JPS60177302A - 回折格子の形成方法 - Google Patents
回折格子の形成方法Info
- Publication number
- JPS60177302A JPS60177302A JP3347084A JP3347084A JPS60177302A JP S60177302 A JPS60177302 A JP S60177302A JP 3347084 A JP3347084 A JP 3347084A JP 3347084 A JP3347084 A JP 3347084A JP S60177302 A JPS60177302 A JP S60177302A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- etching
- contact
- forming
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は分布帰還形半導体レーザ用の回折格子の形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
分布帰還形半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザと略す）は
単一軸モード発掘するため、光フアイバ通信用光源とし
て利用すると、光ファイバによる波長分散が小さく大容
量、長距離用光源として有望である。
単一軸モード発掘するため、光フアイバ通信用光源とし
て利用すると、光ファイバによる波長分散が小さく大容
量、長距離用光源として有望である。
をつけ、その上に光のガイド層４及び活性層３７成長し
たものであり、グレーティングは活性層下部にある。グ
レーティング６上に活性層を成長するとき、グレーティ
ング上に直接成長するため活性層の結晶性に問題がある
。またグレーティング６を消失する事なく結晶表面を成
長前処理をしなくてはならないため、エツチング処理が
できない等の問題かあり、やはり活性層の結晶性に問題
が生じる。第１図（ｂ）は基板ｌの上にクラッド層２、
活性層３及び光ガイド層４を積層し、この光ガイド層４
上部にグレーティングを形成したものであり、結晶成長
による活性層の結晶性に問題がないが、活性層及び光ガ
イド層を成長した後にグレーティングを形成し再度グレ
ーティングの上にクラッド層５を成長するために成長回
数が１回増す事になる。
たものであり、グレーティングは活性層下部にある。グ
レーティング６上に活性層を成長するとき、グレーティ
ング上に直接成長するため活性層の結晶性に問題がある
。またグレーティング６を消失する事なく結晶表面を成
長前処理をしなくてはならないため、エツチング処理が
できない等の問題かあり、やはり活性層の結晶性に問題
が生じる。第１図（ｂ）は基板ｌの上にクラッド層２、
活性層３及び光ガイド層４を積層し、この光ガイド層４
上部にグレーティングを形成したものであり、結晶成長
による活性層の結晶性に問題がないが、活性層及び光ガ
イド層を成長した後にグレーティングを形成し再度グレ
ーティングの上にクラッド層５を成長するために成長回
数が１回増す事になる。
すなわち、第１図に示した従来のＤＦＢ−ＬＤはＢＨ構
造化するとして結晶成長は２回であるが、活性層の結晶
性に問題を残している。一方、第２図に示した従来のＤ
ＦＢ−ＬＤは活性層の結晶性の問題はないが、ＢＨ構造
化すると結晶成長を３回行なわなければならない。以上
の問題点はメサ側面にグレーティングを形成することで
解決できる。
造化するとして結晶成長は２回であるが、活性層の結晶
性に問題を残している。一方、第２図に示した従来のＤ
ＦＢ−ＬＤは活性層の結晶性の問題はないが、ＢＨ構造
化すると結晶成長を３回行なわなければならない。以上
の問題点はメサ側面にグレーティングを形成することで
解決できる。
しかし、メサ側面にグレーティングを形成する方法はま
だ確立されていない。
だ確立されていない。
（発明の目的）
本発明の目的は、メサ側面にグレーティングを形成する
方法を提供する事にある。
方法を提供する事にある。
（発明の構成）
本発明の分布帰還形半導体レーザ用回折格子の形成方法
は半導体表面にエツチングマスクとなる第１０博膜を形
成する工程と、前記第１の薄膜をある一定の周期で除去
する工程とその上にエツチングマスクとなる第２の薄膜
を形成する工程と第２の薄膜をエツチングマスクとして
第１の薄膜を部分的に除去する工程と第１の薄膜と第２
の薄膜をエツチングマスクとして前記半導体表面に溝あ
るいはメサを形成する工程とを含む構成となっている。
は半導体表面にエツチングマスクとなる第１０博膜を形
成する工程と、前記第１の薄膜をある一定の周期で除去
する工程とその上にエツチングマスクとなる第２の薄膜
を形成する工程と第２の薄膜をエツチングマスクとして
