JPS60202557A - 光デイスク用基板の製造方法 - Google Patents
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- XOALFFJGWSCQEO-UHFFFAOYSA-N tridecyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C XOALFFJGWSCQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C39/026—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2033/00—Use of polymers of unsaturated acids or derivatives thereof as moulding material
- B29K2033/04—Polymers of esters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、音声、画像、情報などを保存、記録、再生す
る光デイスク用基板に関するものである。
る光デイスク用基板に関するものである。
デジタルオーディオディスク、ビデオディスク、光ディ
スク記am体などに用いる光デイスク用基板は、厚さ約
1−の透明板の表面に、溝やビットなど情報パターンを
形成して成り立っている。
スク記am体などに用いる光デイスク用基板は、厚さ約
1−の透明板の表面に、溝やビットなど情報パターンを
形成して成り立っている。
これらの光デイスク用基板を形成するには、従来主とし
て次の2方法が行なわれていた。
て次の2方法が行なわれていた。
(1) 溝やピットなど情報パターンを有する金属製ス
タンパを配置した金製内に、ポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレートなど高分子材料の溶融物を射出し、
冷却・成形して情報パターン付透明板を得る方法。
タンパを配置した金製内に、ポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレートなど高分子材料の溶融物を射出し、
冷却・成形して情報パターン付透明板を得る方法。
(2) 情報パターンを有する金属製スタンパと、プラ
スチックスやガラスから成る透明支持板との間に、液状
の光硬化性樹脂の薄層な介在させ、透明支持板の側から
光を照射し、光硬化性樹脂を硬化せしめ、透明支持板と
光硬化性樹脂を接着させたまま、スタンバと光硬化性樹
脂との間を剥離し、情報パターン付透明板を得る方法(
特開@ 53−86756 s 4I II WB55
−152028)。
スチックスやガラスから成る透明支持板との間に、液状
の光硬化性樹脂の薄層な介在させ、透明支持板の側から
光を照射し、光硬化性樹脂を硬化せしめ、透明支持板と
光硬化性樹脂を接着させたまま、スタンバと光硬化性樹
脂との間を剥離し、情報パターン付透明板を得る方法(
特開@ 53−86756 s 4I II WB55
−152028)。
これらの従来方法は、次のような問題点を有していた。
イ、 (IIの方法により得られる光デイスク用基板は
、生産作業性が優れる反面、高分子材料が流動・固化す
る際に生ずる分子配向を完全に除去することがむずかし
く、基板内に光学的異方性を生じ、情報信号を読取った
り、書込んだりする際にノイズを誘起する。基板内の光
学的異方性は、基板材の熱変形温度を上げ耐熱性基板を
特徴とする特に顕著となり光学的に実用不能となる傾向
がある。また、(1)の方法で得られる光デイスク基板
は、情報パターンの形状がスタンパより基板に忠実に転
写されにくい傾向があった。
、生産作業性が優れる反面、高分子材料が流動・固化す
る際に生ずる分子配向を完全に除去することがむずかし
く、基板内に光学的異方性を生じ、情報信号を読取った
り、書込んだりする際にノイズを誘起する。基板内の光
学的異方性は、基板材の熱変形温度を上げ耐熱性基板を
特徴とする特に顕著となり光学的に実用不能となる傾向
がある。また、(1)の方法で得られる光デイスク基板
は、情報パターンの形状がスタンパより基板に忠実に転
写されにくい傾向があった。
口、(2)の方法により得られる光デイスク用基板は、
情報パターンの転写性が優れる反面、透明支持板をあら
かじめ製造しておかなければならないため、工程が複雑
となり、高価格となる傾向があった。また、透明支持板
と光硬化性樹脂との接着性を十分に確保することが難し
く、為温度および高湿度下で長期間にわたり信頼性を確
保しKくい傾向があった。
情報パターンの転写性が優れる反面、透明支持板をあら
かじめ製造しておかなければならないため、工程が複雑
となり、高価格となる傾向があった。また、透明支持板
と光硬化性樹脂との接着性を十分に確保することが難し
く、為温度および高湿度下で長期間にわたり信頼性を確
保しKくい傾向があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、光
学的異方性が小さく、熱変形温度が高く、温度差に対す
