JPS6021053A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS6021053A JPS6021053A JP58129047A JP12904783A JPS6021053A JP S6021053 A JPS6021053 A JP S6021053A JP 58129047 A JP58129047 A JP 58129047A JP 12904783 A JP12904783 A JP 12904783A JP S6021053 A JPS6021053 A JP S6021053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- shaped substrate
- wall thickness
- film
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような１し磁波
に感受性のある光導電部材に関する。
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような１し磁波
に感受性のある光導電部材に関する。
固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導゛重層を形成す
る光導電材料としては、高感度で、ＳＮＩし［光市流（
Ｉｐ） ／ （Ｉｄ） ］が高く、照射する’＋［Ｊａ
波のスペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用度において人体に対して無公害であるこ
と、更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内
に容易に処理することができること等の特性が要求され
る。殊に、事務器としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、
上記の使用時における無公害性は重要な点である。
像形成部材や原稿読取装置における光導゛重層を形成す
る光導電材料としては、高感度で、ＳＮＩし［光市流（
Ｉｐ） ／ （Ｉｄ） ］が高く、照射する’＋［Ｊａ
波のスペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用度において人体に対して無公害であるこ
と、更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内
に容易に処理することができること等の特性が要求され
る。殊に、事務器としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、
上記の使用時における無公害性は重要な点である。
このような観点に立脚して最近注目されている光導電材
料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でグングリン
グボントが修飾されたアモルファスシリコン（以後ａ−
８ｉと表記する）があり、例えば独国公開第２７４６９
６７号公報、同第２８５５７１８ ＋号公報には電子写
真用像形成部材への応用か、また、独国公開第２９３３
４１１号公報には光電変換読取装置への応用がそれぞれ
記載されており、その優れた光導電性、対振性、耐熱性
及び大面積化が比較的容易であることから電子写真用像
形成部材への１ε：用が期待されている。
料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でグングリン
グボントが修飾されたアモルファスシリコン（以後ａ−
８ｉと表記する）があり、例えば独国公開第２７４６９
６７号公報、同第２８５５７１８ ＋号公報には電子写
真用像形成部材への応用か、また、独国公開第２９３３
４１１号公報には光電変換読取装置への応用がそれぞれ
記載されており、その優れた光導電性、対振性、耐熱性
及び大面積化が比較的容易であることから電子写真用像
形成部材への１ε：用が期待されている。
−船に、ａ−３ｉを含有する光導電材料を有する電子写
真用の感光体ドラムを製造する場合には、良々ｆな光導
電特性を得るために、ａ−３ｉ膜堆積装置内て、トラム
状基体を２００ ’Ｃ以上の温度に加熱する条ヂＩでト
ラム状基体」−にａ−３ｉｌｌジ堆膜を形成している。
真用の感光体ドラムを製造する場合には、良々ｆな光導
電特性を得るために、ａ−３ｉ膜堆積装置内て、トラム
状基体を２００ ’Ｃ以上の温度に加熱する条ヂＩでト
ラム状基体」−にａ−３ｉｌｌジ堆膜を形成している。
しかしながら、トラム状基体とａ−３ｉ膜の熱膨張係数
に差があることと、ａ −Ｓ ｉ ｌ１ｇの内部応力が
大きいこととから、上記のようなドラム状基体を加熱す
るａ −Ｓ ｉ ｆｌｕの堆積中だけでなく、堆積後の
冷却時においても、ａ −Ｓ ｉ ｌ’Ｊがドラム状基
体から剥離することかしばしば認められる。更に、電子
写真用の感光体トラムとしての使用時に、トラムが加熱
されることによってもａ−５ｉｌＩｌ！が剥れる場合が
ある。
に差があることと、ａ −Ｓ ｉ ｌ１ｇの内部応力が
大きいこととから、上記のようなドラム状基体を加熱す
るａ −Ｓ ｉ ｆｌｕの堆積中だけでなく、堆積後の
