JPS60180999A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成方法Info
- Publication number
- JPS60180999A JPS60180999A JP59033473A JP3347384A JPS60180999A JP S60180999 A JPS60180999 A JP S60180999A JP 59033473 A JP59033473 A JP 59033473A JP 3347384 A JP3347384 A JP 3347384A JP S60180999 A JPS60180999 A JP S60180999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- substrate
- gas
- frequency plasma
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水素ガス雰囲気中で炭化水素を熱分解するこ
とによって粒子状ないしは膜状ダイヤモンドを析出させ
る方法において、炭化水素ないしは水素またはそれらの
両者の分解と活性種の発生および副生する無定形遊離次
素ないしはグラファイトを分解する手段として、高周波
プラズマ中を通過させた後紫外線を照射した基体上に導
くことによって、ダイヤモンドを合成する方法に関する
。
とによって粒子状ないしは膜状ダイヤモンドを析出させ
る方法において、炭化水素ないしは水素またはそれらの
両者の分解と活性種の発生および副生する無定形遊離次
素ないしはグラファイトを分解する手段として、高周波
プラズマ中を通過させた後紫外線を照射した基体上に導
くことによって、ダイヤモンドを合成する方法に関する
。
その目的とする所は、炭化水素の分解を促進し、かつ無
足形遊礒炭素ないしはグラファイトなどの非ダイヤモン
ドの生成を阻止し、粒子状ないしは膜状ダイヤモンドの
みを析出させることのできる合成方法を提供することに
ある。
足形遊礒炭素ないしはグラファイトなどの非ダイヤモン
ドの生成を阻止し、粒子状ないしは膜状ダイヤモンドの
みを析出させることのできる合成方法を提供することに
ある。
炭化水素ないしは炭素化合物気体の熱分解によりてダイ
ヤモンドを合成する方法として、従来数種の方法が知ら
れている。例えば特開昭４７−４２２８６に所載の方法
は、水素ガスをキャリアガスとして、ダイヤモンド棟結
晶粉末を触媒ヒーター中に置き、以下の反応を利用して
ダイヤモンド檜結晶（１） ＯＨ番→ Ｃ（ダイヤモン
ド）＋２Ｈ２（２） ２００→ Ｃ（ダイヤモンド）＋
ｃｏ。
ヤモンドを合成する方法として、従来数種の方法が知ら
れている。例えば特開昭４７−４２２８６に所載の方法
は、水素ガスをキャリアガスとして、ダイヤモンド棟結
晶粉末を触媒ヒーター中に置き、以下の反応を利用して
ダイヤモンド檜結晶（１） ＯＨ番→ Ｃ（ダイヤモン
ド）＋２Ｈ２（２） ２００→ Ｃ（ダイヤモンド）＋
ｃｏ。
（３） ＯｎＨ！ｎ＋２ −＋Ｏ（ダイヤモンド）＋Ｈ
１（但し ｎ≦５） 粒子径を増大させることができることを明らかにしてい
る。
１（但し ｎ≦５） 粒子径を増大させることができることを明らかにしてい
る。
一般にダイヤモンドの気相合成では、ダイヤモンド以外
の無定形炭素やグラファイトの析出か以後のダイヤモン
ドの生成を積上してしまう０このためダイヤモンド以外
の無定形炭素やグラファイト等の非ダイヤモンド物質の
生成を防止する必要がある。
の無定形炭素やグラファイトの析出か以後のダイヤモン
ドの生成を積上してしまう０このためダイヤモンド以外
の無定形炭素やグラファイト等の非ダイヤモンド物質の
生成を防止する必要がある。
この手段と７して、Ｐ ｔ、 Ｉ ｒ、 ＵｓＳＲｅ、
Ａｕ。
Ａｕ。
Ｐｄ、 Ｒｕｖ ｌ（ｅ、 Ａ、ｕ、 Ｐｄ、 Ｒｕ、
Ｒｈ、 Ａｇ、’ Ｎ ｉ等の触媒ヒーターの存在下
、反応条件として、減圧ないしは、１〜１０気圧の圧力
で、９００℃〜１２００℃の温度範囲で合成をイ１うこ
とが明らかをこされている。生成する無定形炭素な、い
しはクラファイトは、前記の触媒ヒーターの作用によっ
て、ダイヤモンド上で、 Ｃ（無足形又はグラファイト）＋２Ｈ１→ＯＨ。
Ｒｈ、 Ａｇ、’ Ｎ ｉ等の触媒ヒーターの存在下
、反応条件として、減圧ないしは、１〜１０気圧の圧力
で、９００℃〜１２００℃の温度範囲で合成をイ１うこ
とが明らかをこされている。生成する無定形炭素な、い
しはクラファイトは、前記の触媒ヒーターの作用によっ
て、ダイヤモンド上で、 Ｃ（無足形又はグラファイト）＋２Ｈ１→ＯＨ。
なる反応で除去できることを述べている。
しかしながら開示されている従来の方法では、いずれも
ダイヤモンド繍結晶を必要とし、また無定形炭素ないし
は、グラファイトの除去を完全に行うことは不可能であ
った。また確かに従来の方法は、ダイヤモンド檎結晶の
小さい間、即ち、合成反応初期の例えば０．１μｍ程度
