JPS60176001A - ホログラム回折格子の製造方法 - Google Patents

ホログラム回折格子の製造方法

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JPS60176001A
JPS60176001A JP59031911A JP3191184A JPS60176001A JP S60176001 A JPS60176001 A JP S60176001A JP 59031911 A JP59031911 A JP 59031911A JP 3191184 A JP3191184 A JP 3191184A JP S60176001 A JPS60176001 A JP S60176001A
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JP
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photoresist
hologram
diffraction grating
recording
layer
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JP59031911A
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Koji Ujiie
氏家 孝二
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はホログラム記録を利用した回折格子の製造方法
に関し、特に、レーザープリンター用ホログラムスキャ
ナー、pos用ノセーコードリーダーなどに用いられる
ホログラム回折格子の製造方法に関する。
従来技術 レーザープリンター、pos用/#−コードリーダーな
どの光走査手段としてホログラムスキャナーが提案され
ている(特開昭55−161211号公報、特開昭58
−120211 号公報など)。ホログラムスキャナー
は、ガラスディスク上にフォトレジストを塗布シ、ホロ
グラムを記録し、ついで現像して所望のパターンの回折
格子を形成することにより製造jることかできる(特開
昭58−120211号公報)。しかしながら、このよ
うにして形成される回折格子は環境下に経時においてク
ラックか発生しやすいという問題かある。フォトレジス
トは感度が高く、微細加工か可能であるなどの優れた特
性を有するものの、本来、最終工程では基板を損なうこ
となく溶解されるものであり、環境下における安定性や
経時での劣化はあまり顧りみられていなかったのか現状
である@ 目 的 本発明は、フォトレジストを用いホログラム記録により
回折格子を製造する方法を提供することを目的とする。
構 成 本発明のホログラム回折格子の製造方法は基板上にフォ
トレジスト8塗布し、ホログラムを記録し、ついで現像
する工程を含む製造方法において、基板上にホトレジス
トを塗布し、該レジストを実質的に剥離不可能な程度ま
で硬化せしめて下地層を形成したのち、該下地層上にホ
トレジストを塗布してホログラムを記録することを特徴
とする。
以下、本発明についてさらに詳細に説明するO 先ず、ガラス基板上に回転スピナーなどの適当な塗布手
段によりフォトレジストを塗布し、加熱などによりこの
フォトレジストを剥離不可能な程度まで硬化せしめる。
フォトレジストとしてはポジ型フォトレジストが適当で
あり、好ましくはフェノールノボラックと2−ジアゾ−
1−ナフタレノン誘導体を含むフォトレジストなどナフ
トキノンジアジド系のものである。なお、下地層の樹脂
として2−ジアトー1−ナフタレノンは必ずしも必要で
なくフェノールノボラック樹脂のみで下地層を形成して
もよい。フェノールノボラックと2−ジアゾ−1−ナフ
タレノン誘導体とを含むポジ型フォトレジストを用いた
場合は、140℃以上の温度でベーキングすることによ
り、フォトレジスト層を実質的に剥離不可能とすること
ができ、たとえば140〜200℃の温度でlO分〜1
0時間加熱処理される。
このようにして形成される下地層の膜厚は0.001−
40p程度が適当であり、好ましくは0.01〜0.1
μmである。なお、基板としてはガラス以外の支持体を
用いることもできる。
次に、常法によりこの下地層上にホトレジストを塗布し
て記録層を形成し、ホログラム記録が施される。フォト
レジストの塗布厚は形成すべき回折格子の深さなどに応
じて適宜決定されるが、通常0.1〜1011m程度、
好ましくは0.5〜’i、opm程度が適当である。フ
ォトレジストの選択は下地層を形成する場合と同様であ
り、ごれらのフォトレジストはOFF几−800など0
FFRシリーズ〔東京応化■製〕、シツプレーAZシリ
ーズ(5hipley社製〕、コダックマイクロレジス
ト(Kodak社梨〕、メルクセレクテイプレジスト[
: Merk社製〕などとして入手しつる。フォトレジ
ストを塗布したのち感度を損なわない範囲でシリベーク
してホログラム記録を行なうのが適当である。
フェノールノボラックと2−ジアゾ−1−ナフタレノン
誘導体とを含むポジ型フォトレジストを用いた場合は、
90℃以下でプリベークするのが過当であり、たとえば
80〜90℃で10〜30分間プリベータを施す。
フォトレジストはフォトリングラフイーにおいて広(用
いられているが、フォトリングラフイーではフォトエツ
チング後に不用になつたレジスト族t!す離M’J %
 Ish /J−)−一・−−−となるため、プリベー
ク、ポストベークは剥離が容易な程度に限定されている
。これに対して、半永久的に用いられる回折格子の基材
としてフォトレジストを使用する場合は、フォトレジス
トは基板に強く付着して剥離した方が良い。しかしなが
ら、単層のフォトレジスト層を塗布し強くプリベークし
て付着力を強くしようとすると、フォトレジスト層の感
度が太き(低下してしまい、ホログラム記録が困難にな
る。これに反し本発明方法ではフォトレジストか下地層
と記録層との積層により形成されるため、下地層は十分
に硬化させて付層力を強化させることができ、一方、記
録層のフォトレジストはホログラム記録に好適な条件を