冷却時においても、ａ −Ｓ ｉ ｌ’Ｊがドラム状基
体から剥離することかしばしば認められる。更に、電子
写真用の感光体トラムとしての使用時に、トラムが加熱
されることによってもａ−５ｉｌＩｌ！が剥れる場合が
ある。
特にトラムの端部に於いてａ−３ｉ膜が剥がれる場合か
多く１時にはドラムの端部から中央部にかけてひび割れ
が生しる場合もある。
多く１時にはドラムの端部から中央部にかけてひび割れ
が生しる場合もある。
本発明者等の多くの実験によれば、この膜剥れやひひ割
れは、 ａ−ｓｉ膜が厚くなればなる程生じゃすく、ま
た、従来のＳｅ系電子写真用感光体ドラムでは膜剥れが
生しない程度のドラム状基体の変形によっても、 ａ−
３ｉ感光体ドラムの場合には前記熱膨張係数の差とａ−
Ｓｉ膜の内部応力の大きさとの理由から膜剥れが生じる
。ａ−Ｓｉ膜の内部紀：力については、ａ−ＳｉｌｌＱ
の製造条件（原料カス、放′屯パワー、゛基体の加熱温
度等）によって、ある程度は緩和することはできる。し
かしながら、この１り剥れやひひ割れは、電子写真用感
光体ドラムとして使用した場合には、画像欠陥の原因と
なり致命的なものである。
れは、 ａ−ｓｉ膜が厚くなればなる程生じゃすく、ま
た、従来のＳｅ系電子写真用感光体ドラムでは膜剥れが
生しない程度のドラム状基体の変形によっても、 ａ−
３ｉ感光体ドラムの場合には前記熱膨張係数の差とａ−
Ｓｉ膜の内部応力の大きさとの理由から膜剥れが生じる
。ａ−Ｓｉ膜の内部紀：力については、ａ−ＳｉｌｌＱ
の製造条件（原料カス、放′屯パワー、゛基体の加熱温
度等）によって、ある程度は緩和することはできる。し
かしながら、この１り剥れやひひ割れは、電子写真用感
光体ドラムとして使用した場合には、画像欠陥の原因と
なり致命的なものである。
一般に、ドラムの端部は、ａ−Ｓｉｌｌりを堆積させて
光導電部材を製造する際に製造装置内にトラム状基体を
固定するだめの、あるいは電子写真用感光体ドラムとし
て複写装置内に固定するための加圧が施されている。通
常、この加工はドラムの端部の内面を切削することによ
り実施されるため、トラムの端部は中央部に比較すると
その肉厚が薄くなっている。したがって、ａ−５ｉ膜の
製造時等に於けるドラム状基体の加熱は、特にその端部
に於いて熱変形を生しさせやすく、この熱変形が光導電
部材の！・ラムの端部に於ける膜剥れやひび割れを生し
させる一因となっていると考えられる。またこのような
熱変形は、ａ−３ｉｔ佳積膜の製造時の放電の不均一を
引き起して、これによりａ−５ｉ堆積膜厚の均一・性が
失われ、画像欠陥の原因ともなると推定される。
光導電部材を製造する際に製造装置内にトラム状基体を
固定するだめの、あるいは電子写真用感光体ドラムとし
て複写装置内に固定するための加圧が施されている。通
常、この加工はドラムの端部の内面を切削することによ
り実施されるため、トラムの端部は中央部に比較すると
その肉厚が薄くなっている。したがって、ａ−５ｉ膜の
製造時等に於けるドラム状基体の加熱は、特にその端部
に於いて熱変形を生しさせやすく、この熱変形が光導電
部材の！・ラムの端部に於ける膜剥れやひび割れを生し
させる一因となっていると考えられる。またこのような
熱変形は、ａ−３ｉｔ佳積膜の製造時の放電の不均一を
引き起して、これによりａ−５ｉ堆積膜厚の均一・性が
失われ、画像欠陥の原因ともなると推定される。
本発明は］二記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−５ｉ
に関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ
−５ｉ堆積膜の支持体として、端部の肉厚と中央部の肉
厚との比が特定の値を右するトラム状基体を使用するこ
とによって、１１つ）剥れやひび割れ等の上記問題点を
解決できることを見い出したことに基づくものである。
に関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ
−５ｉ堆積膜の支持体として、端部の肉厚と中央部の肉
厚との比が特定の値を右するトラム状基体を使用するこ
とによって、１１つ）剥れやひび割れ等の上記問題点を
解決できることを見い出したことに基づくものである。
本発明は、ａ−Ｓｉ堆積１１りの膜剥れやひび割れによ
る自抜け、自すし等の画像欠陥が少なく、高品質な画像
を得ることかできる電子写真用の光導電部材を提供する
ことをＩ」的とする。
る自抜け、自すし等の画像欠陥が少なく、高品質な画像
を得ることかできる電子写真用の光導電部材を提供する
ことをＩ」的とする。
本発明の他の目的は、電気的、光学的、光導電的特性が
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず
、耐久性に優れた光導電部材を提供することにある。
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず
、耐久性に優れた光導電部材を提供することにある。
すなわち木兄りＪの光導電部材は、トラム状基体と、こ
のドラム状基体上に設けられ、ケイ木原子を母体とする
非晶質材料を含有する光導電層とを有する光４電部材に
於いて、前記ドラム状基体の端部の最小肉厚と中央部の
最大肉厚との比が０．２以上であることを特徴とする。
