JPS60175471A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
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- JPS60175471A JPS60175471A JP59029487A JP2948784A JPS60175471A JP S60175471 A JPS60175471 A JP S60175471A JP 59029487 A JP59029487 A JP 59029487A JP 2948784 A JP2948784 A JP 2948784A JP S60175471 A JPS60175471 A JP S60175471A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体装置の電極構造に関するもので、特にａ
ａ ＡＳホール素子等のＩＩＮ変換素子に使用されるも
のである。
ａ ＡＳホール素子等のＩＩＮ変換素子に使用されるも
のである。
［発明の技術的背景］
ＧａＡｓホール素子等の磁電変換素子は各種ｉ（測用或
いは電磁現象の磁気センサ等磁気を電気に変換する半導
体素子として利用分野が拡大されでいる。−従来の標準
形であるＱａ ＡＳホール素子の一例を第１図および第
２図にもとづいて説明層る。 第１図はＡ−Ａ線断面図
（Ａ−Ａ線については第２図参照）、第２図は平面図で
ある。 半絶縁性ＧａＡＳ基板１の一重部に十字形のＮ
形動動層３が形成される。 Ｎ形動作層３の４つの端部
には高不純物濃度のＮ＋３２９９１層２が並設される。
いは電磁現象の磁気センサ等磁気を電気に変換する半導
体素子として利用分野が拡大されでいる。−従来の標準
形であるＱａ ＡＳホール素子の一例を第１図および第
２図にもとづいて説明層る。 第１図はＡ−Ａ線断面図
（Ａ−Ａ線については第２図参照）、第２図は平面図で
ある。 半絶縁性ＧａＡＳ基板１の一重部に十字形のＮ
形動動層３が形成される。 Ｎ形動作層３の４つの端部
には高不純物濃度のＮ＋３２９９１層２が並設される。
Ｎ＋コンタク１〜層２の」二面にはこれと同面積で重
合するようにオーミック接合用金属膜５（以下Ａ−ミッ
クコンタクト膜という）、ガリウム拡散障壁ＩＩ ６
Ｊ５よびボンディング用金属膜７が積層される。 Ａ−
ミンクコンタクト膜５にはオーミックコンタクトが安定
にできるＡｌｌ Ｑｅ金合金使用される。 ボンディン
グ用金属膜７にはワイヤボンディングが安定にできるＡ
Ｕ等が使用される。 ＱａＡＳ基板では製造工程の熱処
理中にＧａがＡ−ミンクコンタクト族５およびボンディ
ング用金属ｍＶの躾中を拡散して金ｆｉ膜７の表面に集
中しＣボンディング性を悪くする。 このためＡ−ミン
クコンタクト膜５とボンディング用金属膜７との間にガ
リウム拡散障壁膜６を入れることがある。 Ｎ＋コンタ
クト＠２、Ａ−ミックコンタクトＩＩＩ ５、ガリウム
拡散障壁膜６およびボンディング用金属膜７は同じ平面
形状で積層された多層電極を形成している。 この積層
面を除く基板１の主面は絶縁皮ｍ＜本例では５ｉ０２膜
）４ｒｇｉわれＣいる。 ４つの多層電極は相対向する
電極が対となり、入力電極８．８′ （電流電極とも呼
ばれる）および出力電極９．９′ （電圧電極とも呼ば
れる）を形成する。 入力電極間に外部よりバイアス電
流ＩＮを流し、これと直角方向に磁界（磁束密ＪＩＢ）
をか【プたとき、ローレンツ力によりＩＨとＢの双方に
直角にホール起電力ＶＨが発生する。 この電圧はＩＨ
と８との積に比例し、出力電極間に現われる。 このホ
ール電圧は一般に次式であられされる。
合するようにオーミック接合用金属膜５（以下Ａ−ミッ