選定することができる。
このようにして記録層を形成したのち、必要により基板
裏面に反射防止膜を塗布し、フォトレジストにホログラ
ム記録を施す。ホログラム記録は常法により行なうこと
ができ、たとえば第1図に示すように行なうことができ
る。レーザー光源11からのレーザー光はビームスシリ
ツタ−13により分割され、分割されたそれぞれの光束
がミラー15 、15’を経て対物レンズ17,1τに
より集束され、ピンホール19.19’を通過し、コリ
メートレンX21.zfで平行光束となり、ホトレジス
トを塗布して記録層228形成したガラス基板23上に
重ね合わせるように照射されて、2光束の干渉縞がホト
レジストに記録される。
ついで、この記録層22と現像することにより所望の格
子間隔と格子深さとを有する回折格子が形成される。ホ
トレジストとしてポジタイプのものを用いれば露光部が
可溶性となって現像により除去され、一方、ネガタイプ
のものを用いれば露光部が不溶化されて非露光部が現像
により除去され、正弦波状のレリーフが形成される。
第2図はこのようにして形成される回折格子についての
概略断面図であり、ガラス基板31上に下地層33を介
して回折格子(フォトレジストレリーフ)35か形成さ
れている。
格子間隔りはホトレジスト上で干渉させられる2光束の
相互の角度や光束の波長により制御することができ、格
子深8hはプリベーク条件、露光時間や現像時間、現像
液濃度などを制御することにより制御できる。また、レ
ーザー光源としてはHe−Cdレーザー(44L6nm
)やArレーザー(457,9nm、 48aOnm)
などが用いられる。
ついで、水洗、乾燥、イストペーキングなどの必要な後
処理を施すことにより本発明の回折格子か得られる。第
3図は、このようにして得られたホログラムスキャナー
に用いられるホログラムディスク36について示す概略
平面図であり、ディスク状のガラス基板37上に回折格
子パターン39が形成されている。
なお、41は取付用穴である。
本発明はフォトレジストを用いてホログラムを製造する
ものであり、ホロゲラフィー一般、特にホログラム回折
格子の製造に好適であり、レーザープリンター用ホログ
ラムスキャナー、PO8用ノセーコードリーダーなどの
製造に応用することができる。
効 果 本発明によれば、フォトレジストを用いてホログラムを
製造するに際して、フォトレジストを実質的に剥離不可
能な程度まで硬化せしめて下地層を形成したのち、さら
にフォトレジストを積層塗布してこの層にホログラム記
録を施すことにより、フォトレジストからなる回折格子
パターンの強度、特に耐湿性を改善することができる。
よって、烏温多湿、結露の発生などの環境条件下におい
ても回折格子パターンのクラックの発生を有効に防止す
ることができ、回折効率などの所期特性の劣化を有効に
防止することができる。
実施例1 外径100mφ、穴径30mm+φ、厚さ3IllIt
のガラス基板上を十分に洗浄、乾燥したのち、回転スf
ナーを用いてlジ型フォトレジスト(シラプレーAZ−
1350,シツプレ−社)を0.1pm厚に塗布し、1
60℃で2時間ベーキングして下地層を形成した。
ついで、この下地層上にポジ型フォトレジスト(シラプ
レーAZ−135りをL5ptW厚に塗布し、85℃で
20分間プリベークして記録層を形成した。
次に、裏面に反射防止コー) (44L6nm )を施
したのち、H@−Cdレーザー(4416nm )を用
いて格子本数2215本/■の10個のホログラフィッ
クグレーティングを撮影した。
次に、現1象液(シツプレーAZ現像液の1:1希釈液
)により現像し、十分水洗したのち105℃で1時間ポ
ストベークして第3図に示したホログラムスキャナーを
作成した。このようにして得られた透過型回折格子の回
折効率は75±5俤の範囲であった。
実施例2 下地層および記録層を次の条件で形成する以外は実施例
1と同様にしてホログラムスキャナーを作成した。
下地層: 0.04pm厚、140℃で5時間ベーキン
グ。
記録層=1.4μm厚、 85.”Cで20分間シリベ
ーク。
実施例3 ポジ型フォトレジストとして0FPR−ao。
(東京応化工業製)を用い、現像液として0FPR用現
像液DE−3の1:1希釈液を用い、各層を以下の条件
で形成する以外は実施例1と同mにしてホログラムスキ
ャナーを作成した0 下地層:o、1pm厚、150℃で2時間ベーキング。
記録層:L6pm厚、90℃で20分間プリベーク。
比較例 下地層を形成することなく、ガラス基板上に記録層を形
成する以外は実施例1と同様にしてホログラムスキャナ
ーを作成した。
温−湿度サイクル試験 以上のようにして比較例および実施例1〜3で得られた
各10個のサンプル(ホログラムスキャナー)について
、JIS−0−5024に定められた方法で温−湿度サ
イクル試駁を施し、クラックが発生したサンプルの数を
調べ第1表に示した。
【図面の簡単な説明】
第1図はホログラムの記録方法を示す説明図である。 第2図は本発明で得られる回折格子を示す概略断面図で
ある。 第3図はホログラムスキャナーを示す概略平面図である
。 11・・・レーf −光源 1a・・・ビームスシリツ
タ−17,1τ・・・対物レンズ 21.21’・・・
コリメートレンズ22・・・記録M 23,31.37
・・・ガラス基板33・・・下地Jψ 35・・・回折
格子36・・・ホログラムスキャナー 39・・・回折
格子パターン図面の浄シ(内容に変更なし) 昂l昆 1 笥3凶 手続ネ市正店;(方式) 昭和59年6月19日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、 事件の表示 昭和59年特許願第31911号 2、発明の名称 ホログラム回折格子の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社リ コー 代表者 浜 1) 広 4、代理人 5、補正指令の日付 (1) m書の「前記以外の代理人」の欄(2) 図 
面 7、補正の内容 (1) 別添の通り、適正な願書を提出する。 (2)別添の通り、適正な図面を提出する。 8、 添付書類の目録 (1) 願 書 1通 (2) 図 面 1通