以下の植結晶径の間には有効であったが、種結晶が大き
くなるｌこつれしだいに触媒ヒーターの効果は薄れ無定
形炭素ないしは、グラファイト等の非ダイヤモンド物質
が多量に析出してし才い、その結果種結晶の成長は阻止
される問題があり、粒径の大きなダイヤモンドを得るこ
とが困難であった。韮た、ダイヤモンド種結晶以外の物
質上にダイヤモンドを析出させることや平坦な表面上に
膜状のダイヤモンドを得ることなどは不可能であった。
ダイヤモンド繍結晶を必要とし、また無定形炭素ないし
は、グラファイトの除去を完全に行うことは不可能であ
った。また確かに従来の方法は、ダイヤモンド檎結晶の
小さい間、即ち、合成反応初期の例えば０．１μｍ程度
以下の植結晶径の間には有効であったが、種結晶が大き
くなるｌこつれしだいに触媒ヒーターの効果は薄れ無定
形炭素ないしは、グラファイト等の非ダイヤモンド物質
が多量に析出してし才い、その結果種結晶の成長は阻止
される問題があり、粒径の大きなダイヤモンドを得るこ
とが困難であった。韮た、ダイヤモンド種結晶以外の物
質上にダイヤモンドを析出させることや平坦な表面上に
膜状のダイヤモンドを得ることなどは不可能であった。
゛また別の方法例えば１９８２年発行のジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス誌（Ｊ
ａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ）第２１巻第Ｌ １Ｂ３ページ所載の
論文には約２０００℃に加熱したタングステン７・ヒー
タ一に水素ガスをキャリアとして、メタン（ＯＨ４）カ
スを接触加熱し、熱分解させ、シリコン、モリブデンな
いしは石英ガラス基板上にダイヤモンドを析出させる方
法か述べられている。この方法は、ダイヤモンド以外の
物質上にタイヤセン下を析出させることができる点で優
れた方法であるが、タングステンヒーターは約２０００
℃という高温に加熱されているために、タングステン０
俸の蒸気圧も高（なり、短時間で消耗したり、蒸発した
タングステンがダイヤモンド表面に付着したりする問題
もある。菫た一度加熱されたタングステンヒーターは、
タングステン微結晶粒子の成長やガス分子の吸蔵等によ
り、極めてもろくなり、簡単に切断されやすくなるため
、頻繁にタングステンヒーターを交換せ。
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス誌（Ｊ
ａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ）第２１巻第Ｌ １Ｂ３ページ所載の
論文には約２０００℃に加熱したタングステン７・ヒー
タ一に水素ガスをキャリアとして、メタン（ＯＨ４）カ
スを接触加熱し、熱分解させ、シリコン、モリブデンな
いしは石英ガラス基板上にダイヤモンドを析出させる方
法か述べられている。この方法は、ダイヤモンド以外の
物質上にタイヤセン下を析出させることができる点で優
れた方法であるが、タングステンヒーターは約２０００
℃という高温に加熱されているために、タングステン０
俸の蒸気圧も高（なり、短時間で消耗したり、蒸発した
タングステンがダイヤモンド表面に付着したりする問題
もある。菫た一度加熱されたタングステンヒーターは、
タングステン微結晶粒子の成長やガス分子の吸蔵等によ
り、極めてもろくなり、簡単に切断されやすくなるため
、頻繁にタングステンヒーターを交換せ。
ねばならす長時間装置を運転するのか田無である、また
タングステンヒーター線の経時変化は反応ガスの熱分解
条件の変動を招き広い鉦引こ均一に膜状ダイヤモンドを
析出させることが困難であるなどの鑓点もあった。
タングステンヒーター線の経時変化は反応ガスの熱分解
条件の変動を招き広い鉦引こ均一に膜状ダイヤモンドを
析出させることが困難であるなどの鑓点もあった。
更に他の方法として、減圧状態の反応気体を、マイクロ
波放電ないしは、高周波放電によって発生したプラズマ
ガス中をこ置いた基板上に前記（１）式の反応を起し、
ダイヤモンドを析出させる方法や、イオン化した炭素を
基板上ＧＣ衝突させることによ゛って膜状ダイヤモンド
を合成する試みも示されているが、いずれの方法をこよ
っても無定形炭素ないしはグラファイトなどの非ダイヤ
モンド物質の析出が生じるという問題があった。
波放電ないしは、高周波放電によって発生したプラズマ
ガス中をこ置いた基板上に前記（１）式の反応を起し、
ダイヤモンドを析出させる方法や、イオン化した炭素を
基板上ＧＣ衝突させることによ゛って膜状ダイヤモンド
を合成する試みも示されているが、いずれの方法をこよ
っても無定形炭素ないしはグラファイトなどの非ダイヤ
モンド物質の析出が生じるという問題があった。
更にダイヤモンド種結晶以外の例えはＳｉ１ ヒであっ
た。
た。
本発明は以上述べた棟々の欠点を改善したダイヤモンド
の合成方法を提供することを目的とする。
の合成方法を提供することを目的とする。