クコンタクト膜という）、ガリウム拡散障壁ＩＩ ６
Ｊ５よびボンディング用金属膜７が積層される。 Ａ−
ミンクコンタクト膜５にはオーミックコンタクトが安定
にできるＡｌｌ Ｑｅ金合金使用される。 ボンディン
グ用金属膜７にはワイヤボンディングが安定にできるＡ
Ｕ等が使用される。 ＱａＡＳ基板では製造工程の熱処
理中にＧａがＡ−ミンクコンタクト族５およびボンディ
ング用金属ｍＶの躾中を拡散して金ｆｉ膜７の表面に集
中しＣボンディング性を悪くする。 このためＡ−ミン
クコンタクト膜５とボンディング用金属膜７との間にガ
リウム拡散障壁膜６を入れることがある。 Ｎ＋コンタ
クト＠２、Ａ−ミックコンタクトＩＩＩ ５、ガリウム
拡散障壁膜６およびボンディング用金属膜７は同じ平面
形状で積層された多層電極を形成している。 この積層
面を除く基板１の主面は絶縁皮ｍ＜本例では５ｉ０２膜
）４ｒｇｉわれＣいる。 ４つの多層電極は相対向する
電極が対となり、入力電極８．８′ （電流電極とも呼
ばれる）および出力電極９．９′ （電圧電極とも呼ば
れる）を形成する。 入力電極間に外部よりバイアス電
流ＩＮを流し、これと直角方向に磁界（磁束密ＪＩＢ）
をか【プたとき、ローレンツ力によりＩＨとＢの双方に
直角にホール起電力ＶＨが発生する。 この電圧はＩＨ
と８との積に比例し、出力電極間に現われる。 このホ
ール電圧は一般に次式であられされる。
ＶＨ＝に’ ＸＲｄＸ ＩＨＸＢ＋＋＋＋−＋ （１）
（１）式でＫ”は比感度、Ｒｄは入力抵抗と呼ばれ動作
層３の長さ！、幅Ｗおよび層厚等により決定される。
（１）式でＫ”は比感度、Ｒｄは入力抵抗と呼ばれ動作
層３の長さ！、幅Ｗおよび層厚等により決定される。
［背景技術の問題点］
ホール素子を利用する場合、バイアス電流ＩＨの電流容
量（許容最大電流値）を大きくすることが望まれる。
すなわち動作層３の領域を広くし、また形状を所望の形
にする必要がある。 他方ボンディング用金属膜７の面
積は確実なワイヤボンディングを得るためある程度の広
さが必要である。
量（許容最大電流値）を大きくすることが望まれる。
すなわち動作層３の領域を広くし、また形状を所望の形
にする必要がある。 他方ボンディング用金属膜７の面
積は確実なワイヤボンディングを得るためある程度の広
さが必要である。
従来のホール素子の電極構造はＮ４コンタクト層２、オ
ーミックコンタクト膜５およびボンディング用金属膜７
が実質的に同じ平面形状で積層された構造となっている
。 このためＮ’コンタクト層２の面積もこれに付随し
である程度の広さを有するのでＮ形動佳辰３の領域の大
きさが制限され、電流容量が小であった。 なお電流容
量を大きくするためには、基板１の寸法を大きくして動
作層の領域を広く１６等があげられるが、価格上昇など
の問題があり困雌である。
ーミックコンタクト膜５およびボンディング用金属膜７
が実質的に同じ平面形状で積層された構造となっている
。 このためＮ’コンタクト層２の面積もこれに付随し
である程度の広さを有するのでＮ形動佳辰３の領域の大
きさが制限され、電流容量が小であった。 なお電流容
量を大きくするためには、基板１の寸法を大きくして動
作層の領域を広く１６等があげられるが、価格上昇など
の問題があり困雌である。
［発明の目的］
本発明は半絶縁性Ｑａ Ａｓ基板の大きさを増加りるこ
となく、動作層の面積を広くし、入力電流容量を増し、
安定な高感度高品質のホール素子を提供することを目的
とする。
となく、動作層の面積を広くし、入力電流容量を増し、
安定な高感度高品質のホール素子を提供することを目的
とする。
［発明の概要］
本発明は半絶縁性ＧａＡＳ基板の一生面に並設されたＮ
形動作間およびＮ＋３７９９６層と、Ｎ＋３７９９６層
に積層されるＡ−ミンク接合用金属膜（オーミックコン