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. L 基板上にフォトレジストを塗布し、ホログラムを記
    録し、ついで現像する工程を含むホログラム回折格子の
    製造方法において、基板上にホトレジストを塗布し、該
    レジストを実質的に剥離不可能な程度まで硬化せしめて
    下地層を形成したのち、該下地層上にホトレジストを塗
    布してホログラムを記録することを特徴とするホログラ
    ム回、折格子の製造方法。
JP59031911A 1984-02-22 1984-02-22 ホログラム回折格子の製造方法 Pending JPS60176001A (ja)

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JPS60176001A true JPS60176001A (ja) 1985-09-10

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6490402A (en) * 1987-09-30 1989-04-06 Kuraray Co Transmission type diffraction grating
WO2009096813A1 (fr) * 2008-01-29 2009-08-06 Sergei Nikolaevich Maximovsky Procédé pour obtenir à partir de monocristaux de métaux, de leurs alliages, de semi-conducteurs une grille de diffraction sur un matériau en feuille et dispositif correspondant

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6490402A (en) * 1987-09-30 1989-04-06 Kuraray Co Transmission type diffraction grating
WO2009096813A1 (fr) * 2008-01-29 2009-08-06 Sergei Nikolaevich Maximovsky Procédé pour obtenir à partir de monocristaux de métaux, de leurs alliages, de semi-conducteurs une grille de diffraction sur un matériau en feuille et dispositif correspondant

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