JPS6292490A - 分布帰還型半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザInfo
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- JPS6292490A JPS6292490A JP60234013A JP23401385A JPS6292490A JP S6292490 A JPS6292490 A JP S6292490A JP 60234013 A JP60234013 A JP 60234013A JP 23401385 A JP23401385 A JP 23401385A JP S6292490 A JPS6292490 A JP S6292490A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- refractive index
- substrate
- dfb laser
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
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Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K65/00—Fish stringers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1225—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers with a varying coupling constant along the optical axis
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Marine Sciences & Fisheries (AREA)
- Animal Husbandry (AREA)
- Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は単一波長で発振する分布帰還型半導体レーザに
関するものである。
関するものである。
（従来の技術）
素子内に回折格子を持つ分布帰還型半導体レーザ（以下
ＤＦＢレーザと称する）は高速変調時にも単一波長で発
振するため、長距離大容量の光フアイバ通信や光コヒー
レント通信用の光源としての期待が高まっている。ＤＦ
Ｂレーザは回折格子の周期で定まるブラッグ波長近傍で
、そのブラッグ反射の波長選択性を利用して一本の軸モ
ードで発振する。しかし、素子内に周期の均一な回折格
子を有する従来型のＤＦＢレーザはブラッグ波長付近に
ストップバンドと呼ばれる発振モードの存在しない波長
域を持ち、このストップバンドの両側に２本の発振可能
モードが存在するため、必ずしも全ての素子が単一波長
で発振するのではなく、なかには２本の軸モードで発振
する素子も多く見られた。そこで、最近では単一波長で
発振する素子の歩留りを良くするために、１９８４年１
１月２２日発行のエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第２０巻４号、
１００８〜１０１０頁で示されているように１次の回折
格子（周期が素子内を伝搬する波長の１／２である回折
格子）を持つＤＦＢレーザの素子内で、回折格子の周期
を半周期ずらした構造が提案されている。（第４図）。
ＤＦＢレーザと称する）は高速変調時にも単一波長で発
振するため、長距離大容量の光フアイバ通信や光コヒー
レント通信用の光源としての期待が高まっている。ＤＦ
Ｂレーザは回折格子の周期で定まるブラッグ波長近傍で
、そのブラッグ反射の波長選択性を利用して一本の軸モ
ードで発振する。しかし、素子内に周期の均一な回折格
子を有する従来型のＤＦＢレーザはブラッグ波長付近に
ストップバンドと呼ばれる発振モードの存在しない波長
域を持ち、このストップバンドの両側に２本の発振可能
モードが存在するため、必ずしも全ての素子が単一波長
で発振するのではなく、なかには２本の軸モードで発振
する素子も多く見られた。そこで、最近では単一波長で
発振する素子の歩留りを良くするために、１９８４年１
１月２２日発行のエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第２０巻４号、
１００８〜１０１０頁で示されているように１次の回折
格子（周期が素子内を伝搬する波長の１／２である回折
格子）を持つＤＦＢレーザの素子内で、回折格子の周期
を半周期ずらした構造が提案されている。（第４図）。