タクト膜という）およびボンディング用金属膜と、該Ｗ
４層面を除く上記基板の主面を覆う絶縁皮膜とを具備す
るホール素子において、ボンディング用金属膜の一部が
絶縁皮膜を介して、入力通路（電流ヂャネル）又は出力
通路（電圧ヂ１！ネル）の少なくとも１つの通路のＮ形
動佳辰の一部を覆う構造であることを特徴とりるホール
素子ぐある。 すなわち本発明では各膜（Ｈ４〉が同一
形状で積層される多層電極という従来の固定観念をＩ破
し、ボンディング用金属膜の一部がオーミックコンタク
ト膜のみならずＮ形動佳辰を覆う絶縁皮膜上にも位置す
る構造にすることによりオーミックコンタクト膜の面積
を減らし、Ｎ形動佳辰の面積を広くし、電流容量を増加
したものである。 なお入力通路（２つの入力端のＮ＋
３７９９６層の間にはさまれる動作層をいう）又は出力
通路（２つの出力端のＮ＋３７９９６層の間にはさまれ
る動作層をいう）の刈払は電流容量、比感度等の特性上
の要求から主とし゛（決定される。 したがってボンデ
ィング用金属膜の一部が絶縁皮膜を介して動作層の一部
を覆う本発明の電極構造は、入力と出力の内通路に適用
される場合もあり、またいずれか１つの通路のみに適用
される場合もある。
形動作間およびＮ＋３７９９６層と、Ｎ＋３７９９６層
に積層されるＡ−ミンク接合用金属膜（オーミックコン
タクト膜という）およびボンディング用金属膜と、該Ｗ
４層面を除く上記基板の主面を覆う絶縁皮膜とを具備す
るホール素子において、ボンディング用金属膜の一部が
絶縁皮膜を介して、入力通路（電流ヂャネル）又は出力
通路（電圧ヂ１！ネル）の少なくとも１つの通路のＮ形
動佳辰の一部を覆う構造であることを特徴とりるホール
素子ぐある。 すなわち本発明では各膜（Ｈ４〉が同一
形状で積層される多層電極という従来の固定観念をＩ破
し、ボンディング用金属膜の一部がオーミックコンタク
ト膜のみならずＮ形動佳辰を覆う絶縁皮膜上にも位置す
る構造にすることによりオーミックコンタクト膜の面積
を減らし、Ｎ形動佳辰の面積を広くし、電流容量を増加
したものである。 なお入力通路（２つの入力端のＮ＋
３７９９６層の間にはさまれる動作層をいう）又は出力
通路（２つの出力端のＮ＋３７９９６層の間にはさまれ
る動作層をいう）の刈払は電流容量、比感度等の特性上
の要求から主とし゛（決定される。 したがってボンデ
ィング用金属膜の一部が絶縁皮膜を介して動作層の一部
を覆う本発明の電極構造は、入力と出力の内通路に適用
される場合もあり、またいずれか１つの通路のみに適用
される場合もある。
ホール素子の比感度、電流容量等の特性向上のための望
ましい本発明の実施態様の一つは、Ｎ形動佳辰の長さｊ
！（２つの入力端のＮ＋コンタク１一層の間にはさまれ
る動作層の実効距離をいう）が該動作層の幅Ｗ（２つの
出力端のＮ４コンタク！〜層の間にはさまれる動作層の
実効距離をいう）より短く、（Ｗ／ｊりの値ができるだ
け１より大きい構造となるよう本発明を適用したもので
ある。
ましい本発明の実施態様の一つは、Ｎ形動佳辰の長さｊ
！（２つの入力端のＮ＋コンタク１一層の間にはさまれ
る動作層の実効距離をいう）が該動作層の幅Ｗ（２つの
出力端のＮ４コンタク！〜層の間にはさまれる動作層の
実効距離をいう）より短く、（Ｗ／ｊりの値ができるだ
け１より大きい構造となるよう本発明を適用したもので
ある。
Ｌ発明の実施例］
本発明の第１の実施例について図面を用いて以下説明す
る。 第３図は本発明によるホール素子のＢ＝Ｂ線断面
図（Ｂ＝Ｂ線については第４図参照）、第４図はその平
面図である。
る。 第３図は本発明によるホール素子のＢ＝Ｂ線断面
図（Ｂ＝Ｂ線については第４図参照）、第４図はその平
面図である。