る安定性が′優れ、低価格の光デイスク用基板を提供す
るKある。
学的異方性が小さく、熱変形温度が高く、温度差に対す
る安定性が′優れ、低価格の光デイスク用基板を提供す
るKある。
本発明の特徴は、アクリル系またはメタクリル系光硬化
性樹脂のみで、溝あるいはピットなどの情報パターン付
透明板を形成し、光デイスク用基板とすることKある。
性樹脂のみで、溝あるいはピットなどの情報パターン付
透明板を形成し、光デイスク用基板とすることKある。
本発明に係る光デイスク用基板の製造方法を例示すると
次のようKなる。
次のようKなる。
溝あるいはピットなどの情報パターン付スタンパ(1)
に、離型性板(2)を重ね、スタンパ(1)と部屋性板
(2)との間に生じた空間(S−t)に、液状のアクリ
ル系または/およびメタクリル系光硬化性樹脂(3−2
)を注入口(4)から流し込んだ後−光源(5と6)を
用いて光照射し光硬化せしめる。スタンパ(1)と離型
性板(2)との間に力を加え両者を引きはがし、光硬化
性樹脂の硬化物から成る溝あるいはピットなどの情報パ
ターン付透明板(3−3)が得られる。
に、離型性板(2)を重ね、スタンパ(1)と部屋性板
(2)との間に生じた空間(S−t)に、液状のアクリ
ル系または/およびメタクリル系光硬化性樹脂(3−2
)を注入口(4)から流し込んだ後−光源(5と6)を
用いて光照射し光硬化せしめる。スタンパ(1)と離型
性板(2)との間に力を加え両者を引きはがし、光硬化
性樹脂の硬化物から成る溝あるいはピットなどの情報パ
ターン付透明板(3−3)が得られる。
スタンパ(1)と離型性板(2)との間に生じさせる空
間(S−1)はQ、8〜2.0−が望ましい。空間(5
−1)がn、a−以下になると、光硬化性樹脂の硬化物
から成る情報パターン付透明板(A−57の厚さが薄く
なり、板の機械的強さが低下したり、情報パターン付透
明板(3−5)の情報の無い面に付着した異物が情報読
取時にノイズとなる傾向が増大する。また、空間(3−
1)が2.0簡以上になると、得られる情報パターン付
透明板(S−5)が厚くなり、該透明板の中に未硬化成
分が多くなったり、必要以上に重量増加を来たす。
間(S−1)はQ、8〜2.0−が望ましい。空間(5
−1)がn、a−以下になると、光硬化性樹脂の硬化物
から成る情報パターン付透明板(A−57の厚さが薄く
なり、板の機械的強さが低下したり、情報パターン付透
明板(3−5)の情報の無い面に付着した異物が情報読
取時にノイズとなる傾向が増大する。また、空間(3−
1)が2.0簡以上になると、得られる情報パターン付
透明板(S−5)が厚くなり、該透明板の中に未硬化成
分が多くなったり、必要以上に重量増加を来たす。
情報パターン付スタンパ(1)としては、表面加工を施
したNi 、 Cr 、 pd などの金属板、ガラス
板、ポリペンテン、ポリプロピレン、ポリフッ化エチレ
ン、ポリフッ化エチレンブーピレンなどの離層性高分子
材料板、およびガラス板やポリメチルメタクリレートな
ど一般的な透明板の表面に光硬化性樹脂などの薄膜で情
報パターンを形成したものなどが用いられる。
したNi 、 Cr 、 pd などの金属板、ガラス
板、ポリペンテン、ポリプロピレン、ポリフッ化エチレ
ン、ポリフッ化エチレンブーピレンなどの離層性高分子
材料板、およびガラス板やポリメチルメタクリレートな
ど一般的な透明板の表面に光硬化性樹脂などの薄膜で情
報パターンを形成したものなどが用いられる。
離層性板(2)としては、シリコーン樹脂なト一般的な
一渥剤で離層処理を施したNi 、 Cr 、 Pdな
どの金属板、ガラス板、および自ら離層作用をするポリ
ベンテン、ポリプロピレン、ポリフッ化:r−fレン、
yN!3フッ化エチレンプ四ピレンなどの離層性高分子
材料板などが用いられる。
一渥剤で離層処理を施したNi 、 Cr 、 Pdな
どの金属板、ガラス板、および自ら離層作用をするポリ
ベンテン、ポリプロピレン、ポリフッ化:r−fレン、
yN!3フッ化エチレンプ四ピレンなどの離層性高分子
材料板などが用いられる。
上記の情報パターン付スタンパ(1)と離型性板(2)
のうち、金属板と、ポリプロピレンやボリア ′フ化エ
チレンなど一部の高分子材料板は光を遮断するため、こ
れを用いるときは、情報パターン付スタンパ(1)また
は離m性板(2)のどちらか一方が光を透過せしめる材
料で構成されなくてはならない。
のうち、金属板と、ポリプロピレンやボリア ′フ化エ
チレンなど一部の高分子材料板は光を遮断するため、こ
れを用いるときは、情報パターン付スタンパ(1)また
は離m性板(2)のどちらか一方が光を透過せしめる材
料で構成されなくてはならない。
光デイスク用基板に必要とされる性質としては、(1)
光学的歪が小さいこと、(2)透明性を有すること、(
3)耐湿性が優れ、吸湿によって基板が反らないこと、
(4)耐熱性が高く、高温下においても基板が反らない
こと、(6)機械的強度が大きく、衝撃などによっても
基板が破損しないことなどが必要とされている。
光学的歪が小さいこと、(2)透明性を有すること、(
3)耐湿性が優れ、吸湿によって基板が反らないこと、
(4)耐熱性が高く、高温下においても基板が反らない