第１の薄膜を部分的に除去する工程と第１の薄膜と第２
の薄膜をエツチングマスクとして前記半導体表面に溝あ
るいはメサを形成する工程とを含む構成となっている。
（発明の作用効果）
本発明の方法によれば、メサあるいは溝をエツチングす
る際のエツチングマスクは一定の周期で半導体表面に第
１の薄膜が接する部分と第２の薄膜が接する部が交互に
存在する。そのことによりエツチングを行った際サイド
エツチング特性の差異によりメサ側面及び溝側面に回折
格子が作製されるのである。
る際のエツチングマスクは一定の周期で半導体表面に第
１の薄膜が接する部分と第２の薄膜が接する部が交互に
存在する。そのことによりエツチングを行った際サイド
エツチング特性の差異によりメサ側面及び溝側面に回折
格子が作製されるのである。
（実施例）
以下図面により実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明の分布帰還形半導体レーザ用の回折格子
の形成方法を示した図である。半導体基板１でろるＩｎ
Ｐ基板上に第１のクラツド層２活性層３０となるＧａＩ
ｎＡｓＰ層、第２のクラッド層５となるＩｎＰ層を含む
タプルヘテロ接合ウェファ上に第１の薄膜１００となる
６００Ｘの厚さＳｉＯ□を熱分解ＣＶＤ法にエリ形成し
、その後にＡＺ １３５０をホトレジストとし４４１６
ＸのＨｅ−Ｃｄレーザにより干渉露光し現像した後にＨ
Ｆを主成分とするエツチング液で８４０２膜を４０００
Ｘの周期でエツチングし第２図（ａ）の形状を得る。そ
の後、第２図（ｂ）に示すようにネガレジストを第２の
薄膜として第２図（ａ）１得たウェファ上に形成する。
の形成方法を示した図である。半導体基板１でろるＩｎ
Ｐ基板上に第１のクラツド層２活性層３０となるＧａＩ
ｎＡｓＰ層、第２のクラッド層５となるＩｎＰ層を含む
タプルヘテロ接合ウェファ上に第１の薄膜１００となる
６００Ｘの厚さＳｉＯ□を熱分解ＣＶＤ法にエリ形成し
、その後にＡＺ １３５０をホトレジストとし４４１６
ＸのＨｅ−Ｃｄレーザにより干渉露光し現像した後にＨ
Ｆを主成分とするエツチング液で８４０２膜を４０００
Ｘの周期でエツチングし第２図（ａ）の形状を得る。そ
の後、第２図（ｂ）に示すようにネガレジストを第２の
薄膜として第２図（ａ）１得たウェファ上に形成する。
前記ネガレジストを通常のホトリソグラフィの技術によ
りストライブ化し、最初にＨＦを主成分とするエツチン
グ液で８１０２を除去した。そして次に、第２図（ｅ）
に示すように、第１の薄膜と第２の薄膜との多層薄膜を
エツチングマスクとして前記半導体レーザをメサエッチ
ングした。この際実施例では０２％のブロムメタノール
液を用いて行った。第３図はこの時のエツチングマスク
の断面図であり１００は第１の薄膜、２００は第２の薄
膜であり第１の薄膜に接する半導体ウェファ１０のサイ
ドエッチと第２の薄膜に接する半導体ウェファのザイド
エッチング量は異なるようにしである。実施例のＳ ｉ
Ｏｚマスクとしてブロムメタノール液でエツチングし
た際のサイドエツチングは非常小さく、ネガレジストを
マスクとしてズームメタノール液のサイドエッチンダ電
は０．６μｍ／ｗｉｎである。この事によりエツチング
により現われるメサ及び溝側面に第１の薄膜と同じ周期
をもつ回折格子が形成され、第２図（Ｃ）の形状が得ら
れる。先に述べたＧａ ＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰの実施例
では約５００Ｘ程度の８？：さの回折格子か作製さり。
りストライブ化し、最初にＨＦを主成分とするエツチン
グ液で８１０２を除去した。そして次に、第２図（ｅ）
に示すように、第１の薄膜と第２の薄膜との多層薄膜を
エツチングマスクとして前記半導体レーザをメサエッチ
ングした。この際実施例では０２％のブロムメタノール
液を用いて行った。第３図はこの時のエツチングマスク
の断面図であり１００は第１の薄膜、２００は第２の薄
膜であり第１の薄膜に接する半導体ウェファ１０のサイ
ドエッチと第２の薄膜に接する半導体ウェファのザイド
エッチング量は異なるようにしである。実施例のＳ ｉ
Ｏｚマスクとしてブロムメタノール液でエツチングし
た際のサイドエツチングは非常小さく、ネガレジストを
マスクとしてズームメタノール液のサイドエッチンダ電
は０．６μｍ／ｗｉｎである。この事によりエツチング
により現われるメサ及び溝側面に第１の薄膜と同じ周期
をもつ回折格子が形成され、第２図（Ｃ）の形状が得ら
れる。先に述べたＧａ ＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰの実施例
では約５００Ｘ程度の８？：さの回折格子か作製さり。
た。図面による説明はメサ１則面の形成方法であるが、
箭１１Ｉ１１而も同様の方法により容易に行なう事かで