Ｏｒをドープした半絶縁性Ｇａ Ａｓ単結晶基板１の一
十面にイＡン注へ法によりＮ形動佳辰１３およびＮ＋コ
ンタクトＶ４１２を並ｊＱ する。 次に気相成長法に
よりＳｉＯ，膜１４（絶縁皮膜）を基板１の両面に膜厚
約３０００ス形成し、Ｎ、雰囲気の拡散炉中で温度１８
０℃、時間１５分のアンニールを行い注入イオンの活性
化をおこなう。 次に通常のホトエツチング技術により
５１０２膜をエツチングし′Ｃ′Ａ−ミックコンタク１
〜Ｍ！１５と同形のパターンニングをおこなったのち、
真空蒸着法によりコンタクトメタル（ＡＵ Ｇ８合金）
を被着し、リフトオフ法により不用なメタルを取り除き
オーミックコンタクｉ〜膜１５を形成する。 次にＮ。
十面にイＡン注へ法によりＮ形動佳辰１３およびＮ＋コ
ンタクトＶ４１２を並ｊＱ する。 次に気相成長法に
よりＳｉＯ，膜１４（絶縁皮膜）を基板１の両面に膜厚
約３０００ス形成し、Ｎ、雰囲気の拡散炉中で温度１８
０℃、時間１５分のアンニールを行い注入イオンの活性
化をおこなう。 次に通常のホトエツチング技術により
５１０２膜をエツチングし′Ｃ′Ａ−ミックコンタク１
〜Ｍ！１５と同形のパターンニングをおこなったのち、
真空蒸着法によりコンタクトメタル（ＡＵ Ｇ８合金）
を被着し、リフトオフ法により不用なメタルを取り除き
オーミックコンタクｉ〜膜１５を形成する。 次にＮ。
雰囲気において温度４００℃約１５分間アロイすること
によりＮ＋コンタクト層１２とオーミックコンタクト膜
１５とのオーミックコンタクトをとる。
によりＮ＋コンタクト層１２とオーミックコンタクト膜
１５とのオーミックコンタクトをとる。
次に通常のホトエツチング技術によりボンディング用金
属膜と同形のパターンニングをおこなったのち真空蒸着
法によりボンディングメタル（本例ではＡｕ）を被着し
、リフトオフ法により不用のメタルを取り除きボンディ
ング用金属膜１７を形成する。 なお所望によりガリウ
ム拡散障壁膜１６をオーミックコンタクト８！１５とボ
ンディング用金属１！１１７の間に形成する。 以上ぐ
ボール素子チップは完成する。。 なお本発明ぐはＡ−
ミックコンタクト膜とボンディング用金属膜と同一形状
でないので本発明による製造１稈数は従来のそれに比ベ
ホ］〜エツヂング工程等が増加づる。
属膜と同形のパターンニングをおこなったのち真空蒸着
法によりボンディングメタル（本例ではＡｕ）を被着し
、リフトオフ法により不用のメタルを取り除きボンディ
ング用金属膜１７を形成する。 なお所望によりガリウ
ム拡散障壁膜１６をオーミックコンタクト８！１５とボ
ンディング用金属１！１１７の間に形成する。 以上ぐ
ボール素子チップは完成する。。 なお本発明ぐはＡ−
ミックコンタクト膜とボンディング用金属膜と同一形状
でないので本発明による製造１稈数は従来のそれに比ベ
ホ］〜エツヂング工程等が増加づる。
入力電極１８．１８′および出力電極１９．１９′はそ
れぞれＮ＋コンタクト層１２、オーミックコンタクトＮ
１５、ガリウム拡散１１ｆｉｉ壁躾１６およびボンディ
ング用金属膜１７からなる多層構造の電１！ＪＣ本実施
例Ｃはボンディング用金属膜１７の一部が絶縁皮１１１
１１４を介して入力通路４０おＪ：び出力通路５０のそ
れぞれの端部を覆う構造となっている。 本発明の第２
の実施例（特許請求の範囲第２項記載の実施態様の一例
）を第５図および第６図に水層る。 第５図はＣ−Ｃ線
断面図、第６図は平面図である。 図面の符号の１位の
数字が第１図ないし第５図のそれと同一のものはイれぞ
れ対応りる部分をあられ′ｒＪｏ 本実施例はＮ形動作
ｆｌｊ２３の長さｊ！（入力電極２８．２８′のＮ＋コ
ンタクト層２２′間にはさまれる動作層の実効距離をい
う）が該動作層２３の幅Ｗ（出力ｍｅａ＋２９．２９′
のＮ＋コンタクト層２２間にはさまれる動作層の実効距
