JPH1022407A - 半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH1022407A JPH1022407A JP8173487A JP17348796A JPH1022407A JP H1022407 A JPH1022407 A JP H1022407A JP 8173487 A JP8173487 A JP 8173487A JP 17348796 A JP17348796 A JP 17348796A JP H1022407 A JPH1022407 A JP H1022407A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 先端部の３辺に突起を設けることにより、箱
型中空樹脂成形パッケージとの一体成形後の電気的接続
部分におけるフラシュバリの発生を防止し、半導体素子
との電気的接続を良好にすることができる半導体装置の
リードフレームを提供する。 【解決手段】 リードフレーム１の先端部の平面部であ
る内部リード部２の３辺に設けられた突起３の先端を、
箱型中空樹脂成形金型４の金型面５に接触させれば、リ
ードフレーム１には湾曲により、突起３の先端を金型面
５に密着させる方向に弾性が生じかつ突起３は金型面５
と線接触するため、突起３の先端と溝７の底面との接触
部はシール性が高く、この状態で樹脂を空間６に注入す
れば、前記接触部からは、樹脂が内部リード部２に侵入
しないため、内部リード部２の電気的接続部分における
フラシュバリの発生を防止することになる。
型中空樹脂成形パッケージとの一体成形後の電気的接続
部分におけるフラシュバリの発生を防止し、半導体素子
との電気的接続を良好にすることができる半導体装置の
リードフレームを提供する。 【解決手段】 リードフレーム１の先端部の平面部であ
る内部リード部２の３辺に設けられた突起３の先端を、
箱型中空樹脂成形金型４の金型面５に接触させれば、リ
ードフレーム１には湾曲により、突起３の先端を金型面
５に密着させる方向に弾性が生じかつ突起３は金型面５
と線接触するため、突起３の先端と溝７の底面との接触
部はシール性が高く、この状態で樹脂を空間６に注入す
れば、前記接触部からは、樹脂が内部リード部２に侵入
しないため、内部リード部２の電気的接続部分における
フラシュバリの発生を防止することになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリー
ドフレーム、このリードフレームのインサート成形に用
いる箱型中空樹脂成形金型及びこのリードフレーム、金
型を用いた気密封止式半導体装置の製造方法に関するも
のである。
ドフレーム、このリードフレームのインサート成形に用
いる箱型中空樹脂成形金型及びこのリードフレーム、金
型を用いた気密封止式半導体装置の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、箱型中空樹脂成形パッケー
ジ、リードフレーム、半導体素子、ボンディングワイヤ
ー及び蓋材とを備えた気密封止式の半導体装置の製造方
法では、箱型中空樹脂成形パッケージとリードフレーム
とを一体成形する際には、インサート成形が一般的に用
いられる。このインサート成形は、リードフレームを金
型内に設置した後に金型内に樹脂を注入し、インジェク
ション成形やトランスファー成形により、リードフレー
ムと箱型中空樹脂成形パッケージとを一体化するもので
ある。
ジ、リードフレーム、半導体素子、ボンディングワイヤ
ー及び蓋材とを備えた気密封止式の半導体装置の製造方
法では、箱型中空樹脂成形パッケージとリードフレーム
とを一体成形する際には、インサート成形が一般的に用
いられる。このインサート成形は、リードフレームを金
型内に設置した後に金型内に樹脂を注入し、インジェク
ション成形やトランスファー成形により、リードフレー
ムと箱型中空樹脂成形パッケージとを一体化するもので
ある。
【０００３】しかしながら、このようなインサート成形
では、リードフレームの表面に樹脂のフラッシュバリが
形成されるため、リードフレームの表面と半導体素子と
の電気的接続を容易に行うことができないという問題が
あった。この問題を解決するために、前記フラッシュバ
