JPS6020142A - Ｉｓｆｅｔセンサ−の実装方法 - Google Patents
Ｉｓｆｅｔセンサ−の実装方法Info
- Publication number
- JPS6020142A JPS6020142A JP58129157A JP12915783A JPS6020142A JP S6020142 A JPS6020142 A JP S6020142A JP 58129157 A JP58129157 A JP 58129157A JP 12915783 A JP12915783 A JP 12915783A JP S6020142 A JPS6020142 A JP S6020142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cavity
- gate
- elastic material
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用性〉
本発明は、ｌ５ＦＥＴ （イメン選択性）センサーの実
装方法に関し、殊にｌ５ＦＥＴナツプのゲート部分を外
部に露出した状態で他の部分を量産性よく樹脂封止する
ことのできる方法の提案に関する。
装方法に関し、殊にｌ５ＦＥＴナツプのゲート部分を外
部に露出した状態で他の部分を量産性よく樹脂封止する
ことのできる方法の提案に関する。
〈従来技術〉
ｌ５ＦＥＴセンづ−は、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）のゲート部分を水溶液に接触させて液中のイオン（
Ｈ” 、 Ｎａ＋、 Ｋｊ ｅｔｃ ）をセンシングす
るものである。従って、実装に際してもゲートを外部に
露出する必要がある。このため、チップ全体を樹脂封止
する一般の半導体の実装方法を適用することができない
ので、従来は第１図に示すように、プラスチックチュー
ブ１の中にｌ５ＦＥＴチツプ２をマウントして、シリコ
ン樹脂３で固定し、しかる後ゲート０部分以外を手作業
によって接着剤を塗布するという方法によっている。而
して、手作業によって実装するものであるから、量産性
に著しく欠けるものであるのに加えて、ｌ５ＦＥＴチツ
プのゲート部は数μ〜数十μの微少な部分でかつ数千人
の薄膜であるため、傷つきやすく、微少な汚れによって
精度を悪くする傾向があり、従って手作業による実装方
法ではｌ５ＦＥＴセンサーの性能の均質性、信頼性を損
うことが多々あった。
Ｔ）のゲート部分を水溶液に接触させて液中のイオン（
Ｈ” 、 Ｎａ＋、 Ｋｊ ｅｔｃ ）をセンシングす
るものである。従って、実装に際してもゲートを外部に
露出する必要がある。このため、チップ全体を樹脂封止
する一般の半導体の実装方法を適用することができない
ので、従来は第１図に示すように、プラスチックチュー
ブ１の中にｌ５ＦＥＴチツプ２をマウントして、シリコ
ン樹脂３で固定し、しかる後ゲート０部分以外を手作業
によって接着剤を塗布するという方法によっている。而
して、手作業によって実装するものであるから、量産性
に著しく欠けるものであるのに加えて、ｌ５ＦＥＴチツ
プのゲート部は数μ〜数十μの微少な部分でかつ数千人
の薄膜であるため、傷つきやすく、微少な汚れによって
精度を悪くする傾向があり、従って手作業による実装方
法ではｌ５ＦＥＴセンサーの性能の均質性、信頼性を損
うことが多々あった。
ぐ発明の目的さ
そこで本発明は、量産性、信頼性高（ＩＳＦＥ’ｌ’セ
ンサーを樹脂封止できる実装方法を提供するものである
。
ンサーを樹脂封止できる実装方法を提供するものである
。
く発明の構成〉
間して本発明に係るＩ Ｓ Ｆ Ｅ ｉ’センサーの実
装方法は、基板にｌ５ＦＥＴナツプをマウントしたもの
を、キャビティ又は枠の中に形成された樹脂封入空間に
挿入すると共に、前記キャビティ又は枠の中に弾性材料
を組み入れて、該弾性材料自体で若しくはキャビティの
一部でｌ５ＦＥＴのゲート又はぞのＩ＋’；Ｉ囲を弾性
押圧して樹脂がゲート上に侵入しないようにし、しかる
後樹脂封入空間に樹脂を封入するようにしたことを要旨
としている。
装方法は、基板にｌ５ＦＥＴナツプをマウントしたもの
を、キャビティ又は枠の中に形成された樹脂封入空間に
挿入すると共に、前記キャビティ又は枠の中に弾性材料
を組み入れて、該弾性材料自体で若しくはキャビティの
一部でｌ５ＦＥＴのゲート又はぞのＩ＋’；Ｉ囲を弾性
押圧して樹脂がゲート上に侵入しないようにし、しかる
後樹脂封入空間に樹脂を封入するようにしたことを要旨
としている。
以下、本発明方法の実施例を図面に基ついて説明する。