離をいう）より短く、ボンディング用金属膜の一部が絶
縁皮膜２４を介して出力通路５０の動作層２３の一部を
覆い、入力端のボンディング用金属１１９２７’ は絶
縁皮膜２４を介して入力通路４０の動作層２３の一部を
実質的には覆わない構造となっている。
れぞれＮ＋コンタクト層１２、オーミックコンタクトＮ
１５、ガリウム拡散１１ｆｉｉ壁躾１６およびボンディ
ング用金属膜１７からなる多層構造の電１！ＪＣ本実施
例Ｃはボンディング用金属膜１７の一部が絶縁皮１１１
１１４を介して入力通路４０おＪ：び出力通路５０のそ
れぞれの端部を覆う構造となっている。 本発明の第２
の実施例（特許請求の範囲第２項記載の実施態様の一例
）を第５図および第６図に水層る。 第５図はＣ−Ｃ線
断面図、第６図は平面図である。 図面の符号の１位の
数字が第１図ないし第５図のそれと同一のものはイれぞ
れ対応りる部分をあられ′ｒＪｏ 本実施例はＮ形動作
ｆｌｊ２３の長さｊ！（入力電極２８．２８′のＮ＋コ
ンタクト層２２′間にはさまれる動作層の実効距離をい
う）が該動作層２３の幅Ｗ（出力ｍｅａ＋２９．２９′
のＮ＋コンタクト層２２間にはさまれる動作層の実効距
離をいう）より短く、ボンディング用金属膜の一部が絶
縁皮膜２４を介して出力通路５０の動作層２３の一部を
覆い、入力端のボンディング用金属１１９２７’ は絶
縁皮膜２４を介して入力通路４０の動作層２３の一部を
実質的には覆わない構造となっている。
なおボール素子の基板としては実施例の ＧａＡｓのみ
とは限らない。 例えばＧａＡｊ！△Ｓｕその他の半導
体材料でＮ形動作をするものに対し本発明は容易に適用
できる。
とは限らない。 例えばＧａＡｊ！△Ｓｕその他の半導
体材料でＮ形動作をするものに対し本発明は容易に適用
できる。
［発明の効果１
本発明によれば、従来と同一のチップサイズの基板を使
用し、かつワイヤボンディングに必要な広さのボンディ
ング用金属膜面積を具備したまま、オーミックコンタク
ト膜およびＮ＋コンタク］・層の面積を従来よりも減少
し、動作層の領域を広くし、入力電流容置を増加するこ
とが可能となり、安定でノイズ成分の少ない高出力電圧
が得られる。
用し、かつワイヤボンディングに必要な広さのボンディ
ング用金属膜面積を具備したまま、オーミックコンタク
ト膜およびＮ＋コンタク］・層の面積を従来よりも減少
し、動作層の領域を広くし、入力電流容置を増加するこ
とが可能となり、安定でノイズ成分の少ない高出力電圧
が得られる。
実際のホール素子では、高感度であることのみならず使
用電圧、外部に接続する機器とのインピーダンス整合、
磁界または入力電流と出力電圧との直線性、および不平
衡電圧等の緒条ｆ１を総合的に考慮して最適設ｄがおこ
なわれるが、本発明によれば動作層の長さｌおよび幅Ｗ
の選択の範囲が広（なるので最適設計の自由度が大幅に
拡大され、高品質のホール素子が得られる。
用電圧、外部に接続する機器とのインピーダンス整合、
磁界または入力電流と出力電圧との直線性、および不平
衡電圧等の緒条ｆ１を総合的に考慮して最適設ｄがおこ
なわれるが、本発明によれば動作層の長さｌおよび幅Ｗ
の選択の範囲が広（なるので最適設計の自由度が大幅に
拡大され、高品質のホール素子が得られる。
なお第２の実施例（特許請求の範囲第２項記載の実施態
様の一例）は（ｗ／ｊりの値をできるだＧプ１より大き
くし、比感度Ｋ” （上記（１）式参照）を高めるとと
もに電流容量の増加を目的とするものであり、従来のホ
ール素子に比し約５０％の感度増加が得られた。
様の一例）は（ｗ／ｊりの値をできるだＧプ１より大き
くし、比感度Ｋ” （上記（１）式参照）を高めるとと
もに電流容量の増加を目的とするものであり、従来のホ