こと、(6)機械的強度が大きく、衝撃などによっても
基板が破損しないことなどが必要とされている。
本発明に係る光ティスフ基板の製造方法によると、液状
の比較的低分子量の光硬化性樹脂を屋内に注入し、光硬
化せしめるため、硬化物内に特殊な分子配向や機械的お
よび熱的歪がかかりにくく、したがって、光学的歪がき
わめて小さい光デイスク用基板が得られる。
の比較的低分子量の光硬化性樹脂を屋内に注入し、光硬
化せしめるため、硬化物内に特殊な分子配向や機械的お
よび熱的歪がかかりにくく、したがって、光学的歪がき
わめて小さい光デイスク用基板が得られる。
また、基板の透明性、耐湿性、耐熱性、機械的強度を向
上させるには、光硬化性樹脂の組成を選ぶことが必要で
ある。
上させるには、光硬化性樹脂の組成を選ぶことが必要で
ある。
この目的に適合する光硬化性樹脂としては、液状のアク
リル系または/およびメタクリル系光硬化性樹脂がある
。該光硬化性樹脂は、分子中に1個またはそれ以上のア
クリル基またはメタクリル基を有し、光照射時にラジカ
ル重合開始剤などによって速やかに架橋反応を起し、光
学的に透明な硬化物となるものならば、特に限定はない
が、例えば、次のものが有用である。
リル系または/およびメタクリル系光硬化性樹脂がある
。該光硬化性樹脂は、分子中に1個またはそれ以上のア
クリル基またはメタクリル基を有し、光照射時にラジカ
ル重合開始剤などによって速やかに架橋反応を起し、光
学的に透明な硬化物となるものならば、特に限定はない
が、例えば、次のものが有用である。
−官能モノマ
飾−へキシルアクリレート、
ルーへキシルメタクリレート、
2−エチルへキシルアクリレート、
2−エチルへキシルメタクリレート、
ルーオクチルアクリレート、
ルーオクチルメタクリレート、
デシルアクリレート、
デシルメタクリレート、
ラウリルアクリレート、
ラウリルメタクリレート、
トリデシルアクリレート、
トリデシルメタクリレート、
ジシクロペンテニルアクリレート、
ジシクロペンテニルアクリレート、
ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレートジシクロ
ベンテニルオキシエチルメタクリレート、 シクロヘキシルアクリレート、 シクロヘキシルメタ/!JL/−)、 テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルメタクリレート、インボルニルアクリレート、 インボルニルメタクリレート、 多官能モノマ ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジメタクリレート、t6ヘキサンジオールジ
アクリレート、t6ヘキサンジオールジメタクリレート
、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロ
ールエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレート、エポキシ化合物の7クリレートおよびメタ
クリレート ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジアクリレー
ト、 ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジメタクリレ
ート、 水素添加ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジア
クリレート、 水酸添加ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジメ
タクリレート、 ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジアクリレー
ト、 ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジメタクリレ
ート、 水素添加ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジア
クリレート、 水素添加ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジメ
タクリレート、 エステル化合物の7クリレートおよびメタクリレート ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリ
レート、 ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジメタク
リレート、 フタル酸ジエチレングリコールジアクリレート、 フタル酸ジエチレングリコールジメタクリレート、 エーテル化合物の7クリレートおよびメタクリレート ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、ジペンタ
エリスリトールへキサメタクリレート、 トリプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピ
レングリコールジメタクリレート、ウレタン化合物の7