のドラム状基体上に設けられ、ケイ木原子を母体とする
非晶質材料を含有する光導電層とを有する光４電部材に
於いて、前記ドラム状基体の端部の最小肉厚と中央部の
最大肉厚との比が０．２以上であることを特徴とする。
本発明の光導電部材は、その好ましい実施態様例に於い
ては、光導電部材の支持体としてのトラム状、すなわち
円筒状の基体と、このトう１、状ノ、（体上に設けられ
、ケイ素原子を母体とし、好ましくは水素原子及びハロ
ゲン原子のいずれか少なくとも一方をその構成原子とし
て含む非晶質材料を含有する光導電層とが形成されて構
成される。該光導゛電層は、ドラム状基体に接して障壁
層、更には該光導電層の表面に表面障壁層を右してもよ
い。
ては、光導電部材の支持体としてのトラム状、すなわち
円筒状の基体と、このトう１、状ノ、（体上に設けられ
、ケイ素原子を母体とし、好ましくは水素原子及びハロ
ゲン原子のいずれか少なくとも一方をその構成原子とし
て含む非晶質材料を含有する光導電層とが形成されて構
成される。該光導゛電層は、ドラム状基体に接して障壁
層、更には該光導電層の表面に表面障壁層を右してもよ
い。
第１図及び第２図は１本発明の光導電部材に使川するト
ラム状基体の代表的な形状を示す断面図である。このよ
うに、光導電部材のドラム状基体の外面は平滑な円筒面
を呈し、一方、その内面の端部には、＋ｉｉ＋述したよ
うに製造装置あするいは複写装置に固定するだめの加工
が施され、その肉厚が中央部に比較し蒔くなっている。
ラム状基体の代表的な形状を示す断面図である。このよ
うに、光導電部材のドラム状基体の外面は平滑な円筒面
を呈し、一方、その内面の端部には、＋ｉｉ＋述したよ
うに製造装置あするいは複写装置に固定するだめの加工
が施され、その肉厚が中央部に比較し蒔くなっている。
本発明の光導電部材のｉ・ラム状基体は、その肉厚が最
も薄くなる端部に於ける肉厚と、通畠一定の厚みを呈す
る中央部に於ける肉厚との比が０．２以上のものである
。すなわち、端部と中央部の肉厚との比が０．２以」−
のドラム状基体を使用することによって、光導電部材の
製造時にａ−３ｉ膜堆積装置内で、あるいは゛屯ｒ写真
用の感光体トラムとしての使用時にドラム状基体が加熱
されても、ドラム状基体の熱変形の程度を十分小さくお
さえることができるので、 ａ−Ｓｉ堆積膜の膜剥れや
ひび割れを実用範囲内に減少させ、あるいは皆無にさせ
るこが可能である。トラム状基体の端部の最小肉厚と中
央部の最大肉厚との比は、０．３以北であることがより
好ましく、０．５以にであることが特に好ましい。
も薄くなる端部に於ける肉厚と、通畠一定の厚みを呈す
る中央部に於ける肉厚との比が０．２以上のものである
。すなわち、端部と中央部の肉厚との比が０．２以」−
のドラム状基体を使用することによって、光導電部材の
製造時にａ−３ｉ膜堆積装置内で、あるいは゛屯ｒ写真
用の感光体トラムとしての使用時にドラム状基体が加熱
されても、ドラム状基体の熱変形の程度を十分小さくお
さえることができるので、 ａ−Ｓｉ堆積膜の膜剥れや
ひび割れを実用範囲内に減少させ、あるいは皆無にさせ
るこが可能である。トラム状基体の端部の最小肉厚と中
央部の最大肉厚との比は、０．３以北であることがより
好ましく、０．５以にであることが特に好ましい。
ドラム状基体の基材は、導電性であっても電気絶縁性で
あっても良い。導電性基材としては、例えば、 Ｎｉ［
Ｅｒ、ステンレス、Ａ１、Ｃｒ、 Ｍｏ、Ａｕ、 Ｎｂ
、Ｔａ、 Ｖ 、 Ｔｉ、ｐｔ、ｐａ等の金属又はこれ
等の合金か挙けられる。
あっても良い。導電性基材としては、例えば、 Ｎｉ［
Ｅｒ、ステンレス、Ａ１、Ｃｒ、 Ｍｏ、Ａｕ、 Ｎｂ
、Ｔａ、 Ｖ 、 Ｔｉ、ｐｔ、ｐａ等の金属又はこれ
等の合金か挙けられる。
゛電気絶縁性基材としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーホ２−ト、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリチン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、カラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性基材は、好適には少なくともその一力の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に光導電
層が設けられるのが望ましい。
ン、ポリカーホ２−ト、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリチン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、カラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性基材は、好適には少なくともその一力の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に光導電
層が設けられるのが望ましい。
すなわち、例えばカラスであれば、その表面に、ＮｉＣ
ｒ、 ＡＩ、 Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｄ、 Ｔａ
