JPS60201663A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60201663A JPS60201663A JP5911684A JP5911684A JPS60201663A JP S60201663 A JPS60201663 A JP S60201663A JP 5911684 A JP5911684 A JP 5911684A JP 5911684 A JP5911684 A JP 5911684A JP S60201663 A JPS60201663 A JP S60201663A
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- JP
- Japan
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- film
- tft
- alumina
- ceramic substrate
- semiconductor device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はＴＮＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）の基板材料構成に関する。
ｔｏｒ）の基板材料構成に関する。
従来、ＴＦＴには、石英基板上あるいはガラス基板上あ
るいはサファイヤ基板上に形成する方式が用いられるの
が通例であった。
るいはサファイヤ基板上に形成する方式が用いられるの
が通例であった。
しかし、上記従来技術によると、石英基板上に８１膜等
の多結晶体あるいは単結晶体膜として形成し、ＴＵＦＴ
を構成する場合には、石英基板が高価であるという欠点
があり、ガラス基板上に８１膜等のアモルファス体膜を
形成して、ＴＦＴｔ−構成する場合には、ガラス基体の
軟化点が低く、高温処理が困難であり、Ｓ１膜の各結晶
体や単結晶体を形成してＴＰＴに用いることは困難であ
り、サファイヤ基板上に単結晶Ｓ１膜を形成し、ＴＦＴ
を構成する場合には、やはりす７アイヤ基板が高価であ
るという欠点があった。
の多結晶体あるいは単結晶体膜として形成し、ＴＵＦＴ
を構成する場合には、石英基板が高価であるという欠点
があり、ガラス基板上に８１膜等のアモルファス体膜を
形成して、ＴＦＴｔ−構成する場合には、ガラス基体の
軟化点が低く、高温処理が困難であり、Ｓ１膜の各結晶
体や単結晶体を形成してＴＰＴに用いることは困難であ
り、サファイヤ基板上に単結晶Ｓ１膜を形成し、ＴＦＴ
を構成する場合には、やはりす７アイヤ基板が高価であ
るという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、高温処理が
可能で、かつ、アモルファス体は勿論単結晶体や多結晶
体から成る半導体膜によるＴＰＴが製作可能な’Ｉ］Ｉ
’Ｔの基板構成を提供することを目的とする。
可能で、かつ、アモルファス体は勿論単結晶体や多結晶
体から成る半導体膜によるＴＰＴが製作可能な’Ｉ］Ｉ
’Ｔの基板構成を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基不的な構成は、半
導体装置に於て、アルミナ・セラミック基板上にはＳ１
膜等の半導体膜から成るＭＯ８型ＴＰＴ等のＴＮＴが形
成されて成ることを特徴とする。
導体装置に於て、アルミナ・セラミック基板上にはＳ１
膜等の半導体膜から成るＭＯ８型ＴＰＴ等のＴＮＴが形
成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＭＯ８型ＴＰＴの断面
図である。すなわち、アルミナ・セラミック基板１の表
面にはＭＯまたはＷ配線２．Ｓ１膜３．拡散層４，５．
ゲート酸化膜６．ゲート電極７から成るＭＯ８型ＴＦ’
ｌ”が形成されて成る。
図である。すなわち、アルミナ・セラミック基板１の表
面にはＭＯまたはＷ配線２．Ｓ１膜３．拡散層４，５．
ゲート酸化膜６．ゲート電極７から成るＭＯ８型ＴＦ’
ｌ”が形成されて成る。
尚アルミナ・セラミック基板１の表面にＳ ｉ ＯＲ膜
あるいはＳ’ ｉ 、 Ｎ 、膜を形成後Ｓ１膜を形成
して該Ｓ１膜でＴＰＴを形成しても良いことは云うまで
もない。
あるいはＳ’ ｉ 、 Ｎ 、膜を形成後Ｓ１膜を形成
して該Ｓ１膜でＴＰＴを形成しても良いことは云うまで
もない。
本発明の如く、アルミナ・セラミックを基板としたＴＰ
Ｔでは、半導体膜はアモルファス体、多結晶体、単結晶
体いずれの膜でも良く、且つ１０００℃以上の高温熱処
理やレーザー・アニール等に耐えられるため、これら高
温処理によりＴＮＴの特性改善を行なえ、且つ廉価にで
きる等の効果がある。本発明はアクティブ・パネル表示
体基板、イメージセンサ−、ライン・センサーや太陽電
池等に用いることができる。
Ｔでは、半導体膜はアモルファス体、多結晶体、単結晶
体いずれの膜でも良く、且つ１０００℃以上の高温熱処
理やレーザー・アニール等に耐えられるため、これら高
温処理によりＴＮＴの特性改善を行なえ、且つ廉価にで
きる等の効果がある。本発明はアクティブ・パネル表示
体基板、イメージセンサ−、ライン・センサーや太陽電
池等に用いることができる。
第１図は、本発明の一実施例に示すＭＯ８型Ｔ？Ｔの断
面図である。 １・・・・・・アルミナ−セラミック基板２・・・・・
・高融点金属配線 ５・・・・・・８１鳳 ４．５・・・・・・拡散層 ６・・・・・・ゲート酸化膜 ７・・・・・・ゲート電極 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
面図である。 １・・・・・・アルミナ−セラミック基板２・・・・・
・高融点金属配線 ５・・・・・・８１鳳 ４．５・・・・・・拡散層 ６・・・・・・ゲート酸化膜 ７・・・・・・ゲート電極 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- アルミナ・セラミック基板上にはＳ１膜等の半導体膜か
らなるＭＯＢ型ＦＦＡＴ等のＴ’ＦＴが形成されて成る
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5911684A JPS60201663A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5911684A JPS60201663A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201663A true JPS60201663A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13104019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5911684A Pending JPS60201663A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100400753B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2003-10-08 | 엘지전자 주식회사 | 금속기판을 이용한 고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터제조 방법 |
| KR100437765B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2004-06-26 | 엘지전자 주식회사 | 고온용 기판을 이용한 박막트랜지스터 제조방법과 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5911684A patent/JPS60201663A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437765B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2004-06-26 | 엘지전자 주식회사 | 고온용 기판을 이용한 박막트랜지스터 제조방법과 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
| US7098473B2 (en) | 2001-06-15 | 2006-08-29 | Lg Electronics Inc. | Thin film transistor, and organic EL display thereof |
| KR100400753B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2003-10-08 | 엘지전자 주식회사 | 금속기판을 이용한 고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터제조 방법 |
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