JPS6288383A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
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- JPS6288383A JPS6288383A JP60227778A JP22777885A JPS6288383A JP S6288383 A JPS6288383 A JP S6288383A JP 60227778 A JP60227778 A JP 60227778A JP 22777885 A JP22777885 A JP 22777885A JP S6288383 A JPS6288383 A JP S6288383A
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- JP
- Japan
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- layer
- bonding
- type operating
- output path
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野１
本発明は、半導体装置の電１′４１＃４造に関ケるもの
で特にＧａＡＳホール素子等の１４五電変ＩＩＡ素了に
使用されるものである。
で特にＧａＡＳホール素子等の１４五電変ＩＩＡ素了に
使用されるものである。
［発明の技術的背Ｈとぞの問題点］
ＧａＡｓホール素子等の脅）７１鹿換素子は、各種計測
用或は電磁現頓の磁気ｌ！ンリ等磁気吊を電気量に変換
する半導体未了どして利用分野が拡大されている。
用或は電磁現頓の磁気ｌ！ンリ等磁気吊を電気量に変換
する半導体未了どして利用分野が拡大されている。
従来のＧａＡｓ小−ル木了の１つの例を第４図及び第５
図にちｔづい−（以下説明りる。 半絶縁性Ｇ ａ Ａ
、８基板１の一ベト面の表面層に入力通路どなるＮ型動
作層２ど、出力通路となるＮ型＃Ｊｎ一層３とが形成さ
れる。 Ｎ型動作層２おＪ、び３は直交し、ｎに交わる
部ブ）を共有する１−字形の平面形状をしている。 入
力通路のＮ型初作層２或番よ出力通路のＮ ’Ｉ’Ｊ
＊）＋作層３は、イれぞれ一対のＮ＋ ］ンタクト層／
Ｉａ或は４ｂ（ａｌ、を入力端を、ｈ ＬＪＪ力端を表
′！ｔ）に」：リイれぞれの両端を挾まれる。
図にちｔづい−（以下説明りる。 半絶縁性Ｇ ａ Ａ
、８基板１の一ベト面の表面層に入力通路どなるＮ型動
作層２ど、出力通路となるＮ型＃Ｊｎ一層３とが形成さ
れる。 Ｎ型動作層２おＪ、び３は直交し、ｎに交わる
部ブ）を共有する１−字形の平面形状をしている。 入
力通路のＮ型初作層２或番よ出力通路のＮ ’Ｉ’Ｊ
＊）＋作層３は、イれぞれ一対のＮ＋ ］ンタクト層／
Ｉａ或は４ｂ（ａｌ、を入力端を、ｈ ＬＪＪ力端を表
′！ｔ）に」：リイれぞれの両端を挾まれる。
Ｎ＋］ンタク１へ層４ａ及び４ｂの上面には、これらど
ほぼ同一形状で重合−りるＡＩＩＱｅ含金から成るそれ
ぞれ一対のＡ−ミック接合用金属膜（以下オーミック電
極という＞５８及び５１）が形成される。 これらそれ
ぞれ−λ１のΔ−ミック電極５ａ及び５１）を除く基板
１の前記」−面は、５１０２よりなる絶縁膜６によって
覆われている。 更にオーミック電極５ａ及び５ｂのそ
れぞれの平面には、これらとほぼ同一形状で重合づ−る
Ａｌ１等り目うなるボンディング用金属膜（以下ポンデ
ィングパッド電極という）７ａ及び７ ｂが形成される
。 相対向する一対のポンディングパッド電極７８は入
力端を、又７１）【よ出り端を形成づる。 入力端の一
対のＮ ＋ Ｉ］ンタクト層４ａに挾まれるＮ型動作層
２を入力通路（電流チャネル）といい、その距離ノをＮ