〈実施例１ン
第２図において、１ｏは基板、１１は基板１０の端部片
ｉｒｕにマウントされたｌ５ＦＥＴチッフ；１２は内部
に樹脂八人空間Ａを有したギャビテーｒである。前記基
板１０はアルミナ、プリント板、フレキシブルフリント
板等からなり、片面には況焼付電極又はＣａ微細パター
ン配線が設けられている。この基板１０の右端にはリー
ド線１３が半田等で接続しである。
ｉｒｕにマウントされたｌ５ＦＥＴチッフ；１２は内部
に樹脂八人空間Ａを有したギャビテーｒである。前記基
板１０はアルミナ、プリント板、フレキシブルフリント
板等からなり、片面には況焼付電極又はＣａ微細パター
ン配線が設けられている。この基板１０の右端にはリー
ド線１３が半田等で接続しである。
また左端側にはその上にマウントされたｌ５ＦＥＴチツ
プ１１の電極と基板１０の電極との間を金属細線１４で
ワイヤボンディングしである。そして、ワイヤボンディ
ング部分を細線保護層１５でコートしである。また、ｌ
５ＦＥＴデツプ１１はゲート部１６を除き、その周囲が
パッシベーション膜１７でコートしである。
プ１１の電極と基板１０の電極との間を金属細線１４で
ワイヤボンディングしである。そして、ワイヤボンディ
ング部分を細線保護層１５でコートしである。また、ｌ
５ＦＥＴデツプ１１はゲート部１６を除き、その周囲が
パッシベーション膜１７でコートしである。
前記キャビティ１２は上下に２分割１８．１９され、そ
の間に弾性材料２０が組込まれている。上側キャビティ
１８と下側キャビティ１９の対向する箇所は樹脂封入空
間Ａ内に向けて膨出され、この膨出部分２１．２２が前
記弾性材料２０の弾性力によってＩ Ｓ Ｉ”ＥＴチッ
プ１１のゲート部分１６を適度な力で弾性押圧している
。この抑圧によって、樹脂を空間Ａに封入する除、樹脂
がゲート部１６に侵入するのを防止できる。尚この実施
例においては、下側キャビティの膨出部分２２であって
、ｌ５ＦＥＴのゲート部１６に対応する箇所に空＠２３
を形成し、ゲート部１６自体ハＪ１１１圧ゼず、その１
１＃１囲を押圧するようにしている。
の間に弾性材料２０が組込まれている。上側キャビティ
１８と下側キャビティ１９の対向する箇所は樹脂封入空
間Ａ内に向けて膨出され、この膨出部分２１．２２が前
記弾性材料２０の弾性力によってＩ Ｓ Ｉ”ＥＴチッ
プ１１のゲート部分１６を適度な力で弾性押圧している
。この抑圧によって、樹脂を空間Ａに封入する除、樹脂
がゲート部１６に侵入するのを防止できる。尚この実施
例においては、下側キャビティの膨出部分２２であって
、ｌ５ＦＥＴのゲート部１６に対応する箇所に空＠２３
を形成し、ゲート部１６自体ハＪ１１１圧ゼず、その１
１＃１囲を押圧するようにしている。
これは、キャビティ１２が通常金属で構成されるので、
ケート部を押圧することによる傷付きを避けるためであ
る。前記弾性相＊１２０は樹脂と接触する部分もあるた
め、ｉ＃ｊ熱性があり、かつ不活性なものとして例えば
シリコンゴムや硬質ポリウレタン等を用いるのがよい。
ケート部を押圧することによる傷付きを避けるためであ
る。前記弾性相＊１２０は樹脂と接触する部分もあるた
め、ｉ＃ｊ熱性があり、かつ不活性なものとして例えば
シリコンゴムや硬質ポリウレタン等を用いるのがよい。
樹脂封入空ｍ」Ａに樹脂を注入するには、上記の如＜
ｌ５ＦＥＴチツプのゲート部１６に樹脂が侵入しないよ
うにした状態とした後に行なう。樹脂の注入はキャビテ
ィ１２の側方に設りた導入孔２４より行なえはよい。樹
脂としては、態様耐湿性接着剤、有機系接着剤（例えば
エポキシ、シリコーン、ポリイシド、シリコーン−エポ
キシ、シリコーン・ポリイシド％）を用いることができ
る。注入した樹脂が硬化すれは、上側キャビティと、下
側キャビティを分離し、実装完了した構造体を取り出せ
ばよい。
ｌ５ＦＥＴチツプのゲート部１６に樹脂が侵入しないよ
うにした状態とした後に行なう。樹脂の注入はキャビテ
ィ１２の側方に設りた導入孔２４より行なえはよい。樹
脂としては、態様耐湿性接着剤、有機系接着剤（例えば
エポキシ、シリコーン、ポリイシド、シリコーン−エポ
キシ、シリコーン・ポリイシド％）を用いることができ
る。注入した樹脂が硬化すれは、上側キャビティと、下
側キャビティを分離し、実装完了した構造体を取り出せ
ばよい。
第３図乃至第７図は本発明の他の実ｌ１ｆｌｉ例を示す
。
。
そのうち第３図は、キャビティ１２には膨出部分を形成
せず、膨出部分と同様な働きをする挟圧部材５をウド性
材料で作り、それをキャビティ１２の中に組込んだもの
である。この場合挟圧部材部が弾力性があるため、ｌ５