リを除去してリードフレームと半導体素子との電気的接
続を容易にする方法が試みられている。例えば、砥粒を
用いてフラッシュバリを除去するブラスト法、液体を高
圧噴射してフラッシュバリを除去する方法、薬品を用い
てフラッシュバリを溶解剥離する方法がある。
では、リードフレームの表面に樹脂のフラッシュバリが
形成されるため、リードフレームの表面と半導体素子と
の電気的接続を容易に行うことができないという問題が
あった。この問題を解決するために、前記フラッシュバ
リを除去してリードフレームと半導体素子との電気的接
続を容易にする方法が試みられている。例えば、砥粒を
用いてフラッシュバリを除去するブラスト法、液体を高
圧噴射してフラッシュバリを除去する方法、薬品を用い
てフラッシュバリを溶解剥離する方法がある。
【０００４】また、フラッシュバリを除去する方法が特
開平７−１８３４１６号公報に開示されている。これ
は、リードフレームと対向する部分の金型表面の表面粗
さを０．５ないし２０μｍとして、フラッシュバリに凹
凸を設けることにより、フラッシュバリが完全に除去で
きることを特徴としている。また、フラッシュバリの発
生を防止する方法が特開平２−２２２５５２号公報に開
示されている。これは、リードフレームと対向する金型
のうちリードフレームとの接触予定面をテーパー状に突
出させることにより、金型とリードフレームとの接触圧
力を高めてフラッシュバリの発生を防止することを特徴
としている。
開平７−１８３４１６号公報に開示されている。これ
は、リードフレームと対向する部分の金型表面の表面粗
さを０．５ないし２０μｍとして、フラッシュバリに凹
凸を設けることにより、フラッシュバリが完全に除去で
きることを特徴としている。また、フラッシュバリの発
生を防止する方法が特開平２−２２２５５２号公報に開
示されている。これは、リードフレームと対向する金型
のうちリードフレームとの接触予定面をテーパー状に突
出させることにより、金型とリードフレームとの接触圧
力を高めてフラッシュバリの発生を防止することを特徴
としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ブ
ラスト法では、樹脂モールド部の表面が砥粒で損傷する
ため樹脂モールド部分の表面をマスキングしなければな
らず、製造工程が複雑になるという問題があった。
ラスト法では、樹脂モールド部の表面が砥粒で損傷する
ため樹脂モールド部分の表面をマスキングしなければな
らず、製造工程が複雑になるという問題があった。
【０００６】また、前記液体を高圧噴射する方法では、
リードフレームの表裏を２回処理しなければならず処理
に手間がかかり、噴射するためのノズルが２個以上必要
となり、複雑な構造の高圧液体噴射装置を必要とすると
いう問題があった。
リードフレームの表裏を２回処理しなければならず処理
に手間がかかり、噴射するためのノズルが２個以上必要
となり、複雑な構造の高圧液体噴射装置を必要とすると
いう問題があった。
【０００７】また、前記薬品を用いて溶解剥離する方法
では、フラッシュバリを完全に除去することは極めて困
難であり、さらにブラッシングあるいは前記液体を高圧
噴射する方法を併用する必要があるため、前記の方法と
同様に製造工程が複雑になるという問題があった。
では、フラッシュバリを完全に除去することは極めて困
難であり、さらにブラッシングあるいは前記液体を高圧
噴射する方法を併用する必要があるため、前記の方法と
同様に製造工程が複雑になるという問題があった。
【０００８】また、前記特開平７−１８３４１６号公
報、特開平２−２２２５５２号公報に開示されている方
法では、成形時には金型とリードフレームとは面接触と
なる。面接触の場合は金型とリードフレームの間に樹脂
が入り込まないためには、金型とリードフレームの平面
度には高精度が必要であるという問題があった。
報、特開平２−２２２５５２号公報に開示されている方
法では、成形時には金型とリードフレームとは面接触と
なる。面接触の場合は金型とリードフレームの間に樹脂
が入り込まないためには、金型とリードフレームの平面
度には高精度が必要であるという問題があった。
【０００９】本発明は、前記の問題を解決するものであ
り、リードフレームの電気的接続部分におけるフラッシ
