JPS63160035A - 光デイスク基板の製造方法 - Google Patents
光デイスク基板の製造方法Info
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- JPS63160035A JPS63160035A JP30754186A JP30754186A JPS63160035A JP S63160035 A JPS63160035 A JP S63160035A JP 30754186 A JP30754186 A JP 30754186A JP 30754186 A JP30754186 A JP 30754186A JP S63160035 A JPS63160035 A JP S63160035A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、音声、画像、情報などの保存、nピ録、再生
をする光ディスク基板の製造方法に関する。
をする光ディスク基板の製造方法に関する。
(従来の技術〉
従来、デジタルオーディオディスク、光ディスク記録媒
体の製造方法には、ポリメチルメタアクリレートやポリ
カーカーボネートなどの熱可塑性樹脂を射出成形して得
るレプリカ板上に記碌繰を形成して製造する方法と、ガ
ラス、エボキク樹脂などの透明な平板面に紫外線硬化樹
脂の薄層を設け、スタンバと圧着し′ytlitI化さ
せた後レプリカ板を得(2P法)、該レプリカ歓上にA
J、 Te、 TeFe などの金属袈を形成する方法
とがある。
体の製造方法には、ポリメチルメタアクリレートやポリ
カーカーボネートなどの熱可塑性樹脂を射出成形して得
るレプリカ板上に記碌繰を形成して製造する方法と、ガ
ラス、エボキク樹脂などの透明な平板面に紫外線硬化樹
脂の薄層を設け、スタンバと圧着し′ytlitI化さ
せた後レプリカ板を得(2P法)、該レプリカ歓上にA
J、 Te、 TeFe などの金属袈を形成する方法
とがある。
又、特開昭60−112409号公報に示さnているよ
うに、レプリカ板を紫外線硬化性樹脂のみで製造する方
法が提案さnている。
うに、レプリカ板を紫外線硬化性樹脂のみで製造する方
法が提案さnている。
(発明が解決しようとする問題点)
熱可塑性樹脂を射出成形する製造方法は、成形サイクル
の観点からは生産性の向上に有効であるが、高圧力で樹
脂を創出するため成形品に残留応力が生じ易い欠点及び
耐熱性が低いという問題点がある。
の観点からは生産性の向上に有効であるが、高圧力で樹
脂を創出するため成形品に残留応力が生じ易い欠点及び
耐熱性が低いという問題点がある。
又、2P法による成形方法は、スタンパ面の転写精度に
優nる反面、工程が複線となる欠点と、透明基板と紫外
線硬化性樹脂との密層力の信頼性が低いという問題があ
る。
優nる反面、工程が複線となる欠点と、透明基板と紫外
線硬化性樹脂との密層力の信頼性が低いという問題があ
る。
一方、金属性スタンパと透明支持板との間に1〜2羽程
度の空間を設け、そこに光硬化性樹脂を注入し、透明支
持板側から光硬化してレプリカ板を得る方法は、通切な
紫外線硬化樹脂を選定すnばリターデーシヨン、耐熱性
、耐水性、機械的強度に優れたレプリカ板が短時間に製
造できる利点を有する(4!開昭60−202557、
特開昭6l−176618)。しかしながら、紫外線硬
化樹脂は、組H,成分にモノマー、オリゴマー、光重付
開始剤を含むため、その各成分が紫外N&を吸収する。
度の空間を設け、そこに光硬化性樹脂を注入し、透明支
持板側から光硬化してレプリカ板を得る方法は、通切な
紫外線硬化樹脂を選定すnばリターデーシヨン、耐熱性
、耐水性、機械的強度に優れたレプリカ板が短時間に製
造できる利点を有する(4!開昭60−202557、
特開昭6l−176618)。しかしながら、紫外線硬
化樹脂は、組H,成分にモノマー、オリゴマー、光重付
開始剤を含むため、その各成分が紫外N&を吸収する。
従りて、紫外線硬化樹脂層が1〜2111111と厚く
なると、紫外f!sは金為スタンパ面には十分透過せず
、紫外線層#Jを行う3明支持板からラジカ/L−]i
合が開始する。この反応は発熱反応であるために、更に
、透明支持板近くの紫外a硬化樹脂のラジカに!台が促
進さn、その結果として、1〜2市の厚さ方向で架橋密
度が異なり、レプリカ板く反りを生じろという問題点が
ある。又、前記、光照射によっても約10%以内の未反
応成分物質がレプリカ板内に残留する。未反応成分が残
留する光硬化性レプリカ板から形成さnろ光ディスク基
板は、基鈑の接着などの加工時や、保存、動作時又は、
比較的高い温度での使用により、レプリカ表面の凹凸溝
形状が変化し1こり、光ビームによるトラッキング、情
報の書き込み、読み取りの際に、信号変動の原因となる
不具合が住する。
なると、紫外f!sは金為スタンパ面には十分透過せず
、紫外線層#Jを行う3明支持板からラジカ/L−]i