型動作層の良、）と呼ぶ。 又出力端の一対（ｎ Ｎ
＋：１ンｌ りｌ−Ｈｄ ／Ｉｂ ニ挾；ｌし６ Ｎ
型ｆＪ＋ ＹＶＷｊ 、’３を出力通路（電Ｉｆ、 −
１トネル）といい、イの距離ＷをＮ型動作層の幅とｌｌ
＋ｐぶ。
ほぼ同一形状で重合−りるＡＩＩＱｅ含金から成るそれ
ぞれ一対のＡ−ミック接合用金属膜（以下オーミック電
極という＞５８及び５１）が形成される。 これらそれ
ぞれ−λ１のΔ−ミック電極５ａ及び５１）を除く基板
１の前記」−面は、５１０２よりなる絶縁膜６によって
覆われている。 更にオーミック電極５ａ及び５ｂのそ
れぞれの平面には、これらとほぼ同一形状で重合づ−る
Ａｌ１等り目うなるボンディング用金属膜（以下ポンデ
ィングパッド電極という）７ａ及び７ ｂが形成される
。 相対向する一対のポンディングパッド電極７８は入
力端を、又７１）【よ出り端を形成づる。 入力端の一
対のＮ ＋ Ｉ］ンタクト層４ａに挾まれるＮ型動作層
２を入力通路（電流チャネル）といい、その距離ノをＮ
型動作層の良、）と呼ぶ。 又出力端の一対（ｎ Ｎ
＋：１ンｌ りｌ−Ｈｄ ／Ｉｂ ニ挾；ｌし６ Ｎ
型ｆＪ＋ ＹＶＷｊ 、’３を出力通路（電Ｉｆ、 −
１トネル）といい、イの距離ＷをＮ型動作層の幅とｌｌ
＋ｐぶ。
入力端のボンｊ′イングパッド電４４！７ａに外部Ｊ、
リバイアス電流１１＋を流し、これど直角方向（ｆｆ！
４図の平面図においては紙面ＩＪ中向直方向に磁未密度
Ｂの磁界をか（Ｊだとさ、１１−レンツ力にＪ：すＩ□
と８の双方（Ｊ直角＜’ｃ ｊｊ向即ｌ）出力通路の方
向にホール起電力Ｖ＋ｔが発１１りる。 この電口はＩ
Ｈと８との積に１に１例１ノ、出力端の一対のポンディ
ングパッド電＋４＋ ７１１間１；： ＩＱれる。 こ
のホール電圧は一般に次式（表される。
リバイアス電流１１＋を流し、これど直角方向（ｆｆ！
４図の平面図においては紙面ＩＪ中向直方向に磁未密度
Ｂの磁界をか（Ｊだとさ、１１−レンツ力にＪ：すＩ□
と８の双方（Ｊ直角＜’ｃ ｊｊ向即ｌ）出力通路の方
向にホール起電力Ｖ＋ｔが発１１りる。 この電口はＩ
Ｈと８との積に１に１例１ノ、出力端の一対のポンディ
ングパッド電＋４＋ ７１１間１；： ＩＱれる。 こ
のホール電圧は一般に次式（表される。
ＶＨ−Ｋ”ＲｄＩ ＋＋ ＩＩ ・・・（１）
（１）式でＩく”は比値１ｑ、Ｒｄは人力抵抗であって
、Ｎへ゛（１１作−居の長ざｔｉ 、 Ｎ ／ｌ’ｌ動
作層の幅Ｗ、及び動作層の層ＩＩ７等にＪ、りさめＩう
れ、Ｗ／１の値ができるだけ 月；り人きいことが望よ
【）い。 他方ポンディングパッド？ｔｆｖＭの面積は
、確実なワイヤボンデを１ｑるＩ、：めにある稈ｊ１１
の面積が必要である。 しかしながら第４図に示される
ように、この構造ではそれぞれのＮ ＋ ］ンタク１一
層４、オ−ミック電極５、及びポンディングパッド電極
７は実質的に同じ平面形状で積層されている。 このた
めＮ ゛＝コンタクト層４も成る程度の面積が必要と／
ｒす、Ｎ ｉＳ’！動作層の大きさが制限され、比感度
、電流容量等の素子特性の向上の妨げとなっていた。
（１）式でＩく”は比値１ｑ、Ｒｄは人力抵抗であって
、Ｎへ゛（１１作−居の長ざｔｉ 、 Ｎ ／ｌ’ｌ動
作層の幅Ｗ、及び動作層の層ＩＩ７等にＪ、りさめＩう
れ、Ｗ／１の値ができるだけ 月；り人きいことが望よ
【）い。 他方ポンディングパッド？ｔｆｖＭの面積は
、確実なワイヤボンデを１ｑるＩ、：めにある稈ｊ１１
の面積が必要である。 しかしながら第４図に示される
ように、この構造ではそれぞれのＮ ＋ ］ンタク１一
層４、オ−ミック電極５、及びポンディングパッド電極
７は実質的に同じ平面形状で積層されている。 このた
めＮ ゛＝コンタクト層４も成る程度の面積が必要と／
ｒす、Ｎ ｉＳ’！動作層の大きさが制限され、比感度