このＤＦＢレーザは回折格子の周期のずれ量が素子内を
伝搬する光の１／４に等しいことから、゛λ／４シフト
型ＤＦＢレーザと呼ばれる。Ｖ４シフト型ＤＦＢレーザ
はブラッグ波長に一致する主モードと、その両側の副モ
ードとの発振閾値利得差を従来型ＤＦＢレーザよりも大
きくとれるため、単一波長で発振する素子の歩留りが向
上し、更に単一波長発振の安定性にも優れることが期待
される。
伝搬する光の１／４に等しいことから、゛λ／４シフト
型ＤＦＢレーザと呼ばれる。Ｖ４シフト型ＤＦＢレーザ
はブラッグ波長に一致する主モードと、その両側の副モ
ードとの発振閾値利得差を従来型ＤＦＢレーザよりも大
きくとれるため、単一波長で発振する素子の歩留りが向
上し、更に単一波長発振の安定性にも優れることが期待
される。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、）Ｌ／４シフト型ＤＦＢレーザに用いるλ１
４シフト型回折格子は、回折格子の周期を途中でずらす
必要があるため、製作が一般に困難である。従来型ＤＦ
Ｂレーザに用いられる周期の均一な回折格子は、半導体
基板表面に塗布したノボラック系ポジ型レジスト等をＴ
（ｅＣｄレーザを光源に用いた三光束干渉露光法等によ
り周期状に露光し、その後化学エツチング法を用いて基
板をエツチングすることにより容易に得られる。しかし
、）Ｊ４シフト型回折格子の場合、例えば前記文献で示
されているように、従来と同様の三光束干渉露光法を用
いて製作する場合、ポジ型及びネガ型のフォトレジスト
を半導体基板」二に互いに隣接するように形成し、両レ
ジストを同時露光しなくてはならず、その際ポジ及びネ
ガ型の７オトレジストの感光度及び解像度が異なるため
その製作は非常に困難であった。
４シフト型回折格子は、回折格子の周期を途中でずらす
必要があるため、製作が一般に困難である。従来型ＤＦ
Ｂレーザに用いられる周期の均一な回折格子は、半導体
基板表面に塗布したノボラック系ポジ型レジスト等をＴ
（ｅＣｄレーザを光源に用いた三光束干渉露光法等によ
り周期状に露光し、その後化学エツチング法を用いて基
板をエツチングすることにより容易に得られる。しかし
、）Ｊ４シフト型回折格子の場合、例えば前記文献で示
されているように、従来と同様の三光束干渉露光法を用
いて製作する場合、ポジ型及びネガ型のフォトレジスト
を半導体基板」二に互いに隣接するように形成し、両レ
ジストを同時露光しなくてはならず、その際ポジ及びネ
ガ型の７オトレジストの感光度及び解像度が異なるため
その製作は非常に困難であった。
本発明の目的は、この間層を解決し、回折格子の製作が
容易で済むＭ４シフト型ＤＦＢレーザを提供することに
ある。
容易で済むＭ４シフト型ＤＦＢレーザを提供することに
ある。
（問題点を解決する手段）
本発明によるＤＦＢレーザの特徴は、屈折率の異なる２
つの半導体層境界に設けられた回折格子と、この回折格
子の近くに活性層を有するＤＦＢレーザにおいて共振器
方向に２分された２つの領域を備え、前記一方の領域に
おいては前記回折格子の上の半導体層の方が前記回折格
子の下の半導体層よりも屈折率が大きく、前記他方の領
域においては前記回折格子の上の半導体層の方が前記回
折格子の下の半導体よりも屈折率が小さいことである。
つの半導体層境界に設けられた回折格子と、この回折格
子の近くに活性層を有するＤＦＢレーザにおいて共振器
方向に２分された２つの領域を備え、前記一方の領域に
おいては前記回折格子の上の半導体層の方が前記回折格
子の下の半導体層よりも屈折率が大きく、前記他方の領
域においては前記回折格子の上の半導体層の方が前記回
折格子の下の半導体よりも屈折率が小さいことである。
゛ジ゛１
（４）、“−
（作用）
本発明の原理を簡ｔｐ−な図面を用いて説明する。
ｌ／４シフト型ＤＦＢレーザでは素子内を伝搬する光は
回折格子の形状ではなく、屈折率分布のみを感しるので
あるから、′）Ｊ４シフト型ＤＦＢレーザでは素子中央
付近で半周期ずれた周期状屈折率分布を作り付けること
が大事である。本発明の回折格子の形状は全体に均一な
ものであるが、従来と異なる点は、第１図に示すように
中央付近を堺に左右で回折格子の」−下の半導体層の屈
折率の大小関係が逆になっていることである。この場合
、回折格子の周期は全体に均一にもかかわらず、周期状
屈折率分布は中央付近で半周期ずれることになる。した
がってＤＦＢレーザを共振器方向の２つの領域に分け、
回折格子の上下の半導体層の屈折率の大小関係を２つの
領域の間で逆にして従来と同様の均一な回折格子を形成
することによってｌ／４シフト型ＤＦＢレーザが得られ
、回折格子の製作は非常に簡単で済む。