クリレートおよびメタクリレート イソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒドロキシエ
チルアクリレート2−Eニルとの反応生成物、 イソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒト■キシエ
チルメタクリレート2モルとの反応生成物、 1.3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン1
モルと2−ヒトルキシエチルアクリレート2モルとの反
応生成物、 1.3−ビス(インシアナトメチル)シクロヘキサン1
モルと2−ヒト■キシエチルメタクリレート2モルとの
反応生成物、 両末端に水酸基を有するポリ1,2−ブタジェンの1モ
ルにトリレンジイソシアネートを2モル反応させ、過剰
のイソシアネート基に2モルのアクリル酸を反応させた
もので、分子量が約1000〜2000のもの、 両末端に水酸基を有するポリ1,2−ブタジェンの1モ
ルにトリレンジイソシアネートを2モル反応させ、過剰
のイソシアネート基に2モルのメタクリル酸を反応させ
たもので、分子量が約1000〜2000のもの。
ベンテニルオキシエチルメタクリレート、 シクロヘキシルアクリレート、 シクロヘキシルメタ/!JL/−)、 テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルメタクリレート、インボルニルアクリレート、 インボルニルメタクリレート、 多官能モノマ ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジメタクリレート、t6ヘキサンジオールジ
アクリレート、t6ヘキサンジオールジメタクリレート
、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロ
ールエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレート、エポキシ化合物の7クリレートおよびメタ
クリレート ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジアクリレー
ト、 ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジメタクリレ
ート、 水素添加ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジア
クリレート、 水酸添加ビスフェノールAジグリシジルエーテルのジメ
タクリレート、 ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジアクリレー
ト、 ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジメタクリレ
ート、 水素添加ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジア
クリレート、 水素添加ビスフェノールFジグリシジルエーテルのジメ
タクリレート、 エステル化合物の7クリレートおよびメタクリレート ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリ
レート、 ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジメタク
リレート、 フタル酸ジエチレングリコールジアクリレート、 フタル酸ジエチレングリコールジメタクリレート、 エーテル化合物の7クリレートおよびメタクリレート ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、ジペンタ
エリスリトールへキサメタクリレート、 トリプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピ
レングリコールジメタクリレート、ウレタン化合物の7
クリレートおよびメタクリレート イソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒドロキシエ
チルアクリレート2−Eニルとの反応生成物、 イソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒト■キシエ
チルメタクリレート2モルとの反応生成物、 1.3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン1
モルと2−ヒトルキシエチルアクリレート2モルとの反
応生成物、 1.3−ビス(インシアナトメチル)シクロヘキサン1
モルと2−ヒト■キシエチルメタクリレート2モルとの
反応生成物、 両末端に水酸基を有するポリ1,2−ブタジェンの1モ
ルにトリレンジイソシアネートを2モル反応させ、過剰
のイソシアネート基に2モルのアクリル酸を反応させた
もので、分子量が約1000〜2000のもの、 両末端に水酸基を有するポリ1,2−ブタジェンの1モ
ルにトリレンジイソシアネートを2モル反応させ、過剰
のイソシアネート基に2モルのメタクリル酸を反応させ