、Ｖ、Ｔ１、ＰＬ、１ｎ２Ｃ１３，５ｎ０２、ＩＴＯ（
Ｉｎ２Ｃ１１＋ ５ｎ０２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が伺与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ１．
Ａｇ、 Ｐｂ、 Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、ＯｒｌＭｏ、Ｉｒ
、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ 、 Ｔｉ、 Ｐｔ等の金属の
７１や膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバ・ンタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。
ｒ、 ＡＩ、 Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｄ、 Ｔａ
、Ｖ、Ｔ１、ＰＬ、１ｎ２Ｃ１３，５ｎ０２、ＩＴＯ（
Ｉｎ２Ｃ１１＋ ５ｎ０２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が伺与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ１．
Ａｇ、 Ｐｂ、 Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、ＯｒｌＭｏ、Ｉｒ
、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ 、 Ｔｉ、 Ｐｔ等の金属の
７１や膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバ・ンタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。
ｉ・ラム状基体の基材としては、アルミニウムを使用す
るのが、比較的簡易に真円性、表面平滑性Ａ・の精１■
のよいものが得られ、製造時のａ−Ｓ ｉの堆積表面部
の温度制御が容易であり、かつ経済性の面からも好まし
い。
るのが、比較的簡易に真円性、表面平滑性Ａ・の精１■
のよいものが得られ、製造時のａ−Ｓ ｉの堆積表面部
の温度制御が容易であり、かつ経済性の面からも好まし
い。
本発明の光導電部材の光導電層中に含有されてもよいハ
ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にＪｊ４素、とりわけ
フン素を好適なものとして挙げることかできる。光導電
層中に含有されるケイ素原ｒ−１水素原子、ハロゲン原
子以外の成分としては、フェルミ準位や禁止帯幅等を調
整する成分として、ホウ素、ガリウム等の■族原子、窒
素、リン、ヒ素等のＶ族原子、酸素原子、炭素原子、ケ
ルマニウム原子等を単独若しくは適宜組み合わせて含有
させることがでＪる。
ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にＪｊ４素、とりわけ
フン素を好適なものとして挙げることかできる。光導電
層中に含有されるケイ素原ｒ−１水素原子、ハロゲン原
子以外の成分としては、フェルミ準位や禁止帯幅等を調
整する成分として、ホウ素、ガリウム等の■族原子、窒
素、リン、ヒ素等のＶ族原子、酸素原子、炭素原子、ケ
ルマニウム原子等を単独若しくは適宜組み合わせて含有
させることがでＪる。
障壁層は、光導電層とドラム状基体との電着性向」−あ
るいは′重荷受容能の調整等の目的で設置されるもので
あり、目的に応じて■族原子、Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原ｆ、ゲルマニウム原Ｉ′−等を含むａ−５ｉ層若し
くは微結晶−Ｓｉ層が、一層あるいは多層に形成される
。
るいは′重荷受容能の調整等の目的で設置されるもので
あり、目的に応じて■族原子、Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原ｆ、ゲルマニウム原Ｉ′−等を含むａ−５ｉ層若し
くは微結晶−Ｓｉ層が、一層あるいは多層に形成される
。
また、光導電層の上部に表面電荷注入防止層あるいは保
護層として、炭素原子、窒素原子、酸素原子等を、好ま
しくは多量に含有するａ−３ｉによる上部層あるいは高
抵抗有機物質からなる表面障壁層を設置してもよい。
護層として、炭素原子、窒素原子、酸素原子等を、好ま
しくは多量に含有するａ−３ｉによる上部層あるいは高
抵抗有機物質からなる表面障壁層を設置してもよい。
本発明において、 ａ−３ｉで構成される光導電層を形
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンブレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンブレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。
次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法の例について説明する。
