JPS60169138A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS60169138A JPS60169138A JP2280784A JP2280784A JPS60169138A JP S60169138 A JPS60169138 A JP S60169138A JP 2280784 A JP2280784 A JP 2280784A JP 2280784 A JP2280784 A JP 2280784A JP S60169138 A JPS60169138 A JP S60169138A
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- JP
- Japan
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- gas
- vacuum processing
- gas supply
- orifice
- stop valve
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空処理室へのガス供給方法に係り。
特に内部で被処理物をプラズマを利用して処理する真空
処理室へのガス供給方法に関するものである。
処理室へのガス供給方法に関するものである。
真空処理室内で被処理物をプラズマを利用して処理する
、例えば、プラズマエラ千ング装置、プラズマＣＶＤ装
置等の真空処理袋Ｗは、ガス供給装置と真空処理室とを
連結するガス供給管にオリフィスを有するコントローラ
（以下、ＭＦＣと略）とストップバルブとが配設された
ガス供給系と、ＮＦＣとストップバルブとの動作を制御
する制御装置とを一般に具備している。
、例えば、プラズマエラ千ング装置、プラズマＣＶＤ装
置等の真空処理袋Ｗは、ガス供給装置と真空処理室とを
連結するガス供給管にオリフィスを有するコントローラ
（以下、ＭＦＣと略）とストップバルブとが配設された
ガス供給系と、ＮＦＣとストップバルブとの動作を制御
する制御装置とを一般に具備している。
このような真空処理装置では、真空処理室での被処理物
の処理完了後、ＭＦＣＯ前流側並びに後湾側に配設され
たストップバルブが同時に閉止され真空処理室は新音圧
力に減圧排気される。真空、処理室からの処理済みの被
処理物の排出及び真空処理室への新たな被処理物の搬入
、設置完了後、全てのストップバルブが開放され真空処
理室にはガスが再び供給される。
の処理完了後、ＭＦＣＯ前流側並びに後湾側に配設され
たストップバルブが同時に閉止され真空処理室は新音圧
力に減圧排気される。真空、処理室からの処理済みの被
処理物の排出及び真空処理室への新たな被処理物の搬入
、設置完了後、全てのストップバルブが開放され真空処
理室にはガスが再び供給される。
このような真空処理ｅｌｆでは、ＭＦＣのオリフィスで
のリークガスやＭＦＣ−のオリフィスの制御遅延により
ＭＦＣのオリフィスとＮＦＣの前流側のストップバルブ
との間に留っていたガスがＭＦＣとＭＦＣの後流側のス
トップバルブとの間に漏洩し、その間の圧力は処３！１
１時の圧力の数倍に達する。従って、真空処理室へのガ
スの再供給時にＭＦＣの後流側のストップバルブを開放
すれば真空処理室にはガスが突出し、これによりストッ
プバルブやガス供給管内の異物を飛散させ被処理物に付
着するため、被処理物の処理品質が低下するといった欠
点があった。
のリークガスやＭＦＣ−のオリフィスの制御遅延により
ＭＦＣのオリフィスとＮＦＣの前流側のストップバルブ
との間に留っていたガスがＭＦＣとＭＦＣの後流側のス
トップバルブとの間に漏洩し、その間の圧力は処３！１
１時の圧力の数倍に達する。従って、真空処理室へのガ
スの再供給時にＭＦＣの後流側のストップバルブを開放
すれば真空処理室にはガスが突出し、これによりストッ
プバルブやガス供給管内の異物を飛散させ被処理物に付
着するため、被処理物の処理品質が低下するといった欠
点があった。
本発明の目的は、ガス併給系のストップバルブやガス供
給管内のガスによる異物の飛散を防止して異物の被処理
物への付着を抑制することで、被処理物の処理品質の低
下を防止できる真空処理室へのガス供給方法を提供する
ことにある。
給管内のガスによる異物の飛散を防止して異物の被処理
物への付着を抑制することで、被処理物の処理品質の低
下を防止できる真空処理室へのガス供給方法を提供する
ことにある。
本発明は、真空処理室へのガスの供給停止後でガスの供
給開始以前にＮＦＣの後流側のガス供給管を真空排気す
ることを特徴とするもので、真空処理室へのガス供給時
にガスの突出を防止しガス供給系のストップバルブやガ
ス供給管内のガスによる異物の飛散を防止して異物の被
処理物への付着を抑制しようとするものである。
給開始以前にＮＦＣの後流側のガス供給管を真空排気す
ることを特徴とするもので、真空処理室へのガス供給時
にガスの突出を防止しガス供給系のストップバルブやガ
ス供給管内のガスによる異物の飛散を防止して異物の被
処理物への付着を抑制しようとするものである。
本発明の一実施例を＠１図により説明する。
第１図で、ガス供給系１０は、ガス供給装置２０と真空
処理室３０とを連結するガス供給管】１と、ガス供給管
】１に配設されたＭ Ｆ Ｃ１２とストップバルブ１３
〜Ｊ５とで構成され、ＭＦＣ１２とストップバルブ１３
〜Ｊ５の動作は制御装置４０で制御される。ＭＦＣ１２
の前流側にはストップバルブ１３が後流側にはストップ
バルブ１４が設けられ、ストップバルブ１４の後流側に
はストップバルブ】５が設けられている。
処理室３０とを連結するガス供給管】１と、ガス供給管