、電流容量等の素子特性の向上の妨げとなっていた。
この問題を解決り−るため第６図及び第７図に示づ新し
い小−ル素子が開示されたく特開昭６０−１７５４７１
１照）。 この素子は、素子のチップサイズ及びポンデ
ィングパッド電極の大きさを従来と同一どし、他方Ｎ
＋ ］ンタクト層とＡ−ミンク電極の形状及び配置を適
当に変更し、比感度及び電流容量等の素子特性の向上を
４つたものである。
い小−ル素子が開示されたく特開昭６０−１７５４７１
１照）。 この素子は、素子のチップサイズ及びポンデ
ィングパッド電極の大きさを従来と同一どし、他方Ｎ
＋ ］ンタクト層とＡ−ミンク電極の形状及び配置を適
当に変更し、比感度及び電流容量等の素子特性の向上を
４つたものである。
即ち入力端のＮ＋＝」ンタク１〜層４ａ及びオーミック
電極５８は、動作層の良さ１を短くするため中央部近傍
に設置゛Ｊる。 又出力端のＮ４コンタクト層４ｂ及び
Ａ−ミック電極５ｂは、動作層の幅Ｗを大きくどるため
、その面積も小さくし、且つペレッ１へ周辺部に設ける
。 この素子では、ボンディングパッド？ｔＮ４ｉ７ｂ
が出力通路のＮハリ動作層３を絶縁膜６を介して覆う構
造となる。 これによりＷ／１の値は１Ｊ、り大きくな
り、ボール素子の比感度及び電流容￥は著しく数片され
た。
電極５８は、動作層の良さ１を短くするため中央部近傍
に設置゛Ｊる。 又出力端のＮ４コンタクト層４ｂ及び
Ａ−ミック電極５ｂは、動作層の幅Ｗを大きくどるため
、その面積も小さくし、且つペレッ１へ周辺部に設ける
。 この素子では、ボンディングパッド？ｔＮ４ｉ７ｂ
が出力通路のＮハリ動作層３を絶縁膜６を介して覆う構
造となる。 これによりＷ／１の値は１Ｊ、り大きくな
り、ボール素子の比感度及び電流容￥は著しく数片され
た。
磁界を印加しくｆい状態て・、小−ル素子の入力端から
バイアス電流１ ｕを流１ノだとき、出力端にあられれ
る電圧を不畢衡電Ｒ： Ｖ ｎｏといい、この値が小さ
いことが望ましい。 Ｖ ｎｏはＮ型動作層２及び３が
十字に交わるバ通部分におけるｊＦＡやバイアス電流ｒ
＋−＋の密度分布のバラツキ等々に起因り−るものであ
って小−ルミ圧の精度に直接影響を与える重要な特例で
ある。 このＩ：めつＴ−ハの状態で自動で全パターン
のブｎ−ブデス１−を行４ｒい、その後製品の段階でも
検査を行なっている。 第６図に示す構造のホール素子
においては、つ゛［−ハ状態でのＶ、。の分布値が、製
品段階でのＶ １１０の分布値と相関が薄くなりバラツ
キも大ぎくな−）だ。
バイアス電流１ ｕを流１ノだとき、出力端にあられれ
る電圧を不畢衡電Ｒ： Ｖ ｎｏといい、この値が小さ
いことが望ましい。 Ｖ ｎｏはＮ型動作層２及び３が
十字に交わるバ通部分におけるｊＦＡやバイアス電流ｒ
＋−＋の密度分布のバラツキ等々に起因り−るものであ
って小−ルミ圧の精度に直接影響を与える重要な特例で
ある。 このＩ：めつＴ−ハの状態で自動で全パターン
のブｎ−ブデス１−を行４ｒい、その後製品の段階でも
検査を行なっている。 第６図に示す構造のホール素子
においては、つ゛［−ハ状態でのＶ、。の分布値が、製
品段階でのＶ １１０の分布値と相関が薄くなりバラツ
キも大ぎくな−）だ。
この構造ではＩｔ ＠ａ Ｗの特性ｌｅｔ大さ゛く改善
されたがＶＨｏのつ■−ハ状態での測定値が変化し、Ｔ
稈管理等を妨げるど共に歩留（Ｉｔ十を生じ、新しい間
照点となっている。
されたがＶＨｏのつ■−ハ状態での測定値が変化し、Ｔ
稈管理等を妨げるど共に歩留（Ｉｔ十を生じ、新しい間
照点となっている。
１発明の目的］
本発明の［］的は、小−ル索了のデツプサイズ及び比感
度等を変えへいで、ｉｒｆ記ウェーハ状態での不甲衡電
月Ｖ Ｈ８の測定値に測定による変動が混入しない構造
のホール素子を提供づることである。
