Ｈ５
Ｃｏ−８ｎ Ｃ１１５等をあげることができる。
上記のドーパントとして例えばＡＳＦ５ （電子供与体
）をドープすることによりポリ（パラ−フェニレン）で
は１０４ Ｓ −ｃｍ−’ 、ポリ（パラ−フェニレン
サルファイド）では１５−Ｃｍ−１、ポリ（パラ−フェ
ニレンオキサイド）では１０−３３− ｃｍ−１、ポリ
（パラ−フェニレンビニレン）では、３Ｓ−ＣＩｌｌ“
１きる。
）をドープすることによりポリ（パラ−フェニレン）で
は１０４ Ｓ −ｃｍ−’ 、ポリ（パラ−フェニレン
サルファイド）では１５−Ｃｍ−１、ポリ（パラ−フェ
ニレンオキサイド）では１０−３３− ｃｍ−１、ポリ
（パラ−フェニレンビニレン）では、３Ｓ−ＣＩｌｌ“
１きる。
さらに、これら高分子化合物は、合成が容易で耐化学薬
品性、耐熱性もよく、成形加工性に優れ、軽いといった
従来の導７Ｈ性高分子にない特長を有している。
品性、耐熱性もよく、成形加工性に優れ、軽いといった
従来の導７Ｈ性高分子にない特長を有している。
したがって、一般式（ｉ）で表わされるくり返し単位を
有する高分子化合物にドーパントをドープして得られる
電導性高分子化合物を電解質に用いれば、下記のごとき
゛効果が得られる。
有する高分子化合物にドーパントをドープして得られる
電導性高分子化合物を電解質に用いれば、下記のごとき
゛効果が得られる。
■ 高温加熱をすることなしに電ｊ／１′買層を形成で
きるので陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽
極酸化（再化成）を行なう必要がない。
きるので陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽
極酸化（再化成）を行なう必要がない。
そのため定格電圧を従来の数倍にでき、間容毘、同定格
電圧のコンデンサを得るのに形状を小型化できる。
電圧のコンデンサを得るのに形状を小型化できる。
■ もれ電流が小さい。
■ 高耐圧のコンデンサを作製できる。
■ 電解質の電導度が十分に高いため、グラファイトな
ど９導電層を設【プる必要がなく、工程が簡略化される
。
ど９導電層を設【プる必要がなく、工程が簡略化される
。
本発明による固体電解コンデンサの概略を第１図に示し
た。
た。
アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属を陽極
酸化し、酸化皮膜上に電解層を形成する。
酸化し、酸化皮膜上に電解層を形成する。
さらに銀ペーストで陰極を取り出し、ケースに入れ、樹
脂等で密封外装して固体電解コンデンサを得る。
脂等で密封外装して固体電解コンデンサを得る。
以下実施例を示し、本発明の詳細な説明する。
実施例１
Ｔａ粉末の焼結体をリン酸水溶液中で陽極酸化して、誘
電体皮膜を形成させた後、ポリ（パラ−フェニレンサル
ファイド）のジフェニルエーテル溶液に浸漬し、乾燥す
る。この浸漬、乾燥の操作をくり返し、高分子層を形成
し、ＡＳＦ５ガスを接触させ、Ａｓ Ｆ５ガスを接触さ
せ、ＡＳ Ｆ５をドープし、電解質層を形成する。つい
で銀ペーストで陰極を取り出し、ケースに入れ樹脂封口
して、固体電解コンデンサを作成した。
電体皮膜を形成させた後、ポリ（パラ−フェニレンサル
ファイド）のジフェニルエーテル溶液に浸漬し、乾燥す
る。この浸漬、乾燥の操作をくり返し、高分子層を形成
し、ＡＳＦ５ガスを接触させ、Ａｓ Ｆ５ガスを接触さ
せ、ＡＳ Ｆ５をドープし、電解質層を形成する。つい
で銀ペーストで陰極を取り出し、ケースに入れ樹脂封口
して、固体電解コンデンサを作成した。
△ＳＦ５をドープしたポリ（パラ−フェニレンサルファ
イド）の電￥４度は１ｓ −ｅｔｃ＋ ＋’あった。
イド）の電￥４度は１ｓ −ｅｔｃ＋ ＋’あった。
実施例２
実施例１と同様に陽極酸化し７ｊ Ｔ ａ素子をポリ（
パラーフエニレンオギザイド）のＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド溶液に浸漬し、乾燥する。この浸漬、乾燥の操
作をくり返し高分子層を形成しＡｓ Ｆ５ガスを接触さ
せ、Ａｓ Ｆ５をドープし、電解質層を形成する。つい
で実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作成した
。