たもので、分子量が約1000〜2000のもの。
本発明に用いる液状のアクリル基または/およびメタク
リル系光硬化性樹脂は、上記1官能および多官能モノマ
の混合物に光照射によりラジカルを生成する光重合開始
剤を0.5〜10重量−添加して作る。光重合開始剤の
添加量が15重量−以下になると、光硬化が不十分とな
り、10重量−以上になると樹脂硬化物の機械的強度を
低下させる傾向があり好ましくない。
リル系光硬化性樹脂は、上記1官能および多官能モノマ
の混合物に光照射によりラジカルを生成する光重合開始
剤を0.5〜10重量−添加して作る。光重合開始剤の
添加量が15重量−以下になると、光硬化が不十分とな
り、10重量−以上になると樹脂硬化物の機械的強度を
低下させる傾向があり好ましくない。
本発明に係る光硬化性樹脂に用いる光重合開始剤として
は、ベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソ
ブチルエーテルなどのベンゾイン類、ベンゾフェノン、
4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類、
アセトフェノン、2.2−ジェトキシアセトフェノンな
どのアセトフェノン類、2−クロロチオキサントン、2
−メチルチオキサン′トンなどのチオキサントン類、2
−エチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン々
どのアントラキノン類、ヘンシルジメチルケタール、1
−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトンなどがあり
、これらは単独もしくは二種類以上混合して用いられる
。
は、ベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソ
ブチルエーテルなどのベンゾイン類、ベンゾフェノン、
4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類、
アセトフェノン、2.2−ジェトキシアセトフェノンな
どのアセトフェノン類、2−クロロチオキサントン、2
−メチルチオキサン′トンなどのチオキサントン類、2
−エチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン々
どのアントラキノン類、ヘンシルジメチルケタール、1
−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトンなどがあり
、これらは単独もしくは二種類以上混合して用いられる
。
以下、本発明を実施例により詳述する。
実施例t
ジペンタエリストール誘導体のへキサアクリレート(日
本化系社製商品名DPCA 30 ) 40重量−、イ
ソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート2モルとの反応生成物30重量−、イ
ソボルニルメタクリレート28重量−1光重合開始剤ベ
ンゾインイソプロピルエーテル2重量−から成る光硬化
性樹脂を準備した。
本化系社製商品名DPCA 30 ) 40重量−、イ
ソホロンジイソシアネート1モルと2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート2モルとの反応生成物30重量−、イ
ソボルニルメタクリレート28重量−1光重合開始剤ベ
ンゾインイソプロピルエーテル2重量−から成る光硬化
性樹脂を準備した。
また、tIX1図に示すように、W(深さ: (LOP
μ寓、巾:p、4oμ簿)およびピット(深さ:0.1
6μ薦巾: Q、60μWL)を有する外t300−の
ニッケル製スタンパ(1)を用意した。
μ寓、巾:p、4oμ簿)およびピット(深さ:0.1
6μ薦巾: Q、60μWL)を有する外t300−の
ニッケル製スタンパ(1)を用意した。
ジメチルシリコーン系離臘剤を焼付けた外径300園の
ガラス円板(厚さ:10■)(21を上記スタンパと向
い合わせ、t3−の空ISfll−1)t−形成し、こ
の中へ、真空下で注入口(4)より前述の光硬化性樹脂
(5−2)を注入した。ガラス円板(2)の側より、波
長領域320〜400%mにおける光強度が400mF
/−の紫外線を高圧水銀灯を用いて40秒間照射し、光
硬化性樹脂を硬化させた。次いで、光硬化性樹脂硬化物
をスタンパ(1)とガラス円板(2)からとり出し、溝
およびビット付透明板(5−3)を得た。
ガラス円板(厚さ:10■)(21を上記スタンパと向
い合わせ、t3−の空ISfll−1)t−形成し、こ
の中へ、真空下で注入口(4)より前述の光硬化性樹脂
(5−2)を注入した。ガラス円板(2)の側より、波
長領域320〜400%mにおける光強度が400mF
/−の紫外線を高圧水銀灯を用いて40秒間照射し、光
硬化性樹脂を硬化させた。次いで、光硬化性樹脂硬化物
をスタンパ(1)とガラス円板(2)からとり出し、溝
およびビット付透明板(5−3)を得た。
溝およびピット付透明板(5−5)は、t21Illl
Bの厚さを有し、スタンパの溝とビットの転写像を正確
に保有していた。上記の透明板は、波長8303mKお