ュバリの発生を防止し、リードフレームと半導体素子と
の電気的接続を良好にするリードフレーム、箱型樹脂成
型用金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
り、リードフレームの電気的接続部分におけるフラッシ
ュバリの発生を防止し、リードフレームと半導体素子と
の電気的接続を良好にするリードフレーム、箱型樹脂成
型用金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のリードフレームは、先端部の３辺に突起が
設けられていることを特徴とする。
に、本発明のリードフレームは、先端部の３辺に突起が
設けられていることを特徴とする。
【００１１】前記リードフレームによれば、成形時に前
記リードフレームの突起の先端と金型とを線接触させる
ことができる。このため、従来のような面接触するもの
と比較すると、接触部分は高いシール性能を確保するこ
とができる。
記リードフレームの突起の先端と金型とを線接触させる
ことができる。このため、従来のような面接触するもの
と比較すると、接触部分は高いシール性能を確保するこ
とができる。
【００１２】また、本発明の半導体装置の第一の製造方
法は、前記リードフレームを用いる方法であり、リード
フレームと箱型中空樹脂成形パッケージとの一体成形時
には、前記リードフレームの突起の先端を箱型中空樹脂
成形金型に接触させた状態で樹脂を注入することを特徴
とする。
法は、前記リードフレームを用いる方法であり、リード
フレームと箱型中空樹脂成形パッケージとの一体成形時
には、前記リードフレームの突起の先端を箱型中空樹脂
成形金型に接触させた状態で樹脂を注入することを特徴
とする。
【００１３】前記製造方法によれば、リードフレームの
突起の先端を線接触により金型面に密着させることがで
きるため、突起の先端と金型面との接触部からは、内部
リード部へ樹脂が侵入することはない。このため、リー
ドフレーム表面の電気的接続位置にフラッシュバリが発
生することはなく、リードフレームと半導体素子との電
気的接続を良好に行うことができる。
突起の先端を線接触により金型面に密着させることがで
きるため、突起の先端と金型面との接触部からは、内部
リード部へ樹脂が侵入することはない。このため、リー
ドフレーム表面の電気的接続位置にフラッシュバリが発
生することはなく、リードフレームと半導体素子との電
気的接続を良好に行うことができる。
【００１４】また、本発明の箱型中空樹脂成形金型は、
前記リードフレームの突起を収納する溝が設けられ、前
記溝の深さ寸法が前記リードフレームの突起の高さ寸法
より小さいことを特徴とする。
前記リードフレームの突起を収納する溝が設けられ、前
記溝の深さ寸法が前記リードフレームの突起の高さ寸法
より小さいことを特徴とする。
【００１５】前記金型によれば、従来の金型を用いた場
合と同様に前記リードフレームの突起の先端と金型とを
線接触させることができ、さらに前記リードフレームの
開口部の面積を小さくすることができる。このため、従
来の金型を用いた場合と比較すると、前記開口部からの
樹脂の侵入を少なくすることができる。
合と同様に前記リードフレームの突起の先端と金型とを
線接触させることができ、さらに前記リードフレームの
開口部の面積を小さくすることができる。このため、従
来の金型を用いた場合と比較すると、前記開口部からの
樹脂の侵入を少なくすることができる。
【００１６】次に、本発明の半導体装置の第二の製造方
法は、前記リードフレームと前記溝付き箱型中空樹脂成
形金型を用いる方法であり、前記リードフレームと箱型
中空樹脂成形パッケージとの一体成形時には、前記リー
ドフレームの突起を前記溝付き箱型中空樹脂成形金型の
溝に収納させ、かつ前記リードフレームの突起の先端を
前記溝の底面に接触させた状態で樹脂を注入することを
特徴とする。
法は、前記リードフレームと前記溝付き箱型中空樹脂成
形金型を用いる方法であり、前記リードフレームと箱型
中空樹脂成形パッケージとの一体成形時には、前記リー
ドフレームの突起を前記溝付き箱型中空樹脂成形金型の
溝に収納させ、かつ前記リードフレームの突起の先端を
前記溝の底面に接触させた状態で樹脂を注入することを
特徴とする。
【００１７】前記製造方法によれば、開口部からの樹脂