パラーフエニレンオギザイド）のＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド溶液に浸漬し、乾燥する。この浸漬、乾燥の操
作をくり返し高分子層を形成しＡｓ Ｆ５ガスを接触さ
せ、Ａｓ Ｆ５をドープし、電解質層を形成する。つい
で実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作成した
。
Ａｓ Ｆ５をドープしたポリ（パラーフェニレンＡキサ
イド）の電導度は１０−３ ｓ −ａｍ−１であった。
イド）の電導度は１０−３ ｓ −ａｍ−１であった。
実施例３
実施例１と同様に陽極酸化したＴａ素子を、ポリ（パラ
−フェニレンビニレン）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド溶液に浸漬し、乾燥づる。この浸漬、乾燥の操作をく
り返し、高分子層を形成し、ＡＳ Ｆ５ガスを接触させ
Ａｓ ｒ５をドープし、電解質層を形成する。ついで実
施例１と同様にして固体電解コンデンサを作成した。
−フェニレンビニレン）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド溶液に浸漬し、乾燥づる。この浸漬、乾燥の操作をく
り返し、高分子層を形成し、ＡＳ Ｆ５ガスを接触させ
Ａｓ ｒ５をドープし、電解質層を形成する。ついで実
施例１と同様にして固体電解コンデンサを作成した。
ＡＳ Ｆ５をドープしたポリ（パラーフエニレンどニレ
ン）の電導度は３ｓ −Ｃ１１−１であった。
ン）の電導度は３ｓ −Ｃ１１−１であった。
実施例４
Ｔａ粉末の焼結体をリン酸水溶液中で陽極酸化して誘電
体皮膜を形成させた後、Ｂｕｌｌ 、 ｃｈｅｍ。
体皮膜を形成させた後、Ｂｕｌｌ 、 ｃｈｅｍ。
Ｓｏｃ、 Ｊｐｎ、、５１．２０９１ （１９７８）記
載の方法で得られたポリ（パラ−フェニレン）を２００
℃で熱プレスすることによって、ポリ（パラ−フェニレ
ン）を多孔性１−ａ素子に流し込み、Ｔａ索子を被覆す
る。冷却後、ポリ（パラ−フェニレン）で被覆されたＴ
ａ素子にＡＳ’Ｆ５ガスを接触させて、Ａｓ Ｆ５をド
ープし、電解質層を形成する。ついで銀ペーストで陰極
を取り出し、ケースに入れ樹脂封口して固体電解コンデ
ンサを作成した。
載の方法で得られたポリ（パラ−フェニレン）を２００
℃で熱プレスすることによって、ポリ（パラ−フェニレ
ン）を多孔性１−ａ素子に流し込み、Ｔａ索子を被覆す
る。冷却後、ポリ（パラ−フェニレン）で被覆されたＴ
ａ素子にＡＳ’Ｆ５ガスを接触させて、Ａｓ Ｆ５をド
ープし、電解質層を形成する。ついで銀ペーストで陰極
を取り出し、ケースに入れ樹脂封口して固体電解コンデ
ンサを作成した。
Ａｓ Ｆ５をドープしたポリ（パラ−フェニレン）の電
導度は１０２ Ｓ −ａｍ−＋であった。
導度は１０２ Ｓ −ａｍ−＋であった。
実施例５
実施例４と同様に陽極酸化した７ａ素子を、Ｊ 、ｐｏ
ｌｙｍ、ｃｌｌｅｍ、 Ｅ ｄｉ、、１２，３５７ （
１９７４）記載の方法で得られたポリ（４，４’ −ビ
フェニレン）のクロロホルム溶液に浸漬し、乾燥する。
ｌｙｍ、ｃｌｌｅｍ、 Ｅ ｄｉ、、１２，３５７ （
１９７４）記載の方法で得られたポリ（４，４’ −ビ
フェニレン）のクロロホルム溶液に浸漬し、乾燥する。
この浸漬、乾燥の操作をくり返し、高分子層を形成し、
ＡＳ Ｆ５ガスを接触させＡＳ Ｆ５をドープし、電解
質層を形成する。ついで実施例４と同様にして、固体電
解質コンデンサを作成した。ＡＳ Ｆ５をドープしたポ
リ（４，４’−ビフェニレン）の電導度は１０３１０３
ｓ−墓であった。
ＡＳ Ｆ５ガスを接触させＡＳ Ｆ５をドープし、電解
質層を形成する。ついで実施例４と同様にして、固体電
解質コンデンサを作成した。ＡＳ Ｆ５をドープしたポ
リ（４，４’−ビフェニレン）の電導度は１０３１０３
ｓ−墓であった。
実施例４と同様な陽極酸化した°Ｔａ索子を用いた従来
の二酸化マンガンを電解質とづる固体電解コンデンサを
比較例１とし、コンデンサの特性を比較したものを第１
表に示す。
の二酸化マンガンを電解質とづる固体電解コンデンサを
比較例１とし、コンデンサの特性を比較したものを第１
表に示す。
上表から明らかなように、本発明によるドーパントをド
ープした電導性高分子化合物を電解質とする固体電解コ
ンデンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電