ける光学的リターデーションがrl、5nu、熱変形温
度が110℃、引張り強さが550製波長8301mに
おける光透過率が9956 、板の反りが0.1■/3
oomφ以下であり、光デイスク用基板として優れた特
性を有していた。
Bの厚さを有し、スタンパの溝とビットの転写像を正確
に保有していた。上記の透明板は、波長8303mKお
ける光学的リターデーションがrl、5nu、熱変形温
度が110℃、引張り強さが550製波長8301mに
おける光透過率が9956 、板の反りが0.1■/3
oomφ以下であり、光デイスク用基板として優れた特
性を有していた。
実施例2
ジペンタエリスリトール誘導体のへキサアクリレート(
日本化某社製商品名1)pCA 30 ) 50重量−
1水素添加ビスフエノールAジブリシジルエーテルのジ
アクリレート40重量%、ジシクロペンテニルオキシエ
チルメタクリレート28重量%、光重合開始剤1−ヒド
ロキシクロへキシル重量品ルケトン2重量鋒から成る光
硬化性樹脂を準備した。
日本化某社製商品名1)pCA 30 ) 50重量−
1水素添加ビスフエノールAジブリシジルエーテルのジ
アクリレート40重量%、ジシクロペンテニルオキシエ
チルメタクリレート28重量%、光重合開始剤1−ヒド
ロキシクロへキシル重量品ルケトン2重量鋒から成る光
硬化性樹脂を準備した。
また、第1図忙示すよ5に、溝(探さ:αo9/jrx
、 巾: a4o#m )オヨヒヒy ) (Rす:
aL6μ講巾:160μS)を有する外径no−の透明
樹脂製スタンパ(1)を用意した。上記透明樹脂製スタ
ンパは、厚さ10■のポリメチルメタクリレート板上に
厚さ約8(lt+tの溝およびビット付光硬化性樹脂(
ポリエチレングリコールジメタクリL/−)50重量−
とヘキサンジオールジメタクリレート48重量−と光重
合開始剤ベンゾインイソプロピルエーテル2重量−から
成るものの硬化物)を付着せしめたものである。
、 巾: a4o#m )オヨヒヒy ) (Rす:
aL6μ講巾:160μS)を有する外径no−の透明
樹脂製スタンパ(1)を用意した。上記透明樹脂製スタ
ンパは、厚さ10■のポリメチルメタクリレート板上に
厚さ約8(lt+tの溝およびビット付光硬化性樹脂(
ポリエチレングリコールジメタクリL/−)50重量−
とヘキサンジオールジメタクリレート48重量−と光重
合開始剤ベンゾインイソプロピルエーテル2重量−から
成るものの硬化物)を付着せしめたものである。
ジメーチルシリコーン系離朦剤を焼付けた外径300
mのガラス円板(厚さ=10■)(2)を上記透明樹脂
製スタンパ(1)と向い合わせ、13簡の空間を形成し
、この中へ、真空下て注入口(4)よりあらかじめ準備
した前述の光硬化性樹脂(S−2)を注入した。
mのガラス円板(厚さ=10■)(2)を上記透明樹脂
製スタンパ(1)と向い合わせ、13簡の空間を形成し
、この中へ、真空下て注入口(4)よりあらかじめ準備
した前述の光硬化性樹脂(S−2)を注入した。
透明樹脂製スタンバ(11とガラス円板(餠の両方の側
より400mF/−の紫外線を高圧水銀灯を用いて30
秒間照射し、光硬化性樹脂を硬化させた。
より400mF/−の紫外線を高圧水銀灯を用いて30
秒間照射し、光硬化性樹脂を硬化させた。
次いで、光硬化性樹脂硬化物を透明樹脂製スタンパ+1
1とガラス円板(2)からとり出し、湾およびピット付
透明板(A−3)を得た。
1とガラス円板(2)からとり出し、湾およびピット付
透明板(A−3)を得た。
溝およびピット付透明板(S−S)は、 12■の厚さ
を有し、スタンパの溝とビットの転写像を正確に有して
いた。上記の透明板は、波長B’!+Onmj/Cおけ
る光学的リターデーションが0.6nu熱変熱変形跡1
20℃、引張り強さが520製、波長850%mにおけ
る光透過率が99優、板の反りがα1■/300■φ以
下であり、光デイスク用基板として優れた特性を有して
いた。
を有し、スタンパの溝とビットの転写像を正確に有して
いた。上記の透明板は、波長B’!+Onmj/Cおけ
る光学的リターデーションが0.6nu熱変熱変形跡1
20℃、引張り強さが520製、波長850%mにおけ
る光透過率が99優、板の反りがα1■/300■φ以
下であり、光デイスク用基板として優れた特性を有して
いた。
実施例五
ジペンタエリスリトール誘導体のへキサアクリレート(
日本化某社製商品名DPCA 60 ) 40重量−1
1,3ビス(インシアナトメチル)シクロヘキサ71モ
ルと2−とドロキシエチルメタクリレート2モルとの反
応生成物60重量−、シフ目へキシルメタクリレート2
8重量−1光重合開始剤ベンゾインイソブチルエーテル
2重量Sから成る光硬化性樹脂を準備した。
日本化某社製商品名DPCA 60 ) 40重量−1
1,3ビス(インシアナトメチル)シクロヘキサ71モ
ルと2−とドロキシエチルメタクリレート2モルとの反
応生成物60重量−、シフ目へキシルメタクリレート2
8重量−1光重合開始剤ベンゾインイソブチルエーテル
2重量Sから成る光硬化性樹脂を準備した。
また、第1図に示すように、溝−(深さ: Q、09μ
m、巾: 0.40μm )およびビット(深さ=0.