製造方法の例について説明する。
第３図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。堆積槽ｌは、ベースプレート２と槽壁３とトッ
ププレート４とから構成され、この堆積槽ｌ内には、カ
ソード電極５が設けられており、ａ−３ｉ堆積膜が形成
されるドラム状基体６はカッ−Ｉ・電極５の中央部に設
置され、アノード電極も兼ねている・ この製造装置を使用してａ−３ｉ堆積膜をドラム状ノ、
（体」−に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７
及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積
槽ｌ内を排気する。真空計１０の読みが約５Ｘ １０”
ｔｏｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ７ ヲ１
３）１いて、マスフローコントローラ１１内テ所定の混
合比に調整された、例えばＳｉＨ４カス、Ｓｉ、Ｈ，カ
ス、ＳｉＦ４カス等の原料混合カスを堆積槽ｌ内に流入
させる。このとき堆積＃Ｊｌ内の圧力か所望の値になる
ように真空計１０の読みを見なからＪＪＩ気八ルへ９の
開口度を調整する。そしてドラム状基体６の表面温度が
加熱ヒーター１２により所定の渦電に設定されているこ
とを確認した後、高周波電源１３を所望の電力に設定し
て堆積槽ｌ内にグロー放電を生起させる。
を示す。堆積槽ｌは、ベースプレート２と槽壁３とトッ
ププレート４とから構成され、この堆積槽ｌ内には、カ
ソード電極５が設けられており、ａ−３ｉ堆積膜が形成
されるドラム状基体６はカッ−Ｉ・電極５の中央部に設
置され、アノード電極も兼ねている・ この製造装置を使用してａ−３ｉ堆積膜をドラム状ノ、
（体」−に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７
及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積
槽ｌ内を排気する。真空計１０の読みが約５Ｘ １０”
ｔｏｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ７ ヲ１
３）１いて、マスフローコントローラ１１内テ所定の混
合比に調整された、例えばＳｉＨ４カス、Ｓｉ、Ｈ，カ
ス、ＳｉＦ４カス等の原料混合カスを堆積槽ｌ内に流入
させる。このとき堆積＃Ｊｌ内の圧力か所望の値になる
ように真空計１０の読みを見なからＪＪＩ気八ルへ９の
開口度を調整する。そしてドラム状基体６の表面温度が
加熱ヒーター１２により所定の渦電に設定されているこ
とを確認した後、高周波電源１３を所望の電力に設定し
て堆積槽ｌ内にグロー放電を生起させる。
また、層形成を行っている間は、層形成の均一化を計る
ためにドラム状基体６をモータ１４により一定速度で回
転させる。このようにしてトラム状基体６上に、ａ−３
ｉ堆積膜を形成することができる。
ためにドラム状基体６をモータ１４により一定速度で回
転させる。このようにしてトラム状基体６上に、ａ−３
ｉ堆積膜を形成することができる。
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。
実施例１〜８、比較例１〜４
第３図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述
したグロー放電分解法に従い、外径が８０ｍｍφ、中央
部の肉厚が３ｍｍで、端部の形状が第１図若しくは第２
図のようなもので、端部と中央部の肉厚の比が第１表に
示したようにそれぞれ異る１２種のアルミニウム製のド
ラム状基体−］二に、ド記の条件によりａ−５ｉ堆積膜
を形成した。
したグロー放電分解法に従い、外径が８０ｍｍφ、中央
部の肉厚が３ｍｍで、端部の形状が第１図若しくは第２
図のようなもので、端部と中央部の肉厚の比が第１表に
示したようにそれぞれ異る１２種のアルミニウム製のド
ラム状基体−］二に、ド記の条件によりａ−５ｉ堆積膜
を形成した。
−積桑の □１ 予 」わ口０フ 膜厚（胛）第１層
ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６０，８ 第２層 ＳｉＨ２０ 第３層 ＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ，０，１ トラム状基体温度：２５０°Ｃ ｔ１１８積膜形成時の堆積室内内圧： ０．３ Ｔｏｏ
ｒ放゛屯周波数： １３．５６ ＭＨｚ 堆積膜形成速度：２〇八／ｓｅｃ 放電型カニ ０．１８ Ｗ／ｃｍ２ こうして１１）られた電子写真感光体ドラムの膜剥れ及
びひび割れの状態を観察した後、キャノン■製４００Ｒ
Ｅ複写装置にこれら感光体ドラムを設置して両出しを行
ない１画像評価を実施した。その結果も併せて第１表に
示した。
ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６０，８ 第２層 ＳｉＨ２０ 第３層 ＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ，０，１ トラム状基体温度：２５０°Ｃ ｔ１１８積膜形成時の堆積室内内圧： ０．３ Ｔｏｏ