】１に配設されたＭ Ｆ Ｃ１２とストップバルブ１３
〜Ｊ５とで構成され、ＭＦＣ１２とストップバルブ１３
〜Ｊ５の動作は制御装置４０で制御される。ＭＦＣ１２
の前流側にはストップバルブ１３が後流側にはストップ
バルブ１４が設けられ、ストップバルブ１４の後流側に
はストップバルブ】５が設けられている。
真空処理室３０での被処理物（図示省略）の処理完了後
、ストップバルブ１３を閉止すると共に制御装［４０に
よりＭＦＣ］２のオリフィスを完閉とする指令を出す。
、ストップバルブ１３を閉止すると共に制御装［４０に
よりＭＦＣ］２のオリフィスを完閉とする指令を出す。
ＭＰＣＩ２の信号線でオリフィスの完閉を検知した後に
、必要に応じては更に一定時間経過後にストップバルブ
１４．１５を閉止する。これによりＭＦＣ１２の後流側
のガス供給管１１、この場合は、ＭＦＣ１２のオリフィ
スとストップバルブ１４との間を真空に保つことができ
る。、真空処理室３０からの処理済みの被処理物の搬出
及び真空処理室３０への新たな被処理物の搬入、設置完
了後、ストップバルブ１４ 、１５を開放し、その後、
ストップバルブ１３を開放する。ＭＦＣ］２に対して再
び制御装置４０により必要流量までガスを流通させるよ
うにオリフィス開度指令のための信号が出され、ガスは
真空処理室３０へゆるやかに供給される。
、必要に応じては更に一定時間経過後にストップバルブ
１４．１５を閉止する。これによりＭＦＣ１２の後流側
のガス供給管１１、この場合は、ＭＦＣ１２のオリフィ
スとストップバルブ１４との間を真空に保つことができ
る。、真空処理室３０からの処理済みの被処理物の搬出
及び真空処理室３０への新たな被処理物の搬入、設置完
了後、ストップバルブ１４ 、１５を開放し、その後、
ストップバルブ１３を開放する。ＭＦＣ］２に対して再
び制御装置４０により必要流量までガスを流通させるよ
うにオリフィス開度指令のための信号が出され、ガスは
真空処理室３０へゆるやかに供給される。
本実施例のような真空処理室へのガス供給方法では、真
空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止してガス供
給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物
の飛散を防止できるため、異物の被処理物への付着を抑
制でき被処理物の処理品質の低下を防止できる。
空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止してガス供
給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物
の飛散を防止できるため、異物の被処理物への付着を抑
制でき被処理物の処理品質の低下を防止できる。
第２図は、本発明の他の実施例を説明するもので、スト
ップバルブ１４ 、１５間のガス供給’１ｆｌｌにスト
ップバルブ６が設けられた排気管５ｏの一端が連結され
ている。排気管５ｏの他端は、例えば真空処理室３０を
真空排気する排気ＩＪ置（図示省略）に連結されている
。尚、その他は第１図と同様であり説明を省略する。
ップバルブ１４ 、１５間のガス供給’１ｆｌｌにスト
ップバルブ６が設けられた排気管５ｏの一端が連結され
ている。排気管５ｏの他端は、例えば真空処理室３０を
真空排気する排気ＩＪ置（図示省略）に連結されている
。尚、その他は第１図と同様であり説明を省略する。
真空処理室３０での被処理物（図示省略）の処理完了後
、ストップバルブ１３ 、１５を閉止、ストップバルブ
１６を開放すると共に制御装置ｉ’４０によりＭＰＣＩ
２のオリフィスを完閉とする指令を出す。ＭＦＣ１２か
ら制御装置１．４０が完閉になった信号を受け取った後
にストップバルブ１４．１６を閉止する。この間、Ｍ
Ｆ Ｃ１２とストップバルブ１５間は排気管５ｏを介し
て排気ｖｉ１１により真空排気されると共に、真空処理
室３０では残留ガスの排気と被処理物の交換が行われる
。真空処理室３ｏへのガスの再供給の方法は上記した一
実施例と同様であり説明を省略す−る。
、ストップバルブ１３ 、１５を閉止、ストップバルブ
１６を開放すると共に制御装置ｉ’４０によりＭＰＣＩ
２のオリフィスを完閉とする指令を出す。ＭＦＣ１２か
ら制御装置１．４０が完閉になった信号を受け取った後
にストップバルブ１４．１６を閉止する。この間、Ｍ
Ｆ Ｃ１２とストップバルブ１５間は排気管５ｏを介し
て排気ｖｉ１１により真空排気されると共に、真空処理
室３０では残留ガスの排気と被処理物の交換が行われる
。真空処理室３ｏへのガスの再供給の方法は上記した一
実施例と同様であり説明を省略す−る。
本実施例のような真空処理室へのガス供給方法゛では、
上記した一実施例で得られた効果の他に、ＭＦＣＯ後？
ＩＩＩｆのガス供給管を真空処理室を介さないで真空排
気できるため、真空処理装置のスループットを同士でき
る。
上記した一実施例で得られた効果の他に、ＭＦＣＯ後？
ＩＩＩｆのガス供給管を真空処理室を介さないで真空排
気できるため、真空処理装置のスループットを同士でき
る。
尚、上記した他の実施例で、ＮＦＣのオリフィスでのリ
ーク量が多くＭＦＣ出口側にガスが流入する場合には、
真空処理室での被処理物の処理完１後、ＭＦＣの前流側
のストップバルブとＦＭＣの後流側のストップバルブの
更に後流側のストップバルブとを閉止し排気管のストッ
プバルブを開放すると同時に、制御装置からＭＦＣのオ
リフィ排気管の排気に時間を要するため、ガス供給管に
ＭＦＣをバイパスするバイパス管を速結すると共に１管
にストップバルブを設けて排気時間を短縮し被処理物の