合が開始する。この反応は発熱反応であるために、更に
、透明支持板近くの紫外a硬化樹脂のラジカに!台が促
進さn、その結果として、1〜2市の厚さ方向で架橋密
度が異なり、レプリカ板く反りを生じろという問題点が
ある。又、前記、光照射によっても約10%以内の未反
応成分物質がレプリカ板内に残留する。未反応成分が残
留する光硬化性レプリカ板から形成さnろ光ディスク基
板は、基鈑の接着などの加工時や、保存、動作時又は、
比較的高い温度での使用により、レプリカ表面の凹凸溝
形状が変化し1こり、光ビームによるトラッキング、情
報の書き込み、読み取りの際に、信号変動の原因となる
不具合が住する。
又、前記の光ディスク基′4!lを長期にわたり使用す
ると、その表面に油状物質が生じ、レグリカ表面と前記
記f&膜との間に剥離が生じ、記録編が腐食し、成るい
は元ビームによる信号読取りが困難となる問題点がある
。
ると、その表面に油状物質が生じ、レグリカ表面と前記
記f&膜との間に剥離が生じ、記録編が腐食し、成るい
は元ビームによる信号読取りが困難となる問題点がある
。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、前記問題点を解決すべく創案したものであり
、その目的は反りの無いレプリカ板を作ると共に、レプ
リカ表面の凹凸tst−安定化し、その表面に形成する
記録編等を劣化させない高信頼性、高稍度の光ディスク
基板の製造方法を提供するものである。
、その目的は反りの無いレプリカ板を作ると共に、レプ
リカ表面の凹凸tst−安定化し、その表面に形成する
記録編等を劣化させない高信頼性、高稍度の光ディスク
基板の製造方法を提供するものである。
本発明に、前記目的を達成するために表面に所望の凹凸
溝を形成する金属スタンバとMI型処理した透明支持板
を向かい会わせに配置し、両者の間に1へ2軸の空間を
設けた鋳型中尺、アクリル基、メタアクリル基重付の元
硬化性!!I4脂を注入し、金属製スタンパを加温した
状態で透明支持板側から光照射し、前記光硬化性樹脂を
反りの生じない状態で光硬化せしめる工程と、該工程終
了後に前記鋳型t−熱処理することにより未反応成分の
反応促進、蒸発を行ってcrtを除去すると共に、反応
中の光硬化性樹脂の硬化物に生ずる歪及び反り全解消し
、耐熱性をも同上する光ディスク基板の製造方法でめる
。
溝を形成する金属スタンバとMI型処理した透明支持板
を向かい会わせに配置し、両者の間に1へ2軸の空間を
設けた鋳型中尺、アクリル基、メタアクリル基重付の元
硬化性!!I4脂を注入し、金属製スタンパを加温した
状態で透明支持板側から光照射し、前記光硬化性樹脂を
反りの生じない状態で光硬化せしめる工程と、該工程終
了後に前記鋳型t−熱処理することにより未反応成分の
反応促進、蒸発を行ってcrtを除去すると共に、反応
中の光硬化性樹脂の硬化物に生ずる歪及び反り全解消し
、耐熱性をも同上する光ディスク基板の製造方法でめる
。
本発明で用いる金属製スタンバは公知のもので良く、例
えばNi、 Cr、 Ageを挙げることができる。透
明支持8!は、300へ400 nmにおける光透過率
が50%以上であnは材質などに制限はないが、石英ガ
ラスは好ましい。
えばNi、 Cr、 Ageを挙げることができる。透
明支持8!は、300へ400 nmにおける光透過率
が50%以上であnは材質などに制限はないが、石英ガ
ラスは好ましい。
前記、本発明に係る光硬化性樹脂は、アクリル系、メタ
アクリル系のモノマーを各単独N合成るいは共重合する
ものとし、かつ光重合開始剤を加えたものであるが、ス
タンバと容易に罐型するものならば、組成的に特に限定
せず公知のもので良い(%開昭61−44689、特開
昭6l−98710)。
アクリル系のモノマーを各単独N合成るいは共重合する
ものとし、かつ光重合開始剤を加えたものであるが、ス
タンバと容易に罐型するものならば、組成的に特に限定
せず公知のもので良い(%開昭61−44689、特開
昭6l−98710)。
紫外線を照射するための光源は、アクリル系及びメタア
クリに糸の光硬化性樹脂上硬化させ波長300〜400
nmの紫外線を放射するものならば特に限定せず、例
えば高圧水銀ランプ、超高圧水銀ラング、メタルハライ
ドランプ、キセノンランプ等を使用することができる。
クリに糸の光硬化性樹脂上硬化させ波長300〜400
nmの紫外線を放射するものならば特に限定せず、例
えば高圧水銀ランプ、超高圧水銀ラング、メタルハライ
ドランプ、キセノンランプ等を使用することができる。
又、光硬化性樹脂を光硬化する条件は特に限定せず、波
長320〜400 nmの紫外線を10〜300秒間照
射することが望ましい。
長320〜400 nmの紫外線を10〜300秒間照
射することが望ましい。
又、光照射の際に、金属スタンバ140−100℃の範
囲に加温する。この温度範、囲より低くなると所望の効