すなわち本発明は水素ガス雰囲気中で炭化水素を熱分解
することによって、粒子状ないしは膜状ダイヤモンドを
析出させる方法に関して、炭化水素ないしは水素または
それらの両者を高周波プラズマ中を通過させた後紫外線
を照射した基板上に導くことによって、ダイヤモンドを
合成する方法である。
することによって、粒子状ないしは膜状ダイヤモンドを
析出させる方法に関して、炭化水素ないしは水素または
それらの両者を高周波プラズマ中を通過させた後紫外線
を照射した基板上に導くことによって、ダイヤモンドを
合成する方法である。
以下に本発明の方法を図面によって説明する。
第１図は本発明の実施に用いる装置の一例を示す図であ
る。この図で１は石英製の反応管、２．２′は高周波ブ
′ラズマ発生用のコイル、３は高周波電源、４は紫外光
発生装置、５は基板である。基板５は加熱ヒーター６を
石英製の加熱ステージ７に埋込んで適当な温度に加熱す
る。８はこのヒーターの電源を示す・。９はガス供給装
置で水素ガスやメタンなどの原料ガスの混合と反応室内
への導入を行う。９′、９″はガス注入管。１０は、排
気装置であ６゜ 混合原料ガスは高周波コイシレ２ｔたは２′のいずれか
または両者によって発生するプラズマ中を通過する間に
励起され、イオン化したりフリーラジカルにな゛ったり
する。
る。この図で１は石英製の反応管、２．２′は高周波ブ
′ラズマ発生用のコイル、３は高周波電源、４は紫外光
発生装置、５は基板である。基板５は加熱ヒーター６を
石英製の加熱ステージ７に埋込んで適当な温度に加熱す
る。８はこのヒーターの電源を示す・。９はガス供給装
置で水素ガスやメタンなどの原料ガスの混合と反応室内
への導入を行う。９′、９″はガス注入管。１０は、排
気装置であ６゜ 混合原料ガスは高周波コイシレ２ｔたは２′のいずれか
または両者によって発生するプラズマ中を通過する間に
励起され、イオン化したりフリーラジカルにな゛ったり
する。
それらの量は、供給ガス量（ζ１真空度、コイルＧこ投
入する電力および紫外線の照射量などを調整し、基板上
で最適の条件が得られるようにその濃度を適度の量に調
整する。紫外線の他の役割は、メタンの活性種がダイヤ
モンドに転化する除に必要とされる原子状水素ないしは
発生期水素の生成に利用することにもある。
入する電力および紫外線の照射量などを調整し、基板上
で最適の条件が得られるようにその濃度を適度の量に調
整する。紫外線の他の役割は、メタンの活性種がダイヤ
モンドに転化する除に必要とされる原子状水素ないしは
発生期水素の生成に利用することにもある。
第２図は紫外線照射装置４と石英製反応管１および基板
５基板保持台７加熱ヒーター６の相対配置の側を示す断
面概念図である。紫外線照射装置４には低圧水銀放電管
１１とマイクロ波電力反射板１２とマイクロ波発生器１
３が配置されている。紫外光強度分布が一様にかつ、で
きるたけ照射強度を高くできるため石英反応管ｌの断面
は楕円ないしはできるたけ平面に近くなるようにするこ
とが有効であった。また紫外線照射口４′と反応管ｌの
間には紫外線を吸収しやすい気体例えば空気、酸素また
は水蒸気等が存在しないように電算ガスまたはヘリウム
等でパージすることも有効であ６゜以上述べた様な装置
を用いた実施例について次に述べる。
５基板保持台７加熱ヒーター６の相対配置の側を示す断
面概念図である。紫外線照射装置４には低圧水銀放電管
１１とマイクロ波電力反射板１２とマイクロ波発生器１
３が配置されている。紫外光強度分布が一様にかつ、で
きるたけ照射強度を高くできるため石英反応管ｌの断面
は楕円ないしはできるたけ平面に近くなるようにするこ
とが有効であった。また紫外線照射口４′と反応管ｌの
間には紫外線を吸収しやすい気体例えば空気、酸素また
は水蒸気等が存在しないように電算ガスまたはヘリウム
等でパージすることも有効であ６゜以上述べた様な装置
を用いた実施例について次に述べる。
実施例１
基板として、５ｉ（１００）を用い紙板温度を８５０℃
に設定した水素ガス２よびメタンの流景はそれぞれ５Ａ
／分および２（ｌｃｃ／分とし、真空排気装ａｔこよっ
て、一度１０’Ｔｏｒｒ 以下に排気後全圧を１〜５Ｔ
Ｏｒｒに設定した。次４Ｃ１３，５６ＭＨｚの高周波２
００Ｗを第１図の高周波コイル２のみに加えた。水素お
よびメタンはガス注入管９′のみを開いてプラズマ中に
導入した。紫外光を悪射して、２時間反応させた結果基
板上にダイヤモンド膜が析出した。膜厚は約２μｍであ
った。ダイヤモンド膜の固定は反射電子線回折で行った
。
に設定した水素ガス２よびメタンの流景はそれぞれ５Ａ
／分および２（ｌｃｃ／分とし、真空排気装ａｔこよっ
て、一度１０’Ｔｏｒｒ 以下に排気後全圧を１〜５Ｔ
Ｏｒｒに設定した。次４Ｃ１３，５６ＭＨｚの高周波２
００Ｗを第１図の高周波コイル２のみに加えた。水素お
よびメタンはガス注入管９′のみを開いてプラズマ中に
導入した。紫外光を悪射して、２時間反応させた結果基