の侵入を従来の金型を用いた場合と比較するとより少な
くすることができるため、第一の製造方法による効果に
加えて、開口部付近のフラッシュバリが発生をより少な
くすることができる。
の侵入を従来の金型を用いた場合と比較するとより少な
くすることができるため、第一の製造方法による効果に
加えて、開口部付近のフラッシュバリが発生をより少な
くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を用いて製造工程順に説明する。
て、図面を用いて製造工程順に説明する。
【００１９】第一工程では、インサート成形によってリ
ードフレーム１と一体となった箱型中空樹脂成形パッケ
ージを得る。図１に本発明のリードフレームの一実施形
態の斜視図を示している。内部リード部２（リードフレ
ーム１の先端部の平面部）の３辺には突起３が設けられ
ている。リードフレーム１の突起３の高さは、リードフ
レームの材質、板厚により異なるが、１０〜２００μｍ
の範囲内が好ましい。突起３はリードフレーム１のパタ
ーンを金型によって打ち抜き成形する際に同時に形成す
ることができる。
ードフレーム１と一体となった箱型中空樹脂成形パッケ
ージを得る。図１に本発明のリードフレームの一実施形
態の斜視図を示している。内部リード部２（リードフレ
ーム１の先端部の平面部）の３辺には突起３が設けられ
ている。リードフレーム１の突起３の高さは、リードフ
レームの材質、板厚により異なるが、１０〜２００μｍ
の範囲内が好ましい。突起３はリードフレーム１のパタ
ーンを金型によって打ち抜き成形する際に同時に形成す
ることができる。
【００２０】以下、インサート成形について従来の箱型
中空樹脂成形金型を用いた場合と、本発明の箱型中空樹
脂成形金型を用いた場合とに分けて説明する。まず、従
来の箱型中空樹脂成形金型を用いた場合について説明す
る。図２は本発明のリードフレーム１を箱型中空樹脂成
形金型４内に設置した状態（樹脂注入前）の断面図であ
る。金型内に前記リードフレーム１を設置した状態は、
前記リードフレーム１の突起３の先端部は、金型面５と
接触している。このため、リードフレーム１の内部リー
ド部２は金型面５とは接触していない。したがって、リ
ードフレーム１は金型４に設置した状態では水平とはな
らず、突起３の高さに相当する分だけ湾曲することにな
る。この湾曲によるリードフレーム１の弾性によって、
突起３は金型面５に密着する方向に加圧された状態で接
触していることになる。この接触は、突起３の先端部分
のみが金型面５に接触する線接触である。突起３を持た
ないリードフレームであれば、リードフレームの幅全体
が金型に接触する面接触となる。線接触と面接触とを比
較すると、線接触の場合は接触面積が著しく狭いため同
一の力を加えたとしても接触圧力は面接触より高く、接
触部が金型に密着するためには、面接触ほどの精度は必
要とされない。したがって、同等の加工精度であれば線
接触の方が、高いシール性能を確保することができる。
中空樹脂成形金型を用いた場合と、本発明の箱型中空樹
脂成形金型を用いた場合とに分けて説明する。まず、従
来の箱型中空樹脂成形金型を用いた場合について説明す
る。図２は本発明のリードフレーム１を箱型中空樹脂成
形金型４内に設置した状態（樹脂注入前）の断面図であ
る。金型内に前記リードフレーム１を設置した状態は、
前記リードフレーム１の突起３の先端部は、金型面５と
接触している。このため、リードフレーム１の内部リー
ド部２は金型面５とは接触していない。したがって、リ
ードフレーム１は金型４に設置した状態では水平とはな
らず、突起３の高さに相当する分だけ湾曲することにな
る。この湾曲によるリードフレーム１の弾性によって、
突起３は金型面５に密着する方向に加圧された状態で接
触していることになる。この接触は、突起３の先端部分
のみが金型面５に接触する線接触である。突起３を持た
ないリードフレームであれば、リードフレームの幅全体
が金型に接触する面接触となる。線接触と面接触とを比
較すると、線接触の場合は接触面積が著しく狭いため同
一の力を加えたとしても接触圧力は面接触より高く、接
触部が金型に密着するためには、面接触ほどの精度は必
要とされない。したがって、同等の加工精度であれば線