果無く、鍋(なると光硬化速度が不均一となって歪及び
反りか発生し硬化物が者しく着色する。スタンパの加熱
方法は特に限定は無(公知の方法を用いる。例えばヒー
タ、スチーム、熱媒(水、油ンなどを用い1こ直接加熱
、間接加熱などを挙げ祷ろ。
囲に加温する。この温度範、囲より低くなると所望の効
果無く、鍋(なると光硬化速度が不均一となって歪及び
反りか発生し硬化物が者しく着色する。スタンパの加熱
方法は特に限定は無(公知の方法を用いる。例えばヒー
タ、スチーム、熱媒(水、油ンなどを用い1こ直接加熱
、間接加熱などを挙げ祷ろ。
さらに、本発明においては、光硬化終了後に、鋳型全体
を空気中−!1こはI Torr以上の減圧下で加熱処
理する。加鳥温度は70〜150℃が良(、加熱時間は
15m1n〜3hrが望筐しい。
を空気中−!1こはI Torr以上の減圧下で加熱処
理する。加鳥温度は70〜150℃が良(、加熱時間は
15m1n〜3hrが望筐しい。
この加熱条件よりさらに低臨、短時間となると熱処理効
果が十分に現わnず、逆にさらに高温、長時間となると
レプリカ基鈑の熱劣化が発生する。鋳型の加熱方法は特
に限定せず、加熱雰囲気中で熱処理するのが好ましい。
果が十分に現わnず、逆にさらに高温、長時間となると
レプリカ基鈑の熱劣化が発生する。鋳型の加熱方法は特
に限定せず、加熱雰囲気中で熱処理するのが好ましい。
実施例1
用いた鋳型を第1図に示す。透明支持板1は、離型剤処
理を施した面群200闘、厚さ5市の石英ガラスとする
。スタンパ5はN1製とし表面に凹凸溝を形成した。透
明支持板1とスタンパ50闇にスペーサ3によって設け
1こ厚さ1〜2aafflの空間に′jt硬化性柄脂2
を注入し1こ。ヒータ6の温度は、80℃に設定し、こ
の時のスタンパの温度は76℃であっ1こ。
理を施した面群200闘、厚さ5市の石英ガラスとする
。スタンパ5はN1製とし表面に凹凸溝を形成した。透
明支持板1とスタンパ50闇にスペーサ3によって設け
1こ厚さ1〜2aafflの空間に′jt硬化性柄脂2
を注入し1こ。ヒータ6の温度は、80℃に設定し、こ
の時のスタンパの温度は76℃であっ1こ。
次に悉明支持@1の方向から、80 W / cm高圧
水銀灯を用いて紫外線を60秒間照刺した後説型してレ
プリカ基板を得た。
水銀灯を用いて紫外線を60秒間照刺した後説型してレ
プリカ基板を得た。
前記の注入樹脂は、ポリエステルアクリレート(大阪有
機社製ビスコート#3700)50重量%と、1.6−
へキチンジオールジメタクリレート20重量%及びトリ
ス(2−メタクリロキシエテル)インンアヌレート(日
π化成社製FA731M)30重量%とに光重合開始剤
として2−ヒドロキノ−2−メチに−1−フェニル−プ
ロパン−1−オン(メルク社製ダミキュア1173)2
重量%配合してなる混せを均一に撹拌したものである。
機社製ビスコート#3700)50重量%と、1.6−
へキチンジオールジメタクリレート20重量%及びトリ
ス(2−メタクリロキシエテル)インンアヌレート(日
π化成社製FA731M)30重量%とに光重合開始剤
として2−ヒドロキノ−2−メチに−1−フェニル−プ
ロパン−1−オン(メルク社製ダミキュア1173)2
重量%配合してなる混せを均一に撹拌したものである。
実施1クリ2
実施例1と同一条件で紫外線照刺tシTこ後、ヒータ6
と鋳型を分離し、鋳澹を110℃の乾燥器内に30分間
放置した後鋳型を徐冷し脱型してレプリカ基数を得た。
と鋳型を分離し、鋳澹を110℃の乾燥器内に30分間
放置した後鋳型を徐冷し脱型してレプリカ基数を得た。
実施例6
実施例1と同一の条件で架外線照到をした。
この時金属スタンパの温度に23℃(WJ温うであっT
こ。次に鋳型を120℃の乾燥器に50分間放置した。
こ。次に鋳型を120℃の乾燥器に50分間放置した。
徐冷した後説型してレプリカ基板を得た。
比較例]1
実施例3と1′0J−条件で紫外線照射をし1こ後、脱
型してレプリカ基鈑を得た。
型してレプリカ基鈑を得た。
実!@例?、2.3及び比較例1からイ与たレプリカ基
板の緒特性を次の要領で測定しγこ。結果を第1表に示
す。
板の緒特性を次の要領で測定しγこ。結果を第1表に示
す。
リ 反つは、定盤上にレプリカ基板を置き、ダイヤルゲ
ージ(1/1000ffI[11目盛)を用いて、基板
の最大反り14を測定し1こ。
ージ(1/1000ffI[11目盛)を用いて、基板
の最大反り14を測定し1こ。
2)ガラス転移温度は、DMA法によって測定した。
第1表
第1表のデータによって、実施例1〜6のレプリカ基板
は、比較例1と比べ反り及び耐熱性が優几ていることが
明らかである。
は、比較例1と比べ反り及び耐熱性が優几ていることが
明らかである。
又、実施例1〜6及び比12例1のレプリカ基板の表面
にTe系記録膜を30 nmの厚さに蒸着した。こnら
の光ディスク基鈑を100℃、50hrの高温放置試験