板上にダイヤモンド膜が析出した。膜厚は約２μｍであ
った。ダイヤモンド膜の固定は反射電子線回折で行った
。
実施例２
水素ガスのみをプラズマ中に通すことを目的にして、第
１図の高周波コイル２′のみＧこ高周波電力を導入し、
ガス注入管９″側からメタンガスを導入する条件で実施
例１と同じ実験を行った結果膜状ダイヤモンドが析出し
約３μｍの膜厚であった。
１図の高周波コイル２′のみＧこ高周波電力を導入し、
ガス注入管９″側からメタンガスを導入する条件で実施
例１と同じ実験を行った結果膜状ダイヤモンドが析出し
約３μｍの膜厚であった。
実施例３
メタンガスを５ｃｃ／分 水素ガスＬｕｇ１分およびア
ルゴンガス５００ｃｃ／分とし、水素ガスおよびアルゴ
ンガスは、第１図の９′側にメタンカスは９″側に流し
た。
ルゴンガス５００ｃｃ／分とし、水素ガスおよびアルゴ
ンガスは、第１図の９′側にメタンカスは９″側に流し
た。
基板はモリブデン金属板とし、温度を９００℃として、
１時間反応した。その結果、ダイヤモンド膜が析出した
。膜厚は約１μｍであったＯ実施例４ 水素ガス流１１５００ ｃ ｃ／分とし、これを９″の
ガス導入口より反応室に導き、メタンガスは１Ｑｃｃｚ
％とじ、９′のガス導入口より１３５６ ＭＨｚの高周
波プラズマ中を通した。Ｓｓ基板温度は７００℃とし、
全圧は１０Ｔｏｒｒに調整し紫外光を２時間照射した結
果、ダイヤモンド膜が析出した。膜厚は約１μｍであっ
た。
１時間反応した。その結果、ダイヤモンド膜が析出した
。膜厚は約１μｍであったＯ実施例４ 水素ガス流１１５００ ｃ ｃ／分とし、これを９″の
ガス導入口より反応室に導き、メタンガスは１Ｑｃｃｚ
％とじ、９′のガス導入口より１３５６ ＭＨｚの高周
波プラズマ中を通した。Ｓｓ基板温度は７００℃とし、
全圧は１０Ｔｏｒｒに調整し紫外光を２時間照射した結
果、ダイヤモンド膜が析出した。膜厚は約１μｍであっ
た。
゛ メタンガスの熱分解によって、ダイヤモンドが生成
する機構については不萌の点が多いが、ダイヤモンド中
の炭素原子の電子状態であるｓ ｐ ３結合を安定化さ
せ、無定形カーホンやグラファイトのｓｐないしはｓ
ｐ ２結合電子状態の炭素原子をｓ ｐ ３結合状態に
遷移させるために、プラズマおよび紫外線の両者が有効
す働きをしているものと考えられる。
する機構については不萌の点が多いが、ダイヤモンド中
の炭素原子の電子状態であるｓ ｐ ３結合を安定化さ
せ、無定形カーホンやグラファイトのｓｐないしはｓ
ｐ ２結合電子状態の炭素原子をｓ ｐ ３結合状態に
遷移させるために、プラズマおよび紫外線の両者が有効
す働きをしているものと考えられる。
メタンガスのみを用い水素ガスないしはアルゴンガスな
どのガスを使用しない場合にけ、クラファイトないしは
非晶質炭素のみしかイ０られなかったことから考えると
、ＩＩＪＪ起状１島状１諜原子ないしは、アルゴン原子
の存在かダイヤモンドの析出に必要であることは明らか
である。
どのガスを使用しない場合にけ、クラファイトないしは
非晶質炭素のみしかイ０られなかったことから考えると
、ＩＩＪＪ起状１島状１諜原子ないしは、アルゴン原子
の存在かダイヤモンドの析出に必要であることは明らか
である。
紫外線照射の効果は、ダイヤモンドνを析出するのに有
効であった。即ち、実施例１〜４のいずれの場合にも紫
外線を照射しないと、０．１〜０．５μｍ程度のダイヤ
モンド粒子と、グラファイト粒子の析出が同時に起った
。従って、紫外線は、メタンガスから分解した炭素原子
が基板上で知ったエネルギーを補充し、ｓｐ ３結合電
子状態のみにする効果がある。
効であった。即ち、実施例１〜４のいずれの場合にも紫
外線を照射しないと、０．１〜０．５μｍ程度のダイヤ
モンド粒子と、グラファイト粒子の析出が同時に起った
。従って、紫外線は、メタンガスから分解した炭素原子
が基板上で知ったエネルギーを補充し、ｓｐ ３結合電
子状態のみにする効果がある。
以上の様に、本発明によるダイヤモンドの合ｈｋ法、即
ち、炭化水素の分解によってダイヤモンドを合成する方
法において、炭化水素ないしは水素才たはその両者を高
周波プラグ・マ中を通過させた後紫外光を照射した基板
上に導くことを特徴とするダイヤモンドの合成方法は極
めて実用的価イ１σが高い。
ち、炭化水素の分解によってダイヤモンドを合成する方
法において、炭化水素ないしは水素才たはその両者を高
周波プラグ・マ中を通過させた後紫外光を照射した基板
上に導くことを特徴とするダイヤモンドの合成方法は極
めて実用的価イ１σが高い。
諏１図、第２１は本発明を笑現する反ＬＢ装硬め一例を
示す概略図、各図において ｌ・・・石英製反応管、 ２．２′・・・高周波プラズ
マ発生用ワークコイル、３・・・高周波電源、４・・・
紫外光発生装置、５・・・基板、６・・・基板加熱ヒー
ター、７・・・基板支持台、８・・・ヒーター電源、９
・・・ガス混合器、９′、９“；・・ガス注入管、１０
・・・真空排り１装置、１１・・・低圧・水銀放電管、