回折格子の形状ではなく、屈折率分布のみを感しるので
あるから、′）Ｊ４シフト型ＤＦＢレーザでは素子中央
付近で半周期ずれた周期状屈折率分布を作り付けること
が大事である。本発明の回折格子の形状は全体に均一な
ものであるが、従来と異なる点は、第１図に示すように
中央付近を堺に左右で回折格子の」−下の半導体層の屈
折率の大小関係が逆になっていることである。この場合
、回折格子の周期は全体に均一にもかかわらず、周期状
屈折率分布は中央付近で半周期ずれることになる。した
がってＤＦＢレーザを共振器方向の２つの領域に分け、
回折格子の上下の半導体層の屈折率の大小関係を２つの
領域の間で逆にして従来と同様の均一な回折格子を形成
することによってｌ／４シフト型ＤＦＢレーザが得られ
、回折格子の製作は非常に簡単で済む。
（実施例１）
以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明の第１の実施例であるＤＦＢレーザを製
作工程順に説明する図である。第２図（ａ）ではｎ−Ｉ
ｎＰ基板１の上に部分的に波長組成１．２ｐｍのｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ第１のガイド層２を厚さ０．１ｐｍに形成
する。（ｂ）ではｎ−ＩｎＰ基板１及び第１のガイド層
２の表面全体に周期２４００人の均一な回折格子１０を
形成する。
作工程順に説明する図である。第２図（ａ）ではｎ−Ｉ
ｎＰ基板１の上に部分的に波長組成１．２ｐｍのｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ第１のガイド層２を厚さ０．１ｐｍに形成
する。（ｂ）ではｎ−ＩｎＰ基板１及び第１のガイド層
２の表面全体に周期２４００人の均一な回折格子１０を
形成する。
（ｃ）では全面に波長組成１．１ｐｍのｎＪｎＧａＡｓ
ＰＩｎＧａＡｓＰ第２波長組成１．５５ｐｍのノンドー
フゴｎＧａＡｓＰ活性層４、ｐ−ＴｎＰクラッド層５を
それぞれ厚さ０．１ｐｍ、０．１ｐｍ、３ｐｍに形成し
た後、ｐ−ＩｎＰクラッド層５の上面及びｎＪｎＰＩｎ
Ｐ基板１に電極６．７を形成し所望の構造のＤＦＢレー
ザが得られた。このＤＦＢレーザにおいては、第１のガ
イド層２の方が第２のガイド層３よりも屈折率が大きく
、更に第２のガイド層３の方がｎ−ＩｎＰ基板１よりも
屈折率が大きいため、素子中央付近を境に、左右で回折
格子１０の上下の半導体層の屈折率の大小関係が逆にな
っており、等測的にｖ４シフト型ＤＦＢレーザと同じで
ある。
ＰＩｎＧａＡｓＰ第２波長組成１．５５ｐｍのノンドー
フゴｎＧａＡｓＰ活性層４、ｐ−ＴｎＰクラッド層５を
それぞれ厚さ０．１ｐｍ、０．１ｐｍ、３ｐｍに形成し
た後、ｐ−ＩｎＰクラッド層５の上面及びｎＪｎＰＩｎ
Ｐ基板１に電極６．７を形成し所望の構造のＤＦＢレー
ザが得られた。このＤＦＢレーザにおいては、第１のガ
イド層２の方が第２のガイド層３よりも屈折率が大きく
、更に第２のガイド層３の方がｎ−ＩｎＰ基板１よりも
屈折率が大きいため、素子中央付近を境に、左右で回折
格子１０の上下の半導体層の屈折率の大小関係が逆にな
っており、等測的にｖ４シフト型ＤＦＢレーザと同じで
ある。
’Ｌ−’＞
（実施例２）
第３図は本発明の第２の実施例であるＤＦＢレーザを製
作工程順に説明する図である。第３図（ａ）ではｎ−Ｉ
ｎＰ基板１の上に部分的に波長組成１．５５ｐｍのノン
ドープ活性層４、波長組成１．１５ｐｍのｐＪｎＧａＡ
ｓＰ第１のガイド層２１をそれぞれ厚さ０．１．ｐｍ、
０．２ｐｍに形成する。（ｂ）ではｎ−ＩｎＰ基板１及
び第１のガイド層２１の全面に周期２４００人の均一な
回折格子１０を形成する。
作工程順に説明する図である。第３図（ａ）ではｎ−Ｉ
ｎＰ基板１の上に部分的に波長組成１．５５ｐｍのノン
ドープ活性層４、波長組成１．１５ｐｍのｐＪｎＧａＡ
ｓＰ第１のガイド層２１をそれぞれ厚さ０．１．ｐｍ、
０．２ｐｍに形成する。（ｂ）ではｎ−ＩｎＰ基板１及
び第１のガイド層２１の全面に周期２４００人の均一な
回折格子１０を形成する。
（ｅ）では第１のガイド２１の」二部にのみｐＪｎＰ第
１のクラッド層２３を厚さＩｐｍに形成する。（ｄ）で
は、ｎＪｎＰＩｎＰ基板１した部分にのみ波長組成１．
１５ｐｍのｎ−ＴｎＧａＡｓＰ第２のガイド層２２、波
長組成１．５５ｐｍイントープＴｎＧａＡｓＰ活性層４
、ｐ−ＴｎＰ第１のクラッド層２３をそれぞれ厚さ０．
１ｐｍ、０．１ｐｍ、１．ｐｍに選択的に形成した後、
ｐ−ＴｎＰ第１のクラッド層２３の全面にｐ−ＩｎＰ第
２のクラッド層５を形成し、更にｐ−ＴｎＰ第２のクラ
ッド層５の上面及びｎ−ＩｎＰ基板１の下面に電極６，
７を形成し所望の構造のＤＦＢレーザが得られた。この