度等を変えへいで、ｉｒｆ記ウェーハ状態での不甲衡電
月Ｖ Ｈ８の測定値に測定による変動が混入しない構造
のホール素子を提供づることである。
［発明のＦＭ要］
ホール素子のクー１−−ハ状態での不平衡電圧Ｖ、イ。
の測定値に測定による変動が混入することについ０次の
知見を得た。 即らつ１−凸状態でＶ ＨＯを測定づる
どに〜に１．１、出力通路のＮ型動作層を覆うポンディ
ングパッド電極部にテスト用プローブをＩＩ接して測定
するので、プローブの側圧による圧電効果ｈ＜測定値に
詳大してＶ Ｈａが変化をすることを発見（）た。 こ
の問題を解決する１つの方法は、プローブの多１圧によ
る圧電気が、出力通路のＮ型動作層の外側に延在りる基
板中に発生する構造とづればよい。
知見を得た。 即らつ１−凸状態でＶ ＨＯを測定づる
どに〜に１．１、出力通路のＮ型動作層を覆うポンディ
ングパッド電極部にテスト用プローブをＩＩ接して測定
するので、プローブの側圧による圧電効果ｈ＜測定値に
詳大してＶ Ｈａが変化をすることを発見（）た。 こ
の問題を解決する１つの方法は、プローブの多１圧によ
る圧電気が、出力通路のＮ型動作層の外側に延在りる基
板中に発生する構造とづればよい。
即Ｉ５本弁明は、出力端のポンディングパッド電極（ボ
ンディング用金属膜）が絶縁膜を介して覆う部分が、出
力通路のＮ型ｇＪ＋ ４’ｒ層だＩＪでイ１く、テスト
用プローブを当（るための領１或く以］ζプ目−ブテス
ト領域という）としてこのＮ）１！動作層の外側に延在
する１体）Ａ板の−Ｌ面の〜部分を含むことを特徴とり
る小−ル素了である。
ンディング用金属膜）が絶縁膜を介して覆う部分が、出
力通路のＮ型ｇＪ＋ ４’ｒ層だＩＪでイ１く、テスト
用プローブを当（るための領１或く以］ζプ目−ブテス
ト領域という）としてこのＮ）１！動作層の外側に延在
する１体）Ａ板の−Ｌ面の〜部分を含むことを特徴とり
る小−ル素了である。
なお、プローブテスト領域（、Ｌダイシング後は不要と
なる。 したが−）で出力端のポンディングパッド電極
が延７ｔづる外側の部分が、Ｎ＋−１ンタクト層を挾／
υで出力通路のＮ型動０層と反対側の半導体基板のダイ
シングラインぎりぎりの周辺部を含む構造とりることが
望ましい。
なる。 したが−）で出力端のポンディングパッド電極
が延７ｔづる外側の部分が、Ｎ＋−１ンタクト層を挾／
υで出力通路のＮ型動０層と反対側の半導体基板のダイ
シングラインぎりぎりの周辺部を含む構造とりることが
望ましい。
［発明の実施例１
結晶体に圧力、張力或（ま１！ん断力を加えると、その
内部に誘電分極を／ｌじ、結晶体の両端が＋１ど負ｉこ
分極りるＦｉ：電９１宋は、一般にＪ、く知られＣいる
。 ホール素子のつ［−凸状態ぐの不甲衡電月Ｖ Ｈｏ
の測定値が不規則な変動を示りのは、ｌ［１一ブテスト
時の１圧にＪ、るＩＩ Ｔ＋気横効宋による１〕のと推
定された。 Ｖ ＩＲＩの測定値にＩ”Ｅ Ｔｉ効果が
影響しないためには、ポンディングパッド電極が出力通
路のＮ型動作層を覆う領域１メ外にプローブデス１〜領
域を形成すればよい。 プ１１−ブチスト領域番３１ワ
イＡ７ボンデイングに必要イ’Ｋａｌｌｆｔｉ（以下ボ
ンディング領域という）よりもその面積は小さく、例え
ば約１／４程度である。 したがってポンディングパッ
ド電極部に両領域を別々に設（）てもよいし或はボンデ
ィング領域の一部はプローブテスト領域とΦなっても差
支えイにい。
内部に誘電分極を／ｌじ、結晶体の両端が＋１ど負ｉこ
分極りるＦｉ：電９１宋は、一般にＪ、く知られＣいる
。 ホール素子のつ［−凸状態ぐの不甲衡電月Ｖ Ｈｏ
の測定値が不規則な変動を示りのは、ｌ［１一ブテスト
時の１圧にＪ、るＩＩ Ｔ＋気横効宋による１〕のと推
定された。 Ｖ ＩＲＩの測定値にＩ”Ｅ Ｔｉ効果が