ール素子に比し約５０％の感度増加が得られた。
第１図および第２図は従来のホール素子のそれぞれＡ−
Ａ線断面図および平面図、第３図および第４図は本発明
の第１の実施例を示すホール素子のそれぞれＢ−Ｂ線断
面図および平面図、第５図およびだ６図は本発明の第２
の実施例で、特許請求の範囲第２項記載の実施態様の一
例を示すボール素子のそれぞれＣ−Ｃ線断面図およびび
平面図である。 １・・・半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板、 ２．１２．２２２
２′・・・Ｎ＋コンタクト層、 ３，１３．２３・・・
Ｎ形動佳辰、 ４，１４．２４・・・絶縁皮膜、 ５゜
１５．２５．２５’ ・・・Δ−ミック接合用金腐膜＜
Ａ−−ミックコンタク１−膜ともいう〉、 ７゜１７．
２７．２７’ ・・・ボンディング用金属膜、８．８’
、１８．１８’ 、２８．２８’・・・入力電極、
９．９’ 、１９．１９’ 、２９．２９’・・・出力
電極、 ４０・・・入力通路、 ５０・・・出力通路、
ｌ・・・Ｎ形動佳辰の長さ、 Ｗ・・・Ｎ形動佳辰の幅
。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第１図 第５１！Ｉ ｆｌ（６図 千続補１１−川（自発） ｒ府和５９年６月２０日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事イ′１の表小 １１１イ和５９年特許願第０２９
４８７月２、発明の名称 ホール素子 ３、補ｉ［をする者 事１′１との関係 特１１出願人 神奈川県川崎山ｉ：ｉ Ｌ）＜施用θＩ’ ７２ ？Ｉ
Ｓ地６、 ？ｒｌｉｉｊにＪ：り増加りる発明の故 ０
８、補正の内容 （１） 明却１出第１頁の１゛特５′１ｈ＾求の範囲一
１を別紙の通り補正する。 （２） 明細用第２頁第１０〜１１ ｔｊ（１） ｌ−
Ｎ形動初層」を「Ｎ形動外層」と補正り−る。 （３） 明細出画７頁第３行と第４行どの間に次の文章
を加入する。 「また本発明のより望ましい実施態様のつは次のどおり
Ｃある。 １なゎＩ）、（ａ）半絶縁性ＧａΔＳ Ｊｉ
↓板の主面の形状が四辺形Ｃ・あり、（１〕）出力通路
のＮ’ 二ｌンタクｌ一層は、動作層の幅Ｗを長くとる
ため、出力側ボンディ用グ川金属膜とＧ ａ Ａ Ｓ
３．ｔ ４ル、１面の周辺部ぐ］δ続され、（Ｃ）人カ
ｉｌ’ｔ回路のＮｏ−１ンタクｉ〜１１−リ１．１、動
作Ｆｉの長さｌｈ）幅ＷＪ、り十分短くなるよう、人カ
側小ン１゛イング用金屈膜ど該主面の中央部（：’ Ｉ
”口ｊｒされるホール４’ｊ′ｊある。、１ （／Ｉ） 明細−：第９貞第；５行の１第２１ＦＩ記載
１をｒ第２ ］ｊ’４ｄ３ ヨ（ｆｍ ３１ＪｕｄＭｊ
＋！ｌ＋ｆｉｉＦ Ｊ ＜＞。 （Ｅｉ ） １ｉｌｌ細ｒ！ｔ ｆｆｉ ９ Ｕｊ ｆ
ｆｉ ６ 行（７） Ｉ 示７１ル。１をＩ゛示り。」
と補１１−４る。 （６） 明細１１：り１９白第１９ ｆ’ｊど第２０
ｆｊどの間に次の文苧を加入づる。１ １１゛イ１お第２の実施例ＣはＧｉｆΔＳ遍、４根１の
１而の形状は正１ノ形（・あり、出力通路５）０のＮｏ
１ンタク１〜層２２ ｔａ出ツノ側小ンＩイング川用
屈膜２７ど主面周辺部（」２面の対角線の昭ｊ部）（接
続され、入力通路４０のＮ ＋ −＋２９９１〜層２２
′は入力端ボンｆインク用金属膜２７′と１面中央部（
・接続され（いる。」 （７） 明細Ｒｉ第１ Ｏｒｉ ｕｉ ２０ ｔ」（７
Ｊ ｌ ｕｓ ２ ｔＦｔ ｒｔ載」召訂゛第２」１１
おＪ：び第３１自ム己４戊」どン山ｉｆりる。 （Ｅ）） 明ｉｌｌ ｉ！’＋第１１ Ｎ＋第１１行の
１だ６図」をＩＩ”第６図」と補止する。 （９） 明細ｔＩ（りｔ１１Ｎ？第１２ｔｊの１第２項
記載」をｌｉ第２１ｊｉおにび第３３項記載」と補正す
