JPS60188965A - 電子写真による画像形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真による画像形成法、特にアモルファス
シリコン（以下ａ−５ｉという）を感光体として採用し
た場合に、形成画像の劣化原因を無くす方法に関する。

電子写真は、電子複写機・ノンインパクトプリンタ（例
えばＣＲＴプリンタやレーザビームプリンタ）・レーザ
ファクシミリなどに応用されているもので、その画像形
成工程は以下のようなものである。第１図に示す電子写
真装置で、矢示方向に回転する感光体ｌに帯電器２で一
様に帯電し、画像光３を照射すると、静電潜像が形成さ
れる。

なお静電潜像が形成されない非画像域はブランク露光光
８が照射される。静電潜像は現像器４で現像され、その
現像像は帯電器５で転写紙Ｐに転写される。感光体ｌは
残留現像剤をクリーナ６で清掃され、均一光７を照射（
前露光）されて残留電荷を短絡消滅（除電）して１次回
の画像形成に備える。

このような電子写真で、セレン（Ｓｅ）・有機光導′毛
体　（ＯＰＣ）　拳ａ−３ｉなどの感光体を用いたもの
は、画像形成した際の像メモリが感光体内に残り、次に
形成した画像の劣化原因となる。

この像メモリにはその原因からみて下記の２種類がある
と考えられている。

（１）帯電メモリ　帯電によって起るもので、現象とし
ては、静電潜像形成後除電されなかった表面電位に対応
する。

（２）光メモリ　露光によって起るもので、現象として
は、前回の画像形成工程で露光された部分に捕獲（トラ
ップ）されたキャリアが残り潜像形成工程の帯電による
表面電位に露光されなかった部分との差が生ずることに
対応する。

これらのメモリにより複写画像に現れるＣ談はゴースト
と呼ばれていて、画像をみにくいものにしている。　ａ
−Ｓｉ組成（水素或はホウ素をドープしたもの、又はド
ープしていないもの）の感光体においては（１）の帯電
メモリは非常に小さく（２）の光メモリが問題となる。

従来の工程で画像形成したときの光メモリの状態につい
て、一連の実験結果を、以下に述べる。

実験は先ず前記の工程に従い、画像と熱像を形成してか
ら、次に中間調濃度の灰色像を形成する。

従って、第２図に示すように、前回の画像Ｗと熱像Ｂ２
が形成された位置と重なる位置に灰色像Ｇを形成するこ
とになる。そして灰色像を形成するときに、表面電位計
１０で画像Ｗが形成されていた位置と熱像Ｂが形成され
ていた位置の電位差を測定し、光メモリ電位として評価
する。

画像Ｗと熱像Ｂとが形成された工程での、除電のための
前露光７の光量が一定でも、波長が変化すれば、光メモ
リ電位が変化する。前露光光量を３１ｕｘ−ｓｅｃにし
たとき、光メモリ電位変化曲線を第３図に点線示してい
る。Ｂ−８ｉ艷感光の分光感度が最大になる波［＋（６
９５ｎｍ）に近い７ＧＯｎ＋ｍで前露光するとき、最小
エネルギで最大除電効率を得られるため、光メモリは最
小になっている。前露光にこれ以北の長波長光を照射す
ると、感光体ｌの光生成゛１［荷の蓄積効率が高くなり
すぎ光メモリとなる。逆に短波長光では、感光体ｌの表
面層近傍で光吸収が生じ表面の正電荷だけを打ち消すが
、内部深くにトラップされたキャリアを消去することが
できない、その結果ゴーストは消去しきれないことにな
る。

前露光の波長により除電効率が異なり残留電荷が変るか
ら、次回の画像形成工程で、帯電器２による一様帯電の
電圧を一定にしようとすると、帯電電流も変化する。そ
の変化曲線を同じく第３ｒｊ４に実線で示している。光
メモリを消去するために、長波長光で前露光すると、一
様帯電の電流を大きくする必黄が生ずる。同図でも解る
ように、波長７ＧＯｎ＋ｍで前露光すると、一様帯電の
電流は１０００＃ＬＡを越えてしまう、このような大’
ｌｕ　ｌｆｔになると、オゾンの発生量が多くなり、（
：２電線から＋Ｌｉ：流がリークしたりする危険がある
。また帯電器２の電源トランスの許容電流量を大きくし
なければならないと八に、消費電力も多くなって、不経
済である。