ＦＥＴチツプのゲート部１６を傷イ・」けるおそれかな
いので、該ゲート部に直接抑圧作用させることができる
。挟圧部材２５の側面視図を第４図に示す。挟圧部材２
５の材料としては上記実施例と同様、シリコーンゴム等
を用いることができる。
せず、膨出部分と同様な働きをする挟圧部材５をウド性
材料で作り、それをキャビティ１２の中に組込んだもの
である。この場合挟圧部材部が弾力性があるため、ｌ５
ＦＥＴチツプのゲート部１６を傷イ・」けるおそれかな
いので、該ゲート部に直接抑圧作用させることができる
。挟圧部材２５の側面視図を第４図に示す。挟圧部材２
５の材料としては上記実施例と同様、シリコーンゴム等
を用いることができる。
第５図は、基板１ｏの一端を延長して基板の両端を上側
キャビティ１８と一ト側キャビテ伺９とで挾んで基板１
０の位置決めを行なった状態で、下側キャビディ１９の
中に組込んだ弾性材料からなる押圧部狗２６でｌ５ＦＥ
Ｔチツプのゲート部１６を押圧したものである。この実
施例では、基板１ｏがキャビティによって両端支持され
るので第３図に示したような挟圧部材が不要となるので
ある。尚、」二側キャビティと下側キャビティとの間に
は第２図に示したと同じ弾性材料２ｏが介在されている
。
キャビティ１８と一ト側キャビテ伺９とで挾んで基板１
０の位置決めを行なった状態で、下側キャビディ１９の
中に組込んだ弾性材料からなる押圧部狗２６でｌ５ＦＥ
Ｔチツプのゲート部１６を押圧したものである。この実
施例では、基板１ｏがキャビティによって両端支持され
るので第３図に示したような挟圧部材が不要となるので
ある。尚、」二側キャビティと下側キャビティとの間に
は第２図に示したと同じ弾性材料２ｏが介在されている
。
第６図及び第７図は上記各実施例と異なり、キＡヒデイ
を用いず、代りに枠２７を用いた実施例を示す。第６図
のものは、枠２７の中に、第２図に示したキャビティと
同様なル状に形成した弾性拐料羽を組込んだものである
。但し、騒出部勿２９．３０も弾性、にＩ刺でできてい
るため、ゲート部１６を傷付りるおそれがないので、直
接今一ト都１６を押圧するようにしている。
を用いず、代りに枠２７を用いた実施例を示す。第６図
のものは、枠２７の中に、第２図に示したキャビティと
同様なル状に形成した弾性拐料羽を組込んだものである
。但し、騒出部勿２９．３０も弾性、にＩ刺でできてい
るため、ゲート部１６を傷付りるおそれがないので、直
接今一ト都１６を押圧するようにしている。
第７図のものは、枠２７の中の一端に弾性材料３１を組
込み、この弾性材料３１の中にｌ５ＦＥＴチツプ月及び
基板１０の一端を差込んだものである。差込み徂（Ｊ１
ゲート都１６に樹脂が侵入し／ｉいよう適当に選ぶ必要
がある。
込み、この弾性材料３１の中にｌ５ＦＥＴチツプ月及び
基板１０の一端を差込んだものである。差込み徂（Ｊ１
ゲート都１６に樹脂が侵入し／ｉいよう適当に選ぶ必要
がある。
く発明の効果〉
Ｖ七に述べたように本発明に係るｌ５ＦＥｉ’センザー
の実装方法によれば、基板にｌ５ＦＥＴデツプをマウン
トしたものをキャヒテイ名しくは枠の中のイ貞Ｊ胆旧人
空間に挿入し、ゲート部に４１：ｊ Ｉｌｉが侵入しな
い状ｐシとした後、樹脂を封入空間に封入するものであ
るから、ゲート部を露出己ゼ、銭りを樹１１！ｆ ％−
ルドするという特殊な実装方法を手作業に頼ることなく
行なうことができる。従って、且産性に優れているし、
また弾性材料のキャビティ等への組込みによってゲート
部を傷付けたり、汚したりすることなく実装することが
できるため信頼性の高いセンサーを得ることができると
いった効果がある。
の実装方法によれば、基板にｌ５ＦＥＴデツプをマウン
トしたものをキャヒテイ名しくは枠の中のイ貞Ｊ胆旧人
空間に挿入し、ゲート部に４１：ｊ Ｉｌｉが侵入しな
い状ｐシとした後、樹脂を封入空間に封入するものであ
るから、ゲート部を露出己ゼ、銭りを樹１１！ｆ ％−
ルドするという特殊な実装方法を手作業に頼ることなく
行なうことができる。従って、且産性に優れているし、
また弾性材料のキャビティ等への組込みによってゲート
部を傷付けたり、汚したりすることなく実装することが
できるため信頼性の高いセンサーを得ることができると
いった効果がある。
第１図は従来の実装方法によって製作されたＩｓＢ −
Ｂ ＩＱ：面図、第４図は第３図中の挟圧部材を示す図
、第５図乃至第７図は夫々本発明の更に他の各実施例を
示す正面断面図である。 １０・・・基板、１１・・・ｌ５ＦＥＴチツプ、１２−
・・キャビティ、２７−・・枠、２０ 、２５ 、２６