きる。また分布反射型半導体レーザへの応用もできる。
箭１１Ｉ１１而も同様の方法により容易に行なう事かで
きる。また分布反射型半導体レーザへの応用もできる。
図、纂２図（ａｌ、（ｂ）、（ｃ）は本発明の分布帰還
形半導体レーザ用の回折格子の形成方法を示す図、第３
図は２層構造をもつエツチングマスクの峠「面図。
形半導体レーザ用の回折格子の形成方法を示す図、第３
図は２層構造をもつエツチングマスクの峠「面図。
図中１は半導体基板、２及び５はクラッド層、３は活性
層、４は碑波路漕、６はグレーティング、３０は活性導
波路、１００は第１の薄膜、２００は第２の薄膜。
層、４は碑波路漕、６はグレーティング、３０は活性導
波路、１００は第１の薄膜、２００は第２の薄膜。
隼 １ 図
（ａン
（ｂ）
２θθ
手続補正書（自発）
５９．５．２９
昭和 年 月 日
特許庁長官 殿
１、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第３３４７０
号２、発明の名称 回折格子の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都ｉ巷区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東ｊ；〔都港区芝五’Ｉ ’ ＩＪ ３７番
８号 ｒ主成Ｅ）ＪＪビルＩ］本電気株式会社内 ！配 （６５９１） 弁理士 内 原 目 明測置の発明の名称の欄 ６、補正の内容 明細書の発明の名称の欄に「折格子の形成方法」とある
のを［回折格子の形成方法」と補正する。 ５代理人
弁理士 内 原 晋
号２、発明の名称 回折格子の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都ｉ巷区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東ｊ；〔都港区芝五’Ｉ ’ ＩＪ ３７番
８号 ｒ主成Ｅ）ＪＪビルＩ］本電気株式会社内 ！配 （６５９１） 弁理士 内 原 目 明測置の発明の名称の欄 ６、補正の内容 明細書の発明の名称の欄に「折格子の形成方法」とある
のを［回折格子の形成方法」と補正する。 ５代理人
弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体表面にエツチングマスクとなる第１の薄膜を形成
する工程と前記第１の薄膜をある一定の周期で除去する
工程とその上にエツチングマスクとなる第２の薄膜を形
成する工程と第２の薄膜をエツチングマスクとして第１
の薄１戻を部分的に除去する工程と第１の薄膜と第２の
薄膜をエツチングマスクとして前記半導体表面に溝ある
いはメサを形成する工程を含む溝あるいはメサ四面への
回折格子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347084A JPS60177302A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 回折格子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347084A JPS60177302A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 回折格子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177302A true JPS60177302A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12387428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347084A Pending JPS60177302A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 回折格子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105431A (en) * | 1990-03-16 | 1992-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3347084A patent/JPS60177302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105431A (en) * | 1990-03-16 | 1992-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser |
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