接触の方が、高いシール性能を確保することができる。
【００２１】この状態で樹脂を金型内の空間６に注入
し、インサート成形を行う。この場合、前記したように
突起３の先端は金型面５と密着しているため、突起３の
先端と金型面５との接触部からは、内部リード部２へ樹
脂が侵入することはない。
し、インサート成形を行う。この場合、前記したように
突起３の先端は金型面５と密着しているため、突起３の
先端と金型面５との接触部からは、内部リード部２へ樹
脂が侵入することはない。
【００２２】ただし、内部リード部２のうち突起３で囲
まれていない部分である開口部２ａについては、樹脂が
侵入し得ることになる。しかし、突起３の高さが前記し
た範囲内であれば、樹脂の侵入は僅かであり、図６を用
いて後に説明するボンディングワイヤの接続位置まで樹
脂が侵入することはない。したがって、ボンディングワ
イヤ接続位置にフラッシュバリが発生することはなく、
ボンディングワイヤを介してリードフレームと半導体素
子との電気的接続を良好に行うことができる。
まれていない部分である開口部２ａについては、樹脂が
侵入し得ることになる。しかし、突起３の高さが前記し
た範囲内であれば、樹脂の侵入は僅かであり、図６を用
いて後に説明するボンディングワイヤの接続位置まで樹
脂が侵入することはない。したがって、ボンディングワ
イヤ接続位置にフラッシュバリが発生することはなく、
ボンディングワイヤを介してリードフレームと半導体素
子との電気的接続を良好に行うことができる。
【００２３】次に、本発明の金型を用いて、インサート
成形した場合について説明する。図３は、本発明の箱型
中空樹脂成形金型の一実施形態の斜視図を示す。４ａは
金型本体、７はリードフレーム１の突起３が収納される
溝である。図４は、リードフレーム１を溝７に収納し、
金型本体４ａに設置した状態（樹脂注入前）の断面図で
ある。従来例と同様に、この状態で樹脂を金型内の空間
６に注入し、インサート成形を行う。
成形した場合について説明する。図３は、本発明の箱型
中空樹脂成形金型の一実施形態の斜視図を示す。４ａは
金型本体、７はリードフレーム１の突起３が収納される
溝である。図４は、リードフレーム１を溝７に収納し、
金型本体４ａに設置した状態（樹脂注入前）の断面図で
ある。従来例と同様に、この状態で樹脂を金型内の空間
６に注入し、インサート成形を行う。
【００２４】図５を用いて、内部リード部２と金型面
５、溝７との位置関係を説明する。図５はリードフレー
ム１を金型本体４ａに設置した状態の内部リード部２に
おける断面図である。突起３は、溝７に収納され、かつ
突起３の先端は、溝７の底面に接触している。溝７の深
さ寸法Ａは突起３の高さ寸法Ｂより小さい。このため、
内部リード部２と金型面５との間には寸法Ｃ（Ｃ＝Ｂ−
Ａ）の隙間がある。内部リード部２と金型面５が面接触
している状態、すなわち隙間Ｃがゼロの状態では、リー
ドフレーム１は水平であり、リードフレーム１には弾性
は生じない。本実施形態では、隙間寸法Ｃが確保されて
いることによって、リードフレーム１には弾性が生じて
いる。この弾性によって、突起３の先端が溝７の底面に
密着する方向に力が加わっていることになる。このた
め、突起３の先端と溝７の底面との接触部はシール性が
高く、この接触部からは、樹脂がリードフレーム１の平
面部２側に侵入することはない。
５、溝７との位置関係を説明する。図５はリードフレー
ム１を金型本体４ａに設置した状態の内部リード部２に
おける断面図である。突起３は、溝７に収納され、かつ
突起３の先端は、溝７の底面に接触している。溝７の深
さ寸法Ａは突起３の高さ寸法Ｂより小さい。このため、
内部リード部２と金型面５との間には寸法Ｃ（Ｃ＝Ｂ−
Ａ）の隙間がある。内部リード部２と金型面５が面接触
している状態、すなわち隙間Ｃがゼロの状態では、リー
ドフレーム１は水平であり、リードフレーム１には弾性
は生じない。本実施形態では、隙間寸法Ｃが確保されて
いることによって、リードフレーム１には弾性が生じて
いる。この弾性によって、突起３の先端が溝７の底面に
密着する方向に力が加わっていることになる。このた
め、突起３の先端と溝７の底面との接触部はシール性が
高く、この接触部からは、樹脂がリードフレーム１の平
面部２側に侵入することはない。
【００２５】また、本金型を用いた場合にも、従来の金