にかけ1こ結果、比4!!2例1の光ディスク基板は記
録膜の一部が剥離し、また基板が太き(変形した。一方
、実施例1〜3の光ディスク基板は何等の異常ヲ始めず
、正常に記鍔できる状態全保持した。
にTe系記録膜を30 nmの厚さに蒸着した。こnら
の光ディスク基鈑を100℃、50hrの高温放置試験
にかけ1こ結果、比4!!2例1の光ディスク基板は記
録膜の一部が剥離し、また基板が太き(変形した。一方
、実施例1〜3の光ディスク基板は何等の異常ヲ始めず
、正常に記鍔できる状態全保持した。
(発明の効果)
以上の説明によって明らかなように、本発明によって製
造するレプリカ基鈑は反りを生ぜず、かつ記@膜等を劣
化させない尚信頼性、鍋梢度の光ディスク基板t−製造
することが可能となった。
造するレプリカ基鈑は反りを生ぜず、かつ記@膜等を劣
化させない尚信頼性、鍋梢度の光ディスク基板t−製造
することが可能となった。
第1図は本発明の実施例を示す断面図である。
1・・・・・・込明支持@ 2・・・・・・光硬化性
樹脂3・・・・・・スペーサ 4・・・・・・通気
孔5・・・・・・スタンパ 6・・・・・・ヒータ
7・・・・・・光源 4・丁へ゛ 第1図
樹脂3・・・・・・スペーサ 4・・・・・・通気
孔5・・・・・・スタンパ 6・・・・・・ヒータ
7・・・・・・光源 4・丁へ゛ 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、表面に凹凸溝を形成する金属製スタンパと、これと
スペーサを介して1〜2mm幅の密閉空間を保って対置
する透明支持板とからなる鋳型において、該空間にアク
リル基、メタアクリル基の重合物である光硬化性樹脂を
注入し、該スタンパを加温した状態で該透明支持板を通
して紫外線照射して光硬化した後、該鋳型を加熱処理後
脱型することを特徴とする光ディスク基板の製造方法。 2、金属製スタンパの加温が40〜100℃であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディスク基
板の製造方法。 3、鋳型の加熱処理を70〜150℃で行うことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光ディスク基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30754186A JPS63160035A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30754186A JPS63160035A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160035A true JPS63160035A (ja) | 1988-07-02 |
Family
ID=17970334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30754186A Pending JPS63160035A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63160035A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991011805A1 (en) * | 1990-01-31 | 1991-08-08 | Sony Corporation | Transfer apparatus and transfer method |
JP2010264603A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Nitto Denko Corp | 光学部品の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP30754186A patent/JPS63160035A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991011805A1 (en) * | 1990-01-31 | 1991-08-08 | Sony Corporation | Transfer apparatus and transfer method |
JPH03225641A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Sony Corp | ディスク基板の転写方法 |
JP2010264603A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Nitto Denko Corp | 光学部品の製造方法 |
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