影響しないためには、ポンディングパッド電極が出力通
路のＮ型動作層を覆う領域１メ外にプローブデス１〜領
域を形成すればよい。 プ１１−ブチスト領域番３１ワ
イＡ７ボンデイングに必要イ’Ｋａｌｌｆｔｉ（以下ボ
ンディング領域という）よりもその面積は小さく、例え
ば約１／４程度である。 したがってポンディングパッ
ド電極部に両領域を別々に設（）てもよいし或はボンデ
ィング領域の一部はプローブテスト領域とΦなっても差
支えイにい。
本発明の実施例について第１図及び第２図を参照して以
下説明づる。 なお、以下の図面において、同一符号は
同一部分若しくは相当部分を表し、実施例の符号の下位
１ケタの数字と従来例のそれとはりに対応覆る。 中結
晶の半絶縁性Ｇ ａ Ａ Ｓ雄板２１に入力通路のＮＱ
す動作層２２及び出力通路のＮ型動作層２３ど、これら
のＮ型動作層の両端に接してこれを挟むそれぞれ一対の
入力端のＮ４コンタク１一層２４ａ及び出力端のＮ”ｌ
ンタク１へ層２４ｂが形成される。 前記各層はイオン
注入法により不純物を基板２１に注入し、気相成長法に
Ｊ、す５ｉ０２膜（絶縁膜）２６を基板２１の両面に？
１１１＠Ｉ、、拡散炉中ｅ熱処理を行イ１い、ン（人さ
れた不純物イオンの活性化を行なって形成される。 次
に公知の小１−］ツチング技術１．Ｊ Ｊ、す５ｉ０２
膜２６を１ツｆングしＵＡ−ミツクー１ンタクトボール
をパターンーングし、負空蒸Ｎ？人により入力端のＡ−
ミック電極（オーミック接合用金属膜）２５８及び出力
端のＡ−ミック電極２５ｂをそれぞれＮ１］ンタクＩ−
祠２４ａ及び２４ｂに積層する。 次に合金化りること
にＪ、−）てＮ ＋ ］ンタクｌ一層２／ＩとＡ−ミッ
ク′１ｌｊＸＩ４ｉ２５とのオーミックコンタクトをと
る。 次に貞空蒸着法及びホト・Ｔツブング技術により
入力端及び出力端のポンディングパッド電４４２７ ａ
及び２７１）を形成する。 以Ｖで小−ル＊了Ｌツブは
完成りる。
下説明づる。 なお、以下の図面において、同一符号は
同一部分若しくは相当部分を表し、実施例の符号の下位
１ケタの数字と従来例のそれとはりに対応覆る。 中結
晶の半絶縁性Ｇ ａ Ａ Ｓ雄板２１に入力通路のＮＱ
す動作層２２及び出力通路のＮ型動作層２３ど、これら
のＮ型動作層の両端に接してこれを挟むそれぞれ一対の
入力端のＮ４コンタク１一層２４ａ及び出力端のＮ”ｌ
ンタク１へ層２４ｂが形成される。 前記各層はイオン
注入法により不純物を基板２１に注入し、気相成長法に
Ｊ、す５ｉ０２膜（絶縁膜）２６を基板２１の両面に？
１１１＠Ｉ、、拡散炉中ｅ熱処理を行イ１い、ン（人さ
れた不純物イオンの活性化を行なって形成される。 次
に公知の小１−］ツチング技術１．Ｊ Ｊ、す５ｉ０２
膜２６を１ツｆングしＵＡ−ミツクー１ンタクトボール
をパターンーングし、負空蒸Ｎ？人により入力端のＡ−
ミック電極（オーミック接合用金属膜）２５８及び出力
端のＡ−ミック電極２５ｂをそれぞれＮ１］ンタクＩ−
祠２４ａ及び２４ｂに積層する。 次に合金化りること
にＪ、−）てＮ ＋ ］ンタクｌ一層２／ＩとＡ−ミッ
ク′１ｌｊＸＩ４ｉ２５とのオーミックコンタクトをと
る。 次に貞空蒸着法及びホト・Ｔツブング技術により
入力端及び出力端のポンディングパッド電４４２７ ａ
及び２７１）を形成する。 以Ｖで小−ル＊了Ｌツブは
完成りる。
Ｎ＋コンタクト層２／１１Ａ−ミック電極２５及びポン
ディングパッド電極２７は多層構造の電極を構成づる。
ディングパッド電極２７は多層構造の電極を構成づる。
本実施例で番よ、出力端のボン７’イングパツド電極
２７］）のＮ１−１ンタクト層２／Ｉｈより内側の部分
が絶縁ＩＰＪ ２６を介しＣ出力通路のＮ型動作層２３
を覆う構造どなっている。 Ｎ１−１ンタクト層２４１
２を覆う部分を含むこの内側部分でワイヤボンディング