る。 （１０） 明細内筒１１貞第１１ｉの「およびび」を１
１’おＡ、 （Ｊ” ｊと補止りる。 別紙 ２、特ｇｔｆみ請求の範囲 １２１で絶縁↑！ｌ （、’ｉ ａΔｂ基〜の １面に
ｌｌ（１，、Ｑさ１１ＩごＮ形動作ｈ・ｊおよびＮ°コ
ンつり１・層ど、Ｎ ’！゛、＝＋ンタクトｈ’ｔに積
層されるＡ−ミック１１；台用金属膜およびボン）゛イ
ング用金属膜ど、該積層面を除く１−記し！板の主面を
覆）絶縁皮膜とを具備するホール１４ Ｆにおい（、ホ
ン゛）０゛イング川金屈膜の 部が絶縁皮膜を介しく入
力通路又は出力通路の少なくと５１つの通路のＮ形動（
１１層の 部を覆う構造”（” ｉｌＱることを特徴と
づるホール素子。 ２ Ｎ形動外層の長さが該動作層の幅より）、ＩＪい特
許請求の範囲ガ′１１項記載のホール素ｊ′。
Ａ線断面図および平面図、第３図および第４図は本発明
の第１の実施例を示すホール素子のそれぞれＢ−Ｂ線断
面図および平面図、第５図およびだ６図は本発明の第２
の実施例で、特許請求の範囲第２項記載の実施態様の一
例を示すボール素子のそれぞれＣ−Ｃ線断面図およびび
平面図である。 １・・・半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板、 ２．１２．２２２
２′・・・Ｎ＋コンタクト層、 ３，１３．２３・・・
Ｎ形動佳辰、 ４，１４．２４・・・絶縁皮膜、 ５゜
１５．２５．２５’ ・・・Δ−ミック接合用金腐膜＜
Ａ−−ミックコンタク１−膜ともいう〉、 ７゜１７．
２７．２７’ ・・・ボンディング用金属膜、８．８’
、１８．１８’ 、２８．２８’・・・入力電極、
９．９’ 、１９．１９’ 、２９．２９’・・・出力
電極、 ４０・・・入力通路、 ５０・・・出力通路、
ｌ・・・Ｎ形動佳辰の長さ、 Ｗ・・・Ｎ形動佳辰の幅
。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第１図 第５１！Ｉ ｆｌ（６図 千続補１１−川（自発） ｒ府和５９年６月２０日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事イ′１の表小 １１１イ和５９年特許願第０２９
４８７月２、発明の名称 ホール素子 ３、補ｉ［をする者 事１′１との関係 特１１出願人 神奈川県川崎山ｉ：ｉ Ｌ）＜施用θＩ’ ７２ ？Ｉ
Ｓ地６、 ？ｒｌｉｉｊにＪ：り増加りる発明の故 ０
８、補正の内容 （１） 明却１出第１頁の１゛特５′１ｈ＾求の範囲一
１を別紙の通り補正する。 （２） 明細用第２頁第１０〜１１ ｔｊ（１） ｌ−
Ｎ形動初層」を「Ｎ形動外層」と補正り−る。 （３） 明細出画７頁第３行と第４行どの間に次の文章
を加入する。 「また本発明のより望ましい実施態様のつは次のどおり
Ｃある。 １なゎＩ）、（ａ）半絶縁性ＧａΔＳ Ｊｉ
↓板の主面の形状が四辺形Ｃ・あり、（１〕）出力通路
のＮ’ 二ｌンタクｌ一層は、動作層の幅Ｗを長くとる
ため、出力側ボンディ用グ川金属膜とＧ ａ Ａ Ｓ
３．ｔ ４ル、１面の周辺部ぐ］δ続され、（Ｃ）人カ
ｉｌ’ｔ回路のＮｏ−１ンタクｉ〜１１−リ１．１、動
作Ｆｉの長さｌｈ）幅ＷＪ、り十分短くなるよう、人カ
側小ン１゛イング用金屈膜ど該主面の中央部（：’ Ｉ
”口ｊｒされるホール４’ｊ′ｊある。、１ （／Ｉ） 明細−：第９貞第；５行の１第２１ＦＩ記載
１をｒ第２ ］ｊ’４ｄ３ ヨ（ｆｍ ３１ＪｕｄＭｊ
＋！ｌ＋ｆｉｉＦ Ｊ ＜＞。 （Ｅｉ ） １ｉｌｌ細ｒ！ｔ ｆｆｉ ９ Ｕｊ ｆ
ｆｉ ６ 行（７） Ｉ 示７１ル。１をＩ゛示り。」
と補１１−４る。 （６） 明細１１：り１９白第１９ ｆ’ｊど第２０
ｆｊどの間に次の文苧を加入づる。１ １１゛イ１お第２の実施例ＣはＧｉｆΔＳ遍、４根１の