、２８ 、３１・＝弾性材ＦＩ、Ａ・・・樹脂封入空
間。
Ｂ ＩＱ：面図、第４図は第３図中の挟圧部材を示す図
、第５図乃至第７図は夫々本発明の更に他の各実施例を
示す正面断面図である。 １０・・・基板、１１・・・ｌ５ＦＥＴチツプ、１２−
・・キャビティ、２７−・・枠、２０ 、２５ 、２６
、２８ 、３１・＝弾性材ＦＩ、Ａ・・・樹脂封入空
間。
Claims (1)
- 基板にｌ５ＦＥ１’チツプをマウントしたものを、キャ
ピティ又は枠の中に形成された樹脂封入空間に挿入する
と共に、前記キャピティ又は枠の中に弾性拐料を組み入
れて、該弾性材料自体で若しくはキャピティの一部でｌ
５ＦＥＴのゲート又はその周囲を弾性押圧して樹脂がゲ
ート上に侵入しないようにし、しかる後樹脂封入空間に
樹脂を封入するようにしたことを特徴とするＩｓ）’Ｅ
Ｔセンサーの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129157A JPS6020142A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ−の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129157A JPS6020142A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ−の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020142A true JPS6020142A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0331384B2 JPH0331384B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=15002548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129157A Granted JPS6020142A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ−の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020142A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5695577A (en) * | 1979-12-27 | 1981-08-03 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminium rough face plate |
| JPH0519066U (ja) * | 1990-12-19 | 1993-03-09 | 日産車体株式会社 | ガードバーの取付構造 |
| JP2014016231A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Isfetcom Co Ltd | ｐＨ計 |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58129157A patent/JPS6020142A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5695577A (en) * | 1979-12-27 | 1981-08-03 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminium rough face plate |
| JPS6052908B2 (ja) * | 1979-12-27 | 1985-11-21 | 昭和アルミニウム株式会社 | アルミニウム製粗面板の製造方法 |
| JPH0519066U (ja) * | 1990-12-19 | 1993-03-09 | 日産車体株式会社 | ガードバーの取付構造 |
| JP2014016231A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Isfetcom Co Ltd | ｐＨ計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0331384B2 (ja) | 1991-05-02 |
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