は行なわれる。 又Ｎ＋コンタクト層２／Ｉｂを挾んで
出力通路のＮ型動作層２３と反対側（外側）の基板２１
の部分及びＮ＋二１ンタク１一層２４１）を覆うポンデ
ィングパッド電ＶＭ２７ｂの領域がプ１−１−ブチスト
領域として使用される。
２７］）のＮ１−１ンタクト層２／Ｉｈより内側の部分
が絶縁ＩＰＪ ２６を介しＣ出力通路のＮ型動作層２３
を覆う構造どなっている。 Ｎ１−１ンタクト層２４１
２を覆う部分を含むこの内側部分でワイヤボンディング
は行なわれる。 又Ｎ＋コンタクト層２／Ｉｂを挾んで
出力通路のＮ型動作層２３と反対側（外側）の基板２１
の部分及びＮ＋二１ンタク１一層２４１）を覆うポンデ
ィングパッド電ＶＭ２７ｂの領域がプ１−１−ブチスト
領域として使用される。
第３図は本発明の他の実施例で、ポンディングパッド電
Ｉ４２７ｂの形状のみ変更したものである。
Ｉ４２７ｂの形状のみ変更したものである。
Ｎ型動作層２４ｈの側方（図面の斜線部分）の領Ｉｄを
プローブテスト領１或として使用するものである。
プローブテスト領１或として使用するものである。
４′ｌ−４３、ホール素子の基板どしては実施例の半絶
縁士’ＩＩ Ｇ ａ Ａ Ｓ 基板が望ましいが、たと
えばＧａ Ａｔ Ａｓ 、 ３１ ′ｆｉでの他の半導
体基板を使用しても差支えない。
縁士’ＩＩ Ｇ ａ Ａ Ｓ 基板が望ましいが、たと
えばＧａ Ａｔ Ａｓ 、 ３１ ′ｆｉでの他の半導
体基板を使用しても差支えない。
［発明の効！ｌ］
従来技術ではポンディングパッド電極面でボンディング
領域とプ［］−ブチスト領域とが重なり、その市なる部
分が絶縁膜を介して出力通路のＮ型動作層をＮうｌ、−
め、不）１１衡電１ｉＶｕ。はナス用〜川゛１０−ブの
１圧の影響を受１．１ ／、−が、本発明ではブ１１−
ブテスト領域をＮ Ｑ’−１動作層Ｉに設ＬＪ ！’ｃ
いのｒｆｆｉ１斤の影響を受１７ ＜にい。 ２１．た
ノｎ −−Ｉテス］・領！或はボンディング領域に比１
ノイの面積がＪ：り小さく、かつプ［１−ブテス１〜領
域はプ１１−ブｊスｌ １Ｇはｔ要とイするのでダーｒ
シングフィンぎりざり；ｌニー（−使用できるため、本
発明にＪ、リブツブ１ｊイズを大さくすることはほどん
ど必曹がイ「い。 本発明の小−ル素子でＣま、プｒ’
ｌ−’／’テストの際の釘しトの影響が除かれ、不平衡
電１ｌ−Ｖ１．ｌｌの肉の飴が１′、Ｉられ、ｌ１の影
響によＶ１１膜を不１４品と１〕で測定してしまうこと
がなくなり、歩留イ）向１した。
領域とプ［］−ブチスト領域とが重なり、その市なる部
分が絶縁膜を介して出力通路のＮ型動作層をＮうｌ、−
め、不）１１衡電１ｉＶｕ。はナス用〜川゛１０−ブの
１圧の影響を受１．１ ／、−が、本発明ではブ１１−
ブテスト領域をＮ Ｑ’−１動作層Ｉに設ＬＪ ！’ｃ
いのｒｆｆｉ１斤の影響を受１７ ＜にい。 ２１．た
ノｎ −−Ｉテス］・領！或はボンディング領域に比１
ノイの面積がＪ：り小さく、かつプ［１−ブテス１〜領
域はプ１１−ブｊスｌ １Ｇはｔ要とイするのでダーｒ
シングフィンぎりざり；ｌニー（−使用できるため、本
発明にＪ、リブツブ１ｊイズを大さくすることはほどん
ど必曹がイ「い。 本発明の小−ル素子でＣま、プｒ’
ｌ−’／’テストの際の釘しトの影響が除かれ、不平衡
電１ｌ−Ｖ１．ｌｌの肉の飴が１′、Ｉられ、ｌ１の影
響によＶ１１膜を不１４品と１〕で測定してしまうこと
がなくなり、歩留イ）向１した。
第１図及び第２図は本発明の小−ル素了の実施例のそれ
ぞれ平面図及びＣ−Ｇ線断面図、第３図は本発明のホー
ル素子の仙の実施例の平面図、第４図及び第５図（よ小
−ル素子の従来例のぞれぞれ平面図及びＡ−Δ線断面図
、第６間尺（ｆ第７図はホール素子の他のｆ＆来例のぞ
れぞれ平面図及び１３−Ｂ線断面図である。 １．２１・・・半導体基板（半絶縁性ＧａＡＳ基板）、