型を用いた場合と同様に、突起３の金型面５への接触
は、線接触である。したがって、従来の金型を用いた場
合と同様に、接触部が金型に密着するためには、面接触
ほどの精度は必要とされない。
型を用いた場合と同様に、突起３の金型面５への接触
は、線接触である。したがって、従来の金型を用いた場
合と同様に、接触部が金型に密着するためには、面接触
ほどの精度は必要とされない。
【００２６】従来の金型を用いた場合と同様に、開口部
２ａから樹脂が侵入し得る。この開口部２ａの高さは、
従来の金型を用いた場合には、突起３の高さ寸法Ｂであ
るのに対して、本発明の金型を用いた場合には隙間寸法
Ｃとなる。寸法Ｃは突起３の高さＢよりは小さいため、
従来の金型を用いたものと比較すると樹脂の侵入は少な
い。したがって、本発明の金型を用いた場合には、従来
の金型を用いた場合の効果に加えて、開口部からの樹脂
の侵入は従来の金型を用いた場合と比較すると少ないと
いう効果がある。
２ａから樹脂が侵入し得る。この開口部２ａの高さは、
従来の金型を用いた場合には、突起３の高さ寸法Ｂであ
るのに対して、本発明の金型を用いた場合には隙間寸法
Ｃとなる。寸法Ｃは突起３の高さＢよりは小さいため、
従来の金型を用いたものと比較すると樹脂の侵入は少な
い。したがって、本発明の金型を用いた場合には、従来
の金型を用いた場合の効果に加えて、開口部からの樹脂
の侵入は従来の金型を用いた場合と比較すると少ないと
いう効果がある。
【００２７】なお、本発明における箱型中空樹脂成形パ
ッケージを構成する樹脂は耐熱性樹脂が好ましい。耐熱
性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの
熱硬化性樹脂あるいはポリフェニレンサルファイド（Ｐ
ＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの
熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂を用いる場合
には、硬化剤、硬化促進剤及び充填剤などを含ませる。
ッケージを構成する樹脂は耐熱性樹脂が好ましい。耐熱
性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの
熱硬化性樹脂あるいはポリフェニレンサルファイド（Ｐ
ＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの
熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂を用いる場合
には、硬化剤、硬化促進剤及び充填剤などを含ませる。
【００２８】以下、第二、第三工程について説明する。
これらは、半導体装置を最終的に完成させるために必要
な工程ではあるが、従来と同様の工程である。また、従
来の箱型中空樹脂成形金型を用いた場合でも、本発明の
箱型中空樹脂成形金型を用いた場合でも、本工程につい
ては同様である。
これらは、半導体装置を最終的に完成させるために必要
な工程ではあるが、従来と同様の工程である。また、従
来の箱型中空樹脂成形金型を用いた場合でも、本発明の
箱型中空樹脂成形金型を用いた場合でも、本工程につい
ては同様である。
【００２９】第二工程では、箱型中空樹脂成形パッケー
ジ６ａの凹部８に半導体素子９をダイスボンドした後
に、半導体素子９の電極パッド１０とリードフレーム１
とをワイヤーボンドする。半導体素子９の具体例とし
て、ＣＣＤイメージセンサー、ＭＯＳイメージセンサー
などの固体撮像素子がある。また、前記ワイヤーボンデ
ィングにより半導体素子９の電極パッド１０とリードフ
レーム１とは、ボンディングワイヤー１１を介して電気
的に接続される。ボンディングワイヤー１１には、金
線、アルミニウム線などがある。
ジ６ａの凹部８に半導体素子９をダイスボンドした後
に、半導体素子９の電極パッド１０とリードフレーム１
とをワイヤーボンドする。半導体素子９の具体例とし
て、ＣＣＤイメージセンサー、ＭＯＳイメージセンサー
などの固体撮像素子がある。また、前記ワイヤーボンデ
ィングにより半導体素子９の電極パッド１０とリードフ
レーム１とは、ボンディングワイヤー１１を介して電気
的に接続される。ボンディングワイヤー１１には、金