ＤＦＢレーザにおいても、第１、第２のガイド層２３．
２２はｎ−ＩｎＰ基板１及び第１のクラッド層−；＼ １Ｊ１ ・（７＞１ 右で、回折格子１０の」二部の半導体層の屈折率の大小
関係が逆になっているために、Ｍ４シフト型ＤＦＢレー
ザと等価になる。
１のクラッド層２３を厚さＩｐｍに形成する。（ｄ）で
は、ｎＪｎＰＩｎＰ基板１した部分にのみ波長組成１．
１５ｐｍのｎ−ＴｎＧａＡｓＰ第２のガイド層２２、波
長組成１．５５ｐｍイントープＴｎＧａＡｓＰ活性層４
、ｐ−ＴｎＰ第１のクラッド層２３をそれぞれ厚さ０．
１ｐｍ、０．１ｐｍ、１．ｐｍに選択的に形成した後、
ｐ−ＴｎＰ第１のクラッド層２３の全面にｐ−ＩｎＰ第
２のクラッド層５を形成し、更にｐ−ＴｎＰ第２のクラ
ッド層５の上面及びｎ−ＩｎＰ基板１の下面に電極６，
７を形成し所望の構造のＤＦＢレーザが得られた。この
ＤＦＢレーザにおいても、第１、第２のガイド層２３．
２２はｎ−ＩｎＰ基板１及び第１のクラッド層−；＼ １Ｊ１ ・（７＞１ 右で、回折格子１０の」二部の半導体層の屈折率の大小
関係が逆になっているために、Ｍ４シフト型ＤＦＢレー
ザと等価になる。
この様にして得られたλ／４シフト型ＤＦＢレーザの発
振特性を調べたところ、発振閾値電流２０ｍＡ、外部微
分量子効率２５％（片面）の良好な特性が得られ、発振
波長１．５５ｐｍ付近で単一波長で発振する素子の歩留
りは９５％以上の高い値を示した。
振特性を調べたところ、発振閾値電流２０ｍＡ、外部微
分量子効率２５％（片面）の良好な特性が得られ、発振
波長１．５５ｐｍ付近で単一波長で発振する素子の歩留
りは９５％以上の高い値を示した。
尚、本発明の実施例では、発振波長１．５５ｐｍ帯の素
子について示したが、本発明は他の波長帯の素子につい
ても有効である。また、本実施例では材料系としてＩｎ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系を用いたが、材料系はこれに限る
ことはなく例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ’ｓ等であって
もよい。更に本発明では、レーザ構造として最も基本的
なダブルへテロ構造の例を示し、ストライプ構造には言
及しなかったが、これはどのようなストライプ構造を採
用しても効果は変らないので省略したまでで、本発明は
ダブルへテロ構造を有するＤＦＢレーザであればいかな
る構造、例えばＴ″） （８） 、、、／ 埋め込み型ダブルへテロ構造等でも有効である。
子について示したが、本発明は他の波長帯の素子につい
ても有効である。また、本実施例では材料系としてＩｎ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系を用いたが、材料系はこれに限る
ことはなく例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ’ｓ等であって
もよい。更に本発明では、レーザ構造として最も基本的
なダブルへテロ構造の例を示し、ストライプ構造には言
及しなかったが、これはどのようなストライプ構造を採
用しても効果は変らないので省略したまでで、本発明は
ダブルへテロ構造を有するＤＦＢレーザであればいかな
る構造、例えばＴ″） （８） 、、、／ 埋め込み型ダブルへテロ構造等でも有効である。
実施例では左右の回折格子は同一平面上にないが、これ
は素子作製」―このような構造になっただけで本質的な
ことではない。この発明の本質は第１図にも示したよう
に回折格子の」−下の半導体層の屈折率の大小関係が左
右で逆になっていればよい。
は素子作製」―このような構造になっただけで本質的な
ことではない。この発明の本質は第１図にも示したよう
に回折格子の」−下の半導体層の屈折率の大小関係が左
右で逆になっていればよい。
（発明の効果）
本発明によれば、従来型のＤＦＢレーザに用いる均一な
回折格子を製作する構造方法によって、非常に容易にλ
１４シフト型Ｔ′）ＦＢレーザを得ることができるよう
になった。その結果、ｌ／４シフト型ＤＦＢレーザの製
作歩留りが著しく向」ニした。
回折格子を製作する構造方法によって、非常に容易にλ
１４シフト型Ｔ′）ＦＢレーザを得ることができるよう
になった。その結果、ｌ／４シフト型ＤＦＢレーザの製
作歩留りが著しく向」ニした。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図及び
第３図は本発明の第１、第２の実施例であるＤＦＢレー
ザを製作工程順に示す図であり、１はｎ−ＩｎＰ基板、
２，３，２１．２２はガイド層、４は活性層、５゜２３
はクラッド層、６，７は電極、１０は回折格子である。 また第４図は従来例を示す図であり、回折格子の形状と