ｒ放゛屯周波数： １３．５６ ＭＨｚ 堆積膜形成速度：２〇八／ｓｅｃ 放電型カニ ０．１８ Ｗ／ｃｍ２ こうして１１）られた電子写真感光体ドラムの膜剥れ及
びひび割れの状態を観察した後、キャノン■製４００Ｒ
Ｅ複写装置にこれら感光体ドラムを設置して両出しを行
ない１画像評価を実施した。その結果も併せて第１表に
示した。
また、端部の形状が第１図のドラム状基体を使用した上
記感光体トラムにつき、肉厚の比が０．１と０．１５の
感光体ドラムの端部に於ける真円度を測定１〜だところ
、一番へこんでいる箇所と一番突出し−Ｃいる箇所の差
が約８０鱗近くあったのに対して、肉厚の比か０．２の
感光体ドラムではその差は約４０−１肉厚の比が０．５
及び０．８の感光体ドラムでは約ｌθ−であった。
記感光体トラムにつき、肉厚の比が０．１と０．１５の
感光体ドラムの端部に於ける真円度を測定１〜だところ
、一番へこんでいる箇所と一番突出し−Ｃいる箇所の差
が約８０鱗近くあったのに対して、肉厚の比か０．２の
感光体ドラムではその差は約４０−１肉厚の比が０．５
及び０．８の感光体ドラムでは約ｌθ−であった。
実施例９
外径か８０ｍｍφ、中央部の肉厚が３ｍｍ、端部の形状
が第１図のようなもので、端部と中央部とσ〕肉厚の比
が肉厚が０．３のアルミニウム製のドラム状基体上に、
第２層目のａ−３ｉ堆積膜の形成に際して、ＳｉＨイガ
スに代えＳｉ、、Ｈ６カスを使用したことを除き、°先
の実施例と同様な操作により電子写真感光体ドラムを作
製した。この電子写真感光体トラムにつき、先の実施例
と同様にして膜剥れ及びひび割れの状態の評価と複写装
置に設置しての画像評価を実施したが、実施例１の肉厚
の比が０，３σ）感光体ドラムの場合と同様な良好な結
果が得られた。
が第１図のようなもので、端部と中央部とσ〕肉厚の比
が肉厚が０．３のアルミニウム製のドラム状基体上に、
第２層目のａ−３ｉ堆積膜の形成に際して、ＳｉＨイガ
スに代えＳｉ、、Ｈ６カスを使用したことを除き、°先
の実施例と同様な操作により電子写真感光体ドラムを作
製した。この電子写真感光体トラムにつき、先の実施例
と同様にして膜剥れ及びひび割れの状態の評価と複写装
置に設置しての画像評価を実施したが、実施例１の肉厚
の比が０，３σ）感光体ドラムの場合と同様な良好な結
果が得られた。
第 １ 表
面像計１＋ＩｔＸ準：Ｏノｌ畠に良い、０ 良い、△
実用］二問題なし、Ｘ 実用旧１頓ありＡ”：膜剥れ部
の大きさ０．３聰≦φ≦０．−Ｂ１″２・膜剥れ部の大
きさ９．８ｍ＜φ
実用］二問題なし、Ｘ 実用旧１頓ありＡ”：膜剥れ部
の大きさ０．３聰≦φ≦０．−Ｂ１″２・膜剥れ部の大
きさ９．８ｍ＜φ
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、本発明の光導電部材に使用するド
ラム状基体の代表的な形状を示す断面図である。第３図
は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装置を示
した図である。 ｌ：堆積槽導 ２：ベースプレート ３：槽壁 ４．トッププレート ５：カソード電極 ６：トラム状基体 ゛７：原料カス流入バルブ８：リーク／ヘルプ９：排気
／ヘルプ ｌＯ：真空Ｊ１ １１：マスフローコントローラ １２：加熱ヒーター １３・高周波電源１４：モータ 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠 第１図 第 ２ 図 第 ３１
ラム状基体の代表的な形状を示す断面図である。第３図
は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装置を示
した図である。 ｌ：堆積槽導 ２：ベースプレート ３：槽壁 ４．トッププレート ５：カソード電極 ６：トラム状基体 ゛７：原料カス流入バルブ８：リーク／ヘルプ９：排気
／ヘルプ ｌＯ：真空Ｊ１ １１：マスフローコントローラ １２：加熱ヒーター １３・高周波電源１４：モータ 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠 第１図 第 ２ 図 第 ３１
Claims (1)
- トラム状基体と、このドラム状基体上に設けられ、ケイ
素原子を母体とする非晶質材料を含有する光導電層とを
有する光導電部材に於いて、前記Ｉ・ラム状基体の端部
の最小肉厚と中央部の最大肉厚との比が０．２以上であ
ることを特徴とする光導゛上部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129047A JPH0627948B2 (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光導電部材 |
| GB08417472A GB2145842B (en) | 1983-07-15 | 1984-07-09 | Photoconductive member |