線、アルミニウム線などがある。
【００３０】なお、第一工程のインサート成形によっ
て、リードフレーム１上のボンディングワイヤーの接続
部分については、フラッシュバリが発生していない。こ
のため、リードフレーム１と半導体素子９とはボンディ
ングワイヤー１１を介して確実に電気的接続を行うこと
ができる。
て、リードフレーム１上のボンディングワイヤーの接続
部分については、フラッシュバリが発生していない。こ
のため、リードフレーム１と半導体素子９とはボンディ
ングワイヤー１１を介して確実に電気的接続を行うこと
ができる。
【００３１】第三工程では、前記箱型中空樹脂成形パッ
ケージ６ａの凹部８に蓋材１２を接着して、箱型中空樹
脂成形パッケージ６ａの凹部８全体を密閉する。本発明
に用いられる蓋材１２には公知の蓋材を用いる。具体的
には、石英ガラス板、透明プラスチック板、透明アクリ
ル板などの透明蓋材である。また、前記蓋材を前記箱型
中空樹脂成形パッケージに接着する際に用いられる接着
剤には、エポキシ系の熱硬化性接着剤や紫外線硬化性接
着剤などある。
ケージ６ａの凹部８に蓋材１２を接着して、箱型中空樹
脂成形パッケージ６ａの凹部８全体を密閉する。本発明
に用いられる蓋材１２には公知の蓋材を用いる。具体的
には、石英ガラス板、透明プラスチック板、透明アクリ
ル板などの透明蓋材である。また、前記蓋材を前記箱型
中空樹脂成形パッケージに接着する際に用いられる接着
剤には、エポキシ系の熱硬化性接着剤や紫外線硬化性接
着剤などある。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明のリードフレーム
によれば、先端部の３辺に突起が設けられていることに
より、成形時における前記突起の先端と金型との接触部
分は高いシール性能を確保することができる。
によれば、先端部の３辺に突起が設けられていることに
より、成形時における前記突起の先端と金型との接触部
分は高いシール性能を確保することができる。
【００３３】また、本発明のリードフレームを用いた半
導体装置の製造方法によれば、リードフレームの電気的
接続部分にフラッシュバリが発生することはなく、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を良好に行うこ
とができる。
導体装置の製造方法によれば、リードフレームの電気的
接続部分にフラッシュバリが発生することはなく、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を良好に行うこ
とができる。
【００３４】また、本発明の箱型中空樹脂成形金型によ
れば、前記リードフレームの突起を収納する溝が設けら
れているため、リードフレームの開口部からの樹脂の侵
入を少なくすることができる。
れば、前記リードフレームの突起を収納する溝が設けら
れているため、リードフレームの開口部からの樹脂の侵
入を少なくすることができる。
【００３５】また、本発明のリードフレームと溝付きの
箱型中空樹脂成形金型を用いた半導体装置の製造方法に
よれば、従来の金型を用いた場合と比較するとリードフ
レームの開口部付近のフラッシュバリの発生をより少な
くすることができる。
箱型中空樹脂成形金型を用いた半導体装置の製造方法に
よれば、従来の金型を用いた場合と比較するとリードフ
レームの開口部付近のフラッシュバリの発生をより少な
くすることができる。
【図１】本発明のリードフレームの一実施形態の斜視図
【図２】本発明のリードフレームを金型に設置した状態
の一実施形態の断面図
の一実施形態の断面図
【図３】本発明の箱型中空樹脂成形金型の一実施形態の
斜視図
斜視図
【図４】本発明のリードフレームを本発明の溝付き金型
に設置した状態の一実施形態の断面図
に設置した状態の一実施形態の断面図
【図５】本発明の溝付き金型の溝に本発明のリードフレ
ームを設置した状態の一実施形態の断面図
ームを設置した状態の一実施形態の断面図
【図６】本発明の製造方法により得られる半導体装置の
一実施形態の断面図
一実施形態の断面図