それに対応する等側屈折率の分布を示した図である。 第 ２ 図 （ｂ） 第３図 子 （ｂ） （Ｃン 第４図 手続補正書（自発） ６２，１．−７ 昭和 年 月 日 、オｒｆ＊＊ １１％ ＠１、事件
の表示 昭和６０年 特許願 第２３４０１３号２
、発明の名称 分布帰還型半導体レーザ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容
第３図は本発明の第１、第２の実施例であるＤＦＢレー
ザを製作工程順に示す図であり、１はｎ−ＩｎＰ基板、
２，３，２１．２２はガイド層、４は活性層、５゜２３
はクラッド層、６，７は電極、１０は回折格子である。 また第４図は従来例を示す図であり、回折格子の形状と
それに対応する等側屈折率の分布を示した図である。 第 ２ 図 （ｂ） 第３図 子 （ｂ） （Ｃン 第４図 手続補正書（自発） ６２，１．−７ 昭和 年 月 日 、オｒｆ＊＊ １１％ ＠１、事件
の表示 昭和６０年 特許願 第２３４０１３号２
、発明の名称 分布帰還型半導体レーザ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容
Claims (1)
- 屈折率の異なる２つの半導体層境界に設けられた回折格
子と、この回折格子の近くに活性層を有する分布帰還型
半導体レーザにおいて、共振器方向に２分された２つの
領域を備え、前記一方の領域においては前記回折格子の
上の半導体層の方が前記回折格子の下の半導体層よりも
屈折率が大きく、前記他方の領域においては前記回折格
子の上の半導体層の方が前記回折格子の下の半導体層よ
りも屈折率が小さいことを特徴とする分布帰還型半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234013A JPS6292490A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234013A JPS6292490A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292490A true JPS6292490A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16964184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60234013A Pending JPS6292490A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292490A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259489A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 |
| JPS63169784A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | Sharp Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
| US5279182A (en) * | 1989-08-25 | 1994-01-18 | Kabushiki Kaisha Daikin Seisakusho | Cooling mechanism for built-up flywheel |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60234013A patent/JPS6292490A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259489A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 |
| JPS63169784A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | Sharp Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
| US5279182A (en) * | 1989-08-25 | 1994-01-18 | Kabushiki Kaisha Daikin Seisakusho | Cooling mechanism for built-up flywheel |
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