交換時間内にＭ Ｐ ＣＩ）Ｍ流側のストップバルブの
後流側を真空排気できるようにしても良い。
ーク量が多くＭＦＣ出口側にガスが流入する場合には、
真空処理室での被処理物の処理完１後、ＭＦＣの前流側
のストップバルブとＦＭＣの後流側のストップバルブの
更に後流側のストップバルブとを閉止し排気管のストッ
プバルブを開放すると同時に、制御装置からＭＦＣのオ
リフィ排気管の排気に時間を要するため、ガス供給管に
ＭＦＣをバイパスするバイパス管を速結すると共に１管
にストップバルブを設けて排気時間を短縮し被処理物の
交換時間内にＭ Ｐ ＣＩ）Ｍ流側のストップバルブの
後流側を真空排気できるようにしても良い。
本発明は、以上説明したように、真空処理室へのガスの
供給停止後でガスの供給開始以前にＭＦＣの後流側のガ
ス供給管を真空排気することで、真空処理室へのガス供
給時にガスの突出を防止してガス供給系のストップバル
ブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止できる
ので、異物の被処理物への付着を抑制でき被処理物の処
理品質の低下を防止できるという効果がある。
供給停止後でガスの供給開始以前にＭＦＣの後流側のガ
ス供給管を真空排気することで、真空処理室へのガス供
給時にガスの突出を防止してガス供給系のストップバル
ブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止できる
ので、異物の被処理物への付着を抑制でき被処理物の処
理品質の低下を防止できるという効果がある。
第１図は、本発明を実施した真空処理装置の構成の一例
を示すブロック図、第２図は、本発明を実施した真空処
理装置の構成の他の例を示すブロック図である。 キ
を示すブロック図、第２図は、本発明を実施した真空処
理装置の構成の他の例を示すブロック図である。 キ
Claims (1)
- １ ガス供給装置と真空処理室とを連結するガス供給管
にオリフィスを有するコントローラとストップバルブと
が配設されたガス供給系と、前記コントローラと前記ス
トップバルブとの動作を制御する制御袋−とを具備した
真空処理装置において、前記真空処理室へのガスの供給
停止後でガスの供給開始ＪＪ、前に前記コントローラの
後流側の前記ガス供給管を真空排気することを特徴とす
る真空処理室へのガス供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280784A JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280784A JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6086159A Division JP2646998B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169138A true JPS60169138A (ja) | 1985-09-02 |
| JPH0521984B2 JPH0521984B2 (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=12092958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280784A Granted JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04180567A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
| KR20020074708A (ko) * | 2001-03-21 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 가스 투입 유량 증대 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161065A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Fujitsu Ltd | Continuous dry etching method |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2280784A patent/JPS60169138A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161065A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Fujitsu Ltd | Continuous dry etching method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04180567A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
| KR20020074708A (ko) * | 2001-03-21 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 가스 투입 유량 증대 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521984B2 (ja) | 1993-03-26 |
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