| DE19843425741 DE3425741A1 (de) | 1983-07-15 | 1984-07-12 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| FR848411142A FR2550355B1 (fr) | 1983-07-15 | 1984-07-13 | Element photoconducteur |
| US07/323,223 US4895784A (en) | 1983-07-15 | 1989-03-13 | Photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129047A JPH0627948B2 (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021053A true JPS6021053A (ja) | 1985-02-02 |
| JPH0627948B2 JPH0627948B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14999769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129047A Expired - Lifetime JPH0627948B2 (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光導電部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4895784A (ja) |
| JP (1) | JPH0627948B2 (ja) |
| DE (1) | DE3425741A1 (ja) |
| FR (1) | FR2550355B1 (ja) |
| GB (1) | GB2145842B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151858A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真装置 |
| JP2012032787A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Canon Inc | 電子写真感光体および電子写真装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089369A (en) * | 1990-06-29 | 1992-02-18 | Xerox Corporation | Stress/strain-free electrophotographic device and method of making same |
| US5229239A (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Xerox Corporation | Substrate for electrostatographic device and method of making |
| JP3240874B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2001-12-25 | 富士電機株式会社 | 電子写真感光体用円筒状支持体の製造方法 |
| US5937244A (en) * | 1996-06-18 | 1999-08-10 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus having a flexible cylindrical thin image carrier |
| EP0957404B1 (en) * | 1998-05-14 | 2006-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming apparatus |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3490841A (en) * | 1968-01-15 | 1970-01-20 | Ibm | Photoconductor drum locator |
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| JPS5662254A (en) * | 1979-10-24 | 1981-05-28 | Canon Inc | Electrophotographic imaging material |
| JPS57104938A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| US4460670A (en) * | 1981-11-26 | 1984-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si and C, N or O and dopant |
| JPS58136043A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真感光ドラム基体 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP58129047A patent/JPH0627948B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-07-09 GB GB08417472A patent/GB2145842B/en not_active Expired