１ リードフレーム ２ 内部リード部 ２ａ 開口部 ３ 突起 ４，４ａ 箱型中空樹脂成形金型 ５ リードフレームに接触する金型面 ６ 樹脂を注入する空間 ６ａ 箱型中空樹脂成形パッケージ ７ リードフレームの突起を収納する溝 ８ パッケージの凹部 ９ 半導体素子 １０ 電極パッド １１ ボンディングワイヤー １２ 蓋材 １３ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｔ Ｂ 23/50 23/50 Ｋ // Ｂ２９Ｋ 105:22 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置を構成する箱型中空樹脂成形
パッケージと一体成形されるリードフレームであって、
前記リードフレームの先端部の３辺に突起が設けられて
いることを特徴とする半導体装置のリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームと箱型中
空樹脂成形パッケージとを箱型中空樹脂成形金型を用い
て一体成形する工程を含む半導体装置の製造方法であっ
て、前記一体成形時には、前記リードフレームの突起の
先端を前記箱型中空樹脂成形金型に接触させた状態で樹
脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置のリードフレ
ームと箱型中空樹脂成形パッケージとを一体成形する際
に用いられる箱型中空樹脂成形金型であって、前記リー
ドフレームの突起を収納する溝が設けられ、前記溝の深
さ寸法が前記リードフレームの突起の高さ寸法より小さ
いことを特徴とする箱型中空樹脂成形金型。 - 【請求項４】 請求項３記載の箱型中空樹脂成形金型を
用いて、請求項１記載のリードフレームと箱型中空樹脂
成形パッケージとを一体成形する工程を含む半導体装置
の製造方法であって、前記一体成形時には、前記リード
フレームの突起を前記箱型中空樹脂成形金型の溝に収納
させ、かつ前記リードフレームの突起の先端を前記溝の
底面に接触させた状態で樹脂を注入することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173487A JPH1022407A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173487A JPH1022407A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022407A true JPH1022407A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15961424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8173487A Pending JPH1022407A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11297450A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Nippon Abs Ltd | 端子のボンディング面の保護方法および電子機器ハウジング |
| JPH11297448A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Yazaki Corp | コネクタ一体型ケースの成形方法及びこの成形方法に用いられる型構造 |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP8173487A patent/JPH1022407A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11297450A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Nippon Abs Ltd | 端子のボンディング面の保護方法および電子機器ハウジング |
| JPH11297448A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Yazaki Corp | コネクタ一体型ケースの成形方法及びこの成形方法に用いられる型構造 |
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