16μ簿、巾:α60μ講)を有する外径goo■の透
明樹脂製スタンパ(1)を用意した。上記透明樹脂製ス
タンパは、厚さ1o■のポリメチルメタクリレート板上
に厚さ約BOμ簿の溝およびビット付光硬化性樹脂(ボ
リプロビレングリコールシメタクリレート50重量−と
ネオペンチルグリコールジメタクリレート48重量−と
光重合開始剤ペンゾインイソプ買ビルエーテル2重量−
から成る硬化物)を付着せしめたものである。
m、巾: 0.40μm )およびビット(深さ=0.
16μ簿、巾:α60μ講)を有する外径goo■の透
明樹脂製スタンパ(1)を用意した。上記透明樹脂製ス
タンパは、厚さ1o■のポリメチルメタクリレート板上
に厚さ約BOμ簿の溝およびビット付光硬化性樹脂(ボ
リプロビレングリコールシメタクリレート50重量−と
ネオペンチルグリコールジメタクリレート48重量−と
光重合開始剤ペンゾインイソプ買ビルエーテル2重量−
から成る硬化物)を付着せしめたものである。
ジメチルシ+7 :=f−ン系離xttmtを焼付けた
外径300■のニッケル製円板(厚さ5■)(2)を上
記透明樹脂製スタンパ(1)と向い合わせ、 IJ■の
空間を形成し、この中へ、真空下で注入口(47よりあ
らかじめ準備した前述の光硬化性樹脂(3−2)を注入
した。
外径300■のニッケル製円板(厚さ5■)(2)を上
記透明樹脂製スタンパ(1)と向い合わせ、 IJ■の
空間を形成し、この中へ、真空下で注入口(47よりあ
らかじめ準備した前述の光硬化性樹脂(3−2)を注入
した。
透明樹脂製スタンパ(1)の側より、波長320〜40
0 nm Kおける光強度が400琳W/−の紫外線を
高圧水銀灯を用いて40秒間照射し、光硬化性樹脂を硬
化させた。
0 nm Kおける光強度が400琳W/−の紫外線を
高圧水銀灯を用いて40秒間照射し、光硬化性樹脂を硬
化させた。
次いで、光硬化性樹脂硬化物を透明樹脂製スタンパ(1
)とニッケル製円板(2)からとり出し、溝およびピッ
ト付透明板(3−1)を得た。
)とニッケル製円板(2)からとり出し、溝およびピッ
ト付透明板(3−1)を得た。
溝およびピット付透明板(5−3)は、12■の厚さを
有し、スタンパの溝とピットの転写像を正確に有してい
た。上記の透明板は、波長830 nm Kおける光学
的リメーデーシ、ンが14nm熱変形温度が100℃、
引張り強さが500!v。
有し、スタンパの溝とピットの転写像を正確に有してい
た。上記の透明板は、波長830 nm Kおける光学
的リメーデーシ、ンが14nm熱変形温度が100℃、
引張り強さが500!v。
波長8B0 nmにおける光透過率が95−1板の反り
がα’ ”/ 3oOmφ以下であり、光デイスク用基
板として優れた特性を有していた。
がα’ ”/ 3oOmφ以下であり、光デイスク用基
板として優れた特性を有していた。
実施例4゜
実施例1〜3で製造した光デイスク用基板の情報パター
ン側へTa −S%系相転移蓋記録膜を303mの厚さ
に真空蒸着した後、Sin、膜をtoWtxの厚さに真
空蒸着し、保題コートした。
ン側へTa −S%系相転移蓋記録膜を303mの厚さ
に真空蒸着した後、Sin、膜をtoWtxの厚さに真
空蒸着し、保題コートした。
さらに、この上へ厚さ1鱈のポリメチルメタクリレート
板をエポキシ樹脂により貼り合わせ、光デイスク記録媒
体を形成した。本発明に係る透明板の側より、8310
nm の半導体レーず光を用いて書込みおよび読取り
特性を評価し、正常動作することをamした。
板をエポキシ樹脂により貼り合わせ、光デイスク記録媒
体を形成した。本発明に係る透明板の側より、8310
nm の半導体レーず光を用いて書込みおよび読取り
特性を評価し、正常動作することをamした。
本発明によれは、光学的歪が少なく、耐熱性があり、機
械的強度および精度の優れた透明度の高い光デイスク用
基板を高速かつ低価格で供給することが可能である。
械的強度および精度の優れた透明度の高い光デイスク用
基板を高速かつ低価格で供給することが可能である。
第1図は、本発明に係る光デイスク用基板の製造プロセ
スを説明する囚である。 100.1610.000.6.・0.スタンパ2・・
・・・・・・・・・−・・・・・Mmm版板31・・・
・・−・・・・・空間 3−2・・・・・−・・・・・液状の光硬化性樹脂・
3−3・・・・・・・・・・・・光デイスク用基板4・
・・・・・・・・・・・・−・・光硬化性樹脂の注入口
5.6・・・・・・・・−・・エネルギー線篤+[fl
スを説明する囚である。 100.1610.000.6.・0.スタンパ2・・
・・・・・・・・・−・・・・・Mmm版板31・・・
・・−・・・・・空間 3−2・・・・・−・・・・・液状の光硬化性樹脂・
3−3・・・・・・・・・・・・光デイスク用基板4・
・・・・・・・・・・・・−・・光硬化性樹脂の注入口
5.6・・・・・・・・−・・エネルギー線篤+[fl
Claims (1)
- 平板状の情報パターン付盤板と離戴性透明板とをα8〜
2.0−の間隔をあけて向い合わせに配置して形成され
る空間内に、液状のアクリル系または/およびメタクリ
ル系光硬化性樹脂を注入してから、離臘性透明板の側、
情報ノ(ターン付透明板の側、もしくはこれらの板の両
側からエネルギー線を照射し、該光硬化性樹脂を硬化後
、情報パターン付型板と一渥性透明板より光硬化性樹脂
硬化物から成る情報)(ターン転写板を取り出すことを
特徴とする光デイスク用基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5832184A JPS60202557A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 光デイスク用基板の製造方法 |
EP19850103642 EP0156372B1 (en) | 1984-03-28 | 1985-03-27 | Process for producing plastic information-recording medium and resin composition used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5832184A JPS60202557A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 光デイスク用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60202557A true JPS60202557A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13081010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5832184A Pending JPS60202557A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 光デイスク用基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0156372B1 (ja) |