１２・・・マイクロ波電力反射板、１３・・・マイクロ
波発生器 第１０ 第２図 １３
示す概略図、各図において ｌ・・・石英製反応管、 ２．２′・・・高周波プラズ
マ発生用ワークコイル、３・・・高周波電源、４・・・
紫外光発生装置、５・・・基板、６・・・基板加熱ヒー
ター、７・・・基板支持台、８・・・ヒーター電源、９
・・・ガス混合器、９′、９“；・・ガス注入管、１０
・・・真空排り１装置、１１・・・低圧・水銀放電管、
１２・・・マイクロ波電力反射板、１３・・・マイクロ
波発生器 第１０ 第２図 １３
Claims (1)
- １、炭化水素の分解によってダイヤモンドを合成する方
法において、炭化水素ないしは水素またはその両者を高
周波プラズマ中を通過させた後、紫外光を照射した基板
上に導くことを特徴とするダイヤモンドの合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033473A JPS60180999A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ダイヤモンドの合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033473A JPS60180999A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ダイヤモンドの合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180999A true JPS60180999A (ja) | 1985-09-14 |
| JPH0518796B2 JPH0518796B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=12387511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033473A Granted JPS60180999A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ダイヤモンドの合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180999A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385011A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
| US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
| US4849199A (en) * | 1987-03-30 | 1989-07-18 | Crystallume | Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond |
| US4981717A (en) * | 1989-02-24 | 1991-01-01 | Mcdonnell Douglas Corporation | Diamond like coating and method of forming |
| JPH04182389A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| JPH04182388A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| JPH04338197A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-25 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| US5302231A (en) * | 1990-11-26 | 1994-04-12 | General Electric Company | CVD diamond by alternating chemical reactions |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US5803974A (en) * | 1985-09-26 | 1998-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59033473A patent/JPS60180999A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5803974A (en) * | 1985-09-26 | 1998-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| JPS6385011A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