一方、前露光７の露光量が変化すると、その波長が一定
でも、光メモリ電位が変化する。前露光の波長が７０（
ｌｎｍのときの、光量による光メモリ電位変化曲線を第
４図に点線で示している。また一様帯電電圧を一定にし
ようとすると、前露光光量により残留電荷が異なるから
、帯電電流も変化する。その変化曲線を同じく第４図に
実線で示している。前露光光Ｊ７１が大きければ、光メ
モリ電位は小さくなる。前露光光量を３１ｕｘ−ｓｅｃ
にしたとき光メモリ電位は充分に小さいが、一様帯電電
流が１１４５μＡと大きくなでしまうため、前記と同じ
弊害が起る。前露光光量をｌｌｏｇ−ｓｅｃにすると、
一様帯電１し流を２５０．Ａ減少するが、光メモリを充
分無くすことができないので適当でない。

また光メモリを無くすために、前露光の波長を長くした
り、光；Ｉ（を多くすると、暗減衰（熱像の静電潜像電
位の低下）が大きくなるという不都合もある。

本発明は１ユ記の自体に鑑みなされたもので、光メモリ
を充分に消滅させても別の障害が起ることなく、形成画
像が極めて鮮明になる、画像形成法を提供することを目
的とする。

このＩＩ的を達成するため本発明は、アモルファスシリ
コン感光体を一様に帯電させ、帯電された該感光体に画
像露光して、静電潜像を形成する工ｌｌＩを含む、電子
写真による画像形成法に於て、画像形成に先立ち、該感
光体を前記一様帯電と同極性に帯電してから、均一に露
光し、前回の画像形成での該感光体の像メモリを消去す
る工程を含むことを特徴とする画像形成法である。

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図に示す電子写真装置で、ａ−Ｓｉ感光体１を矢示
方向に回転させながら、画像形成してゆ〈。

感光体ｌに帯電器２で一様帯電するところから、転写紙
Ｐに現像像を転写し、残留現像剤をクリーナ６で清掃す
るまでの工程は、前記従来の工程と同一であるから、再
度の説明を省略する。清掃された感光体１は帯電器１２
で前帯電する。次に、前露光光７を照射して、光メモリ
・残留電荷を消滅させる。しかる後、次回の画像形成工
程の一様帯電に入る。

前露光の波長・光量が一定であったとしても、前帯電の
帯電電流によって、光メモリ電位が変化する。前露光の
波長が７００ｎｒｘ　、光量がＩ　１ｕｘ−ｓｅｅのと
きの光メモリ電位変化曲線を第５図に点線で示している
。また一様帯電の電圧を一定にしようとすると、前帯電
により残留電荷が異なるから、一様帯電のための電流も
変化する。その変化曲線を同じく第５図に実線で示して
いる。前帯電の極性を、一様４１′Ｆ電の極性と同一に
し、その電流を８００Ｊｉ、Ａにすると、従来の実施例
のとき（前帯電電流０＃ＬＡ）より、光メモリ電位差は
２５Ｖ減少する。

またそのときの一様帯電のための電流も２５トＡ減少す
る。前露光光量を３１ｕｘ−ｓｅａからｆｌｕｘ−ｓｅ
ｃに減らしたため、光メモリ電位は１５Ｖ増え、一様帯
電のための電波も　２５０１ＬＡ減少している（第４図
参照）６合計としては、従来の前露光の波長が７００ｎ
ｍ　、光ｊｌｒが３１ｕｘ−ｓｅｅのときときと比べる
と、光メモリ電位はＩＯＶ減り、一様帯電のための電流
も２７５ｐＬＡ減少したことになる。

このように、本発明の画像形成法によれば、光メモリを
充分に無くしても、次回の画像形成の一様帯電電流がさ
ほど増加しないので、オゾンの発生や電流リークの危険
がない、同時に大電流を流すための部品の大型化・不経
済を防止できる。また前露光の光量が少なくてもすむか
ら１次回の画像形成で、暗減衰が増加することもない、
　従って、ゴースト像が完全に無くなり、鮮明な画像か
えられ、しかも安全で経済的なものとなる６なお、本発
明の画像形成法は、電子写真法を応用した電子複写機・
ノンインパクトプリンタφレーザファクシミリなどに巾
広く適用されるものである。

【図面の簡単な説明】

ｔＪＩＪ１図は本発明を実施するに適した電子写真装置
、第２図は画像の状Ｅ；を説り１する図、第３図・第４
図・第５図は夫々前露光波長・ｒｉｉｊ霞光Ｘ開光Ｘ量
電電流と光メモリ・一様帯電電流との関係を示す図であ
る。 １はアモルファスシリコン感光体、２は一様帯電器、３
は画像露光光、７は前露光光、１２は前帯電器である。 特許出願人　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アモルファスシリコン感光体を一様に帯電させ、
   帯電された該感光体に画像露光して、静電潜像を形成す
   る工程を含む、電子写真による画像形成法に於て、 画像形成に先立ち、該感光体を前記一様帯電と同極性に
   帯電してから、均一に露光し。 前回の画像形成での該感光体の像メモリを消去する工程
   を含むことを特徴とする画像形成法。