- 1984-07-12 DE DE19843425741 patent/DE3425741A1/de active Granted
- 1984-07-13 FR FR848411142A patent/FR2550355B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-13 US US07/323,223 patent/US4895784A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151858A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真装置 |
| JP2012032787A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Canon Inc | 電子写真感光体および電子写真装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2550355B1 (fr) | 1990-11-02 |
| FR2550355A1 (fr) | 1985-02-08 |
| GB2145842B (en) | 1986-11-19 |
| JPH0627948B2 (ja) | 1994-04-13 |
| US4895784A (en) | 1990-01-23 |
| GB2145842A (en) | 1985-04-03 |
| DE3425741A1 (de) | 1985-01-24 |
| GB8417472D0 (en) | 1984-08-15 |
| DE3425741C2 (ja) | 1989-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6226458B2 (ja) | ||
| JPS639221B2 (ja) | ||
| JPH0114579B2 (ja) | ||
| JPS6226459B2 (ja) | ||
| JPS59119359A (ja) | 電子写真用光導電部材 | |
| US5656404A (en) | Light receiving member with an amorphous silicon photoconductive layer containing fluorine atoms in an amount of 1 to 95 atomic ppm | |
| US7211357B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member | |
| JPS6021053A (ja) | 光導電部材 | |
| US4904556A (en) | Electrophotographic process using light receiving member with buffer layer containing silicon and aluminum atoms on aluminum substrate | |
| US4814248A (en) | Photoconductive member and support for said photoconductive member | |
| JPH0158498B2 (ja) | ||
| JPS6247303B2 (ja) | ||
| US4911998A (en) | Process of electrophotographic imaging with layered light receiving member containing A-Si and Ge | |
| EP2422239B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus | |
| JP2007297661A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS6227388B2 (ja) | ||
| JPS6391664A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS63121851A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JP2719502B2 (ja) | 電子写真光受容部材の製造方法 | |
| JPS6216420B2 (ja) | ||
| JP5451301B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS5952251A (ja) | 電子写真用像形成部材の製造法 | |
| JPS5895876A (ja) | 光導電部材 | |
| JP3412957B2 (ja) | 光受容部材の製造方法 | |
| JPS63279259A (ja) | 電子写真用光受容部材 |