解コンデンサに比して誘電損失、もれ電流が小さく、定
格電圧が高く、高耐電圧の固体電解コンデンサを作成す
ることができる。また、本発明による固体電解コンデン
サの容量×定格電圧の値は二酸化マンガンを用いた固体
電解コンデンサに比して大きく、同じ形状ならば大容伍
を得ることができる。
ープした電導性高分子化合物を電解質とする固体電解コ
ンデンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電
解コンデンサに比して誘電損失、もれ電流が小さく、定
格電圧が高く、高耐電圧の固体電解コンデンサを作成す
ることができる。また、本発明による固体電解コンデン
サの容量×定格電圧の値は二酸化マンガンを用いた固体
電解コンデンサに比して大きく、同じ形状ならば大容伍
を得ることができる。
上記実施例では、素子の金属は、タンタル焼結体であっ
たが他のアルミニウム、二Ａブでもよく、形状も粉末焼
結体に限らない。
たが他のアルミニウム、二Ａブでもよく、形状も粉末焼
結体に限らない。
第１図は本発明による固体電解コンデンサの一例を示す
断面図である。 １・・・Ｔａ、Ａ１等の金属焼結体 ２・・・酸化皮膜 ３・・・電導性高分子化合物 ４・・・導電ペースト ５・・・半田 ６・・・ケースおよび陰極 ７・・・陽極 ８・・・月日樹脂 代理人 弁理士 菊 地 粘 −
断面図である。 １・・・Ｔａ、Ａ１等の金属焼結体 ２・・・酸化皮膜 ３・・・電導性高分子化合物 ４・・・導電ペースト ５・・・半田 ６・・・ケースおよび陰極 ７・・・陽極 ８・・・月日樹脂 代理人 弁理士 菊 地 粘 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 で表わされるくり返し単位を有する高分子化合物にドー
パントをドープして得られる電導性高分子化合物を固体
電解質と°ツることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437583A JPS6037115A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437583A JPS6037115A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037115A true JPS6037115A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0155571B2 JPH0155571B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=15360657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14437583A Granted JPS6037115A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239413A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4967153A (ja) * | 1972-11-01 | 1974-06-28 | ||
| JPS5185457A (ja) * | 1975-01-24 | 1976-07-27 | Nippon Electric Co |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14437583A patent/JPS6037115A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4967153A (ja) * | 1972-11-01 | 1974-06-28 | ||
| JPS5185457A (ja) * | 1975-01-24 | 1976-07-27 | Nippon Electric Co |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239413A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0155571B2 (ja) | 1989-11-27 |
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