２．２２・・・入力通路のＮ型動作層、 ３．２３・・
・出力通路のＮ型動作層、 ｄａ、２４ａ・・・入力端
のＮ４コンタクト層（末尾の文字ａは入力端を表す）、
４ｂ、２４ｂ・・・出力端のＮ＋］ンタク［・層（末
尾の文字１）は出力端を表す）、 ５゜２５・・・オー
ミック接合用金属膜（オーミック電極）、 ６・・・絶
縁膜（Ｓｉｎ２膜）、 ７，２７・・・ボンディング用
金属膜（ポンディングパッド電極）。
ぞれ平面図及びＣ−Ｇ線断面図、第３図は本発明のホー
ル素子の仙の実施例の平面図、第４図及び第５図（よ小
−ル素子の従来例のぞれぞれ平面図及びＡ−Δ線断面図
、第６間尺（ｆ第７図はホール素子の他のｆ＆来例のぞ
れぞれ平面図及び１３−Ｂ線断面図である。 １．２１・・・半導体基板（半絶縁性ＧａＡＳ基板）、
２．２２・・・入力通路のＮ型動作層、 ３．２３・・
・出力通路のＮ型動作層、 ｄａ、２４ａ・・・入力端
のＮ４コンタクト層（末尾の文字ａは入力端を表す）、
４ｂ、２４ｂ・・・出力端のＮ＋］ンタク［・層（末
尾の文字１）は出力端を表す）、 ５゜２５・・・オー
ミック接合用金属膜（オーミック電極）、 ６・・・絶
縁膜（Ｓｉｎ２膜）、 ７，２７・・・ボンディング用
金属膜（ポンディングパッド電極）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の一主面に設けられたＮ型動作層と、そ
の両端に接してこれを挾む一対のＮ＾＋コンタクト層と
、前記Ｎ＾＋コンタクト層に積層されるオーミック接合
用金属膜と、前記オーミック接合用金属膜を除く前記半
導体基板の主面を覆う絶縁膜と、前記オーミツク接合用
金属膜に積層されるとともに前記絶縁膜を介して出力通
路のＮ型動作層を覆う出力端のボンディング用金属膜を
有するホール素子において、出力端のボンディング用金
属膜が前記絶縁膜を介して覆う部分が出力通路のＮ型動
作層の外側に延在する前記半導体基板の主面の一部分を
含むことを特徴とするホール素子。 ２ 半導体基板が半絶縁性ＧａＡｓ基板である特許請求
の範囲第１項記載のホール素子。 ３ 前記出力端のボンディング用金属膜が延在する外側
の部分が、Ｎ＾＋コンタクト層を挾んで出力通路のＮ型
動作層と反対側の前記半導体基板の周辺部を含む特許請
求の範囲第１項又は第２項記載のホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227778A JPS6288383A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227778A JPS6288383A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ホ−ル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288383A true JPS6288383A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16866234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227778A Pending JPS6288383A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288383A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712646B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-03-30 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | High-speed transmission connector with a ground structure having an improved shielding function |
| US8109770B2 (en) | 2002-06-24 | 2012-02-07 | Advanced Interconnections Corp. | High speed, high density interconnection device |
| CN108075036A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件以及霍尔元件的制造方法 |
| JP2018088514A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子 |
| JP2018088515A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
| JP2018160631A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60227778A patent/JPS6288383A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712646B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-03-30 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | High-speed transmission connector with a ground structure having an improved shielding function |
| US8109770B2 (en) | 2002-06-24 | 2012-02-07 | Advanced Interconnections Corp. | High speed, high density interconnection device |
| CN108075036A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔元件以及霍尔元件的制造方法 |
| JP2018088514A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子 |
| JP2018088515A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
| US11029372B2 (en) | 2016-11-18 | 2021-06-08 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element for mitigating current concentration and fabrication method thereof |
| JP2018160631A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール素子 |
| US10333057B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-06-25 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Hall element |
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