| US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
| US4849199A (en) * | 1987-03-30 | 1989-07-18 | Crystallume | Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond |
| US4981717A (en) * | 1989-02-24 | 1991-01-01 | Mcdonnell Douglas Corporation | Diamond like coating and method of forming |
| JPH04182389A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| JPH04182388A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| US5302231A (en) * | 1990-11-26 | 1994-04-12 | General Electric Company | CVD diamond by alternating chemical reactions |
| JPH04338197A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-25 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518796B2 (ja) | 1993-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4434188A (en) | Method for synthesizing diamond | |
| JPS5927754B2 (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS5891100A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS60180999A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS59137311A (ja) | 多結晶質ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS6136200A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPS6033300A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法及びその装置 | |
| JPS6221757B2 (ja) | ||
| JPS6054996A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS62265198A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS616199A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法とその装置 | |
| JPS5918197A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| Metev et al. | New technology for high rate synthesis of PC-diamond coatings in air with photon plasmatron | |
| JPH04235282A (ja) | 光ｃｖｄ法及び光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0448758B2 (ja) | ||
| JPS63117993A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPH0518799B2 (ja) | ||
| JPS593098A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS5935092A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPS60145995A (ja) | ダイヤモンド状カ−ボンの製造方法 | |
| JPS60200896A (ja) | 繊維状ダイヤモンドの合成法 | |
| JPH0518797B2 (ja) | ||
| JPH0480000B2 (ja) | ||
| JPS6261109B2 (ja) | ||
| JPS63297299A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 |