JP (1) | JPS60202557A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458908B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-10-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2582658B1 (fr) * | 1985-05-28 | 1990-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Copolymere de derives acryliques a haut indice de refraction, notamment pour la fabrication de lentilles optiques, et sa preparation |
EP0209382A3 (en) * | 1985-07-16 | 1988-01-13 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Cast molding of acrylic plastics |
EP0226123A3 (en) * | 1985-12-03 | 1988-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing transparent plastic article |
US5234633A (en) * | 1987-12-28 | 1993-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Cast molding die and process for producing information recording medium using the same |
EP0323225A3 (en) * | 1987-12-28 | 1990-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Cast molding die and process for producing information recording medium using the same |
NL9100366A (nl) * | 1991-02-28 | 1992-09-16 | Philips & Du Pont Optical | Werkwijze voor het vervaardigen van een schijfvormige informatiedrager, informatiedrager vervaardigd volgens de werkwijze en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
US6238868B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-05-29 | Nanogen/Becton Dickinson Partnership | Multiplex amplification and separation of nucleic acid sequences using ligation-dependant strand displacement amplification and bioelectronic chip technology |
US6326173B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-12-04 | Nanogen/Becton Dickinson Partnership | Electronically mediated nucleic acid amplification in NASBA |
AU3078101A (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-25 | Nanogen, Inc. | Micromolds fabricated using mems technology and methods of use therefor |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7904113A (nl) * | 1979-05-25 | 1980-11-27 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf, werkwijze voor de vervaardiging ervan alsmede een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. |
NL8101515A (nl) * | 1981-03-27 | 1982-10-18 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf en werkwijze voor de vervaardiging ervan. |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP5832184A patent/JPS60202557A/ja active Pending
-
1985
- 1985-03-27 EP EP19850103642 patent/EP0156372B1/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458908B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-10-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0156372A3 (en) | 1988-01-07 |
EP0156372A2 (en) | 1985-10-02 |
EP0156372B1 (en) | 1989-11-08 |
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