１而の形状は正１ノ形（・あり、出力通路５）０のＮｏ
１ンタク１〜層２２ ｔａ出ツノ側小ンＩイング川用
屈膜２７ど主面周辺部（」２面の対角線の昭ｊ部）（接
続され、入力通路４０のＮ ＋ −＋２９９１〜層２２
′は入力端ボンｆインク用金属膜２７′と１面中央部（
・接続され（いる。」 （７） 明細Ｒｉ第１ Ｏｒｉ ｕｉ ２０ ｔ」（７
Ｊ ｌ ｕｓ ２ ｔＦｔ ｒｔ載」召訂゛第２」１１
おＪ：び第３１自ム己４戊」どン山ｉｆりる。 （Ｅ）） 明ｉｌｌ ｉ！’＋第１１ Ｎ＋第１１行の
１だ６図」をＩＩ”第６図」と補止する。 （９） 明細ｔＩ（りｔ１１Ｎ？第１２ｔｊの１第２項
記載」をｌｉ第２１ｊｉおにび第３３項記載」と補正す
る。 （１０） 明細内筒１１貞第１１ｉの「およびび」を１
１’おＡ、 （Ｊ” ｊと補止りる。 別紙 ２、特ｇｔｆみ請求の範囲 １２１で絶縁↑！ｌ （、’ｉ ａΔｂ基〜の １面に
ｌｌ（１，、Ｑさ１１ＩごＮ形動作ｈ・ｊおよびＮ°コ
ンつり１・層ど、Ｎ ’！゛、＝＋ンタクトｈ’ｔに積
層されるＡ−ミック１１；台用金属膜およびボン）゛イ
ング用金属膜ど、該積層面を除く１−記し！板の主面を
覆）絶縁皮膜とを具備するホール１４ Ｆにおい（、ホ
ン゛）０゛イング川金屈膜の 部が絶縁皮膜を介しく入
力通路又は出力通路の少なくと５１つの通路のＮ形動（
１１層の 部を覆う構造”（” ｉｌＱることを特徴と
づるホール素子。 ２ Ｎ形動外層の長さが該動作層の幅より）、ＩＪい特
許請求の範囲ガ′１１項記載のホール素ｊ′。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半絶縁性ＧａＡＳ基板の一重部に並設されたＮ形動
作層およびＮ＋コンタクト層と、Ｎ−＝１ンタクト層に
積層されるオーミック接合用金属膜およびボンディング
用金属膜と、該積層面を除く上記基板の主面を覆う絶縁
皮膜とを具備Ｊるホール素子において、ボンディング用
金属膜の一部が絶縁皮膜を介して人力通路又は出力通路
の少なくと６１つの通路のＮ形動性層の一部を覆うｌｆ
ａ造であることを特徴と１６ホール素子。 ２ Ｎ形動作囮の長さが該動作層の幅より短い特許請求
の範囲第１項記載のホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029487A JPS60175471A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029487A JPS60175471A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | ホ−ル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175471A true JPS60175471A (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12277430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59029487A Pending JPS60175471A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175471A (ja) |
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-
1984
- 1984-02-21 JP JP59029487A patent/JPS60175471A/ja active Pending
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